JP3456717B2 - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
トに関する。さらに詳しくは、末端基として特定構造の
基を有する芳香族ポリカーボネートに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネートは、
透明性、耐熱性、機械的強度、寸法安定性等に優れたエ
ンジニアリングプラスチックとして知られており、自動
車、電気製品等の部品として幅広く用いられている。通
常、芳香族ポリカーボネートを製造する際には、製造さ
れる芳香族ポリカーボネートの分子量を調節する目的
で、末端封止剤（分子量調節剤、重合停止剤、連鎖停止
剤、末端停止剤などとも呼ばれている）を添加し重合が
なされている（例えば、米国特許第３０２８３６５
号）。その中でも、末端封止剤として、フェノールまた
はｐ−tert−ブチルフェノールなどのフェノール類が最
も一般的に広く使用されている。 【０００３】さらに、種々の構造を有する化合物が末端
封止剤として有用であることが報告されている。例え
ば、アルカノールアミン類（米国特許第３０８５９９２
号）、イミド類（米国特許第３３９９１７２号）、アニ
リン、メチルアニリン（米国特許第３２７５６０１
号）、アンモニウム化合物類、１級または２級のアミン
類（米国特許第４１１１９１０号）を、末端封止剤とし
て使用することが提案されている。一方、少量のモノエ
タノールアミンまたはモルホリンのようなアミン類は、
高分子量のポリカーボネートを低分子量のポリカーボネ
ートに分解する作用を有することが報告されている（米
国特許第３２２３６７８号）。 【０００４】このように、ポリカーボネートの末端封止
剤に関しては、種々報告されてはいるものの、どのよう
な種類の化合物あるいは化合物群が、末端封止剤として
有効に機能するかは、いまだもって充分には解明されて
いない。さらに、特定構造の化合物が末端封止剤として
有用であっても、そのような化合物を末端基として有す
るポリカーボネートがどのような物性または機能を有す
るかは、まったく予測すらできず、この分野の化学を一
層深く解明するためには、実験的な方法論によるさらな
るアプローチが必要とされている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、末端
基の少なくとも１つが、ヘテロ原子を含んでもよいシク
ロアルカンが縮合したフェニル基を有するもので、しか
も、熱安定性に優れた芳香族ポリカーボネートを提供す
ることである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者等は、芳香族ポ
リカーボネートに関し鋭意検討した結果、本発明に到達
した。即ち、本発明は、末端基の少なくとも１つが、ヘ
テロ原子を含んでもよいシクロアルカンが縮合したフェ
ニル基を有する基である芳香族ポリカーボネートに関す
るものである。本発明に係る末端基は、ヘテロ原子を含
んでもよいシクロアルカンが縮合したフェニル基を有す
る基であることを特徴とするもので、シークロアルカン
中の１個もしくは２個のメチレン基は、酸素原子または
硫黄原子等の炭素原子以外の原子で置き換えられていて
も良く、さらには、該シクロアルカンは、アルキル基等
の置換基を有していても良い。また、本発明に係るシク
ロアルカンが縮合したフェニル基において、該フェニル
基は、さらにアルキル基、アルコキシ基、アリール基、
ハロゲン原子等の置換基を有していてもよい。特に好ま
しいシクロアルカンが縮合したフェニル基としては、一
般式（１）（化３）または一般式（２）（化４）で表さ
れる基を挙げることができる。 【０００７】 【化３】（式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アリール基またはハロゲン原子を表
し、Ｒ₄ およびＲ₅ は水素原子、アルキル基またはアリ
ール基を表し、Ｘ₁ およびＸ₂ はメチレン基、酸素原子
または硫黄原子を表し、Ｚはメチレン基を表し、ｋは０
〜１６の整数を表す） 【０００８】 【化４】 （式中、Ｒ₆ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
アリール基またはハロゲン原子を表し、Ｒ₇ 、Ｒ₈ 、Ｒ
₉ およびＲ₁₀は水素原子、アルキル基またはアリール基
を表し、Ｘ₃ 、Ｘ₄ 、Ｘ₅ およびＸ₆ はメチレン基、酸
素原子または硫黄原子を表し、Ｚはメチレン基を表し、
ｍおよびｎは０〜１６の整数を表す） 【０００９】本発明に係る一般式（１）および一般式
（２）において、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ およびＲ₆ は、水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基またはハ
ロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、炭素数１〜
１６のアルキル基、炭素数１〜１６のアルコキシ基、炭
素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子であり、より
好ましくは、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭
素数１〜８のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール
基、フッソ原子、ハロゲン原子であり、具体例として
は、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウン
デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−
ヘキサデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec
−ブチル基、tert−ブチル基、２−メチルブチル基、３
−メチルブチル基、ネオペンチル基、２−メチルペンチ
ル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、
４−メチル−２−ペンチル基、２−エチルブチル基、２
−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、 【００１０】tert−オクチル基、５−メチルヘプチル
基、２−エチルヘキシル基、２，６−ジメチル−４−ヘ
プチル基、３，７−ジメチルオクチル基、３，５，５−
トリメチルヘキシル基、３−メチルドデシル基、シクロ
ヘキシルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、
シクロオクチル基、シクロデシル基、３−メチルシクロ
ヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、３−エチル
シクロヘキシル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル
基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、４−tert−ブ
チルシクロヘキシル基、４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシ
ル基、３−ｎ−オクチルシクロヘキシル基、３−メチル
シクロヘプチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブ
トキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−
ドデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、シクロ
ペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フェニル
基、４−メチルフェニル基、４−エトキシフェニル基、
１−ナフチル基、２−ナフチル基、フッソ原子、塩素原
子、臭素原子等を挙げることができる。 【００１１】本発明に係る一般式（１）および一般式
（２）において、Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ 、Ｘ₄ 、Ｘ₅ および
Ｘ₆ は、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、
該メチレン基の水素原子は炭素数１〜４のアルキル基で
置き換えられていても良い。本発明に係る一般式（１）
および一般式（２）において、ｋ、ｍおよびｎは、０〜
１６の整数を表し、より好ましくは、１〜１２の整数を
表し、特に好ましくは１〜１０の整数を表す。末端基の
少なくとも１つが、シクロアルカンが縮合したフェニル
基を有する基である本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際に、使用する好適な末端封止剤としては、一
般式（１−Ａ）（化５）または一般式（２−Ａ）（化
６）で表される化合物を挙げることができる。 【００１２】 【化５】（式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｘ₁ 、Ｘ₂ 、
ｋは前記に同じであり、Ｙ₁ は−ＯＨ基、−ＯＭ基、−
ＯＣＯＢ基、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯ
Ｂ基、Ｍは金属イオン、Ｂはハロゲン原子を表す） 【００１３】 【化６】 （式中、Ｒ₆ 、Ｒ₇ 、Ｒ₈ 、Ｒ₉ 、Ｒ₁₀、Ｘ₃ 、Ｘ₄ 、
Ｘ₅ 、Ｘ₆ 、ｍおよびｎは前記に同じであり、Ｙ₂ は−
ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＢ基、−ＣＯＯＨ基、−Ｃ
ＯＯＭ基または−ＣＯＢ基、Ｍは金属イオン、Ｂはハロ
ゲン原子を表す） 【００１４】本発明に係る一般式（１−Ａ）および一般
式（２−Ａ）で表される化合物において、Ｙ₁ およびＹ
₂ は、−ＯＨ基、−ＯＭ基、−ＯＣＯＢ基、−ＣＯＯＨ
基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＢ基を表し、Ｍは金属イ
オンを表し、Ｂはハロゲン原子を表す。Ｍとしては、好
ましくは、１価または２価のアルカリ金属イオンまたは
アルカリ土類金属イオンであり、リチウム、ナトリウ
ム、カリウム、カルシウムイオン等を具体例として挙げ
ることができ、Ｂとしては、好ましくは、フッソ原子、
塩素原子、臭素原子を挙げることができ、より好ましく
は、塩素原子である。本発明に係る一般式（１−Ａ）に
おいて、Ｙ₁ の置換位置は、Ｘ₁ に対して、オルト位、
メタ位またはパラ位である。本発明に係る一般式（２−
Ａ）において、Ｙ₂ の置換位置は、Ｘ₃ に対して、オル
ト位またはメタ位である。 【００１５】一般式（１−Ａ）および一般式（２−Ａ）
で表される化合物は、公知の方法により製造することが
できる。例えば、一般式（１−Ａ）および一般式（２−
Ａ）において、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＯＨ基または−ＣＯ
ＯＨ基で表される化合物は、J.Org.Chem.,45,5002 (198
0)、J.Org.Chem.,47,1200 (1982)、J.Org.Chem.,48，38
39 (1983) 、J.Org.Chem.,49,4033 (1984)、J.Org.Che
m.,515436 (1986) 、J.Org.Chem.,51,5452 (1986)、Tet
rahedron Lett.,23,2823 (1982)、Tetrahedron Lett.,2
3,4551 (1982)、Tetrahedron Lett.,26,2159 (1985)、
J.Chem.Soc.,2773(1961)、J.Chem.Soc.C1837(1968)、J.
Chem.Soc.Perkin,I, 425(1977)、Tetrahedron,26,4743
(1970)、Synthesis,290(1979) 等に記載の方法により製
造することができる。例えば、5,6,7,8-テトラヒドロ−
２−ナフトールは、2-（フェニルスルフィニル）シクロ
ヘキサノンに、ソジウムメトキサイドの存在下、メチル
ビニルケトンを作用させることにより製造することがで
きる。また、1,2,3,6,7,8-ヘキサヒドロ-as-4-ヒドロキ
シインダセンは、2-（1-シクロペンテニル）シクロペン
タノンに、エチルシアノアセテートを作用させた後、閉
環して得られる 1,2,3,6,7,8- ヘキサヒドロ-as-4-ヒド
ロキシ-5- シアノインダセンを、高温下でアルカリ処理
することにより製造することができる。 【００１６】また、一般式（１−Ａ）および一般式（２
−Ａ）において、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＯＣＯＢ基で表さ
れる化合物において、例えば、Ｂが塩素原子である化合
物は、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＯＨ基である化合物に、例え
ば、ホスゲンを作用させ製造することができる。一般式
（１−Ａ）および一般式（２−Ａ）において、Ｙ₁ およ
びＹ₂ が−ＣＯＢ基で表される化合物において、例え
ば、Ｂが塩素原子である化合物は、Ｙ₁ およびＹ₂ が−
ＣＯＯＨ基である化合物に、例えば、塩化チオニルまた
はオギザリルクロライドを作用させ製造することができ
る。一般式（１−Ａ）および一般式（２−Ａ）におい
て、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＯＭ基で表される化合物は、Ｙ
₁ およびＹ₂ が−ＯＨ基である化合物に、例えば、水溶
液中で水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カル
シウム等のアルカリ金属塩基またはアルカリ土類塩基を
作用させ製造することができる。一般式（１−Ａ）およ
び一般式（２−Ａ）において、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＣＯ
ＯＭ基で表される化合物は、Ｙ₁ およびＹ₂ が−ＣＯＯ
Ｈ基である化合物に、例えば、水溶液中で水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属塩基またはアルカリ土類塩基を作用させ製造するこ
とができる。 【００１７】本発明の末端基の少なくとも１つが、シク
ロアルカンが縮合したフェニル基を有する芳香族ポリカ
ーボネートにおいて、シクロアルカンが縮合したフェニ
ル基としては、代表的には以下に示す基を挙げることが
できるが、勿論、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 番号 例示基 １． ４−ベンゾシクロブテニル基 ２． １−メチル−４−インダニル基 ３． ２−メチル−４−インダニル基 ４． ５−メチル−４−インダニル基 ５． ６−メチル−４−インダニル基 ６． ７−メチル−４−インダニル基 ７． ５−インダニル基 ８． １−メチル−５−インダニル基 ９． ４−メチル−５−インダニル基 １０． ６−メチル−５−インダニル基 【００１８】 １１． ４，６−ジメチル−５−インダニル基 １２． ６−tert−ブチル−５−インダニル基 １３． ４−シクロヘキシル−５−インダニル基 １４． ４−ブロモ−５−インダニル基 １５． ４−ブロモ−６−tert−ブチル−５−インダニ
ル基 １６． ６−フェニル−５−インダニル基 １７． ４−フェニル−６−メチル−５−インダニル基 １８． ５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル
基 １９． ３−エチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
１−ナフチル基 ２０． ４−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
１−ナフチル基 ２１． ５−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
１−ナフチル基 ２２． ６−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
１−ナフチル基 ２３． ６−ｎ−ペンチル−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−１−ナフチル基 ２４． ４−エトキシ−５，６，７，８−テトラヒドロ
−１−ナフチル基 ２５． ４−ｎ−ヘキシルオキシ−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−１−ナフチチル基 【００１９】 ２６． ４−ｎ−デシルオキシ−５，６，７，８−テト
ラヒドロ−１−ナフチル基 ２７． ５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル
基 ２８． １−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
２−ナフチル基 ２９． ３−メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
２−ナフチル基 ３０． １，３−ジメチル−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−２−ナフチル基 ３１． ３−メトキシ−５，６，７，８−テトラヒドロ
−２−ナフチル基 ３２． ３−ｎ−ブトキシ−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−２−ナフチル基 ３３． ３−ｎ−オクチルオキシ−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−２−ナフチル基 ３４． ３−シクロヘキシルオキシ−５，６，７，８−
テトラヒドロ−２−ナフチル基３５． ３−フェニル−
５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基 ３６． ５，５−ジメチル−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−２−ナフチル基 ３７． ６−tert−ブチル−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−２−ナフチル基 ３８． １−メチル−６−tert−ブチル−５，６，７，
８−テトラヒドロ−２−ナフチル基 ３９． ５−イソプロピル−８−メチル−５，６，７，
８−テトラヒドロ−２−ナフチル基 ４０． ６，７，８，９−テトラヒドロ−５Ｈ−２−ベ
ンゾシクロヘプテニル基 【００２０】 ４１． １−メチル−６，７，８，９−テトラヒドロ−
５Ｈ−２−ベンゾシクロヘプテニル基 ４２． ５，６，７，８，９，１０−ヘキサヒドロ−２
−ベンゾシクロオクテニル基 ４３． ６，７，８，９，１０，１１−ヘキサヒドロ−
５Ｈ−２−ベンゾシクロノネニル基 ４４． ５，６，７，８，９，１０，１１，１２−オク
タヒドロ−２−ベンゾシクロデセニル基 ４５． ６，７，８，９，１０，１１，１２，１３−オ
クタヒドロ−５Ｈ−２−ベンゾシクロウンデセニル基 ４６． ５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１
３，１４−デカヒドロ−２−ベンゾシクロドデセニル基 ４７． ５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１
３，１４，１５，１６−ドデカヒドロ−２−ベンゾシク
ロテトラデセニル基 ４８． ５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１
３，１４，１５，１６，１７，１８−テトラデカヒドロ
−２−ベンゾシクロヘキサデセニル基 ４９． ６−クマラニル基 ５０． ７−クロマニル基 ５１． ２，２，７−トリメチル−５−クロマニル基 ５２． ２，２−ジメチル−６−クロマニル基 ５３． ２，２，５，８−テトラメチル−６−クロマニ
ル基 ５４． ２，２，５，７，８−ペンタメチル−６−クロ
マニル基 ５５． ２，２−ジメチル−７−クロマニル基 【００２１】 ５６． ２，２，５−トリメチル−７−クロマニル基 ５７． ８−ホモクロマニル基 ５８． ２−メチル−２−エチル−５−チアクマラニル
基 ５９． ２，３−ジメチル−６−チオクロマニル基 ６０． ３，４−ジメチル−６−チオクロマニル基 ６１． ３，４−（メチレンジオキシ）フェニル基 ６２． ３，４−（エチレンジオキシ）フェニル基 ６３． １，２，３，６，７，８−ヘキサヒドロ−ａｓ
−４−インダセニル基 ６４． １，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒド
ロ−９−フェナントレニル基 ６５． １，２−ジメチル−１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロ−９−フェナントレニル基 ６６． ３，７−ジメチル−１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロ−９−フェナントレニル基 ６７． ３，７−ジ−tert−ブチル−１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロ−９−フェナントレニル
基 ６８． ３，７−ジシクロヘキシル−１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロ−９−フェナントレニル
基 ６９． ２，３，４，５−ビス（メチレンジオキシ）フ
ェニル基 ７０． ２，３，４，５−ビス（エチレンジオキシ）フ
ェニル基 【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネートは、少な
くとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物、カーボネート
前駆体および少なくとも１種の一般式（１−Ａ）または
一般式（２−Ａ）で表される化合物から製造することが
でき、その製造方法としては、当業者においては公知の
界面重合法、溶液重合法またはエステル交換法を利用す
ることができ、特に、界面重合法は好ましい製造方法で
ある。本発明の新規な末端基を有する芳香族ポリカーボ
ネートを製造する際に、一般式（１−Ａ）または一般式
（２−Ａ）で表される化合物は末端封止剤として作用
し、本発明の芳香族ポリカーボネートの製造工程におい
て芳香族ポリカーボネートの分子量を制御又は調整する
のに役立つ。これらの末端封止剤と芳香族ジヒドロキシ
化合物とは、カーボネート前駆体の作用により、カーボ
ネート結合またはエステル結合を形成し、本発明の一般
式（１）または一般式（２）で表される末端基を有する
芳香族ポリカーボネートを生成する。尚、カーボネート
結合は、一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表
される化合物において、Ｙ₁ およびＹ₂ が、−ＯＨ基、
−ＯＭ基または−ＯＣＯＢ基である化合物を使用するこ
とにより形成され、一方、エステル結合は、Ｙ₁ および
Ｙ₂ が、−ＣＯＯＨ基、−ＣＯＯＭ基または−ＣＯＢ基
である化合物を使用することにより形成される。 【００２３】本発明の芳香族ポリカーボネートの重量平
均分子量は、製造の際に使用する一般式（１−Ａ）また
は一般式（２−Ａ）で表される化合物の使用量により、
任意の重量平均分子量をとることができるが、成形加工
性、衝撃抵抗性などの諸物性を考慮し、約１５０００〜
約１５００００の重量平均分子量であることが好まし
く、より好ましくは約２００００〜約１０００００の重
量平均分子量である。重量平均分子量は、一般に、芳香
族ポリカーボネート生成時に使用される一般式（１−
Ａ）または一般式（２−Ａ）で表される化合物の量に依
存する。概して、一般式（１−Ａ）または一般式（２−
Ａ）で表される化合物の使用量が多くなれば芳香族ポリ
カーボネートの重量平均分子量は小さくなり、逆に、一
般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表される化合
物の使用量が少なくなれば芳香族ポリカーボネートの重
量平均分子量は大きくなる。一般に、一般式（１−Ａ）
または一般式（２−Ａ）で表される化合物の使用量は、
使用する芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対して、約
１．２〜約１０．０モル％であるのが好ましく、約１．
５〜約７．０モル％がより好ましい。 【００２４】一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）
で表される末端封止剤は、一般に、芳香族ジヒドロキシ
化合物とカーボネート前駆体との反応において、最初
に、すなわちカーボネート前駆体の添加に先立って、芳
香族ジヒドロキシ化合物と共に存在させてもよく、また
はカーボネート前駆体の添加に伴い、逐次連続的に供給
することもできる。本発明のポリカーボネートの製造に
際して、一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表
される化合物は、一種あるいは複数使用することができ
る。一種だけを使用した場合には、芳香族ポリカーボネ
ートの末端基は、全部同じ構造を有する基になる。ま
た、複数併用した場合には、使用した一般式（１−Ａ）
または一般式（２−Ａ）で表される化合物の数、量およ
びタイプにより種々の末端基が混合した形になる。更
に、一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表され
る化合物は、本発明の所望の効果を損なわない範囲で他
の公知の末端封止剤と組み合わせて使用することも可能
である。本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際
に、一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表され
る化合物と、他の公知の末端封止剤を併用する場合、全
末端封止剤中、一般式（１−Ａ）または一般式（２−
Ａ）で表される化合物の割合は、３０モル％以上である
ことが好ましく、５０モル％以上であることがより好ま
しく、６０モル％以上であることが特に好ましい。 【００２５】一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）
で表される化合物以外の末端封止剤としては、例えば、
１価のヒドロキシ芳香族化合物、１価のヒドロキシ芳香
族化合物のクロロホーメート化合物、１価のカルボン酸
基を有する化合物および１価のカルボン酸のクロライド
化合物等である。１価のヒドロキシ芳香族化合物として
は、例えば、フェノール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチル
フェノール、ｐ−エチルフェノール、ｐ−イソプロピル
フェノール、ｐ−tert−ブチルフェノール、ｐ−クミル
フェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｐ−オク
チルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、２，４−キシ
レノール、ｐ−メトキシフェノール、ｐ−ヘキシルオキ
シフェノール、ｐ−デシルオキシフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェ
ノール、ｐ−ブロモフェノール、ペンタブロモフェノー
ル、ペンタクロロフェノール、ｐ−フェニルフェノー
ル、ｐ−イソプロペニルフェノール、２，４−ジ（１−
メチル−１−フェニルエチル）フェノール、β−ナフト
ール、α−ナフトール、ｐ−（２’，４’，４’−トリ
メチルクロマニル）フェノール、２−（４’−メトキシ
フェニル）−２−（4"−ヒドロキシフェニル）プロパン
等のフェノール類である。１価のヒドロキシ芳香族化合
物のクロロホーメート化合物としては、上述の１価のヒ
ドロキシ芳香族化合物のクロロホーメート誘導体等であ
る。 【００２６】また、１価のカルボン酸基を有する化合物
としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、2,2 −ジメ
チルプロピオン酸、３−メチル酪酸、3,3 −ジメチル酪
酸、４−メチル吉草酸、３，３−ジメチル吉草酸、４−
メチルカプロン酸、２，４−ジメチル吉草酸、３，５−
ジメチルカプロン酸、フェノキシ酢酸等の脂肪酸類、安
息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ｐ−tert−ブチル安息香
酸、ｐ−プロピルオキシ安息香酸、ｐ−ブトキシ安息香
酸、ｐ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−オクチルオキシ
安息香酸、ｐ−フェニル安息香酸、ｐ−ベンジル安息香
酸、ｐ−クロロ安息香酸等の安息香酸類である。１価の
カルボン酸のクロライド化合物としては、上記の１価の
カルボン酸基を有する化合物のクロライド誘導体等であ
る。尚、上述の１価のヒドロキシ芳香族化合物または１
価のカルボン酸基を有する化合物のアルカリ金属（例え
ば、リチウム、ナトリウム、カリウム）塩、アルカリ土
類金属（例えば、カルシウム）塩も末端封止剤として使
用できる。 【００２７】本発明の芳香族ポリカーボネート化合物を
製造する際に使用する芳香族ジヒドロキシ化合物として
は、一般式（３）で表される化合物を挙げることができ
る。 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ （３） （式中、Ｒは芳香族炭化水素基、またはアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン
原子、ニトロ基あるいはアルコキシ基等の置換基を有す
る置換芳香族炭化水素基である） 上記の一般式（３）において、基Ｒは好ましくは、一般
式（４）で表される基である。 −Ａr¹−Ｘ−Ａr²− （４） （式中、Ａr¹とＡr²は各々単環の二価芳香族基であり、
ＸはＡr¹とＡr²を結び付ける基である） 上記一般式（４）において、Ａr¹およびＡr²は、各々単
環の二価芳香族基であり、好ましくは、フェニレン基も
しくは置換基を有する置換フェニレン基であり、置換基
としては、例えば、ハロゲン、アルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基、アリール基等の炭化水素基、ニ
トロ基、アルコキシ基等が挙げられる。 【００２８】Ａr¹とＡr²の両方がｐ−フェニレン基、ｍ
−フェニレン基またはｏ−フェニレン基、あるいは一方
がｐ−フェニレン基であり、一方がｍ−フェニレン基ま
たはｏ−フェニレン基であるのが好ましく、特にＡr¹と
Ａr²の両方がｐ−フェニレン基であるのが好ましい。Ｘ
は、Ａr¹とＡr²を結び付ける基であり、単結合もしくは
２価の炭化水素基、更には−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、
−ＳＯ₂ −、−ＣＯ−等の炭素と水素以外の原子を含む
基であっても良い。２価の炭化水素基とは、飽和の炭化
水素基、例えば、メチレン、エチレン、２，２−プロピ
リデン、シクロヘキシリデン等のアルキリデン基があげ
られるが、アリール基等で置換された基も包含され、ま
た、芳香族基やその他の不飽和の炭化水素基を含有する
炭化水素基であってもよい。 【００２９】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例として
は、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２
−メチル−４−ヒドロキシ）メタン、ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシ）メタン、1,1 −ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）エタン、1,2-ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェ
ニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニ
ルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−ナフ
チルメタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン〔”ビスフェノールＡ”〕、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−３−メチ
ルプロパン、１，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−１，１−ジメチルプロパン、２−（４’−ヒドロ
キシフェニル）−２−（３’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ブ
タン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−３
−メチルブタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）ペンタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェ
ニル）−４−メチルペンタン、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサン、４，４−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（4'−ヒド
ロキシフェニル）オクタン、２，２−ビス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、 【００３０】２，２−ビス（３’−メチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−エチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（3'−ｎ−プロピル−４’−ヒドロキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３’−イソプロピル−４’−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（3'−sec
−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３’−tert−ブチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３’−シクロヘキシル
−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−アリル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’−メトキシ−４’−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，５’−ジメ
チル−４’−ヒドロキシフェニル) プロパン、２，２−
ビス（２’，３’，５’，６’−テトラメチル−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−
クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３’，５’−ジクロロ−４’−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ブロモ−４’−
ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’，
５’−ジブロモ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（２’，６’−ジブロモ−３’，５’
ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シアノメタン、１−シアノ
−３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン等のビス（ヒドロキシアリール）アルカン
類、 【００３１】１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロペンタン、１，１−ビス（4'−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’−メチル
−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３’，５’−ジ
クロロ−４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−４−メチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス (４’−ヒドロキシフ
ェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘプ
タン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シク
ロオクタン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロノナン、１，１−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）シクロドデカン、２，２−ビス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ノルボルナン、８，８−ビス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）トリシクロ〔５．２．１．０^2,6 〕
デカン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ア
ダマンタン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアル
カン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
３，３’−ジメチル−4,4'−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エーテル等のビス（ヒドロキシアリール）エーテ
ル類、 【００３２】４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフ
ィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルフィド、３，３’−ジシクロヘキシル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，
３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニル
スルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド等のビス（ヒ
ドロキシアリール）スルフィド類、４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−4,
4'−ジヒドロキシ−ジフェニルスルホキシド等のビス
（ヒドロキシアリール）スルホキシド類、４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’
−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン等のビス（ヒドロキシアリール）スル
ホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン等のビ
ス（ヒドロキシアリール）ケトン類、 【００３３】更には、６，６’−ジヒドロキシ−２，
２’，３，３’−テトラヒドロ−3,3,3'3'−テトラメチ
ル−１，１’−スピロビ（１Ｈ−インデン）〔”スピロ
ビインダンビスフェノール”〕、７，７−ジヒドロキシ
−３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，４，４’，
４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−
ベンゾピラン）〔”スピロビクロマン”〕、トランス−
２，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ブテ
ン、９，９−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン、３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２
−ブタノン、１，６−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）−１，６−ヘキサンジオン、１，１−ジクロロ−
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）エチレン、
１，１−ジブロモ−２，２−ビス（４’−ヒドロキシフ
ェニル）エチレン、１，１−ジクロロ−2,２−ビス
（３’−フェノキシ−４’−ヒドロキシフェニル）エチ
レン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，
α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、 【００３４】３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
フタリド、２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキ
シン、２，６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジ
ヒドロキシフェノキサチイン、２，７−ジヒドロキシ−
９，１０−ジメチルフェナジン、３，６−ジヒドロキシ
ジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフ
ェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジ
ヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒド
ロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシピレン等が挙
げられる。上記の芳香族ジヒドロキシ化合物の他にもハ
イドロキノン、レゾルシン等も同様に使用される。更に
は、例えばビスフェノールＡ２モルとイソフタロイルク
ロライド又はテレフタロイルクロライド１モルとを反応
させることにより製造することができるエステル結合を
含むビスフェノール類（芳香族ジヒドロキシ化合物）も
有用である。これらは単独で、あるいは２種以上混合し
て使用してもよい。特に好ましく使用される芳香族ジヒ
ドロキシ化合物は、ビスフェノールＡである。 【００３５】カーボネート前駆体としては、ハロゲン化
カルボニル、ハロホーメート化合物、ジアルキルカーボ
ネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、アルキ
ルアリールカーボネート化合物を挙げることができ、好
ましくは、ハロゲン化カルボニルおよびハロホーメート
化合物である。ハロゲン化カルボニルとしては、通常、
ホスゲンと呼ばれる塩化カルボニルが用いられるが、塩
素以外のハロゲンより誘導されるハロゲン化カルボニ
ル、例えば臭化カルボニル、ヨウ化カルボニル、フッ化
カルボニル等でもよく、これらの混合物であってもよ
い。また、ハロホーメート基を形成させる能力を有する
化合物、例えば、ホスゲンの２量体であるトリクロロメ
チルクロロホーメートやホスゲンの３量体であるビス
（トリクロロメチル）カーボネート等であっても良い
が、通常はホスゲンを使用するのが好ましい。ハロホー
メート化合物としては、ビスまたはモノハロホーメート
化合物、オリゴマー状のビスまたはモノハロホーメート
化合物が用いられ、代表的には一般式（５）（化７）で
表される化合物を挙げることができる。一般式（５）で
表される化合物は、脂肪族ジヒドロキシ化合物から誘導
されるビスハロホーメート化合物およびオリゴマー状の
ビスハロホーメート化合物、および芳香族ジヒドロキシ
化合物から誘導されるビスハロホーメート化合物および
オリゴマー状のビスハロホーメート化合物である。 【００３６】 【化７】 （式中、Ｗは水素またはハロカルボニル基を表し、少な
くとも１個のＷはハロカルボニル基であり、Ｒ’は２価
の脂肪族基または芳香族基を表し、ｐは０または正の整
数を表す） 一般式（５）において、２価の脂肪族基Ｒ’としては、
炭素数２〜２０のアルキレン基および炭素数４〜１２の
シクロアルキレン基が挙げられ、例えば、直鎖状または
分岐状のエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペン
チレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン
基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシ
レン基等の２価の炭化水素基、また、シクロブチレン
基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロ
ヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン
基、シクロデシレン基、シクロウンデシレン基、シクロ
ドデシレン基またはそれらの任意に置換された２価の環
状炭化水素基である。 【００３７】これらの脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体
例としては、エチレングリコール、１，３−プロパンジ
オール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジ
オール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，
６−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、
１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジオー
ル、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオー
ル、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカ
ンジオール、ネオペンチルグリコール、２−エチル−
１，６−ヘキサンジオール、２−メチル−１，３−プロ
パンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，
４−シクロヘキサンジオール、２，２−ビス（４’−ヒ
ドロキシシクロヘキシル）プロパン等を挙げることがで
きる。 【００３８】また、２価の脂肪族基Ｒ’は、一般式
（６）で表されるような基も含む。 −Ｒ”−Ａｒ³ −Ｒ”− （６） （式中、Ｒ”は炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ａ
ｒ³ は炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表す） 一般式（６）において、Ｒ”基は炭素数１〜６のアルキ
レン基を表し、例えば、直鎖状または分岐状のメチレン
基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレ
ン基、ヘキシレン基の２価の炭化水素基が挙げられ、Ａ
ｒ³ 基は、炭素数６〜１２の２価の芳香族基を表し、フ
ェニレン基、置換フェニレン基、ナフチレン基等が挙げ
られる。この種の脂肪族ジヒドロキシ化合物の具体例と
しては、キシリレンジオール、1,4-ビス（２’−ヒドロ
キシエチル）ベンゼン、１，４−ビス（３’−ヒドロキ
シプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（４’−ヒドロキ
シブチル）ベンゼン、１，４−ビス（５’−ヒドロキシ
ペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（６’−ヒドロキシ
ヘキシル）ベンゼン等を挙げることができる。 【００３９】一般式（５）において、Ｒ’基が芳香族基
である芳香族ジヒドロキシ化合物としては、前述した芳
香族ジヒドロキシ化合物、例えば、ビスフェノールＡ、
ハイドロキノン等を挙げることができる。さらに、オリ
ゴマー状のビスまたはモノハロホーメート化合物は、同
一分子中に構造の異なるＲ’基を有していてもよい。こ
れらのハロホーメート化合物は、単独で使用しても、混
合して使用してもよく、さらにハロゲン化カルボニルと
混合して使用することも可能である。ジアルキルカーボ
ネート化合物、ジアリールカーボネート化合物、アルキ
ルアリールカーボネート化合物としては、ジメチルカー
ボネート、ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカ
ーボネート化合物、ハロゲン原子、ニトロ基等で置換さ
れたジフェニルカーボネートおよびこれらの混合物が挙
げられる。 【００４０】界面重合法により本発明の芳香族ポリカー
ボネートを製造する場合、カーボネート前駆体として
は、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物が好ましく使用される。カーボネート前駆体
は、気体、液体、固体のいずれの状態で使用してもよい
が、ハロゲン化カルボニルを使用する場合には、気体の
状態で使用するか、あるいは有機溶媒に溶解させた状態
で有機溶媒溶液として使用することが好ましく、ハロホ
ーメート化合物を使用する場合には、固体状態あるいは
有機溶媒に溶解させた状態で有機溶媒溶液として使用す
ることが好ましい。本発明の芳香族ポリカーボネート
を、界面重合法により製造する場合には、公知の芳香族
ポリカーボネートを製造する方法を用いることができ
る。例えば、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合
物とアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属塩基、水お
よび水と実質的に不溶性の有機溶媒の２相混合溶媒中
で、ハロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメー
ト化合物を一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）の
存在下で作用させて、芳香族ポリカーボネートを製造す
る方法であり、より好ましくは、ポリカーボネート生成
触媒の存在下で製造する方法である。 【００４１】本発明の芳香族ポリカーボネートを界面重
合法により製造するに際し、カーボネート前駆体とし
て、例えば、ハロゲン化カルボニル化合物を使用する場
合、その使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物の量に対
し、約１．０〜約１．３倍モルとなる量を使用するのが
好ましい。１．０倍モルよりも極端に少ない量のハロゲ
ン化カルボニル化合物を使用することは、未反応の芳香
族ジヒドロキシ化合物を生じる結果となり、色調の良く
ない芳香族ポリカーボネートを生成する要因となる。ま
た、１．３倍モルよりも過度に多いハロゲン化カルボニ
ル化合物の使用は、末端がハロホーメート末端基で停止
したオリゴマーを多量に生成することとなり、その結
果、反応系内のオリゴマーのハロホーメート末端基とＯ
Ｈ基（あるいはフェノラート基）の割合が、ハロホーメ
ート末端基が過剰になるため、通常の重合時間では、ハ
ロホーメート末端基で重合停止された分子量の小さい芳
香族ポリカーボネートを形成させることになるため好ま
しくない。 【００４２】有機溶媒は、水に対して実質的に不溶性で
あり、かつ反応に対して不活性であり、芳香族ポリカー
ボネートを溶解するものであれば任意に使用可能であ
る。例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−
ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロ
ロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等の
脂肪族塩素化物或いは、クロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン等の芳香族塩素化物のような塩素化炭化水素または
それらの混合物を好適な有機溶媒として挙げることがで
きる。またそれらの塩素化炭化水素あるいはそれらの混
合物に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香
族炭化水素、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素等を混合した有機溶媒を使用してもよ
い。特に好ましい有機溶媒はジクロロメタンである。 【００４３】有機溶媒の使用量は、通常、重合終了時の
芳香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液中の芳
香族ポリカーボネートの濃度が約５〜約３５重量％程度
になるように使用するのが好ましい。芳香族ポリカーボ
ネートの濃度が極端に低い場合には、多量の有機溶媒を
必要とし、生産性の点から好ましくない。また芳香族ポ
リカーボネートの濃度が飽和濃度に近い濃度であると芳
香族ポリカーボネートの有機溶媒溶液の粘度が非常に高
くなるため、界面重合の反応効率の低下、重合後有機溶
媒溶液の取り扱い性の悪化等の問題点があり好ましくな
い。重合終了時の芳香族ポリカーボネートの有機溶媒溶
液中の芳香族ポリカーボネートの濃度が、約１０〜約２
０重量％になるように有機溶媒を使用するのが特に好ま
しい。また、有機溶媒の使用量は水の使用量にも依存す
る。反応混合物が実質的に均一な乳化状態を維持するに
必要な量であれば良く、通常、水相対有機相の容量比は
約０．４〜約１．５：１とするのが好ましい。上記範囲
より有機溶媒が少ない場合には、カーボネート前駆体お
よびハロホーメート基の加水分解が多くなり、また均一
な乳化状態を形成する為に多大な攪拌動力を必要とし、
また、上記範囲より有機溶媒が多い場合にも、より大き
な攪拌動力を必要とするため、生産性の点からも好まし
くない。 【００４４】本発明の芳香族ポリカーボネートを製造す
る際に使用するアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
塩基（以下、塩基と略記する）は、通常、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の水酸化物であって、比
較的入手が容易な点から水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウムが好ましく、特に水酸化ナトリウムが好ましい。塩
基は通常、水溶液の状態で用いられ、更にこの水溶液に
芳香族ジヒドロキシ化合物を溶解させて反応に使用する
ことが好ましい。この場合、芳香族ジヒドロキシ化合物
の塩基性水溶液は一般に着色しやすいので、酸化防止剤
として、亜硫酸ナトリウム、ソジウムハイドロサルファ
イトあるいはソジウムボロハイドライド等の還元剤を添
加して芳香族ジヒドロキシ化合物の塩基性水溶液を調製
してもよい。 【００４５】界面重合法において使用する好適なポリカ
ーボネート生成触媒（重合触媒、重縮合触媒とも呼ばれ
る）は、三級アミン、四級アンモニウム塩、三級ホスフ
ィン、四級ホスホニウム塩あるいは含窒素複素環化合物
及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基を有
する化合物等が挙げられる。好ましくは、三級アミンで
あるトリアルキルアミンであり、より好ましくは１位及
び２位にある炭素原子上に分岐を持たず、アルキル基が
Ｃ₁ 〜Ｃ₄ までのトリアルキルアミンであり、例えば、
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジエチ
ル−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン等が
挙げられ、入手の容易さ、及び触媒効果が優れている点
でトリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート
生成触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物のモル
数に対して約０．０００５〜約０．７モル％が好まし
い。０．０００５モル％より過度に少ない触媒量では、
芳香族ポリカーボネートを形成させるための触媒効果が
充分でなく、非常に長い重合時間が必要となるため、経
済的でなく好ましくない。また、触媒量が１．５モル％
より過度に多くても、重合反応を特に速める効果はな
く、過剰分のポリカーボネート生成触媒が無駄になるた
め好ましくない。ポリカーボネート生成触媒の添加時期
は、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造する際、反
応前あるいは反応中に加えることができる。 【００４６】界面重合法において本発明の芳香族ポリカ
ーボネートを製造する場合には、好ましくは、反応温度
は、約１０℃〜反応に使用する有機溶媒の沸点温度であ
る。１０℃より極端に低い反応温度では、反応速度が遅
くなり、反応効率が悪く、また冷却媒体あるいは冷却装
置を必要としたりする等実用的ではなくなる。使用され
る有機溶媒が、ジクロロメタンである場合には、大気圧
において、還流温度である約３９℃で行うことができ
る。実際には、反応は通常、室温付近で開始され、それ
から反応熱により還流温度付近にまで上昇される。反応
は通常大気圧で行うが、所望ならば、加圧下または減圧
下で反応を行ってもよい。 【００４７】尚、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
所望により、分岐化剤を添加することにより、分岐化さ
れた芳香族ポリカーボネートとすることができる。本発
明の芳香族ポリカーボネートに対して適する分岐化剤
は、例えば、３つ以上の芳香族性ヒドロキシ基、クロロ
ホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸クロライド基
さらには活性なハロゲン原子を有する化合物を挙げるこ
とができる。具体例としては、フロログルシノール、
１，１，４，４−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，３，５−トリス（４’−ヒド
ロキシフェニル）ベンゼン、１，１，２−トリス（４’
−ヒドロキシフェニル）プロパン、α，α，α’，α’
−テトラキス（４’−ヒドロキシフェニル）−１，４−
ジエチルベンゼン、１−ヒドロキシ−２，４−ビス〔α
−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル〕
ベンゼン、２，２，５，５−テトラキス（４’−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサン、１，１，２，３−テトラキス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４’−
ヒドロキシフェニル）−２−（２”，４”−ジヒドロキ
シフェニル）プロパン、４，６−ジメチル−２，４，６
−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテ
ン、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’−ヒ
ドロキシフェニル）ヘプタン、１，４−ビス（４’，
４”−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、
３，３’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルエー
テル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）ホスフィン、
トリメシン酸トリクロライド、シアヌル酸クロライド、
３，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−２−オキ
ソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−ビス（４’
−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−オキソ−
２，３−ジヒドロインドール等を挙げることができる。
分岐化剤を使用する場合には、その使用量は、目的とす
る芳香族ポリカーボネートの分岐度にあわせて変化させ
ることができるが、通常、芳香族ジヒドロキシ化合物に
対して０．０５〜２．０モル％程度用いるのが好まし
い。 【００４８】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
は、芳香族ポリエステルカーボネートをも包含するもの
であり、少なくとも１種の芳香族ジヒドロキシ化合物
〔例えば、一般式（３）で表される化合物〕、カーボネ
ート前駆体（例えば、ホスゲン）、２価のカルボン酸ま
たは該化合物の誘導体（例えば、米国特許第３１６９１
２１号記載のイソフタル酸、テレフタル酸、イソフタル
酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライド等）および
一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）の化合物を用
い、好適に芳香族ポリエステルカーボネートを製造する
ことができる。この際、２価のカルボン酸または該化合
物の誘導体の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対
し、３０〜８０モル％程度用いるのが好ましい。 【００４９】また、本発明の芳香族ポリカーボネートを
製造する際には、当業者ではすでに公知の溶液重合法を
利用することもでき、例えば、ピリジン溶液中で、芳香
族ジヒドロキシ化合物、カーボネート前駆体として、ハ
ロゲン化カルボニルまたは／およびハロホーメート化合
物および一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表
される化合物を約０〜５０℃で作用させることにより製
造することができる。ジアルキルカーボネート化合物、
アルキルアリールカーボネート化合物または／およびジ
アリールカーボネート化合物を用いて、芳香族ジヒドロ
キシ化合物と一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）
で表される化合物とより本発明の芳香族ポリカーボネー
トを製造する場合には、ジアルキルカーボネート化合
物、アルキルアリールカーボネート化合物または／およ
びジアリールカーボネート化合物、芳香族ジヒドロキシ
化合物と一般式（１−Ａ）または一般式（２−Ａ）で表
される化合物との混合物を、約６０〜約３００℃の温度
で、常圧、加圧下または減圧下で、必要に応じてエステ
ル交換触媒（例えば、金属酸化物、水酸化物、炭酸塩
等）の存在下で、当業者ではすでに公知のエステル交換
法により製造することができる。 【００５０】本発明の芳香族ポリカーボネートは、界面
重合法または溶液重合法により製造した場合、通常該芳
香族ポリカーボネートを含有する有機溶媒溶液を水層と
分離した後、水洗浄により、実質的に電解質が無くなる
まで洗浄した後、該有機溶媒溶液から公知の方法により
有機溶媒を除去して、本発明の芳香族ポリカーボネート
を得ることができる。また、エステル交換法により製造
された芳香族ポリカーボネートは、エステル交換条件下
で溶融した芳香族ポリカーボネートを、直接ペレット化
あるいは成形物へと加工することも可能である。本発明
の芳香族ポリカーボネートは、特定の有機溶媒（たとえ
ばジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒）に可
溶であり、該有機溶媒よりフィルムのような成形加工品
に加工し得る。本発明の芳香族ポリカーボネートは、熱
可塑性であり、溶融物から射出成形、押し出し成形、吹
き込み成形、積層等の公知の成形法により容易に成形加
工される。また、本発明の芳香族ポリカーボネートは、
他の芳香族ポリカーボネートあるいはポリエチレンテレ
フタレートやポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）
等のポリエステルと混合しえる。また、本発明の芳香族
ポリカーボネートには、芳香族ポリカーボネートに加工
時の熱安定性、耐光性、耐候性、耐難燃性、離型性およ
びその他の性質を付与する目的で、芳香族ポリカーボネ
ートの製造時または製造後に公知の方法で、極めて広範
囲にわたる添加剤、安定剤、難燃剤および充填剤、すな
わち加工および熱安定剤、酸化防止剤、加水分解安定
剤、耐衝撃安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、有機ハロゲ
ン化合物、アルカリ金属スルホン酸塩、ガラス繊維、ガ
ラスビーズ、硫酸バリウム、ＴｉＯ2 等を添加しても良
い。 【００５１】 【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 例示番号７の末端基を有する芳香族ポリカー
ボネートの製造 １０ｌのバッフル付フラスコに、三段六枚羽根の攪拌機
および還流冷却管を設け、このフラスコに、ビスフェノ
ールＡ９１２ｇ（４．０モル）、５−インダノール１
８．２ｇ（０．１３６モル，ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）、ジクロロメタン４ｌ及び脱イオン水４
ｌを入れ、懸濁液とし、フラスコ内の酸素を除去する為
に窒素パージを行った。次に、上記懸濁液にソジウムハ
イドロサルファイト１．２ｇおよび苛性ソーダ４３２ｇ
（１０．８モル）を溶解した水溶液２．２ｌを供給し、
１５℃でビスフェノールＡを溶解した。この溶液に、ホ
スゲン４９５ｇ（５．０モル）を８．２５ｇ／分の速度
で供給した。反応温度は３９℃まで上昇し、ジクロロメ
タンの還流が確認された。ホスゲンの供給が完了した
後、トリエチルアミン０．６４ｇを添加して、反応液を
さらに９０分間攪拌し、重合反応を行った。その後、反
応液を静置し、有機層を分液し、塩酸により中和し、電
解質が無くなるまで脱イオン水で洗浄した。このように
して得られた芳香族ポリカーボネートのジクロロメタン
溶液にトルエン２ｌと水５ｌを加え、９８℃まで加熱す
ることによりジクロロメタン及びトルエンを留去して、
芳香族ポリカーボネートの粉体を得た。得られた芳香族
ポリカーボネートの数平均分子量は２０９００、重量平
均分子量は５０６００であった。 【００５２】実施例２ 例示番号１０の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールを用いる代わり
に、６−メチル−５−インダノール２０．１ｇ（ビスフ
ェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、実
施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネートを製造し
た。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は
２１１００、重量平均分子量は５０９００であった。 【００５３】実施例３ 例示番号１８の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールを用いる代わり
に、５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−１−カ
ルボン酸２３．９ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４
モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、芳香
族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカ
ーボネートの数平均分子量は２０７００、重量平均分子
量は５１１００であった。 【００５４】実施例４ 例示番号２７の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールを用いる代わり
に、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフトール２
０．１ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モル％）を
用いた以外は、実施例１と同様にして、芳香族ポリカー
ボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボネート
の数平均分子量は２０８００、重量平均分子量は５０７
００であった。 【００５５】実施例５ 例示番号４０の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールの代わりに、２−
ヒドロキシ−６，７，８，９−テトラヒドロ−５Ｈ−ベ
ンゾシクロヘプテン２２．０ｇ（ビスフェノールＡに対
して３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様に
して、芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳
香族ポリカーボネートの数平均分子量は２０５００、重
量平均分子量は５０６００であった。 【００５６】実施例６ 例示番号５５の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールの代わりに、７−
ヒドロキシ−２，２−ジメチルクロマン２３．０ｇ（ビ
スフェノールＡに対して３．２モル％）を用いた以外
は、実施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネートを
製造した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分
子量は２１８００、重量平均分子量は５３２００であっ
た。 【００５７】実施例７ 例示番号６１の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールの代わりに、３，
４−（メチレンジオキシ）フェノール２９．３ｇ（ビス
フェノールＡに対して３．４モル％）を用いた以外は、
実施例１と同様にして、芳香族ポリカーボネートを製造
した。得られた芳香族ポリカーボネートの数平均分子量
は２０９００、重量平均分子量は５０６００であった。 【００５８】実施例８ 例示番号６３の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールの代わりに、１，
２，３，６，７，８−ヘキサヒドロ−ａｓ−４−ヒドロ
キシインダセン２３．７ｇ（ビスフェノールＡに対して
３．４モル％）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て、芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた芳香
族ポリカーボネートの数平均分子量は２０３００、重量
平均分子量は５０１００であった。 【００５９】実施例９ 例示番号６４の末端基を有する
芳香族ポリカーボネートの製造 実施例１において、５−インダノールの代わりに、１，
２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロ−９−ヒド
ロキシフェナントレン２５．９ｇ（ビスフェノールＡに
対して３．２モル％）を用いた以外は、実施例１と同様
にして、芳香族ポリカーボネートを製造した。得られた
芳香族ポリカーボネートの数平均分子量は２１３００、
重量平均分子量は５２８００であった。 【００６０】比較例 比較のため、実施例１において、末端封止剤として５−
インダノールを用いる代わりに、ｐ−tert−ブチルフェ
ノール２０．４ｇ（ビスフェノールＡに対して３．４モ
ル％）を用いた以外は実施例１と同様にして、芳香族ポ
リカーボネートを製造した。得られた芳香族ポリカーボ
ネートの数平均分子量は２１０００、重量平均分子量は
５１２００であった。 【００６１】尚、各実施例および比較例で製造した各芳
香族ポリカーボネートの分子量は、ＧＰＣ〔ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィ−、昭和電工（株）社製、
ＧＰＣシステム−１１〕で測定したものである。また、
第１表（表１）に、各実施例および比較例で製造した各
芳香族ポリカーボネートのガラス転移点（Ｔｇ）の測定
結果を示した。ガラス転移点（Ｔｇ、℃）は、ＤＳＣ
〔マックサイエンス（株）社製、ＤＳＣ−３１００〕を
用い、昇温速度は１６℃／分の条件で測定した。 【００６２】 【表１】 第１表に示した結果から、本発明の芳香族ポリカーボネ
ートは、ｐ−tert−ブチルフェノールにより末端封止さ
れている芳香族ポリカーボネートに比べ、ガラス転移点
が高く、熱安定性に優れていることが判明した。 【００６３】 【発明の効果】本発明により、熱安定性に優れた芳香族
ポリカーボネートを提供することが可能になった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中塚 正勝 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三 井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 国際公開92／11309（ＷＯ，Ａ１)

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 末端基の少なくとも１つが、一般式
   （１）（化１）または一般式（２）（化２）で表される
   基であることを特徴とする熱可塑性芳香族ポリカーボネ
   ート。 【化１】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＲ₃ は水素原子、アルキル
   基、アルコキシ基、アリール基またはハロゲン原子を表
   し、Ｒ₄ およびＲ₅ は水素原子、アルキル基またはアリ
   ール基を表し、Ｘ₁ およびＸ₂ はメチレン基、酸素原子
   または硫黄原子を表し、Ｚはメチレン基を表し、ｋは１
   〜１６の整数を表す） 【化２】（式中、Ｒ₆ は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
   アリール基またはハロゲン原子を表し、Ｒ₇ 、Ｒ₈ 、Ｒ
   ₉ およびＲ₁₀は水素原子、アルキル基またはアリール基
   を表し、Ｘ₃ 、Ｘ₄ 、Ｘ₅ およびＸ₆ はメチレン基、酸
   素原子または硫黄原子を表し、Ｚはメチレン基を表し、
   ｍおよびｎは１〜１６の整数を表す）