JP3218109B2 - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は芳香族ポリカーボネート
に関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の基
を有する芳香族ポリカーボネートに関する。

【０００２】

【従来技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、透
明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエン
ジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気、電子材料等の部品として幅広く用いられてい
る。通常、芳香族ポリカーボネートを製造するには、芳
香族ポリカーボネートの分子量を調節する目的で、末端
封止剤（分子量調節剤、重合停止剤、連鎖停止剤、末端
停止剤などとも呼ばれている）を添加し重合がなされて
いる（例えば、米国特許第３０２８３６５号、米国特許
第３０８５９９２号、米国特許第３１７３８９１号、米
国特許第３２７５６０１号、米国特許第３３９９１７２
号）。中でも、末端封止剤として、フェノールまたはｐ
−tert−ブチルフェノールが最も一般的に広く使用され
ている。しかし、フェノールまたはｐ−tert−ブチルフ
ェノールを末端封止剤として製造される通常の芳香族ポ
リカーボネートは、溶融粘度が非常に高く、溶融流動性
が悪いため、成形品を製造する際には、充分な流動性を
確保するために、高温条件下で溶融成形が行われてき
た。しかしながら、薄肉の成形品あるいは複雑な形状の
成形品を製造する場合には、溶融時の流動性はなお不充
分であり、金型内で未充填を起こしやすく、高精度の寸
法安定性が要求される精密成形品が得られにくいという
問題点がある。

【０００３】最近、特に、例えば、データ保存用ディス
クまたはオーディオ用コンパクトディスク等の光学機器
用に必要とされる高い寸法安定性が要求される分野にお
いては、優れた溶融流動性を有する芳香族ポリカーボネ
ートが必要となっている。溶融流動性を改良する方法と
して、例えば、Ｃ_m Ｈ_2m+1Ｏ−基（ｍは３〜１０の整
数）をパラ位に有するフェノール誘導体または安息香酸
誘導体を末端封止剤として使用し、芳香族ポリカーボネ
ートを製造する方法が提案されている（特開昭６３−２
５８９２２号公報）。しかし、末端封止剤として、例え
ば、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシフェノールまたはｐ−ｎ−
オクチルオキシ安息香酸を使用して製造される芳香族ポ
リカーボネートは、溶融流動性はある程度改善されるも
のの、熱安定性（ガラス転移点）が低いという問題点が
ある。現在では、溶融流動性に優れ、かつ熱安定性にも
優れた芳香族ポリカーボネートが強く要望されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の従来技術の欠点を克服し、芳香族ポリカーボネートの
溶融流動性を充分に改善し、さらに熱安定性に優れた芳
香族ポリカーボネートを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し鋭意検討した結果、本発明に到達
した。すなわち、本発明は、末端基の少なくとも１つ
が、一般式（１）で表される基である芳香族ポリカーボ
ネートに関するものである。 −Ａ−（Ｏ）_p −Ｒ₁ （１） （式中、Ｒ₁ はアルキル基を表し、p は０または１を表
し、Ａはナフチレン基を表す）本発明に係る一般式
（１）で表される末端基において、Ｒ₁ はアルキル基を
表し、好ましくは、炭素数１〜１６のアルキル基であ
り、より好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基であ
る。

【０００６】Ｒ₁ の具体例としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、sec −ブチル基、tert−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチ
ルブチル基、３−メチルブチル基、ネオペンチル基、ｎ
−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペン
チル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル
基、４−メチル−２−ペンチル基、２−エチルブチル
基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチ
ルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オク
チル基、tert−オクチル基、１−メチルヘプチル基、５
−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、１，３−
ジメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１，１−ジメチル
ヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，
５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、３，７
−ジメチルオクチル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチル
デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テ
トラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデ
シル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、シク
ロトリデシル基、シクロテトラデシル基、シクロヘキサ
デシル基、３−メチルシクロペンチル基、２−メチルシ
クロペンチル基、４−メチルシクロヘキシル基、３−メ
チルシクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基、
４−エチルシクロヘキシル基、４−ｎ−ブチルシクロヘ
キシル基、４−tert−ブチルシクロヘキシル基、４−ｎ
−オクチルシクロヘキシル基、４−シクロヘキルシクロ
ヘキシル基、２，２−ジメチルシクロペンチル基、２，
２−ジメチルシクロヘキシル基、２，３−ジメチルシク
ロヘキシル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、
２，６−ジメチルシクロヘキシル基、３，４−ジメチル
シクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル
基、４，４−ジメチルシクロヘキシル基、３，３，５−
トリメチルシクロヘキシル基、２−ノルボルニル基、２
−アダマンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘ
キシルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基、３−シ
クロヘキシルプロピル基、シクロオクチルメチル基、２
−ノルボルナンメチル基、２−アダマンタンメチル基を
挙げることができる。

【０００７】一般式（１）で表される末端基において、
p は０または１を表す。また、Ａはナフチレン基を表
し、１，２−ナフチレン基、１，３−ナフチレン基、
１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、１，６
−ナフチレン基、１，７−ナフチレン基、１，８−ナフ
チレン基、２，３−ナフチレン基、２，６−ナフチレン
基または２，７−ナフチレン基等が挙げられ、これらの
基は、さらに炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数
７〜１０のアラルキル基またはハロゲン原子で単置換あ
るいは多置換されていてもよい。

【０００８】末端基の少なくとも１つが、一般式（１）
で表される基である本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際に使用する好適な末端封止剤としては、一般
式（１−Ａ）で表される化合物を挙げることができる。 Ｙ−Ａ−（Ｏ）_p −Ｒ₁ （１−Ａ） 〔式中、Ｒ₁ 、p およびＡは前記に同じであり、Ｙは−
ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＺ基、−ＣＯＯＨ基、−Ｃ
ＯＯＭ基または−ＣＯＺ基（但し、Ｍは金属イオン、Ｚ
はハロゲン原子を表す）を表す〕本発明に係る一般式
（１−Ａ）で表される化合物において、金属イオンＭと
しては、好ましくは、１価または２価のアルカリ金属イ
オンまたはアルカリ土類金属イオンであり、リチウム、
ナトリウム、カリウム、カルシウムイオン等を具体例と
して挙げることができる。ハロゲン原子Ｚとしては、好
ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子を挙げるこ
とができ、より好ましくは、塩素原子である。本発明に
係る一般式（１−Ａ）において、Ｙの置換位置は、−Ｏ
Ｒ₁ 基がナフタレン環の１位（α位）に置換している場
合、２位、３位、４位、５位、６位、７位または８位で
あり、また、−ＯＲ₁ 基がナフタレン環の２位（β位）
に置換している場合、Ｙの置換位置は、１位、３位、４
位、５位、６位、７位または８位である。

【０００９】一般式（１−Ａ）で表される化合物は、公
知の方法、例えば、J.Chem.Soc.,６７８（１９５４）、
Mol.Cry.Liq.Cry., ３７、２４９（１９７６）、J.Org.
Chem.,５１、２７１（１９８６）、J.Org.Chem.,５３、
５３４５（１９８８）、J.Am. Chem.Soc.,１１１、５４
６８（１９８９）等に記載の方法により製造することが
できる。例えば、一般式（１−Ａ）において、p が１で
あり、Ｙが−ＯＨ基または−ＣＯＯＨ基で表される化合
物は、一般式（ａ）で表される化合物に、塩基、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリ
ウム等の存在下、一般式（ｂ）で表される化合物を作用
させることにより製造することができる。 Ｙ−Ａ−ＯＨ （ａ） （式中、Ａは前記に同じであり、Ｙは−ＯＨ基または−
ＣＯＯＨ基を表す） Ｚ−Ｒ₁ （ｂ） （式中、Ｒ₁ は前記に同じであり、Ｚはハロゲン原子を
表す）

【００１０】一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＣＯ
Ｚ基で表される化合物において、例えば、Ｚが塩素原子
である化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例え
ば、ホスゲンを作用させ製造することができる。一般式
（１−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＺ基で表される化合物
において、例えば、Ｚが塩素原子である化合物は、Ｙが
−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、塩化チオニルま
たはオギザリルクロライドを作用させ製造することがで
きる。一般式（１−Ａ）において、Ｙが−ＯＭ基で表さ
れる化合物は、Ｙが−ＯＨ基である化合物に、例えば、
水溶液中で水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
カルシウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩
基を作用させ製造することができる。また、一般式（１
−Ａ）において、Ｙが−ＣＯＯＭ基で表される化合物
は、Ｙが−ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、水溶液
中で水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩基を作
用させ製造することができる。

【００１１】本発明の末端基の少なくとも１つが、一般
式（１）で表される基である芳香族ポリカーボネートに
おいて、一般式（１）で表される基としては、代表的に
は以下に示す基を挙げることができるが、勿論本発明は
これらに限定されるものではない。 例示番号 １．２−メチル−１−ナフチル基 ２．２−エチル−３−tert−ブチル−１−ナフチル基 ３．２−ｎ−オクチル−１−ナフチル基 ４．２−エトキシ−１−ナフチル基 ５．２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフチル基 ６．３−（３’−メチルブチル）−１−ナフチル基 ７．３−イソプロポキシ−１−ナフチル基 ８．４−ｎ−ブチル−３−フェニル−１−ナフチル基 ９．４−（１’，１’−ジメチルヘプチル）−１−ナフ
チル基 １０．４−sec −ブトキシ−１−ナフチル基

【００１２】１１．４−ｎ−デシルオキシ−１−ナフチ
ル基 １２．４−ｎ−テトラデシルオキシ−２−メチル−１−
ナフチル基 １３．４−シクロヘキシルオキシ−１−ナフチル基 １４．４−（２’−ノルボルニルオキシ）−１−ナフチ
ル基 １５．５−ｎ−ブチル−１−ナフチル基 １６．５−ネオペンチル−１−ナフチル基 １７．５−シクロペンチル−４−ベンジル−１−ナフチ
ル基 １８．５−ｎ−プロポキシ−１−ナフチル基 １９．５−（１’−メチルブチルオキシ）−１−ナフチ
ル基 ２０．５−シクロヘキシルメチルオキシ−１−ナフチル
基 ２１．６−シクロヘキシル−１−ナフチル基 ２２．７−ｎ−テトラデシルオキシ−１−ナフチル基 ２３．８−メチル−１−ナフチル基 ２４．８−イソブトキシ−１−ナフチル基 ２５．１，４−ジメチル−２−ナフチル基

【００１３】２６．１−ｎ−ヘキシル−２−ナフチル基 ２７．１−エトキシ−４−クロロ−２−ナフチル基 ２８．１−イソポキシ−２−ナフチル基 ２９．１−（３’−メチルブチルオキシ）−２−ナフチ
ル基 ３０．１−シクロヘキシルオキシ−２−ナフチル基 ３１．３−メチル−２−ナフチル基 ３２．３−ｎ−ペンチル−２−ナフチル基 ３３．３−メトキシ−２−ナフチル基 ３４．３−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基 ３５．３−ｎ−オクチルオキシ−２−ナフチル基 ３６．３−ｎ−デシルオキシ−２−ナフチル基 ３７．３−シクロヘキシオキシ−２−ナフチル基 ３８．４−ｎ−オクチル−２−ナフチル基 ３９．４−sec −ブトキシ−２−ナフチル基 ４０．５−ｎ−ペンチルオキシ−２−ナフチル基

【００１４】４１．６−イソプロピル−２−ナフチル基 ４２．６−ｔert −ブチル−２−ナフチル基 ４３．６−ｎ−ヘキシル−２−ナフチル基 ４４．６−ｔert −オクチル−２−ナフチル基 ４５．６−シクロヘキシル−２−ナフチル基 ４６．６−メトキシ−３−エチル−２−ナフチル基 ４７．６−イソプロポキシ−２−ナフチル基 ４８．６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基 ４９．６−ｎ−オクチルオキシ−２−ナフチル基 ５０．６−シクロペンチルオキシ−１−クロロ−２−ナ
フチル基 ５１．６−（４’−メチルシクロヘキシルオキシ）−２
−ナフチル基 ５２．６−シクロヘキシルメチルオキシ−２−ナフチル
基 ５３．７−ｎ−ペンチル−２−ナフチル基 ５４．７−イソプロポキシ−６−エトキシ−２−ナフチ
ル基 ５５．７−ｎ−ペンチルオキシ−２−ナフチル基 ５６．７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−ナフチル基 ５７．７−（２’−エチルヘキシルオキシ）−２−ナフ
チル基 ５８．７−（４’−tert−ブチルシクロヘキシルオキ
シ）−２−ナフチル基 ５９．８−メチル−２−ナフチル基 ６０．８−ｎ−ペンチルオキシ−２−ナフチル基

【００１５】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物から製造することができ、その製造方法とし
ては、当業者においては公知の界面重合法、溶液重合法
またはエステル交換法を利用することができ、特に、界
面重合法は好ましい製造方法である。本発明の新規な末
端基を有する芳香族ポリカーボネートを製造する際に、
一般式（１−Ａ）で表される化合物は末端封止剤として
作用し、本発明の芳香族ポリカーボネートの製造工程に
おいて芳香族ポリカーボネートの分子量を制御又は調整
するのに役立つ。これらの末端封止剤と芳香族ジヒドロ
キシ化合物とは、カーボネート前駆体の作用により、カ
ーボネート結合またはエステル結合を形成し、本発明の
一般式（１）で表される末端基を有する芳香族ポリカー
ボネートを生成する。カーボネート結合は、一般式（１
−Ａ）で表される化合物において、Ｙが、−ＯＨ基、−
ＯＭ基または−ＯＣＯＺ基である化合物を使用すること
により形成され、一方、エステル結合は、Ｙが、−ＣＯ
ＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＺ基である化合物を
使用することにより形成される。

【００１６】本発明の芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は、製造の際に使用する一般式（１−Ａ）で表
される化合物の使用量により、任意の重量平均分子量を
とることができるが、成形加工性、衝撃抵抗性などの諸
物性を考慮し、約１５０００〜約１５００００の重量平
均分子量であることが好ましく、より好ましくは約２０
０００〜約１０００００の重量平均分子量である。重量
平均分子量は、一般に、芳香族ポリカーボネート生成時
に使用される一般式（１−Ａ）で表される化合物の量に
依存する。概して、一般式（１−Ａ）で表される化合物
の使用量が多くなれば芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は小さくなり、逆に、一般式（１−Ａ）で表さ
れる化合物の使用量が少なくなれば芳香族ポリカーボネ
ートの重量平均分子量は大きくなる。一般に、一般式
（１−Ａ）で表される化合物の使用量は、使用する芳香
族ジヒドロキシ化合物の量に対して、約１．２〜約１
０．０モル％であるのが好ましく、さらには、約１．５
〜約７．０モル％がより好ましい。

【００１７】一般式（１−Ａ）で表される末端封止剤
は、一般に、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート
前駆体との反応において、最初に、すなわちカーボネー
ト前駆体の添加に先立って、芳香族ジヒドロキシ化合物
と共に存在させてもよく、またはカーボネート前駆体の
添加に伴い、逐次連続的に供給することもできる。本発
明のポリカーボネートの製造に際して、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、一種あるいは複数使用するこ
とができる。一種だけを使用した場合には、芳香族ポリ
カーボネートの末端基は、全部同じ構造を有する基にな
る。また、複数併用した場合には、使用した一般式（１
−Ａ）で表される化合物の数、量およびタイプにより種
々の末端基が混合した形になる。更に、一般式（１−
Ａ）で表される化合物は、本発明の所望の効果を損なわ
ない範囲で他の公知の末端封止剤と組み合わせて使用す
ることも可能である。本発明の芳香族ポリカーボネート
を製造する際に、一般式（１−Ａ）で表される化合物
と、他の公知の末端封止剤を併用する場合、全末端封止
剤中、一般式（１−Ａ）で表される化合物の割合は、３
０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上で
あることがより好ましく、６０モル％以上であることが
特に好ましい。

【００１８】一般式（１−Ａ）で表される化合物以外の
末端封止剤としては、例えば、１価のヒドロキシ芳香族
化合物、１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメ
ート化合物、１価のカルボン酸基を有する化合物および
１価のカルボン酸のクロライド化合物等である。１価の
ヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば、フェノー
ル、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチ
ルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−tert
−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、ｐ−シク
ロヘキシルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−
ノニルフェノール、２，４−キシレノール、ｐ−メトキ
シフェノール、ｐ−ヘキシルオキシフェノール、ｐ−デ
シルオキシフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−ク
ロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｐ−ブロモフ
ェノール、ペンタブロモフェノール、ペンタクロロフェ
ノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−イソプロペニル
フェノール、２，４−ジ（１−メチル−１−フェニルエ
チル）フェノール、β−ナフトール、α−ナフトール、
ｐ−（２’，４’，４’−トリメチルクロマニル）フェ
ノール、２−（４’−メトキシフェニル）−２−（４”
−ヒドロキシフェニル）プロパン等のフェノール類であ
る。１価のヒドロキシ芳香族化合物のクロロホーメート
化合物としては、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物
のクロロホーメート誘導体等である。

【００１９】また、１価のカルボン酸基を有する化合物
としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、２，２−ジ
メチルプロピオン酸、３−メチル酪酸、３，３−ジメチ
ル酪酸、４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、
４−メチルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，
５−ジメチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸
類、安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル
安息香酸、ｐ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ブトキシ
安息香酸、ｐ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−オクチル
オキシ安息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル
安息香酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類である。
１価のカルボン酸のクロライド化合物としては、上記の
１価のカルボン酸基を有する化合物のクロライド誘導体
等である。尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物ま
たは１価のカルボン酸基を有する化合物のアルカリ金属
（例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム）塩、アル
カリ土類金属（例えば、カルシウム）塩も末端封止剤と
して使用できる。

【００２０】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物としては、一
般式（２）で表される化合物を挙げることができる。 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ （２） （式中、Ｒは芳香族炭化水素基、またはアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン
原子、ニトロ基あるいはアルコキシ基等の置換基を有す
る置換芳香族炭化水素基である）上記の一般式（２）に
おいて、基Ｒは好ましくは、一般式（３）で表される基
である。

【００２１】 −Ａr¹−Ｂ−Ａr²− （３） （式中、Ａr¹とＡr²は各々単環の二価芳香族基であり、
ＢはＡr¹とＡr²を結び付ける基である）

【００２２】上記一般式（３）において、Ａr¹およびＡ
r²は、各々単環の二価芳香族基であり、好ましくは、フ
ェニレン基もしくは置換基を有する置換フェニレン基で
あり、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基、アリール基等の炭化水素基
や、ハロゲン原子、ニトロ基、アルコキシ基等が挙げら
れる。Ａr¹とＡr²の両方がｐ−フェニレン基、ｍ−フェ
ニレン基またはｏ−フェニレン基、あるいは一方がｐ−
フェニレン基であり、一方がｍ−フェニレン基またはｏ
−フェニレン基であるのが好ましく、特にＡr¹とＡr²の
両方がｐ−フェニレン基であるのが好ましい。Ｂは、Ａ
r¹とＡr²を結び付ける基であり、単結合もしくは２価の
炭化水素基、更には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ
₂ −、−ＣＯ−等の炭素と水素以外の原子を含む基であ
っても良い。２価の炭化水素基とは、飽和の炭化水素
基、例えば、メチレン、エチレン、２，２−プロピリデ
ン、シクロヘキシリデン等のアルキリデン基があげられ
るが、アリール基等で置換された基も包含され、また、
芳香族基やその他の不飽和の炭化水素基を含有する炭化
水素基であってもよい。

【００２３】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１−ナフチルメタン、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン〔”ビスフェノールＡ”〕、１，１−ビス（4'−ヒド
ロキシフェニル）−３−メチルプロパン、１，３−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプロ
パン、２−（４’−ヒドロキシフェニル）−２−（３’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４’−
ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビ
ス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサ
ン、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘプタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ノナ
ン、

【００２４】ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（3'−メチル−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−
エチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３’−イソプロピル−4'
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’
−sec −ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’−tert−ブチル−４’−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（37−シクロヘ
キシル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’−アリル−4'−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３’−メトキシ−４’−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジ
メチル−４’−ヒドロキシフェニル)プロパン、２，２
−ビス（２’，３’，５’，６’−テトラメチル−４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−
クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’，５’−ジクロロ−４’−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ブロモ−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，
５’−ジブロモ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（２’，６’−ジブロモ−３’，５’
ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シアノメタン、１−シアノ
−３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン等のビス（ヒドロキシアリール）アルカン
類、

【００２５】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチル
−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−ジ
クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキシフ
ェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘプ
タン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シク
ロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．０^2.6 〕
デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ア
ダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアル
カン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニ
ルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリール）エ
ーテル類、

【００２６】４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフ
ィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−
４，4'−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド等のビス
（ヒドロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’
−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スル
ホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、

【００２７】更には、６，６’−ジヒドロキシ−２，
２’，３，３’−テトラヒドロ−３，3'３’，３’−テ
トラメチル−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデ
ン）〔”スピロビインダンビスフェノール”〕、７，７
−ジヒドロキシ−３，３’，４，４’−テトラヒドロ−
４，４，４’，４’−テトラメチル−２，２’−スピロ
ビ（２Ｈ−１−ベンゾピラン）〔”スピロビクロマ
ン”〕、トランス−２，３−ビス（4'−ヒドロキシフェ
ニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４’−ヒドロキシ
フェニル）フルオレン、３，３−ビス（４’−ヒドロキ
シフェニル）−２−ブタノン、１，６−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）−１，６−ヘキサンジオン、１，１
−ジクロロ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）エチレン、１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’
−ヒドロキシフェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、α，α，α’，α’−テトラメチル
−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キ
シレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、

【００２８】３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フタリド、２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキ
シン、２，６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジ
ヒドロキシフェノキサチイン、２，７−ジヒドロキシ−
９，１０−ジメチルフェナジン、３，６−ジヒドロキシ
ジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフ
ェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジ
ヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒド
ロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシピレン等が挙
げられる。上記の芳香族ジヒドロキシ化合物の他にもハ
イドロキノン、レゾルシン等も同様に使用される。更に
は、例えば、ビスフェノールＡ２モルとイソフタロイル
クロライド又はテレフタロイルクロライド１モルとを反
応させることにより製造することができるエステル結合
を含むビスフェノール類（芳香族ジヒドロキシ化合物）
も有用である。これらは単独で、あるいは２種以上混合
して使用してもよい。特に好ましく使用される芳香族ジ
ヒドロキシ化合物は、ビスフェノールＡである。

【００２９】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル、ハロホーメート化合物、ジアルキルカーボ
ネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、アルキ
ルアリールカーボネート化合物を挙げることができ、好
ましくは、ハロゲン化カルボニルおよびハロホーメート
化合物である。ハロゲン化カルボニルとしては、通常、
ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニルが用いられるが、塩
素以外のハロゲンより誘導されるハロゲン化カルボニ
ル、例えば臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化
カルボニル等でもよく、これらの混合物であってもよ
い。また、ハロホーメート基を形成させる能力を有する
化合物、例えば、ホスゲンの２量体であるトリクロロメ
チルクロロホーメートやホスゲンの３量体であるビス
（トリクロロメチル）カーボネート等であっても良い
が、通常はホスゲンを使用するのが好ましい。ハロホー
メート化合物としては、ビスまたはモノハロホーメート
化合物、オリゴマー状のビスまたはモノハロホーメート
化合物が用いられ、代表的には一般式（４）で表される
化合物を挙げることができる。

【００３０】 Ｘ−（Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ））_n −Ｏ−Ｒ’−Ｏ−Ｘ （４） （式中、Ｘは水素原子またはハロカルボニル基を表し、
少なくとも１個のＸはハロカルボニル基であり、Ｒ’は
２価の脂肪族基または芳香族基を表し、ｎは０または正
の整数を表す）一般式（４）で表される化合物は、脂肪
族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビスハロホーメー
ト化合物およびオリゴマー状のビスハロホーメート化合
物、および芳香族ジヒドロキシ化合物から誘導されるビ
スハロホーメート化合物およびオリゴマー状のビスハロ
ホーメート化合物である。一般式（４）において、２価
の脂肪族基Ｒ’としては、炭素数２〜２０のアルキレン
基および炭素数４〜１２のシクロアルキレン基が挙げら
れ、例えば、直鎖状または分岐状のエチレン基、プロピ
レン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘ
プチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、
ウンデシレン基、ドデシレン基等の２価の炭化水素基、
また、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロ
ヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン
基、シクロノニレン基、シクロデシレン基、シクロウン
デシレン基、シクロドデシレン基またはそれらの任意に
置換された２価の環状炭化水素基である。

【００３１】これらの脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、エチレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジ
オール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，
６−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、
１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオー
ル、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオー
ル、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカ
ンジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−
１，６−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロ
パンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，
４−シクロヘキサンジオール、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシシクロヘキシル）プロパン等を挙げることがで
きる。また、２価の脂肪族基Ｒ’は、一般式（５）で表
されるような基も含む。 −Ｒ”−Ａｒ³ −Ｒ”− （５） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ³ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す）一般式
（５）において、Ｒ”基は炭素数１〜６のアルキレン基
を表し、例えば、直鎖状または分岐状のメチレン基、エ
チレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、
ヘキシレン基の２価の炭化水素基が挙げられ、Ａｒ³ 基
は、炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表し、フェニレ
ン基、置換フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ
る。

【００３２】この種の脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、キシリレンジオール、１，４−ビス（２’
−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，４−ビス（３’−
ヒドロキシプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（４’−
ヒドロキシブチル）ベンゼン、１，４−ビス（５’−ヒ
ドロキシペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（６’−ヒ
ドロキシヘキシル）ベンゼン等を挙げることができる。
一般式（４）において、Ｒ’基が芳香族基である芳香族
ジヒドロキシ化合物としては、前述した芳香族ジヒドロ
キシ化合物、例えば、ビスフェノールＡ、ハイドロキノ
ン等を挙げることができる。さらに、オリゴマー状のビ
スまたはモノハロホーメート化合物は、同一分子中に構
造の異なるＲ’基を有していてもよい。これらのハロホ
ーメート化合物は、単独で使用しても、混合して使用し
てもよく、さらにハロゲン化カルボニルと混合して使用
することも可能である。ジアルキルカーボネート化合
物、ジアリールカーボネート化合物、アルキルアリール
カーボネート化合物としては、ジメチルカーボネート、
ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネート
化合物、ハロゲン原子、ニトロ基等で置換されたジフェ
ニルカーボネートおよびこれらの混合物が挙げられる。

【００３３】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物が好ましく使用される。カーボネート前駆体
は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用してもよい
が、ハロゲン化カルボニルを使用する場合には、気体の
状態で使用するか、あるいは有機溶媒に溶解させた状態
で有機溶媒溶液として使用することが好ましく、ハロホ
ーメート化合物を使用する場合には、固体状態あるいは
有機溶媒に溶解させた状態で有機溶媒溶液として使用す
ることが好ましい。本発明の芳香族ポリカーボネート
を、界面重合法により製造する場合には、公知の芳香族
ポリカーボネートを製造する方法を用いることができ
る。例えば、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合
物とアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基、水お
よび水と実質的に不溶性の有機溶媒の２相混合溶媒中
で、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物を一般式（１−Ａ）で表される化合物の存在下
で作用させ、芳香族ポリカーボネートを製造する方法
で、より好ましくは、ポリカーボネート生成触媒の存在
下で製造する方法である。

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネートを界面重
合法により製造するに際し、カーボネート前駆体とし
て、例えば、ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場
合、その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対
し、約１．０〜約１．３倍モルとなる量を使用するのが
好ましい。１．０倍モルよりも極端に少ない量のハロゲ
ン化カルボニル化合物を使用することは、未反応の芳香
族ジヒドロキシ化合物を生じる結果となり、色調の良く
ない芳香族ポリカーボネートを生成する要因となる。ま
た、１．３倍モルよりも過度に多いハロゲン化カルボニ
ル化合物の使用は、末端がハロホーメート末端基で停止
したオリゴマーを多量に生成することとなり、その結
果、反応系内のオリゴマーのハロホーメート末端基とＯ
Ｈ基（あるいはフェノラート基）の割合が、ハロホーメ
ート末端基が過剰になるため、通常の重合時間では、ハ
ロホーメート末端基で重合停止された分子量の小さい芳
香族ポリカーボネートを形成させることになるため好ま
しくない。

【００３５】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば任意に使用可能であ
る。例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−
ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロ
ロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の
脂肪族塩素化物或いは、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等の芳香族塩素化物のような塩素化炭化水素または
それらの混合物を好適な有機溶媒として挙げることがで
きる。またそれらの塩素化炭化水素あるいはそれらの混
合物に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香
族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素等を混合した有機溶媒を使用してもよ
い。特に好ましい有機溶媒はジクロロメタンである。

【００３６】有機溶媒の使用量は、通常、重合終了時の
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液中の芳
香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３５重量％程度
になるように使用するのが好ましい。芳香族ポリカーボ
ネートの濃度が極端に低い場合には、多量の有機溶媒を
必要とし、生産性の点から好ましくない。また芳香族ポ
リカーボネートの濃度が飽和濃度に近い濃度であると芳
香族ポリカーボネートの有機溶媒溶液の粘度が非常に高
くなるため、界面重合の反応効率の低下、重合後の有機
溶媒溶液の取り扱い性の悪化等の問題点があり好ましく
ない。重合終了時の芳香族ポリカーボネートの有機溶媒
溶液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が、約１０〜約
２０重量％になるように有機溶媒を使用するのが特に好
ましい。また、有機溶媒の使用量は水の使用量にも依存
する。反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持する
に必要な量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比
は約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。上記範
囲より有機溶媒が少ない場合には、カーボネート前駆体
およびハロホーメート基の加水分解が多くなり、また均
一な乳化状態を形成する為に多大な攪拌動力を必要と
し、また、上記範囲より有機溶媒が多い場合にも、より
大きな攪拌動力を必要とするため、生産性の点からも好
ましくない。

【００３７】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）は、通常、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物であって、比
較的入手が容易な点から水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。塩
基は通常水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に芳
香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用するこ
とが好ましい。この場合、芳香族ジヒドロキシ化合物の
塩基性水溶液は一般に着色しやすいので、酸化防止剤と
して亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファイト
あるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添加し
て芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製して
もよい。界面重合法において使用する好適なポリカーボ
ネート生成触媒（重合触媒、重縮合触媒とも呼ばれる）
は、三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフィ
ン、四級ホスホニウム塩あるいは含窒素複素環化合物及
びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基を有す
る化合物等が挙げられる。好ましくは、三級アミンであ
るトリアルキルアミンであり、より好ましくは１位及び
２位にある炭素原子上に分岐を持たず、アルキル基がＣ
₁ 〜Ｃ₄ までのトリアルキルアミンであり、例えば、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジエチル
−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン等が挙
げられ、入手の容易さ、及び触媒効果が優れている点で
トリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート生
成触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル数
に対して約０．０００５〜約１．５モル％が好ましい。
０．０００５モル％より過度に少ない触媒量では、芳香
族ポリカーボネートを形成させるための触媒効果が充分
でなく、非常に長い重合時間が必要となるため、経済的
でなく好ましくない。また、触媒量が１．５モル％より
過度に多くても、重合反応を特に速める効果はなく、過
剰分のポリカーボネート生成触媒が無駄になるため好ま
しくない。ポリカーボネート生成触媒の添加時期は、本
発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際、反応前あ
るいは反応中に加えることができる。

【００３８】界面重合法においては、反応温度は、約１
０℃〜反応に使用する有機溶媒の沸点温度で本発明の芳
香族ポリカーボネートを製造することが好ましい。１０
℃より極端に低い温度では、反応速度が遅くなり、反応
効率が悪くなる。また冷却媒体あるいは冷却装置を必要
としたりする等実用的ではなくなる。使用される有機溶
媒が、ジクロロメタンである場合には、大気圧におい
て、還流温度である約３９℃で行うことができる。実際
には、反応は通常、室温付近で開始され、それから反応
熱により還流温度付近にまで上昇される。反応は通常大
気圧で行うが、所望ならば、加圧下または減圧下で反応
を行ってもよい。

【００３９】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、分岐化剤を添加することにより、分岐化さ
れた芳香族ポリカーボネートとすることができる。本発
明の芳香族ポリカーボネートに対して適する分岐化剤
は、例えば、３つ以上の芳香族性ヒドロキシ基、クロロ
ホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸クロライド基
さらには活性なハロゲン原子を有する化合物を挙げるこ
とができ、具体例としては、フロログルシノール、１，
１，４，４−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキ
シフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’，α’
−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，４−
ジエチルベンゼン、１−ヒドロキシ−２，４−ビス〔α
−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル〕
ベンゼン、２，２，５，５−テトラキス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（4'−ヒ
ドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジヒドロキシ
フェニル）プロパン、４，６−ジメチル−２，４，６−
トリス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘプタン、１，４−ビス（４’，４”−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、３，
３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエーテ
ル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）ホスフィン、ト
リメシン酸トリクロライド、シアヌル酸クロライド、
３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−オキ
ソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４’
−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−オキソ−
２，３−ジヒドロインドール等を挙げることができる。
分岐化剤を使用する場合には、その使用量は、目的とす
る芳香族ポリカーボネートの分岐度にあわせて変化させ
ることができるが、通常、芳香族ジヒドロキシ化合物に
対して０．０５〜２．０モル％程度用いるのが好まし
い。

【００４０】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（２）で表される化合物〕、カーボネ
ート前駆体（例えば、ホスゲン）、２価のカルボン酸ま
たは該化合物の誘導体（例えば、米国特許第３１６９１
２１号記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド等）および
一般式（１−Ａ）で表される化合物を用い、好適に芳香
族ポリエステルカーボネートを製造することができる。
この際、２価のカルボン酸または該化合物の誘導体の使
用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対し、３０〜８０
モル％程度用いるのが好ましい。

【００４１】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、当業者ではすでに公知の溶液重合法を
利用することもでき、例えば、ピリジン溶液中で、芳香
族ジヒドロキシ化合物、カーボネート前駆体として、ハ
ロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメート化合
物および一般式（１−Ａ）で表される化合物を約０〜５
０℃で作用させることにより製造することができる。ジ
アルキルカーボネート化合物、アルキルアリールカーボ
ネート化合物または／およびジアリールカーボネート化
合物を用いて、芳香族ジヒドロキシ化合物と一般式（１
−Ａ）で表される化合物とより本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合には、ジアルキルカーボネート
化合物、アルキルアリールカーボネート化合物または／
およびジアリールカーボネート化合物、芳香族ジヒドロ
キシ化合物と一般式（１−Ａ）で表される化合物との混
合物を、約６０〜約３００℃の温度で、常圧、加圧下ま
たは減圧下で、必要に応じてエステル交換触媒（例え
ば、金属酸化物、水酸化物、炭酸塩等）の存在下で、当
業者ではすでに公知のエステル交換法により製造するこ
とができる。

【００４２】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常該芳
香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層と
分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くなる
まで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法により
有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネート
を得ることができる。また、エステル交換法により製造
された芳香族ポリカーボネートは、エステル交換条件下
で溶融した芳香族ポリカーボネートを、直接ペレット化
あるいは成形物へと加工することも可能である。

【００４３】本発明の芳香族ポリカーボネートは、特定
の有機溶媒（たとえばジクロロメタン等のハロゲン化炭
化水素系溶媒）に可溶であり、該有機溶媒よりフィルム
のような成形加工品に加工し得る。本発明の芳香族ポリ
カーボネートは、熱可塑性であり、溶融物から射出成
形、押し出し成形、吹き込み成形、積層等の公知の成形
法により容易に成形加工される。

【００４４】本発明の芳香族ポリカーボネートは、他の
芳香族ポリカーボネートあるいはポリエチレンテレフタ
レートやポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）等の
ポリエステルと混合しえる。また、本発明の芳香族ポリ
カーボネートには、芳香族ポリカーボネートに加工時の
熱安定性、耐光性、耐候性、耐難燃性、離型性およびそ
の他の性質を付与する目的で、芳香族ポリカーボネート
の製造時または製造後に公知の方法で、極めて広範囲に
わたる添加剤、安定剤、難燃剤および充填剤、すなわち
加工および熱安定剤、酸化防止剤、加水分解安定剤、耐
衝撃安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲン化合
物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、ガラスビ
ーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ₂ 等を添加しても良い。

【００４５】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 例示番号５の末端基を有する芳香族ポリカ
ーボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を設け、このフラスコに、ビスフェノ
ールＡ９１２ｇ（４．０モル）、２−ｎ−ヘプチルオキ
シ−１−ナフタレンカルボン酸３８．９ｇ（０．１３６
モル，ビスフェノールＡに対して３．４モル％）、ジク
ロロメタン４ｌ及び脱イオン水４ｌを入れ、懸濁液と
し、フラスコ内の酸素を除去する為に窒素パージを行っ
た。次に、上記懸濁液にソジウムハイドロサルファイト
１．２ｇおよび苛性ソーダ４３２ｇ（１０．８モル）を
溶解した水溶液２．２ｌを供給し、１５℃でビスフェノ
ールＡを溶解した。この溶液に、ホスゲン４９５ｇ
（５．０モル）を８．２５ｇ／分の速度で供給した。反
応温度は３９℃まで上昇し、ジクロロメタンの還流が確
認された。ホスゲンの供給が完了した後、トリエチルア
ミン０．６４ｇを添加して、反応液をさらに９０分間攪
拌し、重合反応を行った。その後、反応液を静置し、有
機層を分液し、塩酸により中和し、電解質が無くなるま
で脱イオン水で洗浄した。このようにして得られた芳香
族ポリカーボネートのジクロロメタン溶液にトルエン２
ｌと水５ｌを加え、９８℃まで加熱することによりジク
ロロメタン及びトルエンを留去して、芳香族ポリカーボ
ネートの粉体を得た。得られた芳香族ポリカーボネート
の数平均分子量は２０９００、重量平均分子量は５１２
００であった。

【００４６】実施例２ 例示番号８の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、４−ｎ−ブチル−
３−フェニル−１−ナフトール３７．５ｇ（ビスフェノ
ールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例
１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得
られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８
００、重量平均分子量は５１０００であった。

【００４７】実施例３ 例示番号１１の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、４−ｎ−デシルオ
キシ−１−ナフタレンカルボン酸クロライド４４．４ｇ
（ビスフェノールＡに対して３．２モル％）を用いた以
外は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを
製造した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分
子量は２１９００、重量平均分子量は５３４００であっ
た。

【００４８】実施例４ 例示番号１６の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、５−ネオペンチル
−１−ナフタレンカルボン酸クロライド３５．４ｇ（ビ
スフェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外
は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製
造した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子
量は２１０００、重量平均分子量は５１３００であっ
た。

【００４９】実施例５ 例示番号２０の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、５−シクロヘキシ
ルメチルオキシ−１−ナフトール３４．８ｇ（ビスフェ
ノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施
例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。
得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０
９００、重量平均分子量は５１１００であった。

【００５０】実施例６ 例示番号２９の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、１−（３’−メチ
ルブチルオキシ）−２−ナフタレンカルボン酸クロライ
ド３５．４ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モル
％）を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポリ
カーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネ
ートの数平均分子量は２０８００、重量平均分子量は５
０７００であった。

【００５１】実施例７ 例示番号３５の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、３−ｎ−オクチル
オキシ−２−ナフタレンカルボン酸４０．８ｇ（ビスフ
ェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実
施例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造し
た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
２０６００、重量平均分子量は５０５００であった。

【００５２】実施例８ 例示番号４５の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、６−シクロヘキシ
ル−２−ナフトール３０．７ｇ（ビスフェノールＡに対
して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に
して芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２１５００、重量
平均分子量は５２６００であった。

【００５３】実施例９ 例示番号４８の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、６−ｎ−ヘキシル
オキシ−２−ナフチルクロロホーメート４１．８ｇ（ビ
スフェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外
は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製
造した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子
量は２１１００、重量平均分子量は５１２００であっ
た。

【００５４】実施例１０ 例示番号５１の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、６−（４’−メチ
ルシクロヘキシルオキシ）−２−ナフタレンカルボン酸
３８．６ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モル％）
を用いた以外は、実施例１と同様にして芳香族ポリカー
ボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネート
の数平均分子量は２０７００、重量平均分子量は５１０
００であった。

【００５５】実施例１１ 例示番号５７の末端基を有す
る芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキシ−１−ナフ
タレンカルボン酸を用いる代わりに、７−（２’−エチ
ルヘキシルオキシ）−２−ナフトール３７．０ｇ（ビス
フェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、
実施例１と同様してに芳香族ポリカーボネートを製造し
た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
２１７００、重量平均分子量は５２８００であった。

【００５６】比較例１ 比較のため、実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキ
シ−１−ナフタレンカルボン酸を用いる代わりに、ｐ−
tert−ブチルフェノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡ
に対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同
様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１０００、
重量平均分子量は５１０００であった。

【００５７】比較例２ 比較のため、実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキ
シ−１−ナフタレンカルボン酸を用いる代わりに、ｐ−
ｎ−ヘキシルオキシフェノール２６．４ｇ（ビスフェノ
ールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例
１と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得
られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０８
００、重量平均分子量は５１３００であった。

【００５８】比較例３ 比較のため、実施例１において、２−ｎ−ヘプチルオキ
シ−１−ナフタレンカルボン酸を用いる代わりに、ｐ−
ｎ−オクチルオキシ安息香酸３４．０ｇ（ビスフェノー
ルＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１
と同様にして芳香族ポリカーボネートを製造した。得ら
れた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０７０
０、重量平均分子量は５０８００であった。

【００５９】尚、各実施例および比較例で製造した各芳
香族ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー、昭和電工（株）社製、
ＧＰＣシステム−１１〕で測定したものである。各実施
例および各比較例で製造した各芳香族ポリカーボネート
のメルトフローインデックス（ＭＩ）およびガラス転移
点（Ｔｇ、℃）の測定結果を第１表（表１）に示した。
・メルトフローインデックス（ＭＩ）は、東洋精機製Ｓ
−０１メルトインデックサーを用い、温度２８０℃、荷
重２．１６ｋｇの条件で測定し、１０分間に溶出するポ
リマーの重量（単位：ｇ）で示す。数値が大きいほど、
溶融流動性に優れていることを示している。・ガラス転
移点（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ〔マックサイエンス（株）
社製、ＤＳＣ−３１００〕を用い、昇温速度は１６℃／
分の条件で測定した。

【００６０】

【表１】

【００６１】第１表から、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、公知の末端封止剤を用いて製造される芳香族ポ
リカーボネートに比較して、溶融流動性に優れ、かつガ
ラス転移点も高く、実用上充分な熱安定性を有している
ことが判った。特に、アルキル基またはアルキルオキシ
基を有するナフトール誘導体あるいはナフタレンカルボ
ン酸誘導体より誘導される末端基を有する本発明の芳香
族ポリカーボネートが、公知の鎖状のアルコキシ基を有
するフェノール誘導体または安息香酸誘導体を末端封止
剤として用いて製造される芳香族ポリカーボネートに比
較して、ガラス転移点が非常に高く、熱安定性に優れて
いることは、非常に驚くべきことである。

【００６２】

【発明の効果】本発明により、溶融流動性に優れ、かつ
熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供するこ
とが可能になった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 審査官 森川 聡 (56)参考文献 特開 昭57−133149（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08G 64/00 - 64/42

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）で表される基である芳香族ポリカーボネート。 −Ａ−（Ｏ）_p −Ｒ₁ （１） （式中、Ｒ₁ はアルキル基を表し、p は０または１を表
   し、Ａはナフチレン基を表す）