JPH07225Y2 - クリーンユニット - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この考案は、半導体製造に関わる装置への、ダストの付
着を防止するクリーンユニットに関する。

（ロ）従来の技術 半導体製造工程において、作業領域での空気中のダスト
（塵）を取り除き、これらがウェハや半導体製造装置
（直接製造に関わるものの他検査装置なども含む）に付
着するのを防止することは重要である。そこで、作業領
域の無塵環境化を図るためクリーンルームが適用され、
また、個々の半導体製造装置へのダストの付着を防止す
るため、クリーンユニットが適用される。

従来のクリーンユニットには、例えば第３図に示す構成
のものが知られている。このクリーンユニット11におい
て、クリーンユニット本体12は、半導体製造装置10の上
方に位置し、清浄空気を下方に吹出す。半導体製造装置
10の背後には、背壁15が位置しており、その上部にはク
リーンユニット本体12が取付けられている。背壁15は中
空構造で、その内部は通気路17とされ、また背壁15の下
部前面には、空気リターン口16が開設され、通気路17が
背壁15前方に開口する。

このクリーンユニット11では、クリーンユニット本体12
より吹出された清浄空気は、半導体製造装置10の表面を
層流となって流れた後、空気リターン口16に吸い込ま
れ、通気路17を通り、再びクリーンユニット本体12に戻
る。半導体製造装置10の表面に清浄空気の層流が形成さ
れることにより、この半導体製造装置10へのダストの付
着が防止される。

（ハ）考案が解決しようとする課題 上記クリーンユニット11において、背壁前面15aと、半
導体製造装置背面10cとの間には間隙Ｇがある。このた
めクリーンユニット12より吹出された清浄空気の一部分
が間隙Ｇを通り、空気リターン口16に吸い込まれ、半導
体装置10の上面10a、前面10bを流れる清浄空気が減少し
てしまう。その結果、半導体製造装置10へのダストの付
着を、完全に防止できない問題点があった。

この考案は上記に鑑みなされたもので、半導体製造装置
へのダストの付着を低減できるクリーンユニットの提供
を目的としている。

（ニ）課題を解決するための手段及び作用 この考案のクリーンユニットの構成を、実施例に対応す
る第１図を用いて説明すると、半導体製造装置10上方に
位置し、清浄空気を下方に吸出すクリーンユニット本体
２と、前記半導体製造装置10の背後に位置し、上部に前
記クリーンユニット本体が取付けられる背壁５と、この
背壁５下部前面に開口する空気リターン口６と、前記背
壁５内に設けられ、前記クリーンユニット本体２と前記
空気リターン口６とを連通する通気路７とを備えてなる
ものにおいて、一端（固定部）9aが前記半導体製造装置
10の背面10c上部に係合し、他端が半導体製造装置10の
背面10c上部より上方の前記背壁５の前面5aに係合し
て、半導体製造装置背面10cと背壁５との間隙Ｇ上部を
塞ぎ、前記クリーンユニット本体２よりの清浄空気を、
前記半導体製造装置表面10a、10b、10dに導く導流板９
を備えたことを特徴とするものである。従って、この導
流手段９により半導体製造装置10の表面に流れる清浄空
気量が増加し、ダストの付着を従来よりも少なくするこ
とができる。

（ホ）実施例 この考案の一実施例を、第１図及び第２図に基づいて以
下に説明する。

第１図は、実施例クリーンユニット１の側面図、第２図
は、同クリーンユニット１の外観斜視図である。

２は、クリーンユニット本体であり、内部にブロワ３及
びHEPA（High Efficiency Particulate Absolute）フィ
ルタ４が内蔵されている（第１図参照）。このクリーン
ユニット本体２は、背壁５の前面5a上部に取付けられて
いる。

背壁５は、中空構造とされており、その内部は通気路７
とされる。通気路７上部は、前記ブロワ３と連通する。
また背壁前面5a下部には、空気リターン口６が設けら
れ、通気路７が背壁前面5aに開口する。

クリーンユニット本体２下方には、半導体製造装置10が
おかれる。この半導体装置背面10cと、背壁前面5aとの
間には、間隙Ｇが存在するが、この間隙Ｇはその上部に
おいて、導流板９により塞がれる。導流板９は、例えば
ステンレス鋼板を断面円弧状に加工してなるもので、そ
の固定部（一端）9aが半導体製造装置10の背面10c上部
に固着され、他端が半導体製造装置10の背面10c上部よ
り背壁前面5aに係合されることにより、間隙Ｇ上部に取
付けられる。なお、導流板９の形状、材質は、上記のも
のに限定されず、また背壁前面5aあるいは背壁前面5a及
び半導体製造装置背面10cの両方に固着してもよく適宜
設計変更可能である。

クリーンユニット１の側端部には、側壁８、８が設けら
れており（第２図参照）、半導体製造装置10の側方が遮
蔽される。なお、第１図において、10fは半導体製造装
置10のキャスタを、Ｆは床面をそれぞれ示している。

次に、実施例クリーンユニット１の動作を以下に説明す
る。

空気リターン口６より吸込まれた空気は、通気路７内を
上昇して、ブロワ３に至る。ブロワ３より、送出される
空気は、HEPAフィルタ４を透過してダストを取除かれ、
下方に吹出される。

クリーンユニット本体２より下方に吹出された清浄空気
は、半導体製造装置10の上面10aを層流となって流れ
る。この時、クリーンユニット本体２の奥側（第１図紙
面左方向）より吹出す空気は、導流板９に導かれて、半
導体製造装置上面10aを奥側から手前（第１図紙面右方
向）に流れる。

半導体製造装置上面10aを流れた空気は、さらに半導体
製造装置10の前面10b、側面10dを層流となって下方に流
れ、前記空気リターン口６に吸込まれる。このように、
クリーンユニット本体２より吹出した清浄空気の一部
が、間隙Ｇを通り直接空気リターン口６に吸込まれるこ
とが少ないので、半導体製造装置上面10a、前面10b、側
面10dを流れれる清浄空気量が従来より増加し、半導体
製造装置10や、この半導体製造装置10に装着されている
ウェハ（図示せず）へのダストの付着を従来よりも抑え
ることができる。

（ヘ）考案の効果 以上説明したように、この考案のクリーンユニットは、
一端が半導体製造装置の背面上部に係合し、他端が半導
体製造装置の背面上部より上方の背壁前面に係合して、
半導体製造装置背面と背壁との間隙上部を塞ぎ、クリー
ンユニット本体よりの清浄空気を、半導体製造装置表面
に導く導流板を備えたものであるから、半導体製造装置
表面に形成される清浄空気の層流を従来よりも強くし、
半導体製造装置あるいはこの半導体製造装置に装着され
ているウェハやチップへのダストの付着を低減すること
ができる利点を有している。

【図面の簡単な説明】 第１図は、この考案の一実施例に係るクリーンユニット
の断面図、第２図は、同クリーンユニットの外観斜視
図、第３図は、従来のクリーンユニットの一部を破断し
て示す側面図である。 2:クリーンユニット本体、5:背壁、6:空気リターン口、
7:通気路、9:導流板、10:半導体製造装置。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体製造装置上方に位置し、清浄空気を
   下方に吹出すクリーンユニット本体と、前記半導体製造
   装置の背後に位置し、上部に前記クリーンユニット本体
   が取付けられる背壁と、この背壁下部前面に開口する空
   気リターン口と、前記背壁内に設けられ、前記クリーン
   ユニット本体と前記空気リターン口とを連通する通気路
   とを備えてなるクリーンユニットにおいて、 一端が前記半導体製造装置の背面上部に係合し、他端が
   半導体製造装置の背面上部より上方の前記背壁前面に係
   合して、半導体製造装置背面と背壁との間隙上部を塞
   ぎ、前記クリーンユニット本体よりの清浄空気を、前記
   半導体製造装置表面に導く導流板を備えたことを特徴と
   するクリーンユニット。