JP2002137328A - 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージの製造方法と半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨が均一に行え、かつ効率的な薄板状物品の
加工方法と、その方法を用いて、精度に優れ、強度に優
れ、接続信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続の行
える接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導
体パッケージ用基板と半導体パッケージ並びに効率よく
これらを製造する方法を提供すること。 【解決手段】剛性の高い支持基板または薄板状物品の表
面のいずれかに、粘着性を有する樹脂層を形成し、その
樹脂層を介して、剛性の高い支持基板と薄板状物品を貼
り合わせて加工を行う薄板状物品の加工方法と、その方
法を用いた接続基板と、多層配線板と、多層配線板の製
造方法と、半導体パッケージ用基板と、半導体パッケー
ジの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄板状物品の加工
方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続
基板と多層配線板の製造方法と多層配線板と半導体パッ
ケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半
導体パッケージの製造方法と半導体パッケージに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、我々を取り巻く社会環境は、情報
通信網の進展と共に大きく変化している。その中に、携
帯機器の成長があり、小型・高機能化と共にその市場は
拡大している。このため、配線板に使用される基材には
より薄いものが求められ、また、半導体パッケージの更
なる小型化と、それらを高密度に実装できる多層配線基
板が要求され、高密度配線が可能な層間接続、すなわち
高密度多層化技術が重要となっている。

【０００３】このような薄い基材を用いた配線板は、曲
がりやすく、折れやすいので、通常は、剛性の高い板の
縁にテープなどで連結し、各種のレジストのラミネータ
ーやレジストの印刷機あるいはフォト法での現像機、回
路を形成するためのエッチング機などに流して加工して
いる。ところが、このような薄い基材の加工には、上記
の他に、銅箔の表面の研磨や、樹脂層を形成した後に内
層導体の一部を露出するための研磨を行うことがあり、
上記と同様に、剛性の高い板の縁にテープなどで連結し
て研磨機を通している。このような研磨方法には、研磨
ロールで加工するロール研磨、微小粉を吹き付けるブラ
スト研磨が広く一般に知られている。また、剛性の高い
板の縁にテープなどで連結しないで、ラップ盤に貼り合
わせて行うラップ加工も広く知られている。

【０００４】また、半導体パッケージなどの配線板にお
ける多層化方法としては、ドリル穴明けとめっきプロセ
スを組み合わせたスルーホール接続があり、広く一般に
知られているが、全ての層にわたって穴があくので、配
線収容量に限界がある。そこで、接続部の穴体積を減ら
すため、絶縁層の形成−穴あけ−回路形成を繰り返すビ
ルドアップ技術が主流となりつつある。このビルドアッ
プ技術は、大別して、レーザ法とフォトリソ法があり、
レーザ法は、絶縁層に穴をあけるのにレーザ照射を行う
ものであり、一方、フォトリソ法は、絶縁層に感光性の
硬化剤（光開始剤）を用い、フォトマスクを重ねて、露
光・現像して穴を形成する。

【０００５】また、更なる低コスト化・高密度化を目的
とするいくつかの層間接続方法が提案されている。その
中に、穴明けと導電層めっき工程を省略できる工法が注
目されている。この方法は、まず、基板の配線上に導電
性ペーストの印刷でバンプを形成した後、Ｂステージ状
態にある層間接続絶縁材と金属層を配置して、プレスに
よりバンプを成形樹脂内に貫挿させ、金属層と導通接続
させるものである。このバンプを貫挿する方法は、学会
や新聞でも発表されており、プリント板業界で広く認知
されている。また、シリコンゴムなどのエラストマの中
にめっきしたワイヤを厚さ方向に埋め込んだものが開発
され、２層の導体を接続する簡易ツールとして利用され
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年では、
薄い基材がより薄くなり、研磨工程では、ロール研磨で
は、剛性の高い板の縁にテープなどで連結しても、薄い
基板が搬送中にたわみ、搬送ロールや研磨用ロールの通
過ができず、また、ブラスト研磨では、粉を吹き付けた
衝撃で基板がたわみ、平滑な研磨が困難であるという課
題があった。また、剛性の高い板の縁にテープなどで連
結しないラップ加工では、ラップ盤と呼ばれる治具への
取付けに、溶融接着材を使用するため、対象基板の取付
け面が汚染されたり、表面が下地溶融接着材の膜厚ばら
つきに追従するため、表面がうねり、研磨時に仕上りば
らつきが発生するという課題があり、さらには、基板サ
イズを大きくすると、やはり表面のうねりにより研磨液
が浸入しないため、中中心部が研磨できないという課題
があった。

【０００７】また、多層化上では、従来の技術のうちレ
ーザ法では、絶縁材料の選択範囲が広く、隣接する層間
の穴あけだけでなく、さらに隣接する層までの穴あけも
行えるが、レーザ照射して蒸散した樹脂かすを除去する
ためにデスミア処理を必要とし、穴数に比例した加工費
増大を伴うという課題がある。一方、フォト法では、従
来の配線板製造設備を利用でき、穴加工も一度に行うこ
とができ低コスト化に有利ではあるが、層間絶縁材料の
解像度と、耐熱性及び回路と絶縁層間の接着強度の両立
が困難であるという課題がある。さらにまた、バンプの
形成は、導電ペーストの印刷や、めっき方法であり、バ
ンプ形成の精度が、印刷技術の限度であり、あるいはめ
っきによるバンプの高さのばらつきを抑制するのが困難
であるという課題がある。また、導電ペーストによるバ
ンプは機械強度が小さく、プレス圧力によって破壊され
る恐れがあり、穴明け工程を必要とする場合があり効率
が低くなる恐れがある。シリコンゴムなどのエラストマ
の中にめっきしたワイヤを厚さ方向に埋め込んだもの
は、簡便ではあるが、接続した箇所にだけワイヤを埋め
込むことが困難であり、格子状に埋め込むと、接触させ
たくない箇所では、ワイヤがじゃまになるという課題が
ある。

【０００８】本発明は、研磨が均一に行え、かつ効率的
な薄板状物品の加工方法と、その方法を用いて、精度に
優れ、強度に優れ、接続信頼性に優れ、かつ必要な箇所
のみの接続の行える接続基板とその接続基板を用いた多
層配線板と半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ
並びに効率よくこれらを製造する方法を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下のことを
特徴とする。 （１）剛性の高い支持基板または薄板状物品の表面のい
ずれかに、粘着性を有する樹脂層を形成し、その樹脂層
を介して、剛性の高い支持基板と薄板状物品を貼り合わ
せて加工を行う薄板状物品の加工方法。 （２）加工が、研磨である（１）に記載の薄板状物品の
加工方法。 （３）研磨を、ロール状研磨機で行う（２）に記載の薄
板状物品の加工方法。 （４）貼り合わせを、加熱しながら行う（１）〜（３）
のうちいずれかに記載の薄板状物品の加工方法。 （５）接着性を有する樹脂層に、感光性ドライフィルム
状の樹脂層を用い、剛性の高い支持基板と薄板状物品を
貼り合わせる前に、所定の範囲を露光して粘着力を調整
する（１）〜（４）のうちいずれかに記載の薄板状物品
の加工方法。 （６）剛性の高い支持基板と薄板状物品を機械的に剥離
する（１）〜（５）のうちいずれかに記載の薄板状物品
の加工方法。 （７）粘着力を露光により調整する範囲を、貼り合わせ
領域の周囲部分から内側領域に設け、研磨後に粘着力を
調整していない周囲部分領域を切り落として、その後、
薄板状物品と剛性の高い支持基板を機械的に分離する
（１）〜（６）のうちいずれかに記載の薄板状物品の加
工方法。 （８）少なくとも、接続導体となる第１の金属層と、そ
の第１の金属層と除去条件の異なる第２の金属層からな
る複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去し、２層
以上の導体回路の接続する箇所にのみ接続用導体を形成
し、その接続用導体を埋めるように絶縁樹脂層を形成し
た薄板状物品と、剛性の高い支持基板のいずれかの表面
に、粘着性を有する樹脂層を形成し、その樹脂表面の所
定領域の粘着力を変化させた後、薄板状物品と剛性の高
い支持基板を貼り合わせ、接続用導体が露出するように
絶縁樹脂層を研磨する工程を有する接続基板の製造方
法。 （９）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨し
た後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回路を形
成する工程を有する（８）に記載の接続基板の製造方
法。 （１０）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、第２の金属層を全て除去する工程を有する
（８）に記載の接続基板の製造方法。 （１１）複合金属層が、第１の金属層と第２の金属層と
さらに第３の金属層からなるものであり、第２の金属層
と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる（８）
に記載の接続基板の製造方法。 （１２）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体回路を
形成する工程を有する（１１）に記載の接続基板の製造
方法。 （１３）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、第３の金属層を全て除去する工程を有する
（１１）に記載の接続基板の製造方法。 （１４）第３の金属層を除去した後に、露出した第２の
金属層を除去する（１２）または（１３）に記載の接続
基板の製造方法。 （１５）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、露出した接続用導体の表面に、導体を追加形
成する工程を有する（８）〜（１４）のうちいずれかに
記載した接続基板の製造方法。 （１６）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、露出した接続用導体の表面に、接触抵抗の小
さい金属皮膜を形成する工程を有する（８）〜（１５）
のうちいずれかに記載の接続基板の製造方法。 （１７）（８）〜（１６）のうちいずれかの方法によっ
て製造され、２層以上の導体回路を接続する基板であっ
て、絶縁樹脂層と接続用導体からなり、その接続用導体
が、２層以上の導体回路の接続する箇所にのみ絶縁樹脂
層を厚さ方向に貫くように形成され、絶縁樹脂層の少な
くとも一方の面から露出している接続基板。 （１８）絶縁樹脂層の一方の面に導体回路を有する（１
７）に記載の接続基板。 （１９）導体回路が金属層である（１８）に記載の接続
基板。 （２０）絶縁樹脂層の両面に接続用導体が露出している
（１７）に記載の接続基板。 （２１）接続用導体の露出した部分が、接触抵抗の小さ
い金属で覆われている（１７）〜（２０）のうちいずれ
かに記載の接続基板。 （２２）絶縁樹脂層が、シリコーン変性ポリアミドイミ
ドである（１７）〜（２１）のうちいずれかに記載の接
続基板。 （２３）（１７）〜（２２）のうちいずれかに記載の接
続基板と、少なくともその一方の面に形成された接着絶
縁層と、その接着絶縁層の表面に設けられた外層導体か
らなり、その外層導体が接続用導体に接続された多層配
線板。 （２４）接着絶縁層が、シリコーン変性ポリアミドイミ
ドである（２３）に記載の多層配線板。 （２５）（８）〜（１６）のうちいずれかに記載の方法
を用いて作成した接続基板に、少なくともその一方の面
に形成された接着絶縁層を形成し、その接着絶縁層の表
面に外層導体を形成し、かつその外層導体を接続用導体
に接続する工程を有する多層配線板の製造方法。 （２６）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁層と
金属箔を重ね、加熱・加圧にして積層一体化する工程を
有する（２５）に記載の多層配線板の製造方法。 （２７）接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を研磨
した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶縁層と
回路導体を有する外層基板を重ね、加熱・加圧して積層
一体化する工程を有する（２５）または（２６）に記載
の多層配線板の製造方法。 （２８）外層基板に、絶縁層の一方の面に導体回路を有
し、他方の面に金属箔を有する基板を用いる（２７）に
記載の多層配線板の製造方法。 （２９）外層基板に、絶縁層の両面に導体回路を有する
基板を用いる（２７）に記載の多層配線板の製造方法。 （３０）外層基板に、両面の導体を接続するバイアホー
ルを有する基板を用いる（２７）〜（２９）のうちいず
れかに記載の多層配線板の製造方法。 （３１）外層基板に、基板の内部に内層回路を有する基
板を用いる（２９）に記載の多層配線板の製造方法。 （３２）接着絶縁層に、シリコーン変性ポリアミドイミ
ドを用いる（２５）〜（３１）のうちいずれかに記載の
多層配線板の製造方法。 （３３）加熱・加圧して積層一体化する工程の後に、外
層回路を形成する工程を有する（２５）〜（３２）のう
ちいずれかに記載の多層配線板の製造方法。 （３４）（８）〜（１６）のうちいずれかに記載の接続
基板を用い、半導体チップを搭載する箇所にキャビティ
を有する半導体パッケージ用基板。 （３５）（２３）または（２４）に記載の多層配線板を
用い、半導体チップを搭載する箇所にキャビティを有す
る半導体パッケージ用基板。 （３６）（８）〜（１６）のうちいずれかの方法で製造
した接続基板及び／又は（２５）〜（３３）のうちいず
れかに記載の方法で製造した多層配線板を用い、半導体
チップを搭載する箇所にキャビティを形成する工程を有
する半導体パッケージ用基板の製造方法。 （３７）（１７）〜（２２）のうちいずれかに記載の接
続基板、（２３）〜（２４）のうちいずれかに記載の多
層配線板、及び／又は（３４）〜（３５）のうちいずれ
かに記載の半導体パッケージ用基板を用い、半導体チッ
プを搭載した半導体パッケージ。 （３８）（８）〜（１６）、（２５）〜（３３）、（３
６）に記載の方法を用い、半導体チップを搭載する工程
を有する半導体パッケージの製造方法。 （３９）半導体チップと外層回路とを接続する工程を有
する（３６）に記載の半導体パッケージの製造方法。 （４０）半導体チップを樹脂で封止する工程を有する
（３５）または（３６）に記載の半導体パッケージの製
造方法。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明に用いる支持基板には、半
硬化及び／又は硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂
としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹
脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノ
ール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿
素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾル
シノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、
ジアリルフタレート樹脂、シロキサン変性エポキシ樹
脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシク
ロブテン樹脂、などのうちから選択された１種以上と、
必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合した
ものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化した
ものが使用できる。これらの樹脂を、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅
箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアと
し、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状
にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断し、こ
れらを重ねてラミネートやプレスして形成することもで
きる。光硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレ
ート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアク
リレート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、
必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤など
を混合したものを露光あるいは加熱し半硬化状にしたも
の、あるいは硬化したものが使用できる。これらの樹脂
を、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラ
スチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のよう
な金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、露光、加
熱乾燥してドライフィルム状にした接着剤シートとし
て、必要な大きさに切断し、これらを重ねてラミネート
やプレスして形成することもできる。熱可塑性樹脂とし
ては、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポ
リエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フ
ッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、
ポリエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフ
ィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、などのうちか
ら選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、
硬化促進剤などを混合したものを加熱し半硬化状にした
もの、あるいは硬化したものが使用できる。これらの樹
脂をポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラ
スチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のよう
な金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥
してドライフィルム状にした接着剤シートとして、必要
な大きさに切断し、これらを重ねてラミネートやプレス
して形成することもできる。これらの支持基板は、また
は異種の樹脂の混合体であっても良く、さらに、シリカ
や金属酸化物などの無機フィラーを含むものでもよく、
ニッケル、金、銀などの導電粒子、あるいはこれらの金
属をめっきした樹脂粒子であってもよい。さらには、セ
ラミック、単一金属、ステンレススティールなどの合金
で形成された基板であってもよい。

【００１１】粘着性を有する樹脂層には、配線板製造工
程で使用するドライフィルム状の各種レジスト用フィル
ムを用いることができ、特に、感光性レジストフィルム
が好ましい。このような感光性レジストフィルムを用い
れば、通常の配線板の工程に用いる加熱ロールを持った
ラミネータで貼り合わせることが容易となり、また、こ
のような感光性レジストフィルムがアルカリ性水溶液に
溶解・分解するものが多く、支持基板と薄板状物品とを
分離するのが容易である。ここで、アルカリ性水溶液に
接触させるというのは、浸漬して粘着性を有する樹脂に
浸透させたり、スプレー噴霧して、浸漬して粘着性を有
する樹脂に浸透させることを指し、条件は、それぞれの
フィルムを用いて予め分離条件を求めることによって定
めることができる。

【００１２】本発明に用いる絶縁樹脂層には、半硬化及
び／又は硬化した熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂として
は、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポ
リイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹
脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノ
ール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジア
リルフタレート樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、シ
リコーン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテ
ン樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な
場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを
加熱し半硬化状にしたもの、あるいは、硬化したものが
使用できる。これらの樹脂を、直接、接続用導体を形成
した基板面に塗布することもできるが、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや
銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリア
とし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム
状にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断し、
接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスして用
いることもできる。光硬化性樹脂としては、不飽和ポリ
エステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタ
ンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エ
ポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された１
種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化
促進剤などを混合したものを露光あるいは加熱し半硬化
状にしたもの、あるいは硬化したものが使用できる。こ
れらの樹脂を、直接、接続用導体を形成した基板面に塗
布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはア
ルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面
に塗布し、露光、加熱乾燥してドライフィルム状にした
接着剤シートとして、必要な大きさに切断し、接続用導
体を形成した基板にラミネートやプレスして用いること
もできる。熱可塑性樹脂としては、ポリカーボネート樹
脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱
可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六
フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、
塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベン
ゾエート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、
必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合した
ものを加熱し半硬化状にしたもの、あるいは硬化したも
のが使用できる。これらの樹脂を、直接、接続用導体を
形成した基板面に塗布することもできるが、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィル
ムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャ
リアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィ
ルム状にした接着剤シートとして、必要な大きさに切断
し、接続用導体を形成した基板にラミネートやプレスし
て用いることもできる。これらの接着性樹脂層は、また
は異種の樹脂の混合体であってもよく、さらに、シリカ
や金属酸化物などの無機フィラーを含むものでもよく、
ニッケル、金、銀などの導電粒子、あるいはこれらの金
属をめっきした樹脂粒子であってもよい。

【００１３】接続用導体には、配線導体として用いるも
のでよく、銅箔などの金属箔の不要な個所をエッチング
除去して形成することもでき、除去条件の異なる金属箔
の上に回路の形状にのみ無電解めっきで形成することも
できる。この接続用導体の厚さは、５〜１００μｍの範
囲であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、
接続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性
が低下することがあり、厚さが１００μｍを越えると、
金属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精
度が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８
０μｍの範囲である。さらには、その接続用導体上に、
バンプと呼ばれる突起状の導体を形成してもよい。この
バンプを形成するには、比較的厚い導体の突起部分以外
の個所を厚さ方向にハーフエッチして突起の部分を形成
し、さらに薄くなった導体の回路部分を残して他の部分
をエッチング除去することによって形成できる。また、
別の方法では、回路を形成した後に、接続端子の個所だ
けめっきによって厚くする方法でも形成できる。

【００１４】この接続用導体が、２層以上の導体回路の
接続する箇所にのみ絶縁樹脂層を厚さ方向に貫くように
形成されていることが重要であり、このことによって、
従来の技術のうち、エラストマにワイヤを埋め込んだ接
続ツールでは、一定間隔でワイヤが埋め込まれているの
で、接続を行う２層の回路導体の位置が少しでもずれる
と、接続ができなかったり、あるいは予定していない箇
所が接続される恐れがあり、回路導体の精度が高く、微
細な回路の接続を行うことが困難であるのに対して、接
続を予定されていない箇所に導体を形成しない本発明の
方法が、精度に優れた回路間の接続に適している。

【００１５】接続基板１１は、例えば、図１（ａ）に示
すように、２層以上の導体回路１０１、１０２を接続す
る基板であって、絶縁樹脂層１２と接続用導体１３から
なり、その接続用導体１３が、２層以上の導体回路の接
続する箇所にのみ絶縁樹脂層１２を厚さ方向に貫くよう
に形成され、絶縁樹脂層１２の少なくとも一方の面から
露出している構造である。また、図１（ｂ）に示すよう
に、絶縁樹脂層１２の一方の面に導体回路１０１を有す
るものでもよく、その導体回路１０１が、図１（ｃ）に
示すように、金属層１１１であってもよい。また、図１
（ｄ）に示すように、絶縁樹脂層１２の両面に接続用導
体１３が露出しているものでもよい。この接続用導体１
３の露出した部分が、接触抵抗の小さい金属１１２で覆
われていることが好ましく、このような金属としては、
金、白金、プラチナ、ニッケルなどとこれらの金属を１
種以上含む合金があり、２層以上の導体回路を接続する
にあたって、接続抵抗が小さく、接続信頼性が高い。

【００１６】また、絶縁樹脂層１２には、上記の樹脂の
うち、シリコーン変性ポリアミドイミドを用いることが
好ましい。このようなシリコーン変性ポリアミドイミド
は、シロキサン結合、イミド結合及びアミド結合を有す
る重合体であり、（１）シロキサン結合を有するジイミ
ドジカルボン酸を含むジイミドジカルボン酸（１−１）
とジイソシアネート化合物（１−２）を反応させる方
法、（２）シロキサン結合を有するジアミンを含むジア
ミン化合物（２−２）とトリカルボン酸クロライド（２
−３）を反応させる方法、（３）シロキサン結合を有す
るジイソシアネートを含むジイソシアネート化合物（３
−１）とトリカルボン酸無水物（３−２）を反応させる
方法、などにより製造することができる。上記（１）の
方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドに
ついて説明する。 （１−１）のシロキサン結合を有するジイミドジカルボ
ン酸を含むジイミドジカルボン酸には、次の化合物があ
る。シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸以外
のジイミドジカルボン酸のうちイミド基を連結する２価
の残基が芳香族ジイミドジカルボン酸の例として、

【００１７】

【化１】 また、シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸の
例として、１式においてＲ１が２価の脂肪族基（酸素を
含んでいてもよい）のものがある。２価の脂肪族基とし
ては、プロピレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレ
ン基、デカメチレン基、オクタデカメチレン基などのア
ルキレン基、アルキレン基の両端に酸素が結合した基な
どがある。

【００１８】

【化２】 上記の２価の有機基としては、プロピレン基などのアル
キレン基、フェニレン基、アルキル基置換フェニレン基
などがある。また、（１−２）ジイソシアネート化合物
には、次の化合物がある。芳香族ジイソシアネート化合
物として、

【００１９】

【化３】 また、Ｒ９としては、アルキレン基などの２価の脂肪族
基又はシクロアルキレン基などの２価の脂環式基がある
脂肪族ジイソシアネート化合物又は脂環式ジイソシアネ
ート化合物。

【００２０】〔製造法〕シロキサン結合を有するジイミ
ドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸
は、それぞれ、シロキサン結合を有するジアミン化合物
及びこれ以外のジアミンと無水トリメリット酸を反応さ
せて得ることができる。シロキサン結合を有するジイミ
ドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸
は、混合物として使用することが好ましい。シロキサン
結合を有するジアミン化合物及びこれ以外のジアミンの
混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られるジイ
ミドジカルボン酸混合物を使用することが特に好まし
い。シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジア
ミンとしては、芳香族ジアミンが好ましく、特に、芳香
族環を３個以上有するジアミンが好ましい。シロキサン
結合を有するジアミン化合物以外のジアミンのうち芳香
族ジアミンが５０〜１００モル％になるように使用する
ことが好ましい。また、（Ａ）シロキサン結合を有する
ジアミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジ
アミンは（Ａ）／（Ｂ）が９９．９／０．１〜０．１／
９９．９（モル比）となるように使用することが好まし
い。さらに（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合
物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンと無水
トリメリット酸は、（Ａ）＋（Ｂ）の合計１モルに対し
て無水トリメリット酸２．０５〜２．２０の割合で反応
させることが好ましい。ジイソシアネート化合物として
は、芳香族ジイソシアネート化合物が好ましく、ジイソ
シアネート化合物のうち芳香族ジイソシアネート化合物
を５０〜１００モル％使用することが好ましい。ジイミ
ドジカルボン酸全体とジイソシアネート化合物とは、前
者１モルに対して後者１．０５〜１．５０モルになるよ
うに反応させることが好ましい。ジアミン化合物と無水
トリメリット酸とは、非プロトン性極性溶媒の存在下
に、５０〜９０℃で反応させ、さらに水と共沸可能な芳
香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５
重量比で投入し、１２０〜１８０℃で反応を行い、イミ
ドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸を含
む混合物を製造し、これとジイソシアネート化合物との
反応を行うことが好ましい。ジイミドジカルボン酸を製
造した後、その溶液から芳香族炭化水素を除去すること
が好ましい。イミドジカルボン酸とジイソシアネート化
合物との反応温度は、低いと反応時間が長くなること
や、高すぎるとイソシアネート同士で反応するのでこれ
らを防止するため、１００〜２００℃で反応させること
が好ましい。

【００２１】〔例示〕芳香族ジアミンとしては、フェニ
レンジアミン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、ビス
（４−アミノフェニル）カルボニル、ビス（４−アミノ
フェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エー
テル等があり、特に、芳香族環を３個以上有するジアミ
ンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略す）、ビ
ス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等がある。脂肪
族ジアミンとしては、ヘキサメチレンジアミン、オクタ
メチレンジアミン、デカメチレンジアミン、オクタデカ
メチレンジアミン、末端アミノ化プロピレングリコール
等がある。また、脂環式ジアミンとしては、１，４−ジ
アミノシクロヘキサン等がある。シロキサンジアミンと
しては、一般式（４式）で表されるものが用いられる。

【００２２】

【化４】 このようなシロキサンジアミンとしては（５式）で示す
ものが挙げられ、これらの中でもジメチルシロキサン系
両末端アミンであるアミノ変性反応性シリコーンオイル
Ｘ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５０）、Ｘ−２２
−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−２２−１６１Ｂ
（アミン当量１５００）、以上信越化学工業株式会社製
商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０）、ＢＹ
１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）以上東レダウコ
ーニングシリコーン株式会社製商品名などが市販品とし
て挙げられる。

【００２３】

【化５】 芳香族ジイソシアネートとして具体的には、４，４’−
ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと略
す）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−ト
リレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソ
シアネート、２，４−トリレンダイマー等が例示でき
る。特にＭＤＩは、分子構造においてイソシアネート基
が離れており、ポリアミドイミドの分子中におけるアミ
ド基やイミド基の濃度が相対的に低くなり、溶解性が向
上するため好ましい。脂肪族又は脂環式ジイソシアネー
トとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホ
ロンジイソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシル
ジイソシアネート）等がある。非プロトン性極性溶媒と
して、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
４−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等
が例示できる。イミド化反応には、高温を要するため沸
点の高い、Ｎ−メチル−２−メチルピロリドン（以下Ｎ
ＭＰと略す）が、特に好ましい。これらの混合溶媒中に
含まれる水分量は、ＴＭＡが水和して生成するトリメリ
ット酸により、充分に反応が進行せず、ポリマの分子量
低下の原因になるため０．２重量％以下で管理されてい
ることが好ましい。また、本発明で使用する非プロトン
性極性溶媒は、特に制限されないが、芳香族環を３個以
上有するジアミンとシロキサンジアミン及び無水トリメ
リット酸を合わせた重量の割合が、多いと無水トリメリ
ット酸の溶解性が低下し充分な反応が行えなくなること
や、低いと工業的製造法として不利であることから、１
０重量％〜７０重量％の範囲になることが好ましい。水
と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベンゼン、キシレ
ン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が例
示でき、特に沸点が比較的低く、作業環境上有害性の少
ないトルエンが好ましく、使用量は、非プロトン性極性
溶媒の０．１〜０．５重量比（１０〜５０重量％）の範
囲が好ましい。次に、前記（２）の方法により得られる
シリコーン変性ポリアミドイミドについて説明する。 （２−２）シロキサン結合を有するジアミンを含むジア
ミン化合物として、前記した（５式）で示される化合物
がある。その他のジアミンは、前記したものが使用でき
る。 （２−３）トリカルボン酸クロライドとして、トリメリ
ット酸クロライド等がある。 製造法は、良く知られた酸クロライド法により製造する
ことができる。次に、前記（３）の方法により得られる
シリコーン変性ポリアミドイミドについて説明する。 （３−１）シロキサン結合を有するジイソシアネートを
含むジイソシアネート化合物として、前記（４式）で示
されるシロキサンジアミンに対応するジイソシアネート
化合物がある。その他のジイソシアネート化合物は、前
記したものを使用することができる。 （３−２）トリカルボン酸無水物として、無水トリメリ
ット酸等がある。製造法は、従来から良く知られたジア
ミン化合物とジイソシアネート化合物の反応により製造
することができる。

【００２４】このような接続基板を作製するには、例え
ば、図２（ａ）に示すように、少なくとも、接続導体と
なる第１の金属層２１と、その第１の金属層２１と除去
条件の異なる第２の金属層２２からなる複合金属層２３
の、第１の金属層２１を選択的に除去し、図２（ｂ）に
示すように、２層以上の導体回路１０１を接続する箇所
にのみ接続用導体１３を形成し、図２（ｃ）に示すよう
に、その接続用導体１３を埋めるように絶縁樹脂層１２
を形成し、図２（ｄ）に示すように、接続用導体１３が
露出するように絶縁樹脂層１２を研磨する。第１の金属
層２１の厚さは、接続用導体１３を形成するので、それ
よりも厚くしなければならず、その程度は、次の工程の
絶縁樹脂層１２の研磨工程で第１の金属層２１が研磨除
去される量に応じて決めなければならない。したがっ
て、第１の金属層２１の厚さは、５〜１００μｍの範囲
であることが好ましい。厚さが５μｍ未満であると、接
続しようとする導体回路の距離が小さくなり、絶縁性が
低下することがあり、厚さが１００μｍを超えると、金
属箔の不要な箇所をエッチング除去するときの加工精度
が低下し、好ましくない。より好ましくは、２０〜８０
μｍの範囲である。第２の金属層２２の厚さは、５〜１
００μｍの範囲であることが好ましく、厚さが５μｍ未
満であると機械的強度が低下し、第１の金属層２１を選
択的にエッチング除去したときに折れたり曲がりやすく
なり、１００μｍを超えても特に問題はないが、その後
に第２の金属層２２を全面に除去するときに、時間がか
かり経済的ではない。より好ましくは２０〜８０μｍの
範囲である。

【００２５】さらには、図１（ａ）に示す接続基板１１
を作製するには、接続用導体１３が露出するように絶縁
樹脂層１２を研磨した後に、第２の金属層２２を全て除
去すればよく、図１（ｂ）に示すような接続基板を作製
するには、その第２の金属層２２を選択的に除去し、導
体回路１０１を形成することができる。

【００２６】複合金属層が、第１の金属層２１と第２の
金属層２２とさらに第３の金属層２３からなるものであ
り、第２の金属層２２と第３の金属層２３の除去条件が
異なるものを用いることもできる。このようにする理由
としては、第１の金属層２１と第２の金属層２２のみで
複合金属層を構成するのが経済的でないからである。と
いうのも、第１の金属層２１には、経済的な理由から、
銅を用いるのが好ましく、その銅とエッチング除去条件
の異なる第２の金属層２２としては、ニッケルやその合
金を用いるのが好ましいが、ニッケルやその合金は銅に
比べて高価であり、銅である第１の金属層２１を選択的
にエッチング除去して接続導体１３を形成したときに、
その支えとなる第２の金属層２２は、機械的強度が高く
なければならず、従って厚い第２の金属層２２を必要と
するが、高価な金属を大量に使用しなければならず、経
済的でない。そこで、エッチング除去条件の異なる第２
の金属層２２を薄くして、機械的強度を高めるために第
３の金属層２３を用いるものである。このような複合金
属層は、第２の金属層２２は薄い方がよく、０．０５〜
５μｍの範囲であることが好ましい。０．０５μｍ未満
であると、ニッケルやその合金の層を形成するめっき膜
に析出欠陥があると薄いために十分にめっき膜で覆われ
ないので、いわゆるピット（めっき欠け）が発生し、第
１の金属層２１をエッチング除去するときに、第３の金
属層２３も浸食されたり、そのエッチング液が残り、接
続の信頼性が低下する恐れがある。５μｍを超えても工
程上では支障がないが、材料の費用が高くなり、経済的
でない。第３の金属層２３の厚さは、５〜１００μｍの
範囲であることが好ましく、厚さが５μｍ未満であると
機械的強度が低下し、第１の金属層２１を選択的にエッ
チング除去したときに折れたり曲がりやすくなり、１０
０μｍを超えても特に問題はないが、その後に第３の金
属層２３を全面に除去するときに、時間がかかり経済的
ではない。より好ましくは２０〜８０μｍの範囲であ
る。

【００２７】この３層の複合金属層を用いた場合、接着
用導体１３が露出するように絶縁樹脂層１２を研磨した
後に、第３の金属層２３を選択的に除去し、導体回路１
０２を形成することができる。また、接続用導体１３が
露出するように絶縁樹脂層１２を研磨した後に、第３の
金属層２３を全て除去することもできる。第３の金属層
２３を除去した後に、露出した第２の金属層２２を除去
することができ、導体回路１０２を形成した場合には、
導体回路１０２でない箇所の第２の金属層２２を除去で
き、第３の金属層２３を全て除去したときには、第２の
金属層２２も全て除去することができる。

【００２８】絶縁樹脂層１２から接続用導体１３が露出
した構造とするには、単に、絶縁樹脂層１２を研磨する
だけでもよく、研磨のときの樹脂層の研磨量と金属の研
磨量の違いで樹脂層が余計に研磨されることが多いの
で、簡便である。さらには、接続用導体１３が露出する
ように絶縁樹脂層１２を研磨した後に、露出した接続用
導体１３の表面に導体を追加形成することもでき、露出
部が大きくなるので、その上に導体回路１０１や１０２
を重ねたときに、接続用導体１３が導体回路１０１、１
０２に埋まり、接続が強固に行われるので好ましい。ま
た、接続用導体１３が露出するように絶縁樹脂層１２を
研磨した後に、露出した接続用導体１３の表面に、接触
抵抗の小さい金属皮膜１１２を形成すれば、接続抵抗を
小さくでき、より好ましい。

【００２９】本発明は、図３に示すように、上記に記載
の接続基板１１と、少なくともその一方の面に形成され
た接着絶縁層３０と、その接着絶縁層３Ｏの表面に設け
られた外層導体３１からなり、その外層導体３１が接続
用導体１３に接続された多層配線板を提供する。この接
着絶縁層３０は、接続基板１１の接続用導体１３の露出
した高さより薄くすることが好ましい。このときの接着
絶縁層３０には、前述の接続基板の絶縁基板と同じ樹脂
を用いることもできるが、シリコーン変性ポリアミドイ
ミドを用いることもできる。その厚さは、５〜１００μ
ｍの範囲であることが好ましく、５μｍ未満では、絶縁
樹脂を接着強度ガ低下しない程度に均一な厚さに形成す
るのが困難となり、１００μｍを超えると、接続用導体
１３の露出部の形成が困難になる。より好ましくは、２
０〜７０μｍの範囲である。

【００３０】このような方法を用いて、外層導体３１を
回路の形状に加工すれば、多層配線板を製造することも
できる。さらには、外層導体３１に代えて、両面に回路
を有する基板や、その内部に内層回路を有する多層基板
を用いることができる。

【００３１】前述の接続基板を用いて、半導体パッケー
ジ用基板とすることができ、また、前述の多層配線板を
用いて、半導体パッケージ用基板とすることができる。
さらには、半導体チップを搭載する箇所にキャビティを
有するものであってもよい。

【００３２】このような半導体パッケージは、前述の方
法を用いて製造することができ、さらに、加熱・加圧し
て積層一体化する工程の後に、半導体チップを搭載する
箇所にキャビティを形成する工程を設けてもよい。

【００３３】前述の接続基板、多層配線板、及び半導体
パッケージ用基板を用いて、半導体パッケージとするこ
とができ、このような半導体パッケージは、前述の方法
を用いて製造することができ、半導体チップを搭載する
工程を設けてもよく、また、半導体チップと外層回路と
を接続する工程を設けてもよい。さらには、半導体チッ
プを樹脂で封止する工程を設けてもよい。

【００３４】実施例１ 図４（ａ）に示すように、厚さ１．０ｍｍの銅張り積層
板であるＭＣＬ−Ｅ６７９（日立化成工業株式会社製、
商品名）の銅箔を全てエッチング除去した支持基板４０
を準備した。基板サイズは後に貼り合わせるバンプ内蔵
基板と同じ寸法とし２５０ｍｍ×２５０ｍｍとした。た
だし、板厚０．８ｍｍとした。次に、図４（ｂ）に示す
ように、この支持基板４０の片面に、厚さ２５μｍのド
ライフィルム状のレジストフィルムである４０１Ｙ２５
（日本合成化学工業株式会社製、商品名）を用い、ロー
ル温度１１０℃、ロール速度０．６ｍ／ｍｉｎの条件で
ラミネートし、この後、支持基板の周囲から幅にして１
０ｍｍ離れた内部領域を、５０ｍＪ／ｃｍ² で露光し
た。この後、レジストフィルムの保護皮膜であるキャリ
アフィルムを剥離して、粘着性の樹脂層４１を露出させ
た。次に、図４（ｃ）に示すように、このレジスト層の
上に、研磨加工対象となるバンプ内蔵基板４４を研磨面
を外側にして設置し、ロール温度１１０℃、ロール速度
０．６ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。このバンプ
内蔵基板４４は、以下のようにして作製した。図５
（ａ）に示すように、第１の金属層５１が厚さ６５μｍ
の銅であり、第２の金属層５２が厚さ０．２μｍのニッ
ケルであり、第３の金属層５３が厚さ３５μｍの銅から
なる複合金属層５を準備し、図５（ｂ）に示すように、
第１の金属層５１の表面に、接続用導体１３の形状にエ
ッチングレジスト５４を形成し、図５（ｃ）に示すよう
に、ニッケルを浸食しないエッチング液であるアルカリ
エッチングＡプロセス液（メルストリップ社製、商品
名）をスプレー噴霧して、第１の金属層５１を選択的に
エッチング除去して、接続用導体１３を形成した。この
時のエッチングレジスト５４には、レジスト４０１Ｙ２
５（日本合成化学工業株式会社製、商品名）を用い、複
合金属箔５に、ロール温度１１０℃、ロール速度は０．
６ｍ／ｍｉｎの条件でレジストをラミネートし、積算露
光量約８０ｍＪ／ｃｍ²の露光条件で焼き付け、炭酸ナ
トリウム溶液で現像し、レジストの密着を確実なものと
するために２００ｍＪ／ｃｍ² で後露光した。第１の
金属層５１を選択的にエッチング除去して接続用導体１
３を形成した後、水酸化ナトリウム溶液でエッチングレ
ジスト５４を剥離・除去した。次に、図５（ｄ）に示す
ように、このようにして作製した接続用導体１３付き複
合金属箔の、接続用導体１３の側に、絶縁樹脂層１２と
して、加圧成形後の厚さが４５μｍとなる、ガラス不織
布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグであるＥ６７
９−Ｐ（日立化成工業株式会社製、商品名）を重ね、さ
らにその絶縁樹脂層１２の表面を平滑にするために、厚
さ１８μｍの銅箔５５を、その粗化されていない側の面
が絶縁樹脂層１２に接するように重ね、１８５℃の温度
と、４ＭＰａの圧力を、４０分間加えて、加熱・加圧し
て積層一体化し、厚さ１８μｍの銅箔５５を手で剥離し
た。このように、作製したバンプ内蔵基板４４を図４
（ｃ）に示すように、支持基板４０と粘着性を有する樹
脂層４１に貼り合わせたものを得た。その後に、図５
（ｅ）に示すように、絶縁樹脂層１２を、水溶性オリー
ブオイル及びエチレングリコールを主成分とし、径が３
〜６μｍのダイアモンド粒子を混合した砥粒液で、研磨
して、接続用導体１３を露出させた。この後、図５
（ｆ）に示すように、第３の金属層５３を、第１の金属
層５１と同じエッチング液で全面にエッチング除去し、
さらに、ニッケルのエッチング液であるメルストリップ
Ｎ９５０（メルテックス社製、商品名）を用いて、第２
の金属層５２をエッチング除去し、接続用導体１３が露
出した接続基板１１を作製した。研磨工程では、素材が
金属で表面が鏡面仕上げされた取付け治具の平滑面側に
上記の研磨対象物を重ね、ホットプレートの上で接着し
た。接着条件は、ホットプレートの加熱温度を１５０℃
に設定し、取付け治具面が７５℃に保たれた状態で、こ
の上に、パラフィンと蝋材を混合して７０℃で溶融する
ように調合した接着材を塗布し、接着材を溶融させ、こ
の接着材をテフロン（登録商標）性のヘラで引き伸ば
し、全体的に、厚さを均一にした。この上に、支持基板
４０が接するように重ね、金属ローラでしごいた後、ホ
ットプレートから取付け治具をおろして、室温中で自然
冷却した。素材が金属で表面が鏡面仕上げされたラップ
用治具の平滑な上面の上に、水溶性オリーブオイルとエ
チレングリコールを主成分とし、平均粒径６μｍのダイ
ヤモンド粒子が混合された砥粒液を滴下して、ラップ用
治具を回転させ、砥粒液を回転中心部から滴下し続け、
表面が均一に濡れていることを確認した。この上に、支
持基板４０が取付けられた取付け治具を、絶縁樹脂層１
２がラップ用治具に接するように設置し、３０分研磨し
た後に、取付け治具を再び、ホットプレートの上におい
て、１５０℃に加熱し、接着材を溶融させ、支持基板４
０を分離し、支持基板４０の表面に付着している接着材
を洗浄・除去した。さらに、支持基板４０とバンプ内蔵
基板４４とを粘着性を有する樹脂層４１で貼り合わせた
ものを支持基板の周囲から１０ｍｍを切り落とした。こ
の後、支持基板４０に形成された粘着性を有する樹脂層
４１の界面から、バンプ内蔵基板４４とを容易に引き剥
がし分離することができた。この実施例では、バンプ内
蔵基板４４を極めて平滑に仮固定でき、ラップ加工によ
る研磨加工は、３０分で、接続用導体１３を１００％露
出させることができた。また、バンプ内蔵基板４４の第
３の金属層５３は、汚染もなく、後工程で支障はなかっ
た。

【００３５】実施例２ 図６（ａ）に示すように、厚さ１．０ｍｍの銅張り積層
板であるＭＣＬ−Ｅ６７９（日立化成工業株式会社製、
商品名）の銅箔を全てエッチング除去して支持基板４０
として準備した。基板サイズは後に貼り合わせるバンプ
内蔵基板と同じ寸法とし２５０ｍｍ×２５０ｍｍとし
た。ただし、板厚０．８ｍｍとした。この支持基板４０
の両面に、厚さ２５μｍのドライフィルム状のレジスト
フィルムである４０１Ｙ２５（日本合成化学工業株式会
社製、商品名）を用い、ロール温度１１０℃、ロール速
度０．６ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートし、この後、支
持基板の周囲から幅にして１０ｍｍ離れた内部領域を、
５０ｍＪ／ｃｍ² で露光した。この後、レジストフィ
ルムの保護皮膜であるキャリアフィルムを剥離して、粘
着性の樹脂層４１を露出させた。次に、図６（ｂ）に示
すように、このレジスト層の上に、研磨加工対象とした
バンプ内蔵基板４４を、研磨面を外側にして設置し、ロ
ール温度１１０℃、ロール速度０．６ｍ／ｍｉｎの条件
でラミネートした。次に、図６（ｃ）に示すように、支
持基板４０の両面に粘着性を有する樹脂層４１を介し
て、両面に貼り合わせた２枚のバンプ内蔵基板４４を、
２つの回転する研磨ロールの間を通し、荷重３００Ｎ／
ｍ、回転速度６０ｒｐｍの条件で、研磨した。さらに、
この支持基板４０の両面にバンプ内蔵基板４４が粘着性
を有する樹脂層４１で貼り合わされたものを、周囲から
１０ｍｍを切り落とした。この後、支持基板４０に形成
された粘着性を有する樹脂層４１の界面から、バンプ内
蔵基板４４とを容易に引き剥がし分離することができ
た。この実施例では、１０分で、接続用導体１３を１０
０％露出させることができた。バンプ内蔵基板の銅金属
層は、汚染もなく、後工程で支障はなかった。両面加工
であること、溶融接着材を使用しないことから、実施例
１に比べても、飛躍的に生産性を向上させることができ
た。

【００３６】比較例１ 図７（ａ）に示すように、実施例１で作製したバンプ内
蔵基板４４を準備した。このバンプ内蔵基板４４を、図
７（ｂ）に示すように、実施例１で用いたラップ加工を
行うために、素材が金属で表面が鏡面仕上げされた取付
け治具７１の平滑面側に重ね、ホットプレートの上で接
着した。接着条件は、ホットプレートの加熱温度を１５
０℃に設定し、取付け治具面が７５℃に保たれた状態
で、この上に、パラフィンと蝋材を混合して７０℃で溶
解するように調合した接着材７２を塗布し、接着材７２
を溶融させ、この接着材７２をテフロン性のヘラで引き
伸ばし、全体的に、厚さを均一にした。この上に、バン
プ内蔵基板４４が接するように重ね、金属ローラでしご
いだ後、ホットプレートから取付け治具７１をおろし
て、室温中で自然冷却した。この後、実施例１と同じ条
件で、図７（ｃ）に示すように、ラップ用治具７３、砥
粒液７４を用いて、ラップ加工による研磨を行った。こ
の比較例では、バンプ内蔵基板４４を接着する際、下地
の溶融した接着材７２の膜厚ばらつきに追従してしま
い、その表面がうねり、平滑な面でないため、場所によ
り研磨できず、接続用導体１３を露出させることができ
ない箇所があった。特に、基板サイズを大きくすると、
この現像が顕著であった。また、この工程では、第３の
金属層５３の表面に付着した残留接着材が、後工程で支
障のない程度まで洗浄する必要があり、工程の増大を惹
起することも分かった。

【００３７】実施例３ 実施例１で得た接続基板１１の露出させた接続用導体１
３の表面に、無電解銅めっき液であるＬ−５９めっき液
（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いて、図８
（ｂ）に示すように、厚さ５μｍの接続用導体１３を追
加形成した。

【００３８】実施例４ 実施例１で得た接続基板１１の露出させた接続用導体１
３の表面に、図８（ｃ）に示すように、接触抵抗の小さ
い金属皮膜１１２として、厚さ５μｍのニッケル下地め
っきと、厚さ０．３μｍの金めっきを形成した。

【００３９】実施例５ 実施例１で作製した接続基板１１の露出した接続用導体
１３の両面に、接着絶縁層３０として、厚さ１０μｍの
エポキシ系接着剤８１と、厚さ１８μｍの銅箔を重ね、
１８０℃の温度と、２ＭＰａの圧力を加えて、加熱・加
圧して積層一体化し、銅箔の不要な箇所を、選択的にエ
ッチング除去して外層回路８２を形成し、図８（ｄ）に
示すように、配線板を作製した。

【００４０】実施例６ 実施例１で作製した接続基板１１の露出した接続用導体
１３の表面に、実施例５と同じエポキシ系接着剤８１
と、回路銅箔８３を有する外層基板８４を重ね、１８０
℃の温度と、４．５ＭＰａの圧力を加えて、加熱・加圧
して積層一体化して、図８（ｅ）に示すように、多層配
線板を作製した。このときの外層基板８４は、厚さ０．
１ｍｍのガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレ
グの両面に厚さ１８μｍの銅箔を重ねて、加熱・加圧し
て積層一体化した両面銅張り積層板に、穴をあけ、薄く
無電解銅めっきし、厚さ２５μｍに電解銅めっきした後
に、不要な銅部分を、レジストを形成して、選択的にエ
ッチング除去した両面回路板を用いた。

【００４１】実施例７ 図８（ａ）に示すように、実施例１で作製した接続基板
１１の露出した接続用導体１３の一方の面に、めっきレ
ジスト８５を形成して無電解めっきで回路導体８３を形
成し、他方の面には、実施例５と同じエポキシ系接着剤
８１と、外層基板８６を重ね、１８０℃の温度と、４．
５ＭＰａの圧力を加えて、加熱・加圧して積層一体化
し、外層基板８６の外層回路８７と接続し、図８（ｆ）
に示すように、多層配線板を作製した。このときの外層
基板８６は、厚さ０．１ｍｍのガラス布にエポキシ樹脂
を含浸させたプリプレグの両面に厚さ１８μｍの銅箔を
重ねて、加熱・加圧して積層一体化した両面銅張り積層
板の、バイアホールを形成する箇所の銅箔のみをエッチ
ング除去して開口部を形成し、その開口部に、レーザ加
工機を用いて、照射エネルギー１００ｍＪ／ｃｍ² 、
パルス幅５０μｓｅｃ、ショット数５ショット／ｓｅｃ
の条件で穴あけを行い、過マンガン酸溶液でスミア処理
し、無電解めっきで厚さ２０μｍのめっきを行って、両
面の銅箔を接続し、その銅箔の不要な箇所を選択的にエ
ッチング除去して、外層回路８７を形成した。

【００４２】実施例８ 実施例７で作製した多層配線板に、半導体チップを搭載
し、ワイヤボンディングで外層回路と半導体チップを接
続し、エポキシ樹脂で半導体チップと、ワイヤボンディ
ングした箇所とを封止し、半導体パッケージとした。

【００４３】実施例９ 実施例７の片面に回路を形成した後に、半導体チップを
搭載する箇所に、ルータで開口部を形成し、キャビティ
とし、外層回路を形成した後に、そのキャビティ部分に
半導体チップを貼り付け、ワイヤボンディングで外層回
路と半導体チップを接続し、エポキシ樹脂で半導体チッ
プと、ワイヤボンディングした箇所とを封止し、半導体
パッケージとした。

【００４４】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、研磨が均一に行え、かつ効率的な薄板状物品の加工
方法と、その方法を用いて、精度に優れ、強度に優れ、
接続信頼性に優れ、かつ必要な箇所のみの接続の行える
接続基板とその接続基板を用いた多層配線板と半導体パ
ッケージ用基板と半導体パッケージ並びに効率よくこれ
らを製造する方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の接続基板
の形態を説明するための断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の接続基板
の製造方法を説明するための各工程における断面図であ
る。

【図３】本発明の接続基板の製造方法を説明するための
断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例に用いた
仮固定方法の製造工程を説明するための各工程における
断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に用いた
バンプ内蔵基板と接続基板を製造するための断面図であ
る。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のバンプ内蔵基板の
仮固定方法及び研磨工程を示す断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、比較例１を説明する断面図
である。

【図８】（ａ）〜（ｆ）は、各種接続用基板とそれを用
いた多層板の製造法を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１１．接続基板 １２．絶
縁樹脂層 １３．接続用導体 １０１．
導体回路 １０２．導体回路 １１１．
金属層 １１２．接触抵抗の小さい金属皮膜 ２１．第
１の金属層 ２２．第２の金属層 ２３．第
３の金属層 ３０．接着絶縁層 ３１．外
層導体 ４０．支持基板 ４１．粘
着性を有する樹脂層 ４４．バンプ内蔵基板 ５．複合
金属層 ５１．第１の金属層 ５２．第
２の金属層 ５３．第３の金属層 ５４．エ
ッチングレジスト ５５．銅箔 ６６．研
磨ロール ７１．取付け治具 ７２．接
着材 ７３．ラップ用治具 ７４．砥
粒液 ８１．エポキシ系接着剤 ８２．外
層回路 ８３．回路導体 ８４．外
層基板 ８５．めっきレジスト ８６．外
層基板 ８７．外層回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ Ｘ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館事業所内 Ｆターム(参考） 4F100 AB01C AR00A AR00B AR00C BA03 BA07 BA10A BA10C EJ262 GB41 JB14B JK01 JK01A JK06 JK06B JL13B JM02C 5E346 AA02 AA04 AA12 AA15 AA29 AA32 AA43 CC09 CC10 CC12 CC13 CC32 CC37 CC38 CC55 DD32 EE12 EE13 EE18 FF01 FF27 GG01 GG15 GG28 HH07 HH11 (54)【発明の名称】 薄板状物品の加工方法とその加工方法を用いた接続基板の製造方法と接続基板と多層配線板の製 造方法と多層配線板と半導体パッケージ用基板の製造方法と半導体パッケージ用基板と半導体パ ッケージの製造方法と半導体パッケージ

Claims (40)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】剛性の高い支持基板または薄板状物品の表
   面のいずれかに、粘着性を有する樹脂層を形成し、その
   樹脂層を介して、剛性の高い支持基板と薄板状物品を貼
   り合わせて加工を行う薄板状物品の加工方法。
2. 【請求項２】加工が、研磨である請求項１に記載の薄板
   状物品の加工方法。
3. 【請求項３】研磨を、ロール状研磨機で行う請求項２に
   記載の薄板状物品の加工方法。
4. 【請求項４】貼り合わせを、加熱しながら行う請求項１
   〜３のうちいずれかに記載の薄板状物品の加工方法。
5. 【請求項５】接着性を有する樹脂層に、感光性ドライフ
   ィルム状の樹脂層を用い、剛性の高い支持基板と薄板状
   物品を貼り合わせる前に、所定の範囲を露光して粘着力
   を調整する請求項１〜４のうちいずれかに記載の薄板状
   物品の加工方法。
6. 【請求項６】剛性の高い支持基板と薄板状物品を機械的
   に剥離する請求項１〜５のうちいずれかに記載の薄板状
   物品の加工方法。
7. 【請求項７】粘着力を露光により調整する範囲を、貼り
   合わせ領域の周囲部分から内側領域に設け、研磨後に粘
   着力を調整していない周囲部分領域を切り落として、そ
   の後、薄板状物品と剛性の高い支持基板を機械的に分離
   する請求項１〜６のうちいずれかに記載の薄板状物品の
   加工方法。
8. 【請求項８】少なくとも、接続導体となる第１の金属層
   と、その第１の金属層と除去条件の異なる第２の金属層
   からなる複合金属層の、第１の金属層を選択的に除去
   し、２層以上の導体回路の接続する箇所にのみ接続用導
   体を形成し、その接続用導体を埋めるように絶縁樹脂層
   を形成した薄板状物品と、剛性の高い支持基板のいずれ
   かの表面に、粘着性を有する樹脂層を形成し、その樹脂
   表面の所定領域の粘着力を変化させた後、薄板状物品と
   剛性の高い支持基板を貼り合わせ、接続用導体が露出す
   るように絶縁樹脂層を研磨する工程を有する接続基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層を
   研磨した後に、第２の金属層を選択的に除去し、導体回
   路を形成する工程を有する請求項８に記載の接続基板の
   製造方法。
10. 【請求項１０】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、第２の金属層を全て除去する工程を有
    する請求項８に記載の接続基板の製造方法。
11. 【請求項１１】複合金属層が、第１の金属層と第２の金
    属層とさらに第３の金属層からなるものであり、第２の
    金属層と第３の金属層の除去条件が異なるものを用いる
    請求項８に記載の接続基板の製造方法。
12. 【請求項１２】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、第３の金属層を選択的に除去し、導体
    回路を形成する工程を有する請求項１１に記載の接続基
    板の製造方法。
13. 【請求項１３】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、第３の金属層を全て除去する工程を有
    する請求項１１に記載の接続基板の製造方法。
14. 【請求項１４】第３の金属層を除去した後に、露出した
    第２の金属層を除去する請求項１２または１３に記載の
    接続基板の製造方法。
15. 【請求項１５】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、露出した接続用導体の表面に導体を追
    加形成する工程を有する請求項８〜１４のうちいずれか
    に記載した接続基板の製造方法。
16. 【請求項１６】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接触抵
    抗の小さい金属皮膜を形成する工程を有する請求項８〜
    １５のうちいずれかに記載の接続基板の製造方法。
17. 【請求項１７】請求項８〜１６のうちいずれかの方法に
    よって製造され、２層以上の導体回路を接続する基板で
    あって、絶縁樹脂層と接続用導体からなり、その接続用
    導体が、２層以上の導体回路の接続する箇所にのみ絶縁
    樹脂層を厚さ方向に貫くように形成され、絶縁樹脂層の
    少なくとも一方の面から露出している接続基板。
18. 【請求項１８】絶縁樹脂層の一方の面に導体回路を有す
    る請求項１７に記載の接続基板。
19. 【請求項１９】導体回路が金属層である請求項１８に記
    載の接続基板。
20. 【請求項２０】絶縁樹脂層の両面に接続用導体が露出し
    ている請求項１７に記載の接続基板。
21. 【請求項２１】接続用導体の露出した部分が、接触抵抗
    の小さい金属で覆われている請求項１７〜２０のうちい
    ずれかに記載の接続基板。
22. 【請求項２２】絶縁樹脂層が、シリコーン変性ポリアミ
    ドイミドである請求項１７〜２１のうちいずれかに記載
    の接続基板。
23. 【請求項２３】請求項１７〜２２のうちいずれかに記載
    の接続基板と、少なくともその一方の面に形成された接
    着絶縁層と、その接着絶縁層の表面に設けられた外層導
    体からなり、その外層導体が接続用導体に接続された多
    層配線板。
24. 【請求項２４】接着絶縁層が、シリコーン変性ポリアミ
    ドイミドである請求項２３に記載の多層配線板。
25. 【請求項２５】請求項８〜１６のうちいずれかに記載の
    方法を用いて作成した接続基板に、少なくともその一方
    の面に形成された接着絶縁層を形成し、その接着絶縁層
    の表面に外層導体を形成し、かつその外層導体を接続用
    導体に接続する工程を有する多層配線板の製造方法。
26. 【請求項２６】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶
    縁層と金属箔を重ね、加熱・加圧にして積層一体化する
    工程を有する請求項２５に記載の多層配線板の製造方
    法。
27. 【請求項２７】接続用導体が露出するように絶縁樹脂層
    を研磨した後に、露出した接続用導体の表面に、接着絶
    縁層と回路導体を有する外層基板を重ね、加熱・加圧に
    して積層一体化する工程を有する請求項２５または２６
    に記載の多層配線板の製造方法。
28. 【請求項２８】外層基板に、絶縁層の一方の面に導体回
    路を有し、他方の面に金属箔を有する基板を用いる請求
    項２７に記載の多層配線板の製造方法。
29. 【請求項２９】外層基板に、絶縁層の両面に導体回路を
    有する基板を用いる請求項２７に記載の多層配線板の製
    造方法。
30. 【請求項３０】外層基板に、両面の導体を接続するバイ
    アホールを有する基板を用いる請求項２７〜２９のうち
    いずれかに記載の多層配線板の製造方法。
31. 【請求項３１】外層基板に、基板の内部に内層回路を有
    する基板を用いる請求項２９に記載の多層配線板の製造
    方法。
32. 【請求項３２】接着絶縁層に、シリコーン変性ポリアミ
    ドイミドを用いる請求項２５〜３１のうちいずれかに記
    載の多層配線板の製造方法。
33. 【請求項３３】加熱・加圧して積層一体化する工程の後
    に、外層回路を形成する工程を有する請求項２５〜３２
    のうちいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
34. 【請求項３４】請求項８〜１６のうちいずれかに記載の
    接続基板を用い、半導体チップを搭載する箇所にキャビ
    ティを有する半導体パッケージ用基板。
35. 【請求項３５】請求項２３または２４に記載の多層配線
    板を用い、半導体チップを搭載する箇所にキャビティを
    有する半導体パッケージ用基板。
36. 【請求項３６】請求項８〜１６のうちいずれかの方法で
    製造した接続基板及び／又は請求項２５〜３３のうちい
    ずれかに記載の方法で製造した多層配線板を用い、半導
    体チップを搭載する箇所にキャビティを形成する工程を
    有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
37. 【請求項３７】請求項１７〜２２のうちいずれかに記載
    の接続基板、請求項２３〜２４のうちいずれかに記載の
    多層配線板、及び／又は請求項３４〜３５のうちいずれ
    かに記載の半導体パッケージ用基板を用い、半導体チッ
    プを搭載した半導体パッケージ。
38. 【請求項３８】請求項８〜１６、請求項２５〜３３、請
    求項３６に記載の方法を用い、半導体チップを搭載する
    工程を有する半導体パッケージの製造方法。
39. 【請求項３９】半導体チップと外層回路とを接続する工
    程を有する請求項３６に記載の半導体パッケージの製造
    方法。
40. 【請求項４０】半導体チップを樹脂で封止する工程を有
    する請求項３５または３６に記載の半導体パッケージの
    製造方法。