JP2003101232A - 導電接続構造及びその形成方法 - Google Patents

導電接続構造及びその形成方法

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JP2003101232A
JP2003101232A JP2001290761A JP2001290761A JP2003101232A JP 2003101232 A JP2003101232 A JP 2003101232A JP 2001290761 A JP2001290761 A JP 2001290761A JP 2001290761 A JP2001290761 A JP 2001290761A JP 2003101232 A JP2003101232 A JP 2003101232A
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metal
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Eiji Yoshimura
栄二 吉村
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Daiwa Kogyo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属パターンと柱状金属体との導電接続の信
頼性が高く、表面の平坦性も良好な導電接続構造、並び
にその形成方法を提供する。 【解決手段】 層間で導電接続を行うための柱状金属体
24と、その柱状金属体24の上面24aの少なくとも
一部を露出させつつ柱状金属体24の周囲に配置された
絶縁層26と、その絶縁層26に積層され前記柱状金属
体24の上面24aと重複して開口する金属パターン2
7bと、柱状金属体24の上面24aから少なくとも前
記金属パターン27bの開口27aの内周面にかけて形
成された導電体層29とを備える導電接続構造。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板の配
線層間の導電接続などに利用できる導電接続構造及びそ
の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器等の小形化や軽量化に伴
い、電子部品の小形化が進められると共に、電子部品を
実装するための配線基板に対して高密度化の要求が高ま
っている。配線基板を高密度化するには、配線層自体の
配線密度を高くする方法や配線層を複数積層することで
多層構造とする方法などが採られている。
【0003】多層配線基板を製造する方法には、複数の
基材にそれぞれ配線層を形成した上で、基材の間に絶縁
シートを介在させて接合等を行う接合方式と、配線パタ
ーンの形成された基材の上に絶縁層を形成し、この絶縁
層の上に配線パターンを形成するといった具合に、絶縁
層と配線パターンの形成を順次繰り返すことにより積層
構造を形成していくビルドアップ方式とが存在する。
【0004】一方、多層配線基板では、それぞれの配線
層間で回路設計に応じた導電接続を行う必要がある。こ
のため、上下の配線層間を導電接続すべく、バイアホー
ルの内壁面に銅メッキ層を形成したものや、バイアホー
ルの内部に柱状導電体を形成した多層配線基板が存在す
る。
【0005】後者の構造を有する多層配線基板の製造方
法としては、特開平6−314878号公報に、下層の
配線層にバイアホール部分が開口するメッキレジストを
積層した後、電解銅めっきによって開口内部に柱状金属
体を形成し、続いてメッキレジストを除去してから絶縁
性樹脂を全面に塗布して平坦化した後、上層の配線層を
形成することで、配線層間を導電接続する方法が開示さ
れている。
【0006】また、WO00/52977号公報には、
柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す
別の金属を、下層の配線層の非パターン部を含めた全面
に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の全面
に前記柱状金属体を構成する金属のメッキ層を電解メッ
キにより形成した後、そのメッキ層の表面部分にマスク
層を形成してメッキ層をエッチングして柱状金属体を形
成した後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行っ
て、非パターン部を被覆する保護金属層を除去した後、
絶縁性樹脂を全面に塗布して平坦化した後、上層の配線
層を形成することで、配線層間を導電接続する方法が開
示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように絶縁性樹脂を塗布して絶縁層を形成する方法で
は、塗布、硬化、平坦化といった一連の工程が煩雑にな
ると共に、絶縁層の厚み精度(平坦化度)を維持するの
も困難になり易い。
【0008】一方、配線層間接続用の金属体突起(柱状
金属体を含む)を形成した配線層上に、熱接着性の樹脂
シートや銅箔付樹脂シートをラミネートすることで、絶
縁層を形成する方法も幾つか知られている。特に、銅箔
付樹脂シートをラミネートする場合、同時に銅箔が積層
されるため、これをエッチングすることで上層の配線層
を形成できるという利点がある。
【0009】しかし、このようにして形成される導電接
続構造では、金属体突起と銅箔は圧接しているだけであ
り、また、両者の間に樹脂が介在し易く、面同士が均一
に接触しにくいなど、配線層間の導電接続の信頼性は十
分とは言えなかった。
【0010】そこで、本発明の目的は、金属パターンと
柱状金属体との導電接続の信頼性が高く、表面の平坦性
も良好な導電接続構造、並びにその形成方法を提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は下記の如き本
発明により達成できる。即ち、本発明の導電接続構造
は、層間で導電接続を行うための柱状金属体と、その柱
状金属体の上面の少なくとも一部を露出させつつ柱状金
属体の周囲に配置された絶縁層と、その絶縁層に積層さ
れ前記柱状金属体の上面と重複して開口する金属パター
ンと、前記柱状金属体の上面から少なくとも前記金属パ
ターンの開口の内周面にかけて形成された導電体層とを
備えることを特徴とする。
【0012】一方、本発明の導電接続構造の形成方法
は、(a)柱状金属体が形成された配線層又は金属層と
接着性の絶縁層が形成された金属箔とを、前記柱状金属
体の上面が前記金属箔の表面近傍に位置するように積層
一体化する工程、(b)前記金属箔のうち少なくとも前
記柱状金属体の上面と重複する部分をエッチングして開
口を形成する工程、(c)その開口から露出する絶縁層
の少なくとも一部を除去して、前記柱状金属体の上面を
露出させる工程、及び(d)露出した前記柱状金属体の
上面から少なくとも前記開口の内周面にかけてメッキし
て導電体層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0013】上記において、前記(c)工程が、ブラス
ト加工又はケミカルエッチングにより、前記開口から露
出する絶縁層を選択的に除去するものであることが好ま
しい。
【0014】また、前記(d)工程が露出した前記柱状
金属体の上面を含む略全面へメッキして導電体層を形成
するものであり、更に(e)その導電体層と前記金属箔
とのエッチングを行って金属パターンを形成する工程を
含むことが好ましい。
【0015】[作用効果]本発明の導電接続構造による
と、上記のように絶縁層から柱状金属体の上面が露出し
つつその露出部と金属パターンの開口付近とが導電体層
を介して導電接続されているため、従来技術のような単
なる圧接構造と異なり、確実な導電接続が行えるので、
金属パターンと柱状金属体との導電接続の信頼性が高く
なる。また、銅箔付樹脂シートのラミネートなどで積層
構造が得られるため、表面の平坦性も良好で、製造工程
的にも有利となる。
【0016】一方、本発明の導電接続構造の形成方法に
よると、接着性の絶縁層が形成された金属箔を用いて積
層するため、表面の平坦性も良好で、製造工程的にも有
利となる。また、金属箔の柱状金属体の上面と重複する
部分をエッチングして開口を形成するため、その開口を
介して絶縁層を除去することで、柱状金属体の上面を露
出させることができる。これにより、柱状金属体の上面
から少なくとも前記開口の内周面にかけて導電体層が形
成できるため、従来技術のような単なる圧接構造と異な
り、確実な導電接続が行えるので、金属パターンと柱状
金属体との導電接続の信頼性が高くなる。
【0017】前記(c)工程が、ブラスト加工又はケミ
カルエッチングにより、前記開口から露出する絶縁層を
選択的に除去するものである場合、サンドブラスト等の
ブラスト加工では表面の凹部に対しても研削効果が得ら
れ、しかも金属より樹脂等の絶縁層をより速く除去でき
るため、柱状金属体の上面をより確実に露出させられる
ようになる。また、ケミカルエッチングでも同様に絶縁
層を選択的に除去することができる。
【0018】前記(d)工程が露出した前記柱状金属体
の上面を含む略全面へメッキして導電体層を形成するも
のであり、更に(e)その導電体層と前記金属箔とのエ
ッチングを行って金属パターンを形成する工程を含む場
合、略全面へのメッキによる導電体層の形成は、レジス
ト形成の必要がないため工程が簡易化でき、また、導電
体層と金属箔との段差が無くなるため、(e)工程のた
めのエッチングレジストの形成が確実に行えるようにな
る。また、当該(d)工程の後にエッチングを行うた
め、予め金属箔をエッチングして金属パターンを形成し
ておく場合に比べて、(c)工程や(d)工程を確実か
つ容易に行うことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、コ
ア基板の両面の配線層に形成された柱状金属体に対し、
本発明の導電接続構造を形成する例を示す。
【0020】先ず、図1(1)に示すように、基材21
の両面上に配線層22をパターン形成したものを準備す
る。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例
えば、エッチングレジストを使用する方法や、パターン
メッキ用レジストを使用する方法等で作製したもの用い
ることができる。基材21としては、ガラス繊維とポリ
イミド樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂とか
らなる基材を用いることができる。また、配線層22を
構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使
用されるが、銅が好ましい。
【0021】次に、図1(2)に示すように、層間で導
電接続を行うための柱状金属体24を配線層22の上に
形成する。柱状金属体24の形成方法は、配線層22と
柱状金属体24とが導電接続可能な方法であれば何れで
もよく、例えば金属層のエッチングにより形成する方
法、又は金属のメッキにより形成する方法などが挙げら
れる。前者はWO00/52977号公報とWO00/
30420号公報に、後者は特開平6−314878号
公報などにその形成方法の詳細が開示されている。
【0022】本実施形態では、WO00/52977号
公報に記載の形成方法により、柱状金属体24が配線層
22の上に形成された例を前提に説明する。当該形成方
法によると、柱状金属体24と配線層22との間に、下
地導電層10と保護金属層11とが介在する。本発明で
は、これらの層は必ずしも必要なく、柱状金属体24と
配線層22とを別の金属で構成する場合など、省略する
ことが可能である。
【0023】一方、本発明では、図1(2)に示すよう
な、接着性の絶縁層26aが形成された金属箔27を用
意する。このような積層板は、各種のものが市販されて
おり、それらをいずれも使用できる。例えば、金属箔2
7としては、いずれの金属を用いてもよいが、導電性、
エッチングのし易さ、コストなどの観点から、配線パタ
ーンに汎用されている銅が最も好ましい。また、金属箔
27の表面の絶縁層26a側は、樹脂等との接着性を高
める目的で黒化処理などを施していてもよい。
【0024】接着性の絶縁層26aとしては、積層時に
変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求
される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよ
い。具体的には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の各
種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、アラミド繊維
等との複合体(プリプレグ)などが挙げられる。中でも
加熱加圧(熱ラミネート)により硬化して、コア基板と
積層一体化可能な材料が製造工程を簡易化する上で好ま
しい。
【0025】絶縁層26aの厚みは、接着後に柱状金属
体24の上面が前記金属箔27の表面近傍に位置するよ
うな厚みとするのが好ましい。具体的には、基材21表
面から柱状金属体24の上面までの高さに相当する厚み
程度であればよい。なお、本発明では、当該積層工程に
より柱状金属体24と金属箔27とを圧接して導電接続
するものでないため、絶縁層26aの厚み精度がさほど
厳密に要求されないという利点がある。
【0026】本発明の(a)工程は、図2(3)に示す
ように、柱状金属体24が形成された配線層22と接着
性の絶縁層26aが形成された金属箔27とを、柱状金
属体24の上面24aが金属箔27の表面近傍に位置す
るように積層一体化するものである。ここで、金属箔2
7の表面近傍とは、金属箔27に接していてもよく、0
〜10μmの距離が好ましい。なお、配線層22の代わ
りに配線パターンを形成する前の金属層を用いることも
可能である(これについては後述する)。
【0027】積層一体化の方法としては、柱状金属体2
4が形成されたコア基板等の上下に絶縁層26a付きの
金属箔27を積層配置して、加熱加圧(熱ラミネート、
加熱プレス)などすればよい。その際、空気の混入を避
けるために、雰囲気を真空(真空ラミネート)にしても
よい。なお、加熱温度など条件等は、絶縁層26aの材
質に応じて適宜設定される。これによって、コア基板の
表面形状に応じて変形して硬化した絶縁層26が形成さ
れる。
【0028】本発明の(b)工程は、図2(4)〜
(5)に示すように、前記金属箔27のうち少なくとも
前記柱状金属体24の上面24aと重複する部分をエッ
チングして開口27aを形成するものである。ここで、
柱状金属体24の上面24aは、完全に平坦である必要
はなく、メッキで形成した場合には、曲面になり易い。
その場合、柱状金属体24の周壁以外の部分を上面24
aとする。
【0029】また、本発明において、柱状金属体24の
上面24aと重複する部分とは、柱状金属体24の上面
24aを金属箔27に投影した領域と、開口27aの領
域とが重複(完全一致、部分一致、一方が包含される場
合を含む)するような部分を指す。本発明では、導電接
続の面積を大きくする観点より、柱状金属体24の上面
24aを金属箔27に投影した領域の80%以上、特に
100%が開口27aの領域に含まれるのが好ましい。
但し、金属箔27の開口27aの面積が大きすぎると、
その周囲に残すべき金属箔27の幅も大きくなるため配
線パターンのファイン化に不利となる。このため、開口
27aの面積は、柱状金属体24の上面24aの面積の
0.8〜5倍が好ましい。
【0030】エッチングの方法としては、ドライエッチ
ングも可能であるが、ウエットエッチングが好ましく、
なかでもドライフィルムレジストなどの感光性樹脂を用
いる方法がより好ましい。感光性樹脂とは光により光分
解、光架橋、又は光重合を起こすような、低分子量及び
/又は高分子量の成分を含む樹脂組成物を指す。被覆に
は、ドライフィルムをラミネートする方法や感光性樹脂
組成物を塗布・硬化させる方法等が利用できる。ドライ
フィルム(フォトレジスト)は、有機溶剤現像タイプや
アルカリ水溶液現像タイプが存在し、加熱圧着ロール等
を有するドライフィルムラミネータ等を用いて、熱圧着
(ラミネート)が行われる。感光性樹脂組成物の塗布
は、各種コーターを用いて行うことができる。
【0031】次いで、開口27aを形成する部分又はそ
の反転部分を露光し、現像して前者の部分を除去する。
このような露光は、フォトマスク用フィルムを介在させ
つつ、又はフォトプロッター等による直接露光により、
露光機を用いて通常、紫外線等により行われる。現像に
は、ドライフィルムの種類に応じた現像液等が使用さ
れ、例えば有機溶剤現像タイプに対してはトリクロロエ
タン等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、炭酸ナ
トリウム等が使用される。
【0032】上記のようにして、図2(4)に示すよう
な開口28aを有するエッチングレジスト28が形成さ
れる。次いで、図2(5)に示すように、金属箔27の
材質に応じたエッチング液を用いて開口27aが形成さ
れる。エッチング液としては、市販のアルカリエッチン
グ液、塩化物エッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸
化水素/硫酸等が挙げられる。
【0033】エッチングの終了後、必要に応じてエッチ
ングレジスト28が除去されるが、薬剤除去、剥離除去
など、エッチングレジスト28の種類に応じて適宜選択
すればよい。例えば、ドライフィルムレジストである場
合、例えば有機溶剤現像タイプに対してはメチレンクロ
ライド等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、水酸
化ナトリウム等で剥離することができる。なお、エッチ
ングレジスト28の除去を次の(c)工程と同時に行う
ことも可能である。
【0034】本発明の(c)工程は、図3(6)に示す
ように、開口27aから露出する絶縁層26の少なくと
も一部を除去して、柱状金属体24の上面24aを露出
させるものである。ここで、柱状金属体24の上面24
aは全て露出させる必要はないが、導電接続の面積を大
きくする観点より、上面24aの全てを露出させること
が好ましい。
【0035】絶縁層26を除去する方法は、バフ研磨、
ベルトサンダ、機械研削、レーザー照射、プラズマエッ
チング、転写剥離などを使用することも可能であるが、
ブラスト加工、又はケミカルエッチングにより、開口2
7aから露出する絶縁層26を選択的に除去する手段を
用いるのが好ましい。ブラスト加工としては、乾式又は
湿式によるサンドブラスト、金属粒子ブラストなどが挙
げられる。ケミカルエッチングとしては樹脂を選択的に
分解等する薬液等が使用できる。なお、絶縁層26を除
去する際、先に設けたエッチングレジスト28を、マス
ク材として利用することも可能であり、その場合、エッ
チングレジスト28は、(c)工程の後に除去される。
【0036】本発明の(d)工程は、図3(7)に示す
ように、露出した柱状金属体24の上面24aから少な
くとも開口27aの内周面にかけて導電体層29を形成
するものである。本実施形態では、上面24aを含む金
属箔27の略全面へメッキにより導電体層29を形成す
る例を示す。これにより、上面24aに接合した導電体
層29a、開口27aの内周面に接合した導電体層29
b、その周囲の導電体層29cを介して、柱状金属体2
4と金属箔27とが導電接続される。
【0037】メッキによる導電体層29の形成は、無電
解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの組合せなど
により行うことができるが、導電接続の信頼性を高める
上で無電解メッキと電解メッキの組合せで形成するのが
好ましい。その際、導電体層29の厚みは1〜50μm
が好ましい。
【0038】無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、
錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、金属
箔27を構成する金属と同一でも異なっていてもよく、
銅が好ましい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に
対応して周知であり、各種のものが市販されている。一
般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、
還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無
電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈
着させてもよい。電解メッキについても、周知の方法で
行うことができる。
【0039】本実施形態では、図3(8)〜図4(1
0)に示すように、更に、導電体層29と金属箔27と
のエッチングを行って金属パターンを形成する(e)工
程を実施する。導電体層29と金属箔27とを構成する
金属が同じ場合は、同時にエッチングすることができる
が、異なる場合には順次エッチングを行えばよい。
【0040】まず、図3(8)に示すように、ドライフ
ィルムレジストなどがラミネートされ、図4(9)に示
すように、金属パターンの形状に応じて露光し、現像し
てエッチングレジスト30aが形成される。次いで、図
4(10)に示すように、導電体層29と金属箔27の
材質に応じたエッチング液を用いてエッチングが行われ
て金属パターン27bが形成される。その後、図4(1
1)に示すように、エッチングレジスト30aが除去さ
れる。これらの工程は、(b)工程と同様にして行うこ
とができる。
【0041】以上のようにして得ることができる本発明
の導電接続構造は、図4(11)に示すように、層間で
導電接続を行うための柱状金属体24と、その柱状金属
体24の上面24aの少なくとも一部を露出させつつ柱
状金属体24の周囲に配置された絶縁層26と、その絶
縁層26に積層され前記柱状金属体24の上面24aと
重複して開口する金属パターン27bと、柱状金属体2
4の上面24aから少なくとも前記金属パターン27b
の開口27aの内周面にかけて形成された導電体層29
とを備えるものである。
【0042】〔別の実施形態〕以下、本発明の別の実施
形態について説明する。
【0043】(1)前記の実施形態では、WO00/5
2977号公報に記載の方法で、柱状金属体を成形する
例を示したが、以下のような方法で形成することも可能
である。
【0044】まず、図5(1)〜(2)に示すように、
下層の配線層22の非パターン部を含めた略全面を保護
金属層11で被覆すべく、下地導電層10を無電解メッ
キで形成し、更に下地導電層10の全面に電解メッキを
行って保護金属層11を形成する。その際、保護金属層
11を構成する金属としては、柱状金属体を構成する金
属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。
【0045】次いで、図6(3)〜(4)に示すよう
に、保護金属層11の柱状金属体を形成する位置の周囲
部に、その形成のための開口部15bを有し開口部周囲
へのメッキをレジストする複数の環状レジスト15aを
形成する。この工程は、保護金属層11に感光性樹脂層
15を塗布形成又は積層形成した後に、所定位置への露
光と現像を行って環状レジスト15aを形成するもので
ある。
【0046】次いで、図6(5)に示すように、環状レ
ジスト15aから露出する保護金属層11に、柱状金属
体を構成する金属のメッキ層24cを、その高さが環状
レジスト15aと略同じ又はそれ以下になるように電解
メッキにより形成する。但し、図6(5)に示すよう
に、メッキ層24cの高さは環状レジスト15aと略同
じにするのが好ましい。
【0047】当該金属としては、通常、銅、ニッケル等
が使用されるが、配線層22を構成する金属とは同一で
も異なっていてもよい。電解メッキは、上記と同様の方
法により行われるが、保護金属層11が陰極として利用
される。具体的なメッキ層24の厚みとしては、例えば
20〜200μm、或いはそれ以上のものが例示され
る。
【0048】次いで、図7(6)に示すように、環状レ
ジスト15aの少なくとも開口部15bを被覆するマス
ク層25を形成する。被覆の範囲は環状レジスト15a
の外縁より内側が好ましいが、若干環状レジスト15a
の外縁を超えても、後の工程で環状レジスト15aを除
去することで、支障が無くなる場合が多い。本実施形態
では、スクリーン印刷により、散点状にマスク層25を
印刷する例を示す。
【0049】次いで、図7(7)に示すように、メッキ
層24cのうち、マスク層25に被覆されていない部分
のエッチングを行う。その際、柱状金属体24の部分
は、環状レジスト15aとマスク層25とで完全に保護
されているため、エッチングによる浸食量が多過ぎるこ
とによる柱状金属体24の小径化(アンダーカットの増
大)を防ぐことができる。エッチングの方法としては、
メッキ層24c及び保護金属層11を構成する各金属の
種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方
法が挙げられる。例えば、メッキ層24cが銅であり、
保護金属層11が前述の金属(金属系レジストを含む)
の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニ
ウム、過酸化水素/硫酸等が使用される。
【0050】次に、図7(8)に示すように、マスク層
25の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、
マスク層25の種類に応じて適宜選択すればよい。例え
ば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクで
ある場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【0051】次に、図8(9)に示すように、環状レジ
スト15aの除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去
など、環状レジスト15aの種類に応じて適宜選択すれ
ばよい。例えば、ドライフィルムレジストである場合、
例えば有機溶剤現像タイプに対してはメチレンクロライ
ド等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、水酸化ナ
トリウム等で剥離することができる。
【0052】次に、図8(10)に示すように、保護金
属層11の浸食が可能なエッチングを行う。エッチング
の方法としては、前記とは異なるエッチング液を用いた
エッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を
用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるた
め、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体
的には、柱状金属体24と下層の配線層22が銅であ
り、保護金属層11が前記の金属である場合、はんだ剥
離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系
などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。こ
れにより、図8(10)に示すように、柱状金属体24
と配線層22(パターン部)とに介在する保護金属層1
1のみを残存させることができる。また、非パターン部
には、下地導電層10のみが残存する。
【0053】次に、図8(11)に示すように、非パタ
ーン部に残存する下地導電層10をソフトエッチングで
除去するが、ソフトエッチングを行うのは、柱状金属体
24や、露出する配線層22(パターン部)を過度に浸
食するのを防止するためである。ソフトエッチングの方
法としては、下地導電層10を構成する金属に対するエ
ッチング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッ
チングの処理条件で使用したりする方法等が挙げられ
る。
【0054】(2)前記の実施形態では、柱状金属体が
形成された配線層に対して、本発明の導電接続構造を形
成する方法の例を示したが、配線パターンを形成してい
ない、又は形成する前の金属層に柱状金属体が形成され
たものに対しても、前記の実施形態と同様にして本発明
の導電接続構造を形成することができる。
【0055】その場合、配線パターンを有さない金属層
と、接着性の絶縁層が形成された金属箔とを、柱状金属
体の上面が前記金属箔の表面近傍に位置するように積層
一体化すればよく、その後の工程は全く同じである。但
し、このようにして得られるものは、両面金属箔積層板
として使用することも可能であり、上記の金属層と金属
箔とを同時にエッチングしてパターン形成することも可
能である。また、金属層をパターン形成せずにグランド
層や電源層として利用することも可能である。
【0056】(3)前記の実施形態では、柱状金属体の
上面を含む金属箔の略全面へメッキして導電体層を形成
する例を示したが、図9に示すように、露出した柱状金
属体24の上面24aから開口27aの内周面にかけて
メッキすることで導電体層29を形成してもよい。
【0057】その場合、図9(1)に示すように、開口
27aと一致し又はそれよりやや小さく重複した開口部
40aを有するメッキレジスト40を設けてから、導電
体層29が形成される。そのとき、開口部40aの内側
に選択的にメッキが行われるようにするのが好ましく、
電解メッキを行う場合にはメッキレジスト40を設ける
前に導電性の下地となる無電解メッキ層を形成すればよ
い。また、無電解メッキで導電体層29を形成する場
合、触媒を開口部40aの内側に選択的に吸着させるな
どすればよい。但し、同種金属の表面には無電解メッキ
が選択的に行えるので、柱状金属体24の上面24aが
金属箔27の表面に接近している場合には、そのまま無
電解メッキを行うだけでよい。
【0058】次いで、図9(2)〜(3)に示すよう
に、メッキレジスト40を除去してから、今度は開口2
7aを覆うエッチングレジスト30aを前述のようにし
て形成し、金属箔27のエッチングを行う。その後、エ
ッチングレジスト30aを除去することで、金属パター
ン27bが導電体層29で被覆されていない本発明の導
電接続構造が得られる。
【0059】(4)前記の実施形態では、導電体層の形
成をメッキにより行う例を示したが、導電性ペーストの
充填、スパッタ蒸着、真空蒸着などにより行うことも可
能である。また、これらと電解メッキ等を組み合わせて
導電体層を形成してもよい。
【0060】導電性ペーストを充填する場合、金属箔の
開口を介して、その内部にスクリーン印刷、スクイーズ
法などで充填すればよく、導電性ペーストとしては、配
線基板に使用されるものが何れも使用できる。また、導
電性ペーストの充填は、金属箔の表面と略同じ高さにな
るように行うのが好ましく、これによって金属パターン
の平坦化が可能となり、柱状金属体の直上に上層の柱状
金属体が形成し易くなる。
【0061】スパッタ蒸着や真空蒸着についても、導電
性の薄膜が形成できればよく、従来公知の薄膜形成方法
が何れも使用できる。なお、スパッタ蒸着や真空蒸着
を、図9(1)に示すメッキレジスト40を設ける前に
行って、導電体層を電解メッキで形成する際の下地導電
層としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の導電接続構造の形成方法の一例を示す
工程図(1)〜(2)
【図2】本発明の導電接続構造の形成方法の一例を示す
工程図(3)〜(5)
【図3】本発明の導電接続構造の形成方法の一例を示す
工程図(6)〜(8)
【図4】本発明の導電接続構造の形成方法の一例を示す
工程図(9)〜(11)
【図5】本発明の導電接続構造の形成方法の他の例を示
す工程図(1)〜(2)
【図6】本発明の導電接続構造の形成方法の他の例を示
す工程図(3)〜(5)
【図7】本発明の導電接続構造の形成方法の他の例を示
す工程図(6)〜(8)
【図8】本発明の導電接続構造の形成方法の他の例を示
す工程図(9)〜(11)
【図9】本発明の導電接続構造の形成方法の他の例を示
す工程図(1)〜(3)
【符号の説明】
22 配線層 24 柱状金属体 24a 柱状金属体の上面 26 絶縁層 26a 絶縁層(積層前) 27 金属箔 27a 金属箔の開口 27b 金属パターン 29 導電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB12 CC17 CC25 CC31 CD25 CD27 GG09 GG14 GG16 5E339 AB02 AC01 AD03 AD05 BC02 BD02 BD06 BD08 BE13 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA43 AA51 BB16 CC32 DD03 DD22 DD32 DD33 EE06 EE07 EE13 EE18 FF04 FF07 FF18 GG17 GG19 GG22 GG28 HH11 HH31

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 層間で導電接続を行うための柱状金属体
    と、その柱状金属体の上面の少なくとも一部を露出させ
    つつ柱状金属体の周囲に配置された絶縁層と、その絶縁
    層に積層され前記柱状金属体の上面と重複して開口する
    金属パターンと、前記柱状金属体の上面から少なくとも
    前記金属パターンの開口の内周面にかけて形成された導
    電体層とを備える導電接続構造。
  2. 【請求項2】 (a)柱状金属体が形成された配線層又
    は金属層と接着性の絶縁層が形成された金属箔とを、前
    記柱状金属体の上面が前記金属箔の表面近傍に位置する
    ように積層一体化する工程、(b)前記金属箔のうち少
    なくとも前記柱状金属体の上面と重複する部分をエッチ
    ングして開口を形成する工程、(c)その開口から露出
    する絶縁層の少なくとも一部を除去して、前記柱状金属
    体の上面を露出させる工程、及び(d)露出した前記柱
    状金属体の上面から少なくとも前記開口の内周面にかけ
    て導電体層を形成する工程を含む導電接続構造の形成方
    法。
  3. 【請求項3】 前記(c)工程が、ブラスト加工又はケ
    ミカルエッチングにより、前記開口から露出する絶縁層
    を選択的に除去するものである請求項2に記載の導電接
    続構造の形成方法。
  4. 【請求項4】 前記(d)工程が露出した前記柱状金属
    体の上面を含む略全面へメッキして前記導電体層を形成
    するものであり、更に(e)その導電体層と前記金属箔
    とのエッチングを行って金属パターンを形成する工程を
    含む請求項2又は3に記載の導電接続構造の形成方法。
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