JPH0726007A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 末端基の少なくとも１つが、一般式（１）で
表される基である芳香族ポリカーボネート。 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は鎖状アルキル基を表し、ｐ
は０または１を表す） 【効果】 溶融流動性ならびに熱安定性に優れた芳香族
ポリカーボネートを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
トに関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の
基を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、
透明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエ
ンジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気製品等の部品として幅広く用いられている。通
常、芳香族ポリカーボネートを製造する際には、製造さ
れる芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目的
で、末端封止剤（分子量調節剤、連鎖停止剤とも呼ばれ
ている）を添加し重合がなされている（例えば、米国特
許第３０２８３６５号）。その中でも、末端封止剤とし
て、フェノールまたはｐ−tert−ブチルフェノールが一
般的に広く使用されている。しかし、フェノールまたは
ｐ−tert−ブチルフェノールを末端封止剤として製造さ
れる芳香族ポリカーボネートは、溶融粘度が非常に高
く、溶融流動性が悪いため、成形品を製造する際には、
充分な流動性を確保するために、高温条件下で溶融成形
が行われてきた。しかしながら、薄肉の成形品あるいは
複雑な形状の成形品を製造する場合には、溶融時の流動
性はなお不充分であり、金型内で未充填を起こしやす
く、精密成形品が得られにくいという問題点がある。

【０００３】最近、例えば、データー保存用ディスクま
たはオーディオ用コンパクトディスク等の光学機器用の
基板に必要とされる精密な加工性が要求される分野にお
いては、優れた溶融流動性を有する芳香族ポリカーボネ
ートが必要となっている。溶融流動性を改良する方法と
して、例えば、Ｃ_mＨ_2m+1Ｏ−基（ｍは３〜１０の整数
を表す）をパラ位に有するフェノール誘導体または安息
香酸誘導体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカー
ボネートを製造する方法が提案されている（特開昭６３
−２５８９２２号公報）。しかし、末端封止剤として、
例えば、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシフェノールまたはｐ−
ｎ−オクチルオキシ安息香酸を使用して製造される芳香
族ポリカーボネートは、溶融流動性はある程度改善され
るものの、熱安定性（ガラス転移点）が低いという問題
点がある。

【０００４】現在では、溶融流動性に優れ、かつ、熱安
定性にも優れた芳香族ポリカーボネートが強く要望され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の従来技術の問題点を改善し、溶融流動性に優れ、か
つ、熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供す
ることである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し、鋭意検討した結果、本発明に到
達した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）（化２）で表される基である芳香族ポ
リカーボネートに関するものである。

【０００７】

【化２】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は鎖状アルキル基を表し、ｐ
は０または１を表す）

【０００８】本発明に係る一般式（１）で表される基に
おいて、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ は鎖状アルキル基を表
し、好ましくは、炭素数１〜１６の鎖状アルキル基を表
し、より好ましくは、炭素数１〜１２の鎖状アルキル基
を表す。Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ の具体例としては、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、
tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル
基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ネオペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３
−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、４−メチ
ル−２−ペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチ
ル基、２−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチ
ル基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、１−メチル
ヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシ
ル基、１，３−ジメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、
２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリ
メチルヘキシル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオ
クチル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ト
リデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基を挙げることができるが、これ
らに限定されるものではない。一般式（１）で表される
基において、ｐは０または１を表す。本発明の末端基の
少なくとも１つが、一般式（１）で表される基である芳
香族ポリカーボネートを製造する際に使用する好適な化
合物としては、一般式（１−Ａ）（化３）で表される化
合物を挙げることができる。

【０００９】

【化３】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ およびｐは前記に同じ意味を
表し、Ｙは−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ基、−ＣＯ
ＯＨ基、−ＣＯＯＭ基、−ＣＯＯＺ基を表し、Ｍは金属
イオン、Ｚはハロゲン原子を表す）

【００１０】本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される
化合物において、Ｙは、−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯ
Ｚ基、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基、−ＣＯＯＺ基を表
し、Ｍは金属イオンを表し、Ｚはハロゲン原子を表す
が、Ｍとしては、好ましくは、１価または２価のアルカ
リ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンであり、リ
チウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カ
ルシウムイオン等を具体例として挙げることができ、Ｚ
としては、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子を挙げることができ、より好ましくは、塩素原子であ
る。本発明に係る一般式（１−Ａ）で表される化合物に
おいて、−ＯＲ₁ 、−ＯＲ₂および−ＯＲ₃ の置換位置
は、置換基Ｙに対して、オルト位、メタ位またはパラ位
である。

【００１１】尚、一般式（１−Ａ）で表される化合物
は、公知の方法により製造することができる。例えば、
代表的には、一般式（１−Ａ）において、ｐが０であ
り、Ｙが−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基で表される化合物
は、一般式（ａ）（化４）または一般式（ｂ）（化４）
で表される化合物に、塩基（例えば、水酸化カリウム、
水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム）
存在下に、一般式（ｆ）または／および一般式（ｇ）で
表される化合物を作用させることにより製造することが
できる。また、一般式（１−Ａ）において、ｐが１であ
り、Ｙが−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基で表される化合物
は、一般式（ｃ）（化４）、一般式（ｄ）（化４）また
は一般式（ｅ）（化４）で表される化合物に、塩基（例
えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウ
ム、水素化ナトリウム）存在下に、一般式（ｆ）、一般
式（ｇ）または／および一般式（ｈ）で表される化合物
を作用させることにより製造することができる。

【００１２】

【化４】 （式中、Ｒ₁ およびＲ₂ は前記に同じ意味を表し、Ｙは
−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基を表す）

【００１３】Ｘ−Ｒ₁ （ｆ） （式中、Ｒ₁ は前記に同じ意味を表し、Ｘはハロゲン原
子を表す） Ｘ−Ｒ₂ （ｇ） （式中、Ｒ₂ は前記に同じ意味を表し、Ｘはハロゲン原
子を表す） Ｘ−Ｒ₃ （ｈ） （式中、Ｒ₃ は前記に同じ意味を表し、Ｘはハロゲン原
子を表す）

【００１４】一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＣＯ
Ｚ基で表される化合物において、例えば、Ｚが塩素原子
である化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例え
ば、ホスゲンを作用させて製造することができる。一般
式（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＯＺ基で表される化
合物において、例えば、Ｚが塩素原子である化合物は、
Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、塩化チオニ
ルまたはオギザリルクロライドを作用させて製造するこ
とができる。一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＭ基
で表される化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例
えば、水溶液中、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化カルシウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ
土類塩基を作用させて製造することができる。一般式
（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＯＭ基で表される化合
物は、Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、水溶
液中、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩基を
作用させて製造することができる。

【００１５】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネートに
おいて、一般式（１）で表される基としては、代表的に
は以下に示す基を挙げることができるが、勿論、本発明
はこれらに限定されるものではない。 例示番号 １． ２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオキシフェニル
基 ２． ２，３−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基 ３． ２，３−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基 ４． ２−メトキシ−４−ｎ−ペンチルオキシフェニル
基 ５． ２，４−ジエトキシフェニル基 ６． ２，４−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基 ７． ２，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基 ８． ２−エトキシ−５−ｎ−オクチルオキシフェニル
基 ９． ２，５−ジイソブトキシフェニル基 １０． ２，５−ジ−ｎ−オクチルオキシフェニル基

【００１６】 １１． ２，６−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基 １２． ３，４−ジエトキシフェニル基 １３． ３−エトキシ−４−ｎ−ペンチルオキシフェニ
ル基 １４． ３，４−ジイソプロポキシフェニル基 １５． ３，４−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基 １６． ３，４−ジ（３’−メチルブチルオキシ）フェ
ニル基 １７． ３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基 １８． ３−ｎ−ヘキシルオキシ−４−ｎ−オクチルオ
キシフェニル基 １９． ３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基 ２０． ３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシフェニル基 ２１． ３，４−ジ（２’−エチルヘキシルオキシ）フ
ェニル基 ２２． ３，４−ジ−ｎ−デシルオキシフェニル基 ２３． ３，４−ジ−ｎ−ドデシルオキシフェニル基 ２４． ３，４−ジ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェニル
基 ２５． ３，５−ジメトキシフェニル基

【００１７】２６． ３−イソプロポキシ−５−sec −
ブトキシフェニル基 ２７． ３，５−ジイソブトキシフェニル基 ２８． ３−ｎ−ブトキシ−ｎ−オクチルオキシフェニ
ル基 ２９． ３，５−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基 ３０． ３，５−ジ−ｎ−ノニルオキシフェニル基 ３１． ２，３，４−トリメトキシフェニル基 ３２． ２−エトキシ−３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキ
シフェニル基 ３３． ２，４，５−トリ−ｎ−ブトキシフェニル基 ３４． ２，４，６−トリメトキシフェニル基 ３５． ２，６−ジメトキシ−４−ｎ−ヘキシルオキシ
フェニル基 ３６． ２，４，６−トリイソプロポキシフェニル基 ３７． ３，４，５−トリメトキシフェニル基 ３８． ３，４，５−トリエトキシフェニル基 ３９． ３，４−ジ−ｎ−ブトキシ−５−ｎ−ヘキシル
オキシフェニル基 ４０． ３，４，５−トリ−ｎ−ペンチルオキシフェニ
ル基 ４１． ３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニ
ル基 ４２． ３，４，５−トリ−ｎ−デシルオキシフェニル
基 ４３． ３，４，５−トリ−ｎ−ドデシルオキシフェニ
ル基

【００１８】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができる。その製造方法と
しては、例えば、"Encyclopedia of Polymer Science a
nd Tech-nology" vol. 10, Polycarbonate, Interscie
nce Publishing, p.710-764(1969) 、H.Schnell, "Chem
istry and Physics of Polycarbonate", InterscienceP
ublishing, p.33-41(1964) に記載されている方法、例
えば、界面重合法、溶液重合法またはエステル交換法を
利用することができ、特に、界面重合法は好ましい製造
方法である。

【００１９】本発明の新規な末端基を有する芳香族ポリ
カーボネートを製造する際に、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物は末端封止剤として作用し、本発明の芳香族
ポリカーボネートの製造工程において芳香族ポリカーボ
ネートの分子量を制御又は調整するのに役立つ。これら
の末端封止剤と、芳香族ジヒドロキシ化合物とは、カー
ボネート前駆体の作用により、カーボネート結合または
エステル結合を形成し、本発明の一般式（１）で表され
る末端基を有する芳香族ポリカーボネートを生成する。
一般式（１−Ａ）で表される末端封止剤は、一般に、芳
香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体との反応
において、最初に、すなわちカーボネート前駆体の添加
に先立って、芳香族ジヒドロキシ化合物と共に存在させ
てもよく、またはカーボネート前駆体の添加に伴い、逐
次連続的に供給することもできる。本発明の芳香族ポリ
カーボネートの製造に際して、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物は、単独あるいは複数併用することができ
る。更に、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、本発
明の所望の効果を損なわない範囲で、他の公知の末端封
止剤と組み合わせて使用することも可能である。他の公
知の末端封止剤を併用する場合、全末端封止剤中、一般
式（１−Ａ）で表される化合物の割合は、３０モル％以
上であることが好ましく、６０モル％以上であることが
より好ましい。

【００２０】一般式（１−Ａ）で表される化合物以外の
末端封止剤としては、例えば、１価のヒドロキシ芳香族
化合物、１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメー
ト誘導体、１価のカルボキシル基を有する化合物および
１価のカルボニルハライド誘導体等である。１価のヒド
ロキシ芳香族化合物としては、例えば、フェノール、ｐ
−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェ
ノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−tert−ブチ
ルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−シクロヘキ
シルフェノール、ｐ−ｎ−オクチルフェノール、ｐ−イ
ソオクチルフェノール、ｐ−ｎ−ノニルフェノール、
２，４−キシレノール、ｐ−メトキシフェノール、ｐ−
ｎ−ヘキシルオキシフェノール、ｐ−ｎ−デシルオキシ
フェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノ
ール、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフェノール、
ペンタブロモフェノール、ペンタクロロフェノール、ｐ
−フェニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノー
ル、２，４−ジ（１−メチル−１−フェニルエチル）フ
ェノール、β−ナフトール、α−ナフトール、ｐ−
（２’，４’，４’−トリメチルクロマニル）フェノー
ル、２−（４’−メトキシフェニル）−２−（４”−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン等のフェノール類である。
１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロホーメート誘導体
としては、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物のハロ
ホーメート誘導体等である。

【００２１】１価のカルボキシル基を有する化合物とし
ては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カ
プロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、２，２−ジメチル
プロピオン酸、３−メチル酪酸、３，３−ジメチル酪
酸、４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−
メチルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−
ジメチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香
酸、ｐ−ｎ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−ブトキ
シ安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ
−ベンジル安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸
類である。１価のカルボニルハライド誘導体としては、
上記の１価のカルボキシル基を有する化合物のハライド
誘導体等である。尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化
合物または１価のカルボキシル基を有する化合物のアル
カリ金属（例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム）
塩、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム）塩も末端
封止剤として使用できる。

【００２２】末端封止剤の使用量は、目的とする芳香族
ポリカーボネートの平均分子量に応じて変化させること
ができる。本発明においては、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物を単独または複数、あるいは他の公知の末端
封止剤と併用して使用するが、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物と他の公知の末端封止剤と併用する場合に
は、それらの化合物の合計のモル数を末端封止剤の使用
量とする。末端封止剤の使用量と芳香族ポリカーボネー
ト平均分子量の関係は、一般に、末端封止剤の使用量の
増加に伴い芳香族ポリカーボネートの平均分子量が低下
し、末端封止剤の使用量の減少に伴い平均分子量が増大
する傾向がある。本発明の芳香族ポリカーボネートは、
末端封止剤の使用量により任意の分子量をとることがで
きるが、製造される芳香族ポリカーボネートの成形加工
性、耐熱性、機械的強度等の物性を考慮すると、約１５
０００〜約１５００００の重量平均分子量であることが
好ましく、約２００００〜約１０００００の重量平均分
子量であることがより好ましい。上記の範囲の重量平均
分子量の芳香族ポリカーボネートを製造するために必要
な末端封止剤の使用量は、使用する芳香族ジヒドロキシ
化合物の量に対して、約１〜約１０モル％であるのが好
ましく、さらには、約１．５〜約７モル％使用するのが
より好ましい。

【００２３】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）または一般式（３）で表される化合物を挙げ
ることができる。 ＨＯ−Ａr₁−Ｘ−Ａr₂−ＯＨ （２） ＨＯ−Ａr₃−ＯＨ （３） （式中、Ａr₁、Ａr₂およびＡr₃は２価の芳香族基を表
し、ＸはＡr₁とＡr₂を結び付ける連結基を表す） 一般式（２）および一般式（３）において、Ａr₁、Ａr₂
およびＡr₃は、各々２価の芳香族基を表し、好ましく
は、フェニレン基、もしくは置換基を有する置換フェニ
レン基である。置換フェニレン基の置換基としては、ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げら
れる。Ａr₁とＡr₂は、両方ともがｐ−フェニレン基、ｍ
−フェニレン基またはｏ−フェニレン基、あるいは一方
がｐ−フェニレン基であり、一方がｍ−フェニレン基ま
たはｏ−フェニレン基であるのが好ましく、Ａr₁とＡr₂
の両方がｐ−フェニレン基であるのが特に好ましい。Ａ
r₃は、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基またはｏ−
フェニレン基であり、好ましくは、ｐ−フェニレン基ま
たはｍ−フェニレン基である。

【００２４】Ｘは、Ａr₁とＡr₂を結び付ける連結基であ
り、単結合もしくは２価の炭化水素基、更には−Ｏ−、
−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−ＣＯ−等の炭素原子
と水素原子以外の原子を含む基であっても良い。２価の
炭化水素基とは、飽和の炭化水素基、例えば、メチレ
ン、エチレン、２，２−プロピリデン、シクロヘキシリ
デン等のアルキリデン基があげられるが、アリール基等
で置換された基も包含され、また、芳香族基やその他の
不飽和の炭化水素基を含有する炭化水素基であってもよ
い。

【００２５】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン〔”ビスフェノールＡ”〕、１，３−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２−
（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（３’−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、１，１−ビス（４’−ヒドロキ
シフェニル）ブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）−３−メチルブタン、

【００２６】２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’−
メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’−エチル−４’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３’−ｎ−プロピル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−イ
ソプロピル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３’−sec −ブチル−４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−tert−ブチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３’−シクロヘキシル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’−アリル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−メ
トキシ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル) プロパン、２，２−ビス（２’，３’，５’，
６’−テトラメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３’−クロロ−４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジク
ロロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３’−ブロモ−４’−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３’，５’−ジブロモ−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２’，
６’−ジブロモ−３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シアノメタン、１−シアノ−３，３−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等のビス
（ヒドロキシアリール）アルカン類、

【００２７】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−
ジクロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−
メチルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘプタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）
シクロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．
０^2.6 〕デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）アダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シ
クロアルカン類、

【００２８】４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロ
キシフェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリー
ル）エーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキ
シジフェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル
−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−4,
4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジヒド
ロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジ
フェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スルホ
ン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００２９】更には、6,6'−ジヒドロキシ−２，２’，
３，３’−テトラヒドロ−3,3,3',3'−テトラメチル−
１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデン）〔”スピロビイ
ンダンビスフェノール”〕、７，７−ジヒドロキシ−
３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，４，４’，
４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−
ベンゾピラン）〔”スピロビクロマン”〕、トランス−
２，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ブテ
ン、９，９−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２
−ブタノン、１，６−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−１，６−ヘキサンジオン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エチレン、
１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−２，２−ビス
（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフェニル）エチ
レン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，
α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、３，３−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フタリド、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、１，４−ジヒドロキシナフタレ
ン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒド
ロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、
ハイドロキノン、レゾルシン等が挙げられる。更には、
例えば、ビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルクロ
ライド又はテレフタロイルクロライド１モルとを反応さ
せることにより製造されるエステル結合を含むビスフェ
ノール類も有用である。これらは単独あるいは複数併用
してもよい。特に好ましい芳香族ジヒドロキシ化合物
は、ビスフェノールＡである。

【００３０】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル化合物、ハロホーメート化合物、ジアルキル
カーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、
アルキルアリールカーボネート化合物を挙げることがで
き、好ましくは、ハロゲン化カルボニル化合物およびハ
ロホーメート化合物である。ハロゲン化カルボニル化合
物としては、通常、ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニ
ル、臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化カルボ
ニルおよびそれらの混合物が挙げられる。さらには、ホ
スゲンの二量体であるトリクロロメチルクロロホーメー
ト、ホスゲンの三量体であるビス（トリクロロメチル）
カーボネートも使用することができる。ハロホーメート
化合物としては、モノまたはビスハロホーメート化合
物、オリゴマー状のモノまたはビスハロホーメート化合
物が用いられ、代表的には一般式（４）で表される化合
物を挙げることができる。 Ｘ' −（Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ））_n−Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｘ' （４） （式中、Ｘ’は水素原子またはハロカルボニル基を表
し、少なくとも１個のＸ’はハロカルボニル基であり、
Ｒ’は２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０ま
たは正の整数を表す）

【００３１】一般式（４）で表される化合物は、脂肪族
ジヒドロキシ化合物から誘導されるモノまたはビスハロ
ホーメート化合物、芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導
されるモノまたはビスハロホーメート化合物、およびこ
れらの化合物のオリゴマー状のモノまたはビスハロホー
メート化合物である。尚、オリゴマー状のモノまたはビ
スハロホーメート化合物の場合には、同一分子中に構造
の異なるＲ’基を有していてもよい。これらのハロホー
メート化合物は、単独あるいは複数併用してもよく、さ
らにはハロゲン化カルボニル化合物と併用することも可
能である。一般式（４）において、Ｒ’は脂肪族ジヒド
ロキシ化合物または芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導
される２価の基である。脂肪族ジヒドロキシ化合物とし
ては、ジヒドロキシアルカン、ジヒドロキシシクロアル
カン、一般式（５）で表される化合物が挙げられる。 ＨＯ−Ｒ”−Ａｒ₄ −Ｒ”−ＯＨ （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ₄ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す）

【００３２】脂肪族ジヒドロキシ化合物としては、好ま
しくは、炭素数２〜２０のジヒドロキシアルカン、炭素
数４〜１２のジヒドロキシシクロアルカン、一般式
（５）で表されるジヒドロキシ化合物を挙げることがで
きる。脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体例としては、エ
チレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４
−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、３−メ
チル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジ
オール、１，５−ヘキサンジオール、１，７−ヘプタン
ジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナン
ジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウン
デカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、ネオペ
ンチルグリコール、２−エチル−１，６−ヘキサンジオ
ール、２−メチル−１，３−プロパンジオール等のジヒ
ドロキシアルカン、１，３−ジヒドロキシシクロヘキサ
ン、１，４−ジヒドロキシシクロヘキサン、２，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン等のジ
ヒドロキシシクロアルカン、１，２−ビス（ヒドロキシ
メチル）ベンゼン、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）
ベンゼン、１，４−ビス（ヒドロキシメチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（２’−ヒドロキシエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３’−ヒドロキシプロピル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４’−ヒドロキシブチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（5'−ヒドロキシペンチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（６’−ヒドロキシヘキシル）ベンゼ
ン等のジヒドロキシ化合物を挙げることができる。

【００３３】また、芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、前述した一般式（２）または一般式（３）で表され
る芳香族ジヒドロキシ化合物、例えば、ビスフェノール
Ａ、ハイドロキノン等を挙げることができる。ジアルキ
ルカーボネート化合物、ジアリールカーボネート化合
物、アルキルアリールカーボネート化合物としては、ジ
メチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、メチル
フェニルカーボネート化合物、ハロゲン原子、ニトロ基
等で置換されたジフェニルカーボネート等が挙げられ
る。これらは単独で用いても、あるいは複数併用しても
よい。

【００３４】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニル化合物または／およびハロホ
ーメート化合物が好ましく使用される。カーボネート前
駆体は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用しても
よい。ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場合に
は、気体状態あるいは有機溶媒に溶解させて有機溶媒溶
液として使用することが好ましく、ハロホーメート化合
物を使用する場合には、固体状態あるいは有機溶媒に溶
解させて有機溶媒溶液として使用することが好ましい。

【００３５】本発明の芳香族ポリカーボネートを、界面
重合法により製造する場合には、公知の方法を用いるこ
とができる。すなわち、例えば、少なくとも１種の芳香
族ジヒドロキシ化合物とアルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属塩基、水および水と実質的に不溶性の有機溶媒
の２相混合溶媒中で、ハロゲン化カルボニル化合物また
は／およびハロホーメート化合物を一般式（１−Ａ）で
表される化合物の存在下で作用させて、芳香族ポリカー
ボネートを製造する方法であり、より好ましくは、ポリ
カーボネート生成触媒の存在下で製造する方法である。
本発明の芳香族ポリカーボネートを、界面重合法により
製造するに際し、カーボネート前駆体として、例えば、
ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場合、その使用
量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対し約１．０〜
約１．３倍モル使用するのが好ましい。

【００３６】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば、任意に使用可能であ
る。好ましい有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，２−
ジクロロエチレン、トリクロロエタン、テトラクロロエ
タン、ジクロロプロパン等の脂肪族塩素化炭化水素系溶
媒、あるいは、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の
芳香族塩素化炭化水素系溶媒等の塩素化炭化水素系溶媒
またはこれらの混合溶媒が挙げられる。さらには、これ
らの塩素化炭化水素系溶媒と、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、あるいはヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系
溶媒との混合溶媒が挙げられる。特に好ましい有機溶媒
はジクロロメタンである。有機溶媒の使用量は、通常、
重合終了時の芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶
媒溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３
５重量％になるように有機溶媒を使用するのが好まし
い。また、反応に使用する有機溶媒と水の使用量は、反
応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持するに必要な
量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比は、約
０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。

【００３７】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）としては、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムを挙
げることができる。塩基は通常、水溶液の状態で用いら
れ、更にこの水溶液に芳香族ジヒドロキシ化合物を溶解
させて反応に使用することが好ましい。この場合、酸化
防止剤として、亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサ
ルファイトあるいはソジウムボロハイドライド等の還元
剤を添加して、芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶
液を調製してもよい。

【００３８】界面重合法において、所望により使用する
ポリカーボネート生成触媒（重合触媒とも呼ばれてい
る）としては、３級アミン、４級アンモニウム塩、３級
ホスフィン、４級ホスホニウム塩、あるいは含窒素複素
環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミ
ド基を有する化合物等が挙げられる。好ましくは、３級
アミンであり、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−
プロピルアミン、ジエチル−ｎ−プロピルアミン、トリ
−ｎ−ブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−
エチルピペリジン等が挙げられる。これらのポリカーボ
ネート生成触媒は、単独あるいは複数併用することがで
きる。ポリカーボネート生成触媒の使用量は、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物のモル数に対して、約０．０００５〜
約１．５モル％が好ましい。ポリカーボネート生成触媒
の添加時期は、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造
する際、反応前あるいは反応中に加えることができる。
界面重合法においては、反応温度は、約１０℃〜反応に
使用する有機溶媒の沸点温度で本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造することが好ましい。反応は、通常、大
気圧下で実施するが、所望により、加圧下または減圧下
で実施してもよい。

【００３９】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、公知の溶液重合法を利用することもで
きる。例えば、ピリジン溶液中で、芳香族ジヒドロキシ
化合物、ハロゲン化カルボニル化合物または／およびハ
ロホーメート化合物および一般式（１−Ａ）で表される
化合物を、約０〜約５０℃で作用させて製造することが
できる。カーボネート前駆体として、ジアルキルカーボ
ネート化合物、アルキルアリールカーボネート化合物ま
たは／およびジアリールカーボネート化合物を用いて、
本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する場合には、
ジアルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカー
ボネート化合物または／およびジアリールカーボネート
化合物、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１−Ａ）
で表される化合物との混合物を、約６０〜約３００℃の
温度で、常圧下、加圧下または減圧下で、必要に応じ
て、エステル交換触媒（例えば、金属酸化物、金属水酸
化物、金属炭酸塩等）の存在下で、公知のエステル交換
法により製造することができる。

【００４０】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、製造時に分岐化剤を添加することにより、
分岐化された芳香族ポリカーボネートとすることができ
る。分岐化剤としては、３つ以上のフェノール性ヒドロ
キシル基、ハロホーメート基、カルボキシル基、カルボ
ニルハライド基、活性なハロゲン原子を有する化合物が
挙げられる。分岐化剤の具体例としては、フロログルシ
ノール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、４，６−ジメ
チル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシ
フェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’−トリス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソ
プロピルベンゼン、２，４−ビス〔α−メチル−α−
（4'−ヒドロキシフェニル）エチル〕フェノール、２−
（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジ
ヒドロキシフェニル）プロパン、トリス（４−ヒドロキ
シフェニル）ホスフィン、１，１，４，４−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２
−ビス〔４’，４’−ビス（４”−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキシル〕プロパン、α，α，α’，α’−
テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，４−ジ
エチルベンゼン、２，２，５，５−テトラキス（４’−
ヒドロキシフェニル）ヘキサン、１，１，２，３−テト
ラキス（4'−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−
ビス（４’，４”−ジヒドロキシトリフェニルメチル）
ベンゼン、３，３’，５，５’−テトラヒドロキシジフ
ェニルエーテル、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，
５−ビス（クロロカルボニルオキシ）安息香酸、４−ヒ
ドロキシイソフタル酸、４−クロロカルボニルオキシイ
ソフタル酸、５−ヒドロキシフタル酸、５−クロロカル
ボニルオキシフタル酸、トリメシン酸トリクロライド、
シアヌル酸クロライド、３，３−ビス（４’−ヒドロキ
シフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドー
ル、３，３−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−メチルフ
ェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール等
を挙げることができる。これらの分岐化剤は単独あるい
は複数併用することができる。分岐化剤の使用量は、目
的とする分岐化した芳香族ポリカーボネートの分岐度に
あわせて変化させることができ、通常、芳香族ジヒドロ
キシ化合物に対して０．０５〜２．０モル％程度用いる
のが好ましい。

【００４１】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）または一般式（３）で表される
化合物〕、カーボネート前駆体（例えば、ホスゲン）、
芳香族または脂肪族の２価のカルボン酸または該化合物
のハライド誘導体（例えば、米国特許第３１６９１２１
号に記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸
ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド、アジピン
酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン
酸）および一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、
公知の方法（例えば、米国特許第３１６９１２１号、米
国特許４１５６０６９号、英国特許８９７６４０号に記
載の方法）により芳香族ポリエステルカーボネートを製
造することができる。この際、芳香族または脂肪族の２
価のカルボン酸またはカルボン酸ハライドの使用量は、
芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０モル％程
度用いるのが好ましい。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常、該
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層
と分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くな
るまで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法によ
り有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネー
トを得ることができる。また、エステル交換法により製
造する場合、製造条件下で溶融した芳香族ポリカーボネ
ートを、直接ペレット化あるいは成形物へと加工するこ
とも可能である。本発明の芳香族ポリカーボネートは、
他の芳香族ポリカーボネート、あるいは他のポリマーと
混合して成形材料として使用することが可能である。他
のポリマーとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、
ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、パ
ラオキシベンゾイル系ポリエステル、ポリアリレート、
ポリスルフィド等が挙げられる。

【００４３】また、本発明の芳香族ポリカーボネートに
は、芳香族ポリカーボネートの製造時または製造後に、
公知の方法で、染料、顔料、熱安定剤、酸化防止剤、加
水分解安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲン化
合物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、炭素繊
維、ガラスビーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ₂ 等の各種添
加剤を１種以上添加しても良い。本発明の芳香族ポリカ
ーボネートは、単独もしくは他のポリマーと混合して、
所望により、各種添加剤を添加し、電気機器等のシャー
シーやハウジング材、電子部品、自動車部品、コンパク
トディスク等の情報記録媒体の基板、カメラや眼鏡のレ
ンズ等の光学材料、ガラス代替の建材等に成形加工する
ことができる。本発明の芳香族ポリカーボネートは、熱
可塑性であり、射出成形、押し出し成形、ブロー成形、
フィラー等への含浸等が可能であり、公知の方法により
容易に成形加工することができる。また、本発明の芳香
族ポリカーボネートは、特定の有機溶媒（例えば、ジク
ロロメタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒）に可溶であ
り、該有機溶媒溶液よりキャストし、フィルム等に成形
加工できる。

【００４４】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 例示番号１の末端基を有する芳香族ポリカ
ーボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を取付けた。このフラスコに、ビスフ
ェノールＡ９１２ｇ（４．０モル）、２−エトキシ−３
−ｎ−ヘキシルオキシフェノール３２．４ｇ（０．１３
６モル，ビスフェノールＡに対して３．４モル％）、ジ
クロロメタン４ｌ及び脱イオン水４ｌを入れ、懸濁液と
し、フラスコ内の酸素を除去する為に窒素パージを行っ
た。次に、上記懸濁液にソジウムハイドロサルファイト
１．２ｇおよび水酸化ナトリウム４３２ｇ（１０．８モ
ル）を溶解した水溶液２．２ｌを供給し、１５℃でビス
フェノールＡを溶解した。この溶液にホスゲン４９５ｇ
（５．０モル）を８．２５ｇ／分の速度で供給した。反
応温度は３９℃まで上昇し、ジクロロメタンの還流が確
認された。ホスゲンの供給が完了した後、トリエチルア
ミン０．６４ｇを添加して、反応液をさらに９０分間攪
拌し、重合反応を行った。その後、反応液を静置し、有
機層を分液し、塩酸により中和し、電解質が無くなるま
で脱イオン水で洗浄した。このようにして得られた芳香
族ポリカーボネートのジクロロメタン溶液にトルエン２
ｌと水５ｌを加え、９８℃まで加熱することによりジク
ロロメタン及びトルエンを留去して、芳香族ポリカーボ
ネートの粉体を得た。得られた芳香族ポリカーボネート
の数平均分子量は２０９００、重量平均分子量は５１２
００であった。

【００４５】実施例２ 例示番号８の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、２−エトキシ−５−
ｎ−オクチルオキシ安息香酸４０．０ｇ（ビスフェノー
ルＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１
と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、
重量平均分子量は５１０００であった。

【００４６】実施例３ 例示番号１６の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、３，４−ジ（３’−
メチルブチルオキシ）安息香酸４０．０ｇ（ビスフェノ
ールＡに対して３．２モル％）を用いた以外は、実施例
１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１９０
０、重量平均分子量は５３４００であった。

【００４７】実施例４ 例示番号１９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、３，４−ジ−ｎ−ヘ
プチルオキシ安息香酸クロライド５０．５ｇ（ビスフェ
ノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施
例１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得ら
れた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１００
０、重量平均分子量は５１３００であった。

【００４８】実施例５ 例示番号２２の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、３，４−ジ−ｎ−デ
シルオキシ安息香酸クロライド６２．０ｇ（ビスフェノ
ールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例
１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られ
た芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０９０
０、重量平均分子量は５１１００であった。

【００４９】実施例６ 例示番号２９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、３，５−ジ−ｎ−ヘ
キシルオキシフェノール４０．０ｇ（ビスフェノールＡ
に対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同
様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、重量
平均分子量は５０７００であった。

【００５０】実施例７ 例示番号３５の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、２，６−ジメトキシ
−４−ｎ−ヘキシルオキシフェノール３４．５ｇ（ビス
フェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、
実施例１と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。
得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１
０００、重量平均分子量は５１２００であった。

【００５１】実施例８ 例示番号４０の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ−ヘキシルオ
キシフェノールを用いる代わりに、３，４，５−トリ−
ｎ−ペンチルオキシ安息香酸５１．７ｇ（ビスフェノー
ルＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１
と同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０７００、
重量平均分子量は５０９００であった。

【００５２】比較例１ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ
−ヘキシルオキシフェノールを用いる代わりに、ｐ−te
rt−ブチルフェノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに
対して３．４モル％）を用いた以外は実施例１と同様に
芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポ
リカーボネートの数平均分子量は２１０００、重量平均
分子量は５１０００であった。

【００５３】比較例２ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ
−ヘキシルオキシフェノールを用いる代わりに、ｐ−ｎ
−ヘキシルオキシフェノール２６．４ｇ（ビスフェノー
ルＡに対して３．４モル％）を用いた以外は実施例１と
同様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳
香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８００、重
量平均分子量は５１３００であった。

【００５４】比較例３ 比較のため、実施例１において、２−エトキシ−３−ｎ
−ヘキシルオキシフェノールを用いる代わりに、ｐ−ｎ
−オクチルオキシ安息香酸３４．０ｇ（ビスフェノール
Ａに対して３．４モル％）を用いた以外は実施例１と同
様に芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２０７００、重量
平均分子量は５０８００であった。

【００５５】尚、各実施例および比較例で製造した各芳
香族ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー、昭和電工（株）社製、
ＧＰＣシステム−１１〕で測定したものである。尚、各
実施例および各比較例で製造した各芳香族ポリカーボネ
ートのメルトフローインデックス（ＭＩ）およびガラス
転移点（Ｔｇ、℃）の測定結果を第１表（表１）に示し
た。メルトフローインデックス（ＭＩ）は、東洋精機製
Ｓ−０１メルトインデックサーを用い、温度２８０℃、
荷重２．１６ｋｇの条件で測定し、１０分間に溶出する
ポリマーの重量（単位：グラム）で示した。数値が大き
いほど、溶融流動性に優れていることを示している。ガ
ラス転移点（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ〔マックサイエンス
（株）社製、ＤＳＣ−３１００〕を用い、昇温速度は１
６℃／分の条件で測定した。

【００５６】

【表１】

【００５７】第１表から、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、公知の末端封止剤を用いて製造される芳香族ポ
リカーボネートに比較して、溶融流動性に優れ、かつガ
ラス転移点も高く、実用上充分な熱安定性を有している
ことが判った。特に、鎖状のアルキルオキシ基を２ケあ
るいは３ケ有するフェノール誘導体あるいは安息香酸誘
導体より誘導される末端基を有する本発明の芳香族ポリ
カーボネートが、公知の鎖状のアルコキシ基を１ケ有す
るフェノール誘導体または安息香酸誘導体を末端封止剤
として用いて製造される芳香族ポリカーボネートに比較
して、ガラス転移点が高く、熱安定性に優れていること
は驚くべきことである。

【００５８】

【発明の効果】本発明により、溶融流動性に優れ、か
つ、熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供す
ることが可能になった。

フロントページの続き (72)発明者 伊藤 友倫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）（化１）で表される基である芳香族ポリカーボネ
   ート。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ は鎖状アルキル基を表し、ｐ
   は０または１を表す）