JPH07221456A - 多層配線板の製造法 - Google Patents
多層配線板の製造法Info
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- JPH07221456A JPH07221456A JP6009671A JP967194A JPH07221456A JP H07221456 A JPH07221456 A JP H07221456A JP 6009671 A JP6009671 A JP 6009671A JP 967194 A JP967194 A JP 967194A JP H07221456 A JPH07221456 A JP H07221456A
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- columnar
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製
造法を提供する。 【構成】キャリヤー金属箔の片面に電気めっきにより後
工程で層間接続部となる柱状パターンを形成する。柱状
パターン面を内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて
柱状パターンを絶縁基材内に埋め込む。キャリヤー金属
箔の柱状パターンを形成した面の反対面上に第一の配線
パターンを形成する。第一の配線パターンを内側にして
第二の絶縁基材と重ね合わせて第一の配線パターンを第
二の絶縁基材内に埋め込むとともに、第一と第二の絶縁
基材を一体化する。層間接続用柱状パターンと第一の絶
縁基材とによって形成される表に柱状パターンと導通し
た第二の配線パターンを形成する。
造法を提供する。 【構成】キャリヤー金属箔の片面に電気めっきにより後
工程で層間接続部となる柱状パターンを形成する。柱状
パターン面を内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて
柱状パターンを絶縁基材内に埋め込む。キャリヤー金属
箔の柱状パターンを形成した面の反対面上に第一の配線
パターンを形成する。第一の配線パターンを内側にして
第二の絶縁基材と重ね合わせて第一の配線パターンを第
二の絶縁基材内に埋め込むとともに、第一と第二の絶縁
基材を一体化する。層間接続用柱状パターンと第一の絶
縁基材とによって形成される表に柱状パターンと導通し
た第二の配線パターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線板の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線板の製造法すなわち層間
接続法としては、（１）配線パターンおよび絶縁層を貫
通する穴をあけた後、めっき等によって穴内を金属化し
層間の導通を得る方法、（２）配線パターン上に絶縁層
を形成した後、層間接続をすべき部分の絶縁層を除去
し、その後表面金属化と同時に層間接続を行う方法が使
用されている。
接続法としては、（１）配線パターンおよび絶縁層を貫
通する穴をあけた後、めっき等によって穴内を金属化し
層間の導通を得る方法、（２）配線パターン上に絶縁層
を形成した後、層間接続をすべき部分の絶縁層を除去
し、その後表面金属化と同時に層間接続を行う方法が使
用されている。
【０００３】
（１）の方法は一般の多層配線板で行われている層間接
続方法であるが、貫通穴の形成にドリルをもちいるた
め、200μm径を下まわるような小径の形成は困難な上、
穴位置精度も±30μm以上と十分でない。 （２）の方法は主に半導体の多層配線形成に用いられて
いる方法で、層間接続部の小径化や穴位置精度はフォト
マスクによる位置合わせ技術を用いるため、（１）の方
法に比べ一桁優れている。しかしこの方法の場合、下部
の配線パターンの凹凸を吸収できず、表面に凹凸形状を
残す。このことは、さらなる多層化や表面実装にとって
障害となっているばかりか、表面配線の微細化をも阻害
している。また、上記２方法とも層間接続用穴が微小径
化しているため、めっき液等のスムーズな流れが得られ
ず、十分な厚みの金属膜が形成しにくい。これは層間接
続信頼性に直接影響する問題で深刻である。本発明は、
高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造法を提
供するものである。
続方法であるが、貫通穴の形成にドリルをもちいるた
め、200μm径を下まわるような小径の形成は困難な上、
穴位置精度も±30μm以上と十分でない。 （２）の方法は主に半導体の多層配線形成に用いられて
いる方法で、層間接続部の小径化や穴位置精度はフォト
マスクによる位置合わせ技術を用いるため、（１）の方
法に比べ一桁優れている。しかしこの方法の場合、下部
の配線パターンの凹凸を吸収できず、表面に凹凸形状を
残す。このことは、さらなる多層化や表面実装にとって
障害となっているばかりか、表面配線の微細化をも阻害
している。また、上記２方法とも層間接続用穴が微小径
化しているため、めっき液等のスムーズな流れが得られ
ず、十分な厚みの金属膜が形成しにくい。これは層間接
続信頼性に直接影響する問題で深刻である。本発明は、
高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造法を提
供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願の第一の発明は、
（Ａ１）キャリヤー金属箔の片面に後工程で層間接続部
となる柱状パターンを形成し、（Ｂ１）柱状パターンを
内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて柱状パターン
を第一の絶縁基材内に埋め込み、（Ｃ１）キャリヤー金
属箔を所望する第一の配線パターンに加工し、（Ｄ１）
第一の配線パターン面を内側にして第二の絶縁基材と重
ね合わせて第二の絶縁基材内に埋め込むとともに第一及
び第二の絶縁基材を一体化させ、（Ｅ１）第一の絶縁基
材側から柱状パターンを露出させ、（Ｆ１）柱状パター
ンと導通した第二の配線パターンを形成する工程を含む
ことを特徴とするものである。
（Ａ１）キャリヤー金属箔の片面に後工程で層間接続部
となる柱状パターンを形成し、（Ｂ１）柱状パターンを
内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて柱状パターン
を第一の絶縁基材内に埋め込み、（Ｃ１）キャリヤー金
属箔を所望する第一の配線パターンに加工し、（Ｄ１）
第一の配線パターン面を内側にして第二の絶縁基材と重
ね合わせて第二の絶縁基材内に埋め込むとともに第一及
び第二の絶縁基材を一体化させ、（Ｅ１）第一の絶縁基
材側から柱状パターンを露出させ、（Ｆ１）柱状パター
ンと導通した第二の配線パターンを形成する工程を含む
ことを特徴とするものである。
【０００５】本願の第二の発明は、（Ａ２）可とう性を
有するフィルム基材上に金属薄膜を形成し、（Ｂ２）金
属薄膜上に後工程で層間接続部となる柱状パターンを形
成し、（Ｃ２）柱状パターンを内側にして第一の絶縁基
材と重ね合わせて柱状パターンを第一の絶縁基材内に埋
め込み、（Ｄ２）フィルム基材を除去して金属薄膜面を
露出させ、（Ｅ２）金属薄膜を含む第一の配線パターン
を形成し、（Ｆ２）第一の配線パターン面を内側にして
第二の絶縁基材と重ね合わせて第二の絶縁基材内に埋め
込むとともに第一及び第二の絶縁基材を一体化させ、
（Ｇ２）第一の絶縁基材側から柱状パターンを露出さ
せ、（Ｈ２）柱状パターンと導通した第二の配線パター
ンを形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の
製造法。
有するフィルム基材上に金属薄膜を形成し、（Ｂ２）金
属薄膜上に後工程で層間接続部となる柱状パターンを形
成し、（Ｃ２）柱状パターンを内側にして第一の絶縁基
材と重ね合わせて柱状パターンを第一の絶縁基材内に埋
め込み、（Ｄ２）フィルム基材を除去して金属薄膜面を
露出させ、（Ｅ２）金属薄膜を含む第一の配線パターン
を形成し、（Ｆ２）第一の配線パターン面を内側にして
第二の絶縁基材と重ね合わせて第二の絶縁基材内に埋め
込むとともに第一及び第二の絶縁基材を一体化させ、
（Ｇ２）第一の絶縁基材側から柱状パターンを露出さ
せ、（Ｈ２）柱状パターンと導通した第二の配線パター
ンを形成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の
製造法。
【０００６】図１により本願の第一の発明を具体的に説
明する。キャリヤー金属箔１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で所定の形状にパターニ
ングする。次に電気めっきにより後工程で層間接続部と
なる柱状パターン２を形成後、レジストパターンを剥離
する（図１(a)）。このようにして、50μm径程度の微細
な層間接続用柱状パターンが10μm以下の精度で形成す
ることができる。柱状パターン付きキャリヤー金属箔の
製造方法としては、所定の厚さ（柱状パターン厚さ＋キ
ャリヤー金属箔厚さ）を有する金属箔上に所望する形状
のレジストパターンを形成し、レジストパターン面から
所定の深さまで化学的にエッチングする方法もある。こ
の場合、柱状パターン厚さのばらつきを低減するため
に、金属箔の所定の深さに柱状パターンとエッチング条
件が異なる金属薄層を内蔵した金属箔を用いることもで
きる。次に、柱状パターン２が形成されたキャリヤー金
属箔１を柱状パターン面を内側にして第一の絶縁基材３
と重ね合わせて柱状パターンを絶縁基材３内に埋め込
む。柱状パターンはプレス等熱圧着によって容易に絶縁
基材３の樹脂中に埋め込むことができる（図１(b)）。
この場合、柱状パターン上に存在する絶縁膜の厚さ（図
１(b)、h）はプレス条件や第一の絶縁基材の樹脂分及び
溶融粘度等により制御可能である。なお、柱状パターン
を絶縁基材中に埋め込む方法としては、ポリイアミドワ
ニスのような粘性のある樹脂を柱状パターン上に塗布
後、加熱により硬化させてもよい。
明する。キャリヤー金属箔１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で所定の形状にパターニ
ングする。次に電気めっきにより後工程で層間接続部と
なる柱状パターン２を形成後、レジストパターンを剥離
する（図１(a)）。このようにして、50μm径程度の微細
な層間接続用柱状パターンが10μm以下の精度で形成す
ることができる。柱状パターン付きキャリヤー金属箔の
製造方法としては、所定の厚さ（柱状パターン厚さ＋キ
ャリヤー金属箔厚さ）を有する金属箔上に所望する形状
のレジストパターンを形成し、レジストパターン面から
所定の深さまで化学的にエッチングする方法もある。こ
の場合、柱状パターン厚さのばらつきを低減するため
に、金属箔の所定の深さに柱状パターンとエッチング条
件が異なる金属薄層を内蔵した金属箔を用いることもで
きる。次に、柱状パターン２が形成されたキャリヤー金
属箔１を柱状パターン面を内側にして第一の絶縁基材３
と重ね合わせて柱状パターンを絶縁基材３内に埋め込
む。柱状パターンはプレス等熱圧着によって容易に絶縁
基材３の樹脂中に埋め込むことができる（図１(b)）。
この場合、柱状パターン上に存在する絶縁膜の厚さ（図
１(b)、h）はプレス条件や第一の絶縁基材の樹脂分及び
溶融粘度等により制御可能である。なお、柱状パターン
を絶縁基材中に埋め込む方法としては、ポリイアミドワ
ニスのような粘性のある樹脂を柱状パターン上に塗布
後、加熱により硬化させてもよい。
【０００７】次に、キャリヤー金属箔の柱状パターンを
形成した面の反対面上にレジスト膜を形成し、これをフ
ォトリソグラフ法で所望する配線形状にパターニング
し、化学的エッチング法により第一の配線パターン４を
形成する。その後、レジストパターンを剥離後（図１
(c)）、第一の配線パターンを内側にして第二の絶縁基
材５と重ね合わせて第一の配線パターン４を第二の絶縁
基材５内に埋め込むとともに、第一と第二の絶縁基材を
一体化する（図１(d)）。この後、第一の絶縁基材側か
ら柱状パターン２を露出させ、層間接続用柱状パターン
２、第一の絶縁基材３とによって形成される表面に柱状
パターンと導通した第二の配線パターン６を形成する
（図１(e)）。この場合、第二の配線パターンと良好な
電気的接続を得るために、柱状パターン上にある絶縁層
（樹脂層）を機械研磨したり、プラズマエッチングやエ
キシマレーザ照射等により除去・平坦化することは有効
である。第二の配線パターンの形成は、エッチング法、
アディティブ法いずれでも良い。例えば柱状パターン
２、第一の絶縁基材３とによって形成される平坦な表面
全面を金属化し柱状パターン２と導通をとり、この金属
層をパターニングして第二の配線パターン６を形成す
る。表面金属化と層間接続を同時に行う金属化はスパッ
タリングや蒸着等の真空成膜技術を適用することもでき
る。この場合は、薄膜が形成されるので、その上にレジ
スト膜を形成した後、パターニングし、電気めっきで厚
付けして、レジスト膜を除去し、当初形成した金属薄膜
をエッチング除去するセミアディティブ法を採用するこ
とができる。セミアディティブ法を採用することによ
り、第二の配線パターン６は配線幅20μm、配線厚20μm
程度にすることができる。
形成した面の反対面上にレジスト膜を形成し、これをフ
ォトリソグラフ法で所望する配線形状にパターニング
し、化学的エッチング法により第一の配線パターン４を
形成する。その後、レジストパターンを剥離後（図１
(c)）、第一の配線パターンを内側にして第二の絶縁基
材５と重ね合わせて第一の配線パターン４を第二の絶縁
基材５内に埋め込むとともに、第一と第二の絶縁基材を
一体化する（図１(d)）。この後、第一の絶縁基材側か
ら柱状パターン２を露出させ、層間接続用柱状パターン
２、第一の絶縁基材３とによって形成される表面に柱状
パターンと導通した第二の配線パターン６を形成する
（図１(e)）。この場合、第二の配線パターンと良好な
電気的接続を得るために、柱状パターン上にある絶縁層
（樹脂層）を機械研磨したり、プラズマエッチングやエ
キシマレーザ照射等により除去・平坦化することは有効
である。第二の配線パターンの形成は、エッチング法、
アディティブ法いずれでも良い。例えば柱状パターン
２、第一の絶縁基材３とによって形成される平坦な表面
全面を金属化し柱状パターン２と導通をとり、この金属
層をパターニングして第二の配線パターン６を形成す
る。表面金属化と層間接続を同時に行う金属化はスパッ
タリングや蒸着等の真空成膜技術を適用することもでき
る。この場合は、薄膜が形成されるので、その上にレジ
スト膜を形成した後、パターニングし、電気めっきで厚
付けして、レジスト膜を除去し、当初形成した金属薄膜
をエッチング除去するセミアディティブ法を採用するこ
とができる。セミアディティブ法を採用することによ
り、第二の配線パターン６は配線幅20μm、配線厚20μm
程度にすることができる。
【０００８】図２により本願の第二の発明を具体的に説
明する。可とう性を有するフィルム基材７上に厚さサブ
ミクロンから数ミクロン程度の厚さを有する金属薄膜８
を形成する。金属薄膜の形成方法としては、スパッタリ
ングや蒸着等の真空成膜法や無電解めっき法が適してい
る。金属薄膜８としては特に限定されるものではなくニ
ッケルなど一般に配線板分野で使用される金属を適用で
きるが、めっきが析出し易く、かつ、後工程に於てフィ
ルム基材７を容易に除去するためには、比抵抗が小さ
く、かつ、フィルム基材との親和性が低い金属として銅
が最も好ましい。この場合、銅のフィルム基在中への拡
散深さを30nm以下に抑えることにより、後工程でフィル
ム基材と銅薄膜とが容易に分離可能となる。フィルム基
材としては、通常の高分子フィルムを適用できるが、厚
さ0.03mm程度のステンレス箔も適用できる。ステンレス
箔を使用する場合にも、プレス工程に於ける加熱・加圧
工程に於いてステンレス箔／銅界面で相互拡散層が形成
されるが、相互拡散層を0.03μm以下に抑えることによ
り容易にステンレス箔を除去可能となる。次に、金属薄
膜上にレジスト膜を形成し、これをフォトリソグラフ法
で所定の形状にパターニングする。次に、電気めっきに
より後工程で層間接続部となる柱状パターン３を形成
後、レジストパターンを剥離する（図２(a)）。柱状パ
ターン付きフィルム基材の製造方法としては、フィルム
基材上に金属薄膜を形成した後、電気めっき等で所定の
厚さまで厚付けし、厚付け面上に所望する形状のレジス
トパターンを形成し、レジストパターン面から化学的に
エッチングする方法もある。このようにして、100μm径
程度の微細な層間接続用柱状パターンが10μm以下の精
度で形成することができる。次に、柱状パターン９が形
成されたフィルム基材７を柱状パターン面を内側にして
第一の絶縁基材１０と重ね合わせて柱状パターンを絶縁
基材１０内に埋め込む。柱状パターンはプレス等熱圧着
によって容易に絶縁基材４の樹脂中に埋め込むことがで
きる（図２(b)）。この場合、柱状パターン上に存在す
る絶縁膜の厚さ（図２(b)、h）はプレス条件や第一の絶
縁基材の樹脂分及び溶融粘度等により制御可能である。
明する。可とう性を有するフィルム基材７上に厚さサブ
ミクロンから数ミクロン程度の厚さを有する金属薄膜８
を形成する。金属薄膜の形成方法としては、スパッタリ
ングや蒸着等の真空成膜法や無電解めっき法が適してい
る。金属薄膜８としては特に限定されるものではなくニ
ッケルなど一般に配線板分野で使用される金属を適用で
きるが、めっきが析出し易く、かつ、後工程に於てフィ
ルム基材７を容易に除去するためには、比抵抗が小さ
く、かつ、フィルム基材との親和性が低い金属として銅
が最も好ましい。この場合、銅のフィルム基在中への拡
散深さを30nm以下に抑えることにより、後工程でフィル
ム基材と銅薄膜とが容易に分離可能となる。フィルム基
材としては、通常の高分子フィルムを適用できるが、厚
さ0.03mm程度のステンレス箔も適用できる。ステンレス
箔を使用する場合にも、プレス工程に於ける加熱・加圧
工程に於いてステンレス箔／銅界面で相互拡散層が形成
されるが、相互拡散層を0.03μm以下に抑えることによ
り容易にステンレス箔を除去可能となる。次に、金属薄
膜上にレジスト膜を形成し、これをフォトリソグラフ法
で所定の形状にパターニングする。次に、電気めっきに
より後工程で層間接続部となる柱状パターン３を形成
後、レジストパターンを剥離する（図２(a)）。柱状パ
ターン付きフィルム基材の製造方法としては、フィルム
基材上に金属薄膜を形成した後、電気めっき等で所定の
厚さまで厚付けし、厚付け面上に所望する形状のレジス
トパターンを形成し、レジストパターン面から化学的に
エッチングする方法もある。このようにして、100μm径
程度の微細な層間接続用柱状パターンが10μm以下の精
度で形成することができる。次に、柱状パターン９が形
成されたフィルム基材７を柱状パターン面を内側にして
第一の絶縁基材１０と重ね合わせて柱状パターンを絶縁
基材１０内に埋め込む。柱状パターンはプレス等熱圧着
によって容易に絶縁基材４の樹脂中に埋め込むことがで
きる（図２(b)）。この場合、柱状パターン上に存在す
る絶縁膜の厚さ（図２(b)、h）はプレス条件や第一の絶
縁基材の樹脂分及び溶融粘度等により制御可能である。
【０００９】次に、フィルム基材７を機械的に剥離して
金属薄膜２を露出させ、露出した金属薄膜面上にレジス
ト膜を形成し、これをフォトリソグラフ法で所望する配
線形状にパターニングし、電気めっき法により第一の配
線パターン１１を形成する。その後、レジストパターン
を剥離し、クイックエッチングにより金属薄膜９の所望
する領域を除去後（図２(c)）、第一の配線パターンを
内側にして第二の絶縁基材１２と重ね合わせて第一の配
線パターン１１を第二の絶縁基材１２内に埋め込むとと
もに、第一と第二の絶縁基材を一体化する（図２
(d)）。この後、第一の絶縁基材側から柱状パターン９
を露出させ、柱状パターン９、第一の絶縁基材１０とに
よって形成される表面に柱状パターンと導通した第二の
配線パターン７を形成する（図２(e)）。この場合、第
二の配線パターンと良好な電気的接続を得るために、柱
状パターン上にある絶縁層を機械研磨したり、プラズマ
エッチングやエキシマレーザ照射等により除去・平坦化
することは有効である。第二の配線パターンの形成は、
エッチング法、アディティブ法いずれでも良い。例えば
柱状パターン９、第一の絶縁基材１０とによって形成さ
れる平坦な表面全面を金属化し柱状パターン９と導通を
とり、この金属層をパターニングして第二の配線パター
ン１３を形成する。表面金属化と層間接続を同時に行う
金属化はスパッタリングや蒸着等の真空成膜技術を適用
することもできる。このようにして、高密度で層間接続
信頼性の高い多層配線板ができる。
金属薄膜２を露出させ、露出した金属薄膜面上にレジス
ト膜を形成し、これをフォトリソグラフ法で所望する配
線形状にパターニングし、電気めっき法により第一の配
線パターン１１を形成する。その後、レジストパターン
を剥離し、クイックエッチングにより金属薄膜９の所望
する領域を除去後（図２(c)）、第一の配線パターンを
内側にして第二の絶縁基材１２と重ね合わせて第一の配
線パターン１１を第二の絶縁基材１２内に埋め込むとと
もに、第一と第二の絶縁基材を一体化する（図２
(d)）。この後、第一の絶縁基材側から柱状パターン９
を露出させ、柱状パターン９、第一の絶縁基材１０とに
よって形成される表面に柱状パターンと導通した第二の
配線パターン７を形成する（図２(e)）。この場合、第
二の配線パターンと良好な電気的接続を得るために、柱
状パターン上にある絶縁層を機械研磨したり、プラズマ
エッチングやエキシマレーザ照射等により除去・平坦化
することは有効である。第二の配線パターンの形成は、
エッチング法、アディティブ法いずれでも良い。例えば
柱状パターン９、第一の絶縁基材１０とによって形成さ
れる平坦な表面全面を金属化し柱状パターン９と導通を
とり、この金属層をパターニングして第二の配線パター
ン１３を形成する。表面金属化と層間接続を同時に行う
金属化はスパッタリングや蒸着等の真空成膜技術を適用
することもできる。このようにして、高密度で層間接続
信頼性の高い多層配線板ができる。
【００１０】
実施例１ 18μm厚の銅箔に25μm厚のフィルムレジスト（日立化成
工業（株）製、商品名PHT 887AF）層を形成した後、層
間接続部に相当するところのレジストを露光・現像によ
って除去した。次に、電気めっきにより銅を23μmめっ
き後、レジストを剥離液にて除去した。これによって、
直径60μm、厚さ23μmの層間接続用の柱状パターンを形
成した。防錆処理後、この柱状パターン付銅箔のパター
ン面に厚さ30μmのポリイミド絶縁膜を形成した。ポリ
イミド絶縁膜の形成方法は、まずポリアミドワニスをロ
ールコーターで塗布後、２段階加熱（150℃、30分→350
℃、120分）によりイミド化した。次に、銅箔の反対面
に所定のレジストパターンを形成し、過硫酸アンモニウ
ム溶液（濃度：40g/l、液温：40±3℃）により銅箔の所
望する部分をエッチングしてライン／スペースが85/85
μmの配線パターンを形成した。レジストパターンを除
去後、配線パターンを内側にして、接着用ポリイミドプ
イプレグを介してガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス
圧着した。プレス条件は40kgf/cm2、170℃で120分であ
る。次に、機械研磨により柱状パターン上に存在するポ
リイミド層を除去し、洗浄、乾燥後、日本真空技術
（株）製スパッタリング装置（MLH 6315型）によりクロ
ム、銅薄膜を連続して形成した。スパッタリング条件を
表１に示した。
工業（株）製、商品名PHT 887AF）層を形成した後、層
間接続部に相当するところのレジストを露光・現像によ
って除去した。次に、電気めっきにより銅を23μmめっ
き後、レジストを剥離液にて除去した。これによって、
直径60μm、厚さ23μmの層間接続用の柱状パターンを形
成した。防錆処理後、この柱状パターン付銅箔のパター
ン面に厚さ30μmのポリイミド絶縁膜を形成した。ポリ
イミド絶縁膜の形成方法は、まずポリアミドワニスをロ
ールコーターで塗布後、２段階加熱（150℃、30分→350
℃、120分）によりイミド化した。次に、銅箔の反対面
に所定のレジストパターンを形成し、過硫酸アンモニウ
ム溶液（濃度：40g/l、液温：40±3℃）により銅箔の所
望する部分をエッチングしてライン／スペースが85/85
μmの配線パターンを形成した。レジストパターンを除
去後、配線パターンを内側にして、接着用ポリイミドプ
イプレグを介してガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス
圧着した。プレス条件は40kgf/cm2、170℃で120分であ
る。次に、機械研磨により柱状パターン上に存在するポ
リイミド層を除去し、洗浄、乾燥後、日本真空技術
（株）製スパッタリング装置（MLH 6315型）によりクロ
ム、銅薄膜を連続して形成した。スパッタリング条件を
表１に示した。
【００１１】
【表１】 表１ スパッタリング条件 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 項 目 単 位 クロム 銅 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 膜 厚 μm 0.01 0.2 Ar圧力 Torr 5×10-3 ← 電 流 A 1.0 3.5 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００１２】その後、銅薄膜上に液状レジスト（Ｓｈｉ
ｐｌｅｙ社製、商品名 TF-20）を回転塗布し（塗布条
件：300rpm、30秒→700rpm、60秒）、85℃で20分前加熱
を施し、露光量550mJで露光した後、専用現像液で現像
してライン／スペースが20/20μm、厚さ18μmのレジス
トパターンを形成した。次に、電気めっきで銅配線層を
15μm形成した後、レジストパターンをアセトンで除去
し、過硫酸アンモニウム溶液（濃度：20g/l、液温：40
±3℃）で銅薄膜、続いて、フェリシアン化カリウムと
水酸化カリウムの混合溶液（濃度：フェリシアン化カリ
ウム 300g/l、水酸化カリウム 50g/l, 液温40±3℃）で
クロム薄膜をそれぞれクイックエッチングした。この結
果、配線幅20μm及び配線厚15μm、層間接続部径60μm
で、約60μm厚中に２層の配線を収納した高密度配線構
造を形成できた。この多層配線板の接続信頼性は良好で
あった。なお、本発明の多層配線板は、通常の方法で形
成した多層配線板上に使用しても有効である。
ｐｌｅｙ社製、商品名 TF-20）を回転塗布し（塗布条
件：300rpm、30秒→700rpm、60秒）、85℃で20分前加熱
を施し、露光量550mJで露光した後、専用現像液で現像
してライン／スペースが20/20μm、厚さ18μmのレジス
トパターンを形成した。次に、電気めっきで銅配線層を
15μm形成した後、レジストパターンをアセトンで除去
し、過硫酸アンモニウム溶液（濃度：20g/l、液温：40
±3℃）で銅薄膜、続いて、フェリシアン化カリウムと
水酸化カリウムの混合溶液（濃度：フェリシアン化カリ
ウム 300g/l、水酸化カリウム 50g/l, 液温40±3℃）で
クロム薄膜をそれぞれクイックエッチングした。この結
果、配線幅20μm及び配線厚15μm、層間接続部径60μm
で、約60μm厚中に２層の配線を収納した高密度配線構
造を形成できた。この多層配線板の接続信頼性は良好で
あった。なお、本発明の多層配線板は、通常の方法で形
成した多層配線板上に使用しても有効である。
【００１３】実施例２ 250mm角のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、商
品名 UPILEX S-type,厚さ50μm）上に日本真空技術
（株）製スパッタリング装置（MLH 6315D型）を用いて
厚さ1μmの銅薄膜を形成した。スパッタリング条件は表
２に示した。
品名 UPILEX S-type,厚さ50μm）上に日本真空技術
（株）製スパッタリング装置（MLH 6315D型）を用いて
厚さ1μmの銅薄膜を形成した。スパッタリング条件は表
２に示した。
【００１４】
【表２】 表２ スパッタリング条件 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 項 目 単 位 銅 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 設定温度 ℃ 50 Ar圧 力 Torr 5×10-3 スハ゜ッタ電流 A 3.5 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００１５】次に、銅薄膜上に２５μm厚のフィルムレ
ジスト（日立化成工業（株）製、商品名PHT 887AF）層
を形成した後、層間接続部に相当するところのレジスト
を露光・現像によって除去した。次に、電気めっきによ
り銅を23μmめっき後、レジストを剥離液にて除去し
た。これによって、直径60μm、厚さ23μmの層間接続用
の柱状パターンを形成した。防錆処理後、柱状パターン
を内側にして熱融着型ポリイミド絶縁フィルムとプレス
圧着した。プレス条件は、圧力40kgf/cm2、温度200℃で
90分である。次に、ポリイミドフィルムを剥離し、露出
した銅薄膜面にドライフィルムレジストをラミネート
し、露光、現像により所定のレジストパターンを形成
し、電気めっきにより配線パターンを形成した後、レジ
ストパターンを除去した。次に、過硫酸アンモニウム溶
液（濃度：40g/l、液温：40±3℃）により銅薄膜の所望
する部分をクイックエッチングしてライン／スペースが
50/50μm、厚さが25μmの配線パターンを形成した。次
に、配線パターンを内側にして、接着用ポリイミドプイ
プレグを介してガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧
着した。プレス条件は40kgf/cm2、175℃で120分であ
る。次に、機械研磨により柱状パターン上に存在するポ
リイミド層を除去し、洗浄、乾燥後、スパッタリングに
よりクロム、銅薄膜を連続して形成した。スパッタリン
グ条件を表３に示した。
ジスト（日立化成工業（株）製、商品名PHT 887AF）層
を形成した後、層間接続部に相当するところのレジスト
を露光・現像によって除去した。次に、電気めっきによ
り銅を23μmめっき後、レジストを剥離液にて除去し
た。これによって、直径60μm、厚さ23μmの層間接続用
の柱状パターンを形成した。防錆処理後、柱状パターン
を内側にして熱融着型ポリイミド絶縁フィルムとプレス
圧着した。プレス条件は、圧力40kgf/cm2、温度200℃で
90分である。次に、ポリイミドフィルムを剥離し、露出
した銅薄膜面にドライフィルムレジストをラミネート
し、露光、現像により所定のレジストパターンを形成
し、電気めっきにより配線パターンを形成した後、レジ
ストパターンを除去した。次に、過硫酸アンモニウム溶
液（濃度：40g/l、液温：40±3℃）により銅薄膜の所望
する部分をクイックエッチングしてライン／スペースが
50/50μm、厚さが25μmの配線パターンを形成した。次
に、配線パターンを内側にして、接着用ポリイミドプイ
プレグを介してガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧
着した。プレス条件は40kgf/cm2、175℃で120分であ
る。次に、機械研磨により柱状パターン上に存在するポ
リイミド層を除去し、洗浄、乾燥後、スパッタリングに
よりクロム、銅薄膜を連続して形成した。スパッタリン
グ条件を表３に示した。
【００１６】
【表３】 表３ スパッタリング条件 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 項 目 単 位 クロム 銅 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 膜 厚 μm 0.01 0.2 Ar圧 力 Torr 5×10-3 ← スハ゜ッタ電流 A 1.0 3.5 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【００１７】その後、銅薄膜上に液状レジスト（Shiple
y社製、商品名 TF-20）を塗布し、85℃で20分前加熱を
施し、露光量550mJで露光した後、専用現像液で現像し
てライン／スペースが20/20μm、厚さ18μmのレジスト
パターンを形成した。次に、電気めっきで銅配線層を15
μm形成した後、レジストパターンをアセトンで除去
し、過硫酸アンモニウム溶液（濃度：20g/l、液温：40
±3℃）で銅薄膜、続いて、フェリシアン化カリウムと
水酸化カリウムの混合溶液（濃度：フェリシアン化カリ
ウム 300g/l、水酸化カリウム 50g/l, 液温40±3℃）で
クロム薄膜をそれぞれクイックエッチングした。この結
果、約60μm厚中に上部配線密度20/20μm及び下部配線5
0/50μmの高密度２層配線を収納した高密度配線構造を
形成できた。この多層配線板の接続信頼性は良好であっ
た。なお、本発明の多層配線板は、通常の方法で形成し
た多層配線板上に使用しても有効である。その場合、既
に形成した配線部との接続は例えばスルーホール接続等
による。
y社製、商品名 TF-20）を塗布し、85℃で20分前加熱を
施し、露光量550mJで露光した後、専用現像液で現像し
てライン／スペースが20/20μm、厚さ18μmのレジスト
パターンを形成した。次に、電気めっきで銅配線層を15
μm形成した後、レジストパターンをアセトンで除去
し、過硫酸アンモニウム溶液（濃度：20g/l、液温：40
±3℃）で銅薄膜、続いて、フェリシアン化カリウムと
水酸化カリウムの混合溶液（濃度：フェリシアン化カリ
ウム 300g/l、水酸化カリウム 50g/l, 液温40±3℃）で
クロム薄膜をそれぞれクイックエッチングした。この結
果、約60μm厚中に上部配線密度20/20μm及び下部配線5
0/50μmの高密度２層配線を収納した高密度配線構造を
形成できた。この多層配線板の接続信頼性は良好であっ
た。なお、本発明の多層配線板は、通常の方法で形成し
た多層配線板上に使用しても有効である。その場合、既
に形成した配線部との接続は例えばスルーホール接続等
による。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、高密度で接続信頼性の高
い多層配線板の製造が可能になった。
い多層配線板の製造が可能になった。
【図１】図１(a)〜(e)は本願の第一の発明の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】図１(a)〜(e)は本願の第二の発明の製造工程を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
１．キャリヤー金属箔 ２．柱状パターン ３．第一の絶縁基材 ４．第一の配線パターン ５．第二の絶縁基材 ６．第二の配線パターン ７．フィルム基材 ８．金属薄膜 ９．柱状パターン １０．第一の絶縁基材 １１．第一の配線パターン １２．第二の絶縁基材 １３．第二の配線パターン ｈ．柱状パターン頭頂部〜第一の絶縁基材表面間に存在
する樹脂の厚さ
する樹脂の厚さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海東 光一 茨城県勝田市大字足崎字西原1380番地 日 立化成セラミックス内 (72)発明者 吉富 泰宣 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ１）キャリヤー金属箔の片面に後工程
で層間接続部となる柱状パターンを形成し、（Ｂ１）柱
状パターンを内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて
柱状パターンを第一の絶縁基材内に埋め込み、（Ｃ１）
キャリヤー金属箔を所望する第一の配線パターンに加工
し、（Ｄ１）第一の配線パターン面を内側にして第二の
絶縁基材と重ね合わせて第二の絶縁基材内に埋め込むと
ともに第一及び第二の絶縁基材を一体化させ、（Ｅ１）
第一の絶縁基材側から柱状パターンを露出させ、（Ｆ
１）柱状パターンと導通した第二の配線パターンを形成
する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造法。 - 【請求項２】（Ａ２）可とう性を有するフィルム基材上
に金属薄膜を形成し、（Ｂ２）金属薄膜上に後工程で層
間接続部となる柱状パターンを形成し、（Ｃ２）柱状パ
ターンを内側にして第一の絶縁基材と重ね合わせて柱状
パターンを第一の絶縁基材内に埋め込み、（Ｄ２）フィ
ルム基材を除去して金属薄膜面を露出させ、（Ｅ２）金
属薄膜を含む第一の配線パターンを形成し、（Ｆ２）第
一の配線パターン面を内側にして第二の絶縁基材と重ね
合わせて第二の絶縁基材内に埋め込むとともに第一及び
第二の絶縁基材を一体化させ、（Ｇ２）第一の絶縁基材
側から柱状パターンを露出させ、（Ｈ２）柱状パターン
と導通した第二の配線パターンを形成する工程を含むこ
とを特徴とする多層配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP967194A JP3622219B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 多層配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP967194A JP3622219B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 多層配線板の製造法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004132875A Division JP2004304196A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 柱状パターン付キャリヤ金属箔 |
| JP2004132839A Division JP2004235667A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 柱状パターン付キャリヤ金属箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221456A true JPH07221456A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3622219B2 JP3622219B2 (ja) | 2005-02-23 |
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ID=11726679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP967194A Expired - Fee Related JP3622219B2 (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 多層配線板の製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3622219B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093951A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ |
| JP2002137328A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ |
| JP2002280692A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法 |
| JP2008098656A (ja) * | 2001-03-28 | 2008-04-24 | Tessera Interconnect Materials Inc | 層間接続部材 |
| JPWO2012133638A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2014-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られる多層プリント配線板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155587A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Fujitsu Ltd | Printed circuit board |
| JPH04345779A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-12-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気接続要素の製造方法 |
| JPH05152764A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造法 |
| JPH05291744A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造法および多層金属層付絶縁基板 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP967194A patent/JP3622219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155587A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Fujitsu Ltd | Printed circuit board |
| JPH04345779A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-12-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気接続要素の製造方法 |
| JPH05152764A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造法 |
| JPH05291744A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層配線板の製造法および多層金属層付絶縁基板 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093951A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ |
| JP4632108B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2011-02-16 | 日立化成工業株式会社 | 薄板状物品の加工方法 |
| JP2002137328A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ |
| JP2002280692A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属薄膜層が形成された接続用導体内蔵の両面板製造方法 |
| JP2008098656A (ja) * | 2001-03-28 | 2008-04-24 | Tessera Interconnect Materials Inc | 層間接続部材 |
| JP4586058B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-11-24 | テセラ・インターコネクト・マテリアルズ，インコーポレイテッド | 層間接続部材 |
| JPWO2012133638A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2014-07-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られる多層プリント配線板 |
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