JP2586770B2 - 多層配線板の製造法 - Google Patents
多層配線板の製造法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線板の製造法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線板の製造法すなわち層間
接続法としては、（１）配線パタ−ンおよび絶縁層を貫
通する穴をあけた後、めっき等によって穴内を金属化し
層間の導通を得る方法、（２）配線パターン上に絶縁層
を形成した後、層間接続をすべき部分の絶縁層を除去
し、その後表面金属化と同時に層間接続を行う方法が使
用されている。
接続法としては、（１）配線パタ−ンおよび絶縁層を貫
通する穴をあけた後、めっき等によって穴内を金属化し
層間の導通を得る方法、（２）配線パターン上に絶縁層
を形成した後、層間接続をすべき部分の絶縁層を除去
し、その後表面金属化と同時に層間接続を行う方法が使
用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】（１）の方法は一般の
多層配線板で行われる層間接続方法であるが、貫通穴の
形成にドリルを用いるため、０．２ｍｍ径を下回るよう
な小径の形成は困難な上、穴位置精度も±３０μｍ以上
と十分でない。 （２）の方法は主に半導体の多層配線形成に用いられる
方法で、層間接続部の小径化や穴位置精度はフォトマス
クによる位置合わせ技術を用いるため、（１）の方法に
比べ一桁優れている。しかしこの方法の場合、下部の配
線パタ−ンの凹凸を吸収できず、表面に凹凸形状を残
す。このことは、さらなる多層化や表面実装にとって障
害となっているばかりか、表面配線部の微細化をも阻害
している。また、上記２方法とも層間接続用穴が微小径
化しているため、めっき液等のスムーズな流れが得られ
ず、十分な厚みの金属膜が形成しにくい。これは層間接
続信頼性に直接影響する問題で深刻である。本発明は、
高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造法を提
供するものである。
多層配線板で行われる層間接続方法であるが、貫通穴の
形成にドリルを用いるため、０．２ｍｍ径を下回るよう
な小径の形成は困難な上、穴位置精度も±３０μｍ以上
と十分でない。 （２）の方法は主に半導体の多層配線形成に用いられる
方法で、層間接続部の小径化や穴位置精度はフォトマス
クによる位置合わせ技術を用いるため、（１）の方法に
比べ一桁優れている。しかしこの方法の場合、下部の配
線パタ−ンの凹凸を吸収できず、表面に凹凸形状を残
す。このことは、さらなる多層化や表面実装にとって障
害となっているばかりか、表面配線部の微細化をも阻害
している。また、上記２方法とも層間接続用穴が微小径
化しているため、めっき液等のスムーズな流れが得られ
ず、十分な厚みの金属膜が形成しにくい。これは層間接
続信頼性に直接影響する問題で深刻である。本発明は、
高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造法を提
供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願の第一の発明は、
（１Ａ）金属箔の片面に第一の配線パターンを形成し、
（１Ｂ）第一の配線パターンが形成された金属箔を第一
の配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね合わせて
第一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、（１Ｃ）
層間接続予定部に金属箔による層間接続用柱が残るよう
に金属箔をエッチングし、（１Ｄ）金属箔をエッチング
した層間接続用柱以外の部分に絶縁層を形成し、（１
Ｅ）層間接続用柱と導通した第二の配線パターン形成す
る工程を含むことを特徴とするものである。
（１Ａ）金属箔の片面に第一の配線パターンを形成し、
（１Ｂ）第一の配線パターンが形成された金属箔を第一
の配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね合わせて
第一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、（１Ｃ）
層間接続予定部に金属箔による層間接続用柱が残るよう
に金属箔をエッチングし、（１Ｄ）金属箔をエッチング
した層間接続用柱以外の部分に絶縁層を形成し、（１
Ｅ）層間接続用柱と導通した第二の配線パターン形成す
る工程を含むことを特徴とするものである。
【０００５】本願の第二の発明は、（２Ａ）キャリヤ金
属箔の片面に第一の配線パターンを形成し、（２Ｂ）第
一の配線パターンが形成されたキャリヤ金属箔を第一の
配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね合わせて第
一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、（２Ｃ）層
間接続予定部にキャリヤ金属箔による層間接続用柱が残
るようにキャリヤ金属箔をエッチングし、（２Ｄ）絶縁
層を介して金属層を形成し、（２Ｅ）金属層をパターニ
ングし層間接続用柱に対応する部分の金属層を除去し、
この金属層をレジストとして金属層が除去された部分の
絶縁層を除去し、（２Ｆ）層間接続用柱と導通した第二
の配線パターン形成する工程を含むことを特徴とするも
のである。
属箔の片面に第一の配線パターンを形成し、（２Ｂ）第
一の配線パターンが形成されたキャリヤ金属箔を第一の
配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね合わせて第
一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、（２Ｃ）層
間接続予定部にキャリヤ金属箔による層間接続用柱が残
るようにキャリヤ金属箔をエッチングし、（２Ｄ）絶縁
層を介して金属層を形成し、（２Ｅ）金属層をパターニ
ングし層間接続用柱に対応する部分の金属層を除去し、
この金属層をレジストとして金属層が除去された部分の
絶縁層を除去し、（２Ｆ）層間接続用柱と導通した第二
の配線パターン形成する工程を含むことを特徴とするも
のである。
【０００６】図１により本願の第一の発明を具体的に説
明する。キャリヤ金属箔１１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で配線形状にパターニン
グし、次に電気めっきによりキャリヤ金属箔１１と溶解
特性の異なる金属薄膜を形成し、続いて配線部に相当す
る金属層を同じく電気めっきにて形成し第一の配線パタ
ーン１２とする。その後レジストを剥離する（図１
（ａ））。この方法によって、配線幅２０μｍ、厚さ２
０μｍの配線パターン形成も可能である。第一の配線パ
ターン１２が形成されたキャリヤ金属箔１１を第一の配
線パターン１２面を内側にして絶縁基板１３と重ね合わ
せて第一の配線パターン１２を絶縁基板１３内に埋め込
む。第一の配線パターン１２はプレス等熱圧着によって
容易に絶縁基板１３の樹脂中に埋め込むことができる
（図１（ｂ））。
明する。キャリヤ金属箔１１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で配線形状にパターニン
グし、次に電気めっきによりキャリヤ金属箔１１と溶解
特性の異なる金属薄膜を形成し、続いて配線部に相当す
る金属層を同じく電気めっきにて形成し第一の配線パタ
ーン１２とする。その後レジストを剥離する（図１
（ａ））。この方法によって、配線幅２０μｍ、厚さ２
０μｍの配線パターン形成も可能である。第一の配線パ
ターン１２が形成されたキャリヤ金属箔１１を第一の配
線パターン１２面を内側にして絶縁基板１３と重ね合わ
せて第一の配線パターン１２を絶縁基板１３内に埋め込
む。第一の配線パターン１２はプレス等熱圧着によって
容易に絶縁基板１３の樹脂中に埋め込むことができる
（図１（ｂ））。
【０００７】次に、キャリヤ金属箔１１を第一の配線パ
ターン１２の形成していない方からエッチングすると
き、層間接続したい部分のみ柱状に残るようにフォトリ
ソグラフ法によってパターンエッチングする。エッチン
グはキャリヤ金属箔１１と第一の配線パターン１２間に
形成した溶解特性の異なる金属薄膜部で止まるため、キ
ャリヤ金属箔１１をエッチングして形成した層間接続用
柱１４の他は平坦な面を形成する。溶解特性の異なる金
属薄膜を第一の配線パターンめっき時の途中で入れれ
ば、配線部はへこんだ状態になる。層間絶縁性を向上さ
せるために有効な手段となることもあるが、場合によっ
てはボイド発生の原因となるので注意を要する。なお、
キャリヤ金属箔１１と第一の配線パターン１２の溶解特
性が異なれば、エッチングストッパーとしての金属薄膜
を入れる必要はなくなる。このようにして、０．０５ｍ
ｍ径程度の微細な層間接続用柱１４が１０μｍ以下の精
度で形成することが可能となる（図１（ｃ））。
ターン１２の形成していない方からエッチングすると
き、層間接続したい部分のみ柱状に残るようにフォトリ
ソグラフ法によってパターンエッチングする。エッチン
グはキャリヤ金属箔１１と第一の配線パターン１２間に
形成した溶解特性の異なる金属薄膜部で止まるため、キ
ャリヤ金属箔１１をエッチングして形成した層間接続用
柱１４の他は平坦な面を形成する。溶解特性の異なる金
属薄膜を第一の配線パターンめっき時の途中で入れれ
ば、配線部はへこんだ状態になる。層間絶縁性を向上さ
せるために有効な手段となることもあるが、場合によっ
てはボイド発生の原因となるので注意を要する。なお、
キャリヤ金属箔１１と第一の配線パターン１２の溶解特
性が異なれば、エッチングストッパーとしての金属薄膜
を入れる必要はなくなる。このようにして、０．０５ｍ
ｍ径程度の微細な層間接続用柱１４が１０μｍ以下の精
度で形成することが可能となる（図１（ｃ））。
【０００８】このようにして形成した第一の配線パター
ン１２上（キャリヤ金属箔をエッチングした層間接続用
柱以外の部分）に形成する絶縁層１５は薄くても、配線
の凸がないため絶縁信頼性が高い。すなわち、２０〜３
０μｍ程度の絶縁膜厚で十分である。この絶縁膜１５を
形成することで層間接続用柱１４も含めて再び平坦な表
面を得ることができる（図１（ｄ））。この後、さらに
この上に形成する配線層と良好な電気的接続を得るため
に、層間接続用柱１４上に残存している絶縁樹脂膜をプ
ラズマ処理もしくはエッチング等にて除去することは有
効である。また、絶縁層１４に感光性材料を用いればフ
ォトリソグラフ法を採用することも可能である。
ン１２上（キャリヤ金属箔をエッチングした層間接続用
柱以外の部分）に形成する絶縁層１５は薄くても、配線
の凸がないため絶縁信頼性が高い。すなわち、２０〜３
０μｍ程度の絶縁膜厚で十分である。この絶縁膜１５を
形成することで層間接続用柱１４も含めて再び平坦な表
面を得ることができる（図１（ｄ））。この後、さらに
この上に形成する配線層と良好な電気的接続を得るため
に、層間接続用柱１４上に残存している絶縁樹脂膜をプ
ラズマ処理もしくはエッチング等にて除去することは有
効である。また、絶縁層１４に感光性材料を用いればフ
ォトリソグラフ法を採用することも可能である。
【０００９】層間接続用柱１４、絶縁膜１５とによって
形成される平坦な表面に層間接続用柱１４と導通した第
二の配線パターン１６を形成する。第二の配線パターン
１６の形成は、エッチング法、アディテブ法いずれでも
良い。例えば層間接続用柱１４、絶縁膜１５とによって
形成される平坦な表面全面を金属化し層間接続用柱１４
と導通をとり、この金属層をパタ−ニングして第二の配
線パターン１６を形成する。表面金属化と層間接続を同
時に行う金属化はスパッタリング等蒸着技術を採用する
こともできる。この時は、薄膜が形成されるので、その
上にレジスト膜を形成した後、パターニングし、電気め
っきで厚付けして、レジストを除去し、当初形成した金
属薄膜層をエッチング除去するセミアディティブ法を採
用することができる。第二の配線パターン１６も配線幅
２０μｍ、配線厚み２０μｍ程度にすることが可能にな
る。
形成される平坦な表面に層間接続用柱１４と導通した第
二の配線パターン１６を形成する。第二の配線パターン
１６の形成は、エッチング法、アディテブ法いずれでも
良い。例えば層間接続用柱１４、絶縁膜１５とによって
形成される平坦な表面全面を金属化し層間接続用柱１４
と導通をとり、この金属層をパタ−ニングして第二の配
線パターン１６を形成する。表面金属化と層間接続を同
時に行う金属化はスパッタリング等蒸着技術を採用する
こともできる。この時は、薄膜が形成されるので、その
上にレジスト膜を形成した後、パターニングし、電気め
っきで厚付けして、レジストを除去し、当初形成した金
属薄膜層をエッチング除去するセミアディティブ法を採
用することができる。第二の配線パターン１６も配線幅
２０μｍ、配線厚み２０μｍ程度にすることが可能にな
る。
【００１０】図２により本願の第二の発明を具体的に説
明する。キャリヤ金属箔２１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で配線形状にパターニン
グし、次に電気めっきによりキャリヤ金属箔２１と溶解
特性の異なる金属薄膜を形成し、続いて配線部に相当す
る金属層を同じく電気めっきにて形成し第一の配線パタ
ーン２２とする。その後レジストを剥離する（図２
（ａ））。この方法によって、配線幅２０μｍ、厚さ２
０μｍの配線パターン形成も可能である。第一の配線パ
ターン２２が形成されたキャリヤ金属箔２１を第一の配
線パターン２２面を内側にして絶縁基板２３と重ね合わ
せて第一の配線パターン２２を絶縁基板２３内に埋め込
む。第一の配線パターン２２はプレス等熱圧着によって
容易に絶縁基板２３の樹脂中に埋め込むことができる
（図２（ｂ））。
明する。キャリヤ金属箔２１の片面にレジスト膜を形成
し、これをフォトリソグラフ法で配線形状にパターニン
グし、次に電気めっきによりキャリヤ金属箔２１と溶解
特性の異なる金属薄膜を形成し、続いて配線部に相当す
る金属層を同じく電気めっきにて形成し第一の配線パタ
ーン２２とする。その後レジストを剥離する（図２
（ａ））。この方法によって、配線幅２０μｍ、厚さ２
０μｍの配線パターン形成も可能である。第一の配線パ
ターン２２が形成されたキャリヤ金属箔２１を第一の配
線パターン２２面を内側にして絶縁基板２３と重ね合わ
せて第一の配線パターン２２を絶縁基板２３内に埋め込
む。第一の配線パターン２２はプレス等熱圧着によって
容易に絶縁基板２３の樹脂中に埋め込むことができる
（図２（ｂ））。
【００１１】次に、キャリヤ金属箔２１を第一の配線パ
ターン２２の形成していない方からエッチングすると
き、層間接続したい部分のみ柱状に残るようにフォトリ
ソグラフ法によってパターンエッチングしする。エッチ
ングはキャリヤ金属箔２１と第一の配線パターン２２間
に形成した溶解特性の異なる金属薄膜部で止まるため、
キャリヤ金属箔２１をエッチングして形成した層間接続
用柱２４の他は平坦な面を形成する。溶解特性の異なる
金属薄膜を第一の配線パターンめっき時の途中で入れれ
ば、配線部はへこんだ状態になる。層間絶縁性を向上さ
せるために有効な手段となることもあるが、場合によっ
てはボイド発生の原因となるので注意を要する。なお、
キャリヤ金属箔２１と第一の配線パターン２２の溶解特
性が異なれば、エッチングストッパーとしての金属薄膜
を入れる必要はなくなる。このようにして、０．０５ｍ
ｍ径程度の微細な層間接続用柱１４が１０μｍ以下の精
度で形成することが可能となる（図２（ｃ））。このよ
うにして形成した第一の配線パターン２２上（キャリヤ
金属箔をエッチングした層間接続用柱以外の部分）に形
成する絶縁層は薄くても、配線の凸がないため絶縁信頼
性が高い。すなわち、２０〜３０μｍ程度の絶縁膜厚で
十分である。
ターン２２の形成していない方からエッチングすると
き、層間接続したい部分のみ柱状に残るようにフォトリ
ソグラフ法によってパターンエッチングしする。エッチ
ングはキャリヤ金属箔２１と第一の配線パターン２２間
に形成した溶解特性の異なる金属薄膜部で止まるため、
キャリヤ金属箔２１をエッチングして形成した層間接続
用柱２４の他は平坦な面を形成する。溶解特性の異なる
金属薄膜を第一の配線パターンめっき時の途中で入れれ
ば、配線部はへこんだ状態になる。層間絶縁性を向上さ
せるために有効な手段となることもあるが、場合によっ
てはボイド発生の原因となるので注意を要する。なお、
キャリヤ金属箔２１と第一の配線パターン２２の溶解特
性が異なれば、エッチングストッパーとしての金属薄膜
を入れる必要はなくなる。このようにして、０．０５ｍ
ｍ径程度の微細な層間接続用柱１４が１０μｍ以下の精
度で形成することが可能となる（図２（ｃ））。このよ
うにして形成した第一の配線パターン２２上（キャリヤ
金属箔をエッチングした層間接続用柱以外の部分）に形
成する絶縁層は薄くても、配線の凸がないため絶縁信頼
性が高い。すなわち、２０〜３０μｍ程度の絶縁膜厚で
十分である。
【００１２】次に金属箔２５を絶縁層２６を介して張り
付け、金属箔２５をパターニングし層間接続用柱２４に
対応する部分の金属箔を除去し、この金属箔をレジスト
として金属箔が除去された部分の絶縁層２６を除去す
る。すなわち、絶縁層２６となるべき未硬化の樹脂材料
を介して金属箔２５を張り付け、加熱等により硬化した
後、この金属箔をレジストとして用い、その下の絶縁層
２６のエッチングに役立てるのである。金属箔２５を絶
縁層２６を介して張り付け代わりに、絶縁層２６を形成
しスパッタリング等蒸着技術を採用して金属層を形成す
るようにしても良い。
付け、金属箔２５をパターニングし層間接続用柱２４に
対応する部分の金属箔を除去し、この金属箔をレジスト
として金属箔が除去された部分の絶縁層２６を除去す
る。すなわち、絶縁層２６となるべき未硬化の樹脂材料
を介して金属箔２５を張り付け、加熱等により硬化した
後、この金属箔をレジストとして用い、その下の絶縁層
２６のエッチングに役立てるのである。金属箔２５を絶
縁層２６を介して張り付け代わりに、絶縁層２６を形成
しスパッタリング等蒸着技術を採用して金属層を形成す
るようにしても良い。
【００１３】次に、層間接続用柱２４と導通した第二の
配線パターン２７を形成する。第二の配線パターン２７
の形成は、エッチング法、アディテブ法いずれでも良
い。例えば層間接続用柱２４、金属箔２５とによって形
成される表面全面を金属化し層間接続用柱２４と導通を
とり、この金属層２８を金属箔２５とともにパタ−ニン
グして第二の配線パターン２７を形成する。このように
して、高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造
ができる。
配線パターン２７を形成する。第二の配線パターン２７
の形成は、エッチング法、アディテブ法いずれでも良
い。例えば層間接続用柱２４、金属箔２５とによって形
成される表面全面を金属化し層間接続用柱２４と導通を
とり、この金属層２８を金属箔２５とともにパタ−ニン
グして第二の配線パターン２７を形成する。このように
して、高密度で層間接続信頼性の高い多層配線板の製造
ができる。
【００１４】
【実施例】実施例１ １８μｍ厚の銅箔に２５μｍのフィルムレジストを形成
した後、配線部に相当するところのレジストを露光・現
像によって除去した。次に、電気めっきにてニッケルを
約１μｍ形成し、続いて銅を２０μｍめっきした。次
に、レジストを剥離液にて除去した。この配線パタ−ン
付金属箔は配線部を内側にして、プリプレーグを介して
ガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧着した。次に、
銅箔上にフィルムレジストを形成し、層間接続予定部分
を円形パターンとして残るように露光・現像し、続いて
アンモニウムアルカリ系のエッチング液にて銅箔のみを
エッチング除去した。これによって、基板上は層間接続
用の６０μｍ径、１８μｍ高円柱を除くと平坦化した。
次に、この上に感光性ポリイミド絶縁膜（日立化成工業
製、商品名「Photo-PIQ 1045」）を約２０μｍ形成
し、１８μｍ銅円柱上に残っているポリイミド薄膜を４
０μｍ径の円形パターンにエッチングした。この後、感
光性ポリイミド膜は２００℃，２時間加熱することで硬
化させた。次に、銅円柱上の酸化皮膜を希硫酸で除去し
た後、表面全体をスパッタリングにより、クロム、銅薄
膜を形成した。その後、この上にフィルムレジストを形
成し、配線部に相当する部分のレジストを除去した後、
電気めっきにて銅配線層を２０μｍ形成した後、レジス
トを除去した。次に、過硫酸アンモニウムで銅をクイッ
クエッチングした後、硝酸第２セリウムアンモニウム水
溶液と過塩素酸水溶液の混合液にてクロムをクイックエ
ッチングした。この結果、配線幅及び配線厚２０μｍ、
層間接続部径６０μｍで、６０μｍ厚中に２層の配線を
収納した高密度配線構造を形成できた。この多層配線板
の接続信頼性は良好であった。
した後、配線部に相当するところのレジストを露光・現
像によって除去した。次に、電気めっきにてニッケルを
約１μｍ形成し、続いて銅を２０μｍめっきした。次
に、レジストを剥離液にて除去した。この配線パタ−ン
付金属箔は配線部を内側にして、プリプレーグを介して
ガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧着した。次に、
銅箔上にフィルムレジストを形成し、層間接続予定部分
を円形パターンとして残るように露光・現像し、続いて
アンモニウムアルカリ系のエッチング液にて銅箔のみを
エッチング除去した。これによって、基板上は層間接続
用の６０μｍ径、１８μｍ高円柱を除くと平坦化した。
次に、この上に感光性ポリイミド絶縁膜（日立化成工業
製、商品名「Photo-PIQ 1045」）を約２０μｍ形成
し、１８μｍ銅円柱上に残っているポリイミド薄膜を４
０μｍ径の円形パターンにエッチングした。この後、感
光性ポリイミド膜は２００℃，２時間加熱することで硬
化させた。次に、銅円柱上の酸化皮膜を希硫酸で除去し
た後、表面全体をスパッタリングにより、クロム、銅薄
膜を形成した。その後、この上にフィルムレジストを形
成し、配線部に相当する部分のレジストを除去した後、
電気めっきにて銅配線層を２０μｍ形成した後、レジス
トを除去した。次に、過硫酸アンモニウムで銅をクイッ
クエッチングした後、硝酸第２セリウムアンモニウム水
溶液と過塩素酸水溶液の混合液にてクロムをクイックエ
ッチングした。この結果、配線幅及び配線厚２０μｍ、
層間接続部径６０μｍで、６０μｍ厚中に２層の配線を
収納した高密度配線構造を形成できた。この多層配線板
の接続信頼性は良好であった。
【００１５】実施例２ １８μｍ厚の銅箔に２５μｍのフィルムレジストを形成
した後、配線部に相当するところのレジストを露光・現
像によって除去した。次に、電気めっきにてニッケルを
約１μｍ形成し、続いて銅を２０μｍめっきした。次
に、レジストを剥離液にて除去した。この配線パタ−ン
付金属箔は配線部を内側にして、プリプレーグを介して
ガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧着した。次に、
銅箔上にフィルムレジストを形成し、層間接続予定部分
を円形パターンとして残るように露光・現像し、続いて
アンモニウムアルカリ系のエッチング液にて銅箔のみを
エッチング除去した。これによって、基板上は層間接続
用柱の６０μｍ径、１８μｍ高円柱を除くと平坦化し
た。次に、この上に熱融着型のポリイミド絶縁フィルム
を介して１８μｍ銅箔をプレス圧着した。その後、層間
接続用柱に対応する部分に４０μｍ径の円形状に下の絶
縁層が見えるようエッチングパターンを形成し、続いて
残った銅箔をレジストにしてポリイミド絶縁フィルムを
塩化メチレンでエッチングした。この後、無電解銅めっ
きで約２０μｍめっきを行い、層間接続用柱と表面銅箔
層間の導通を図った。最後に表面銅層をフォトリソグラ
フ法でパターニングして第二の配線パタ−ンを形成し
た。この結果、高密度な多層配線板を高い高い接続信頼
性で製造することができた。
した後、配線部に相当するところのレジストを露光・現
像によって除去した。次に、電気めっきにてニッケルを
約１μｍ形成し、続いて銅を２０μｍめっきした。次
に、レジストを剥離液にて除去した。この配線パタ−ン
付金属箔は配線部を内側にして、プリプレーグを介して
ガラス布ポリイミド樹脂基板とプレス圧着した。次に、
銅箔上にフィルムレジストを形成し、層間接続予定部分
を円形パターンとして残るように露光・現像し、続いて
アンモニウムアルカリ系のエッチング液にて銅箔のみを
エッチング除去した。これによって、基板上は層間接続
用柱の６０μｍ径、１８μｍ高円柱を除くと平坦化し
た。次に、この上に熱融着型のポリイミド絶縁フィルム
を介して１８μｍ銅箔をプレス圧着した。その後、層間
接続用柱に対応する部分に４０μｍ径の円形状に下の絶
縁層が見えるようエッチングパターンを形成し、続いて
残った銅箔をレジストにしてポリイミド絶縁フィルムを
塩化メチレンでエッチングした。この後、無電解銅めっ
きで約２０μｍめっきを行い、層間接続用柱と表面銅箔
層間の導通を図った。最後に表面銅層をフォトリソグラ
フ法でパターニングして第二の配線パタ−ンを形成し
た。この結果、高密度な多層配線板を高い高い接続信頼
性で製造することができた。
【００１６】本発明の多層配線板は、通常の方法で形成
した多層配線板上に組み合わせて使用しても有効であ
る。この時、すでに形成した配線部との接続は例えばス
ルーホール接続等による。
した多層配線板上に組み合わせて使用しても有効であ
る。この時、すでに形成した配線部との接続は例えばス
ルーホール接続等による。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、高密度で層間接続信頼性
の高い多層配線板の製造が可能になった。
の高い多層配線板の製造が可能になった。
【図１】第一の発明の製造工程を示す断面図である。
【図２】第二の発明の製造工程を示す断面図である。
１１ キャリヤ金属箔 １２ 第一の配線パタ−ン １３ 絶縁基板 １４ 層間接続用柱 １５ 絶縁層 １６ 第二の配線パタ−ン ２１ キャリヤ金属箔 ２２ 第一の配線パタ−ン ２３ 絶縁基板 ２４ 層間接続用柱 ２５ 金属箔 ２６ 絶縁層 ２７ 第二の配線パタ−ン ２８ 金属層
Claims (2)
- 【請求項１】（１Ａ）キャリヤ金属箔の片面に第一の配
線パターンを形成し、 （１Ｂ）第一の配線パターンが形成されたキャリヤ金属
箔を第一の配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね
合わせて第一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、 （１Ｃ）層間接続予定部にキャリヤ金属箔による層間接
続用柱が残るようにキャリヤ金属箔をエッチングし、 （１Ｄ）層間接続用柱以外の部分に絶縁層を形成し、 （１Ｅ）層間接続用柱と導通した第二の配線パターン形
成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造
法。 - 【請求項２】（２Ａ）キャリヤ金属箔の片面に第一の配
線パターンを形成し、 （２Ｂ）第一の配線パターンが形成されたキャリヤ金属
箔を第一の配線パターン面を内側にして絶縁基板と重ね
合わせて第一の配線パターンを絶縁基板内に埋め込み、 （２Ｃ）層間接続予定部にキャリヤ金属箔による層間接
続用柱が残るようにキャリヤ金属箔をエッチングし、 （２Ｄ）絶縁層を介して金属層を形成し、 （２Ｅ）金属層をパターニングし層間接続用柱に対応す
る部分の金属層を除去し、 この金属層をレジストとして金属層が除去された部分の
絶縁層を除去し、 （２Ｆ）層間接続用柱と導通した第二の配線パターン形
成する工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造
法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31625291A JP2586770B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 多層配線板の製造法 |
| EP92120367A EP0545328B1 (en) | 1991-11-29 | 1992-11-28 | Printed circuit board manufacturing process |
| DE69218344T DE69218344T2 (de) | 1991-11-29 | 1992-11-28 | Herstellungsverfahren für eine gedruckte Schaltung |
| KR1019920022750A KR100274764B1 (ko) | 1991-11-29 | 1992-11-28 | 배선판의 제조법 |
| US07/983,342 US5426850A (en) | 1991-11-29 | 1992-11-30 | Fabrication process of wiring board |
| US08/234,215 US6133534A (en) | 1991-11-29 | 1994-04-27 | Wiring board for electrical tests with bumps having polymeric coating |
| US08/268,866 US5504992A (en) | 1991-11-29 | 1994-06-30 | Fabrication process of wiring board |
| US08/410,950 US5664325A (en) | 1991-04-23 | 1995-03-27 | Fabrication process of wiring board |
| US09/036,494 US6568073B1 (en) | 1991-11-29 | 1998-03-06 | Process for the fabrication of wiring board for electrical tests |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31625291A JP2586770B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 多層配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152764A JPH05152764A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2586770B2 true JP2586770B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=18075029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31625291A Expired - Lifetime JP2586770B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-11-29 | 多層配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586770B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104010444A (zh) * | 2013-02-25 | 2014-08-27 | 北大方正集团有限公司 | 阶梯线路的制作方法、包含阶梯线路的线路板及其制作方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3622219B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2005-02-23 | 日立化成工業株式会社 | 多層配線板の製造法 |
| JP3587884B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
| JP2003101232A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Daiwa Kogyo:Kk | 導電接続構造及びその形成方法 |
| KR100836653B1 (ko) * | 2006-10-25 | 2008-06-10 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31625291A patent/JP2586770B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104010444A (zh) * | 2013-02-25 | 2014-08-27 | 北大方正集团有限公司 | 阶梯线路的制作方法、包含阶梯线路的线路板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152764A (ja) | 1993-06-18 |
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