JPH0722143B2 - 平坦なウエーハを研磨する方法及びその装置 - Google Patents

平坦なウエーハを研磨する方法及びその装置

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JPH0722143B2
JPH0722143B2 JP3196605A JP19660591A JPH0722143B2 JP H0722143 B2 JPH0722143 B2 JP H0722143B2 JP 3196605 A JP3196605 A JP 3196605A JP 19660591 A JP19660591 A JP 19660591A JP H0722143 B2 JPH0722143 B2 JP H0722143B2
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polishing
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polishing platen
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造方法、
特に、半導体ウェーハを物理的に平面化し（planarizat
ion）かつ終点（endpoint）を検出するための新規な方
法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）の製造において、半導
体材料から成る薄くかつ平坦なウェーハのような部品の
側面を研磨することが必要であることが多い。一般に、
半導体ウェーハは研磨して、局部、結晶格子傷、掻き
傷、粗さ又は塵埃の付着粒子のような表面の欠陥を除去
することが出来る。この研磨工程は、物理的平面化と称
されることが多く、半導体素子の品質及び信頼性を向上
させるために利用される。この工程は通常、ウェーハ上
に各種の素子及び集積回路を形成する間に行われる。
【０００３】一般に、物理的な平面化方法は制御された
圧力又は温度状態下にて半導体材料の薄くかつ平坦なウ
ェーハを湿潤な研磨面に対して保持し又は回転させる段
階を含んでいる。アルミナ又はシリカ溶液のような研磨
スラリーが研磨剤として利用される。典型的に回転する
研磨ヘッドを利用して、制御した圧力下にてウェーハを
回転する研磨プラテンに対して保持する。かかる研磨プ
ラテンは、典型的に、吹込み成形ポリウレタンのような
比較的柔らかい湿潤な材料で覆われている。
【０００４】薄くかつ平坦な半導体ウェーハを研磨する
ためのかかる装置は、当該技術分野で周知である。例え
ば、ギル・ジュニア（Gill, Jr.）への米国特許第4,19
3,226号及び第4,811,522号、及びウォルシュ（Walsh）
への米国特許第3,841,031号はかかる装置を開示してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる研磨装置の利用
に伴う特別な問題は、部品が所望の平坦さ又は相対的厚
さに研磨されたことを判断することである。過去、これ
は、典型的に、平面化工程の回転速度、下向き圧力及び
研磨時間を制御することによって行われていた。しか
し、最終段階として、部品は典型的に研磨装置から物理
的に除去し、当該技術分野で公知の方法によって物理的
に測定し、研磨した部品の寸法上及び平面に関する特性
を確認しなければならない。部品が仕様に適合しない場
合、該部品は研磨装置に戻し、２度目の平面化工程を行
われなければならない。これとは別に、部品を過度に研
磨して、余分な材料を除去し、その部品が標準に適合し
ないものとなる場合もある。
【０００６】更に、半導体ウェーハは、回転する半導体
ウェーハの外周部分と内側部分との間の相対的速度差に
起因して空間的に不均一な平面状態となる可能性もあ
る。例えば、半導体ウェーハの外周部分の動きが速けれ
ば速い程、内側部分が相対的に遅く動く場合よりも材料
は相対的に速い速度にて除去される。従来、この問題点
は概ね凸型形状の研磨ヘッドを使用し、半導体ディスク
の内側部分により大きい力が付与される一方、外周部分
に沿ってより小さい力が付与されるようにすることによ
って解決しようとしていた。
【０００７】半導体ウェーハが研磨面に対して下向きに
保持され、半導体ディスクを除去しなかった場合、研磨
工程を監視するための手段が存在しないため、これら平
面化上の問題点は一層複雑になる。
【０００８】一般に、半導体ウェーハを物理的に平面化
する工程において、平面化工程の実行中、平面にしたウ
ェーハの終点を検出し又は監視し得ることが必要であ
る。本発明は、平面化工程中に実行可能である、半導体
ウェーハの終点を検出するための新規な方法及び装置に
関するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれぱ、請求項
１に示す如く、平坦なウェーハを研磨する方法にして、
ａ．研磨プラテンの外周端縁を横断しかつ該外周端縁の
上方を動き得るように取り付けられた回転可能な研磨ヘ
ッド（２６）内にウェーハ（１０）を保持する段階と、
ｂ．研磨スラリー（２４）内のウェーハの一面を研磨プ
ラテン（２２）を横断して回転させる段階と、ｃ．ウェ
ーハの一部分を研磨プラテン（２２）の 外周端縁を横断
してオーバーハングさせ、ウェーハの一面を露出させる
段階と、ｄ．レーザ干渉測定装置（２８）を備える終点
検出手段（２８）を使用してウェーハのオーバハングし
た露出面の終点を検出する段階であって、該レーザ干渉
測定装置（２８）は、ウェーハ上のダイ（１６）上に取
り付けられたウェーハの酸化物被覆（１４）の厚さも検
出し得るものである前記段階と、ｅ．ウェーハ上に液柱
（５２）を案内してウェーハを清浄にすると共に、レー
ザ（４８）に対する基準媒体を提供してウェーハの前記
酸化物被覆（１４）の厚さを検出する段階とを備えるこ
とを特徴とする。従って、上記本発明によれば、次に示
す効果がある。
【００１０】 ウェーハの特に酸化物１４が研磨用ス
ラリー２４の介在のもとに研磨プラテン２２に押し付け
られて研磨される間に、ウェーハが研磨プラテンから外
れた位置で上記液柱からの液がウェーハの研磨された酸
化物厚さ測定部分に供給されるため、該液により、酸化
物表面に付着したスラリーは洗い流されると共に、レー
ザ光は清浄かつ一様な基準媒体液内を外乱の影響なく安
定的に透過し得る。従って、レーザによる酸化物の厚さ
測定を安定にかつ正確に行え、作業精度を向上し得ると
共に、良好な製品を得ることができる。
【００１１】次に、本願の他の発明は請求項３に記載し
た如く、ｄ．水柱導管（５２）内に収容されかつウェー
ハ表面上のダイ（１６）に向かって方向決めされた検出
レーザビーム導管（４８）有するレーザ検出手段（２
８）を利用して、ウェーハの酸化物被覆（１４）の厚さ
を検出する段階を備えているため、上記の効果以外に
次の効果を有する。
【００１２】 水柱導管内にレーザビーム導管を収容
しているため構成がコンパクトであると共に、基準媒体
としての液体として水を使用しているので簡便かつ安価
である。
【００１３】次に、本願の他の発明は請求項１０に記載
した如く、ｄ．液柱導管（５２）内 に収容されたレーザ
ビーム導管（４８）を有し、ウェーハの露出面の終点を
検出するレーザ干渉手段（２８）を含む終点検出手段
（２８）を備える装置に係るため、上記及びと同様
の効果を有する。
【００１４】次に、本願の他の発明は請求項１６に記載
した如く、特にｃ．ウェーハ表面のダイ（１６）に向か
って方向決めされたレーザ光ビーム導管（４８）を有す
るレーザ干渉測定装置（２８）と、制御装置（５４）
と、光戻り導管（５０）と、レーザ光ビーム導管の周囲
にあり、ウェーハ表面に向かって液体を方向決めして表
面を清浄にすると共に、レーザ光ビームに対する基準媒
体を提供する液体導管（５２）とを含む終点検出手段
（２８）を備える前記装置に係るため、上記及び以
外に次の効果を有する。
【００１５】 レーザ光ビーム導管及びその光の戻り
導管、更に液体導管をまとめて配設しているので、全体
構成を一層コンパクトに構成できる。
【００１６】レーザ検出手段はアンパターンドダイ（un
patterned die)（このアンパターンドダイとは、ウェー
ハの多数個のチップ区画のうちの所定個数の区画（本願
に添付の図１中の符号１６の個所を参照）に夫々予じめ
ウェーハ基板中に例えばタングステン膜のダイを形成し
たものであり、これはウェーハ表面に酸化物を付着形成
したとき上記ダイに対応する区画は酸化物の厚さ測定に
使用するべくチップ回路用のパターンを形成しないので
このように呼んだのであるが、以下単にダイと呼ぶ）の
ようなウェーハ上のマーカと同期化させてパルスを発生
させることが望ましい。一例として、ダイはケイ素化合
物被覆を有する金属薄膜を備えることが出来る。レーザ
はダイに向かって方向決めし、該点におけるケイ素化合
物の厚さを検出することが出来る。ウェーハディスク上
のその他の位置におけるその他の基準点を利用して、ウ
ェーハ全体の平均厚さを求めることが出来る。
【００１７】本発明のレーザ検出手段は、液柱内に保持
し、測定箇所にてウェーハから研磨スラリー等を除去し
て清浄にし、レーザビームに対する均一な液状基準媒介
を提供し得ることが望ましい。
【００１８】本発明のその他の目的、利点及び機能は以
下の説明から一層よく明らかになるであろう。
【００１９】
【実施例】先ず図１を参照すると、本発明による物理的
な平面化に適した半導体ウェーハ１０及び本発明の研磨
装置が図示されている。半導体ウェーハ１０は、薄くか
つ平坦であり略円形の形状をしており、微細な局部を備
えて形成されている。半導体ウェーハは、その上に複数
の個々の集積回路金型が形成されるシリコン又は酸化シ
リコンのような基板を含むことが出来る。これら個々の
金型は図１に十字形パターンにて略図で示されている。
【００２０】集積回路を形成するためには、金属薄膜接
点及び抵抗及び誘電性薄膜のような各種の薄膜をウェー
ハ基板上に付着させることが必要とされる。ウェーハ１
０の製造中、ウェーハ表面を物理的に平面化し、例えば
これら膜を画成するための平面化させた局部を提供する
ことが必要である。この平面化工程は多層成形及び金属
被覆処理に対する障壁を最小にする。更に、平面化工程
はウェーハ表面を平滑かつ平坦にし、さらには清浄にす
る。
【００２１】図５に断面図で示すように、ウェーハ１０
は、ある領域にてその上に二酸化ケイ素（SiO2）１４の
層（以下に酸化物と称する）が形成されるシリコン基板
１２を備えることが出来る。一般に、ウェーハ１０を物
理的に平面化することはウェーハ１０の酸化物層１４を
平面化する段階を含んでいる。ウェーハ１０は又、シリ
コン基板１２上に形成して酸化物被覆１４で覆った１又
は２以上のタングステンのような金属膜のダイ１６を含
むことが出来る。
【００２２】次に、図２を参照すると、本発明により形
成された物理的な平面化及びび終点検出装置が全体とし
て符号２０で示されている。本発明の研磨装置２０は、
全体として、アルミナのような研磨性スラリー２４が適
用される回転する研磨プラテン２２の形態による研磨手
段と、図３に示すように、半導体ウェーハ１０を支持し
かつ回転する研磨プラテン２２の外端縁を横断しかつ該
外端縁を経て動き得るように取り付けられ、回転する研
磨プラテン２２の半導体ウェーハ１０の全体よりも小さ
い寸法の一部分をオーバーハングさせる回転可能な研磨
ヘッド２６と、半導体ウェーハ１０上に形成された酸化
物被覆１４等の厚さを検出するためのレーザ干渉測定装
置２８の形態による終点検出手段とを備えている。
【００２３】図６を参照すると、本発明の研磨装置２０
は次の段階を備える方法によりウェーハ１０上の酸化物
被覆１４等の厚さを検出し得るようにしてある。即ち、
ウェーハ１０を研磨スラリー２４内で研磨プラテン２２
上にて回転させる段階、即ち、段階３０と、ウェーハ１
０の一部分を研磨プラテン２２の外周端縁上にオーバー
ハングさせる段階、即ち段階３２と、液柱内に収容され
たレーザビームを有するレーザ干渉測定装置２８を使用
してウェーハ１０のダイ１６上の酸化物被覆１４の厚さ
を検出する段階、即ち、段階３４とを備えている。
【００２４】図２及び図３を参照すると、研磨手段は、
駆動モータ３６のような回転駆動手段に取り付けられた
研磨ヘッド２６を備えることが出来る。図３に示すよう
に、駆動モータ３６は研磨ヘッド２６に対して矢印３８
で示すような回転動作を付与する。研磨ヘッド２６は、
当該技術分野で公知であるように、ウェーハ１０を傷付
けずに該ウェーハ１０をその表面が研磨プラテン２２の
方向を向くように保持しかつ回転させ得る構造とされ
る。更に、研磨ヘッド２６はウェーハ１０に対して矢印
３９（図２）で示すような制御された下向きの力を付与
し得るような構造とされる。
【００２５】回転及び上下運動に加えて、研磨ヘッド２
６は又図３に矢印４０、４２で示し及び図２に矢印４１
で示すように研磨プラテン２２を横断して何れかの方向
に横運動し得るように取り付けられている。更に、研磨
ヘッド２６は研磨プラテン２２に対して取り付けられ、
ウェーハ１０は研磨プラテン２２を横断して動きかつ研
磨プラテン２２の外周端縁に対してオーバーハングした
位置に保持される。これは図２に明確に示してある。こ
の配置状態により、及び本発明の実施に必須であるよう
に、ウェーハ１０は研磨プラテン２２の端縁を経て動
き、物理的な平面化工程中、研磨プラテン２２の外周又
は周端縁をオーバーハングさせることが出来る。
【００２６】かかるオーバーハングさせる配置により、
ウェーハ１０は動いて研磨プラテン２２に接触し及び離
反し、より速く動く外側部分とより遅く動く略円形のウ
ェーハ１０の内側部分との間の相対的速度差に起因する
不規則な研磨状態を補正することが出来る。更に、この
配置により、図２に示したウェーハ１０の表面の一部は
以下により詳細に説明するように、オーバハングしたウ
ェーハの露出面の終点を検出しかつその終点位置におい
て後述する如く酸化物層１４の厚さを検出するため、レ
ーザ干渉計測定装置２８に対して露出される。
【００２７】図３に示すように、研磨プラテン２２は
又、研磨ヘッド２６と同一方向に回転可能なように取り
付けられる。この動作は図３に矢印４４、４６で示して
ある。研磨プラテンの表面は吹込みポリウレタンのよう
な比較的柔らかい材料にて形成することが出来る。更
に、この表面は水のような潤滑剤にて湿潤な状態とする
ことが出来る。
【００２８】図２に示すように、研磨性スラリー２４は
研磨プラテン２２の表面に向けられてウェーハ１０を研
磨するための研磨剤を提供する。スラリー２４はアルミ
ナ又はシリカのような研磨性材料溶液にて形成すること
が出来る。
【００２９】図２及び図４を参照すると、本発明の終点
検出手段が明確に示してある。本発明の実施例におい
て、該終点検出手段はレーザ干渉測定装置２８を備えて
いる。該干渉測定装置２８は測定の目的のため光の波長
の干渉を利用するものである。本発明の図示した実施例
において、該干渉測定装置２８はウェーハ１０のダイ１
６の領域におけるウェーハ１０の酸化物層１４の厚さを
検出し得るように取り付けられている。これとは別に、
レーザ干渉測定装置はウェーハ１０の端縁の厚さ、又は
ウェーハ１０のその他の特徴を検出し得るように配置す
ることも出来る。
【００３０】図４に示すように、レーザ干渉測定装置２
８はレーザ光ビーム導管４８及び光戻り導管５０を含
み、これらビーム導管４８及び光戻り導管５０は、レー
ザ制御装置５４からウェーハ１０の露出面に近接して配
置された適当な取り付け手段（図示せず）まで伸長して
いる。本発明の図示した実施例にて明らかであるよう
に、干渉測定装置２８はレーザ光ビーム又は放射線をウ
ェーハ１０のダイ１６上に配置された酸化物１４に向け
かつ戻し、その点における酸化物被覆１４の厚さを正確
に測定する機能を果たす。これは当業者に公知のレーザ
技術により行うことが出来る。
【００３１】更に、図４に示すように、液体導管５２は
水のような液体をウェーハ１０のレーザビームによる測
定点に誘導する。図４に示すように、液体媒体はレーザ
光ビームを完全に囲繞し又は包み込む。この液体はレー
ザ測定点にてウェーハ１０の表面を清浄にし、レーザ測
定を行うための一定の液体基準背景又は媒体を提供す
る。
【００３２】このように、本発明の装置及び方法は、平
面化工程中、半導体ウェーハの表面の終点又は酸化物の
厚さを正確に検出する手段により半導体ウェーハを物理
的に平面化することを可能にするものである。上記の説
明から明らかであるように、これは所定の基準点（ダイ
１６）における酸化物の厚さを検出することにより行わ
れる。ウェーハ上のその他の基準点も利用することが出
来る。更に、その他の型式の測定装置又は多数のレーザ
測定装置及び／又は多数の基準点を利用して平均厚さを
求めることも出来る。
【００３３】本発明の方法は好適な実施例に関して説明
したが、当業者に明らかであるように特許請求の範囲に
記載した本発明の範囲から逸脱せずに一定の変形及び応
用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法及び装置による物理的な平面化に
適した薄くかつ平坦な半導体ウェーハの平面図である。
【図２】本発明により構成された終点検出機能を備える
物理的に平面化する装置の側面図である。
【図３】本発明により回転する研磨プラテンに対して構
成された研磨ヘッドの相対的回転動作及び位置決め状態
を示す略平面図である。
【図４】図２の線４−４に沿った断面図である。
【図５】図１の線５−５に沿った断面図である。
【図６】本発明の方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウェーハ １２ シリコン
基板 １４ 酸化物被覆 １６ ダイ ２０ 研磨装置 ２２ 研磨プラ
テン ２４ スラリー ２６ 研磨ヘッ
ド ２８ 干渉測定装置 ３６ 駆動モー
タ ４８ レーザ光ビーム導管 ５０ 光戻り導
管 ５２ 液体導管 ５４ 制御装置

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平坦なウェーハを研磨する方法にして、 ａ．研磨プラテン（２２）の外周端縁を横断しかつ該外
    周端縁の上方を動き得るように取り付けられた回転可能
    な研磨ヘッド（２６）内にウェーハ（１０）を保持する
    段階と、 ｂ．研磨スラリー（２４）内のウェーハの一面を研磨プ
    ラテン（２２）を横断して回転させる段階と、 ｃ．ウェーハの一部分を研磨プラテン（２２）の外周端
    縁を横断してオーバーハングさせ、ウェーハの一面を露
    出させる段階と、 ｄ．レーザ干渉測定装置（２８）を備える終点検出手段
    （２８）を使用してウェーハのオーバハングした露出面
    の終点を検出する段階であって、該レーザ干渉測定装置
    は、ウェーハ上のダイ（１６）上に取り付けられたウェ
    ーハの酸化物被覆（１４）の厚さも検出し得るものであ
    る前記段階と、 ｅ．ウェーハ上に液柱（５２）を案内して、ウェーハを
    清浄にすると共に、レーザ（４８）に対する基準媒体を
    提供してウェーハの前記酸化物被覆（１４）の厚さを検
    出する段階 とを備えることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法にして、研磨プラ
    テンが又研磨ヘッドと同一方向に回転するように回転可
    能に取り付けられることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 酸化物表面を有する薄くかつ平坦な半導
    体ウェーハを研磨する方法にして、 ａ．研磨プラテン（２２）の外周端縁を横断しかつ該外
    周端縁の上方を動き得るように取り付けられた回転可能
    な研磨ヘッド（２６）内にウェーハ（１０）を保持する
    段階と、 ｂ．研磨スラリー（２４）内のウェーハの一面を研磨プ
    ラテン（２２）を横断して回転させる段階と、 ｃ．ウェーハの一部分を研磨プラテン（２２）の外周端
    縁を横断してオーバーハングさせ、ウェーハの一面を露
    出させる段階と、 ｄ．水柱導管（５２）内に収容されかつウェーハ表面上
    のダイ（１６）に向かって方向決めされた検出レーザビ
    ーム導管（４８）を有するレーザ検出手段（２８）を利
    用して、ウェーハの酸化物被覆（１４）の厚さを検出す
    る段階とを備えることを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の方法にして、研磨プラ
    テンを研磨ヘッドと同一方向に回転させる段階を更に備
    えることを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の方法にして、研磨ヘッ
    ドを研磨プラテンの外周端縁を横断して動かし、回転す
    るウェーハの異なる部分間の速度差を補正する段階を更
    に備えることを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の方法にして、ウェー
    ハ、研磨ヘッド及び研磨プラテンの各々が略円形の形状
    であることを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の方法にして、ダイがそ
    の上に酸化物被覆を有する金属膜であることを特徴とす
    る方法。
  8. 【請求項８】 酸化物被覆を有する薄くかつ平坦な略円
    形の半導体ウェーハを研磨しかつ酸化物被覆（１４）の
    厚さを検出する方法にして、 ａ．半導体ウェーハ（１０）を回転可能な研磨ヘッド
    （２６）内に保持する段階と、 ｂ．研磨ヘッド（２６）からの圧力下でかつ研磨スラリ
    ー（２４）内で半導体ウェーハ（１０）を、回転する研
    磨プラテン（２２）の上方にて回転させる段階と、 ｃ．半導体ウェーハの一面の一部分を研磨プラテン（２
    ２）の上方にてオーバーハングさせ、表面を露出させて
    半導体ウェーハ上の酸化物（１４）の終点を検出する段
    階と、 ｄ．ウェーハ上のダイ（１６）に向かって液柱（５２）
    内に収容されたレーザビーム（４８）を方向決めし、レ
    ーザ干渉を利用してウェーハ上の酸化被覆物（１４）の
    厚さを検出する段階と、 ｅ．ウェーハを研磨プラテン（２２）の外周端縁を横断
    して動かし、ウェーハをオーバーハングさせかつ略円形
    のウェーハの異なる部分間の速度差を補正する段階とを
    更に備えることを特徴とする方法。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の方法にして、半導体ウ
    ェーハがケイ素化合物の表面を有するシリコンにて形成
    され、ダイが酸化物被覆を有するタングステン膜である
    ことを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 薄くかつ平坦なウェーハを物理的に平
    面化する装置にして、 ａ．研磨プラテン（２２）及び研磨性スラリー（２４）
    を含む研磨手段と、 ｂ．ウェーハ（１０）を保持すると共に、制御された圧
    力下、研磨プラテン（２２）を横断しかつ研磨プラテン
    の外周端縁を経てウェーハを回転させかつ動かし得るよ
    う取り付けられた研磨ヘッド（２６）と、 ｃ．液柱導管（５２）内に収容されたレーザビーム導管
    （４８）を有し、ウェーハの露出面の終点を検出するレ
    ーザ干渉手段（２８）を含む終点検出手段（２８）とを
    備えることを特徴とする装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の装置にして、研磨
    プラテンが前記研磨ヘッドと同一方向に回転されること
    を特徴とする装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１項に記載の装置にして、レ
    ーザ干渉測定装置（２８）が、レーザ光ビーム導管（４
    ８）と、光戻り導管（５０）と、ウェーハの露出面にて
    液体を方向決めし得るよう配置され、レーザ光ビームを
    囲繞し、ウェーハ表面を清浄にすると共に、レーザ光ビ
    ームに対する均一な基準媒体を提供する液体導管（５
    ２）とを備えることを特徴とする装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の装置にして、レー
    ザ光ビームがウェーハ上のダイに向かって方向決めされ
    ることを特徴とする装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の装置にして、ダイ
    がその上に形成された酸化物被覆を有する金属膜である
    ことを特徴とする装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の装置にして、前記
    金属膜がタングステンであり、前記酸化物膜がケイ素化
    合物であることを特徴とする装置。
  16. 【請求項１６】 薄くかつ平坦な半導体ウェーハを物理
    的に平面化する装置にして、 ａ．回転する略円形の研磨プラテン（２２）及び研磨性
    スラリー（２４）を含む研磨手段と、 ｂ．半導体ウェーハ（１０）を保持すると共に、制御さ
    れた圧力下、研磨プラテン（２２）の外周端縁を横断し
    ウェーハを回転させかつ動かし、ウェーハの表面を露出
    させ得るように取り付けられた研磨ヘッド（２６）と、 ｃ．ウェーハ表面のダイ（１６）に向かって方向決めさ
    れたレーザ光ビーム導管（４８）を有するレーザ干渉測
    定装置（２８）と、制御装置（５４）と、光戻り導管
    （５０）と、レーザ光ビーム導管の周囲にあり、ウェー
    ハ表面に向かって液体を方向決めして表面を清浄にする
    と共に、レーザ光ビームに対する基準媒体を提供する液
    体導管（５２）とを含む終点検出手段（２８）とを備え
    ることを特徴とする装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の装置にして、前記
    ダイが酸化物にて被覆された金属膜であることを特徴と
    する装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１６に記載の装置にして、前記
    研磨プラテンが研磨ヘッドと同一方向に回転されること
    を特徴とする装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の装置にして、レー
    ザ光ビーム導管を囲繞する前記液体導管の液体が水であ
    ることを特徴とする装置。
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