JPH0720960A - 電流発生装置 - Google Patents
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- JPH0720960A JPH0720960A JP5045897A JP4589793A JPH0720960A JP H0720960 A JPH0720960 A JP H0720960A JP 5045897 A JP5045897 A JP 5045897A JP 4589793 A JP4589793 A JP 4589793A JP H0720960 A JPH0720960 A JP H0720960A
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/225—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the temperature
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＮＰＮまたはＰＮＰのいずれか一方の極性の
トランジスタで構成でき、電源電圧の変動や、トランジ
スタのｈｆｅの温度依存やロット間のバラつきなどの影
響を受けにくい、電流発生装置を提供すること。 【構成】 ベースが共に接続された第１トランジスタ１
および第２トランジスタ２と、第１トランジスタ１のエ
ミッタに接続された抵抗４と、第２トランジスタ２のエ
ミッタにベースが接続された第３トランジスタと、第３
トランジスタのコレクタにその入力端が接続され且つ出
力抵抗５０１〜５０５を有する複数の出力部を持つ増幅
手段６とを備え、増幅手段６の各出力部がそれぞれ第
１、第２、第３トランジスタのコレクタに接続され、第
１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジスタのコ
レクタ電流を同一にするように第３トランジスタのベー
ス電流を設定する。
トランジスタで構成でき、電源電圧の変動や、トランジ
スタのｈｆｅの温度依存やロット間のバラつきなどの影
響を受けにくい、電流発生装置を提供すること。 【構成】 ベースが共に接続された第１トランジスタ１
および第２トランジスタ２と、第１トランジスタ１のエ
ミッタに接続された抵抗４と、第２トランジスタ２のエ
ミッタにベースが接続された第３トランジスタと、第３
トランジスタのコレクタにその入力端が接続され且つ出
力抵抗５０１〜５０５を有する複数の出力部を持つ増幅
手段６とを備え、増幅手段６の各出力部がそれぞれ第
１、第２、第３トランジスタのコレクタに接続され、第
１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジスタのコ
レクタ電流を同一にするように第３トランジスタのベー
ス電流を設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばバイポーラ半導
体集積回路などに利用する電流発生装置に関するもので
ある。
体集積回路などに利用する電流発生装置に関するもので
ある。
【０００２】
（技術の背景）近年、半導体集積回路は、多くの携帯電
子機器に用いられるようになった。ほとんどの携帯電子
機器は、電池を電源にしており、その端子電圧は、使用
とともに低下していく。このような変動する電源であっ
ても、設定電流が変動しない電流発生装置を利用するこ
とにより、多くの携帯電子機器の性能が確保されてき
た。
子機器に用いられるようになった。ほとんどの携帯電子
機器は、電池を電源にしており、その端子電圧は、使用
とともに低下していく。このような変動する電源であっ
ても、設定電流が変動しない電流発生装置を利用するこ
とにより、多くの携帯電子機器の性能が確保されてき
た。
【０００３】（従来の技術）従来、この種の電流発生装
置は、特開昭６０ー１９１５０８号公報に示されるよう
に、第１から第３の同一極性のトランジスタと、これと
逆極性のトランジスタから成るカレントミラーと、抵抗
とを備え、電流設定の基準になる第１、２トランジスタ
のＶｃｅが等しく、かつ、これらのコレクタ電流が等し
くなるように第３トランジスタのベース電流を設定する
ことにより、電源電圧の変動や、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存やロット間のバラつきがあって
も、電流値が影響されない電流発生装置を構成してい
た。
置は、特開昭６０ー１９１５０８号公報に示されるよう
に、第１から第３の同一極性のトランジスタと、これと
逆極性のトランジスタから成るカレントミラーと、抵抗
とを備え、電流設定の基準になる第１、２トランジスタ
のＶｃｅが等しく、かつ、これらのコレクタ電流が等し
くなるように第３トランジスタのベース電流を設定する
ことにより、電源電圧の変動や、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存やロット間のバラつきがあって
も、電流値が影響されない電流発生装置を構成してい
た。
【０００４】以下、その構成について図７を参照しなが
ら説明する。図７において、１、２、３、８はＮＰＮト
ランジスタで、第１トランジスタ１は等価的に第２トラ
ンジスタ２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエ
ミッタ面積を持っている。４および３３２は抵抗で、そ
れぞれ第１、第３トランジスタ１、３のエミッタに接続
されている。第３トランジスタ３のコレクタ電流は、Ｐ
ＮＰトランジスタ５３１〜５３５で構成されるカレント
ミラー５３０の入力端に流れ、向きが変えられた第１の
出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531
は、ダイオード接続された第１トランジスタ１のコレク
タに、第２の出力であるトランジスタ５３２のコレクタ
電流Ｉｃ532 は、第２トランジスタ２のコレクタに、そ
して第３の出力であるトランジスタ５３５のコレクタ電
流Ｉｃ535 は、負荷となるダイオード接続されたトラン
ジスタ８のコレクタに流れ込む。７は負帰還安定用の位
相補償コンデンサで、３３３は起動に必要な電流を流す
抵抗である。９は電源である。
ら説明する。図７において、１、２、３、８はＮＰＮト
ランジスタで、第１トランジスタ１は等価的に第２トラ
ンジスタ２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエ
ミッタ面積を持っている。４および３３２は抵抗で、そ
れぞれ第１、第３トランジスタ１、３のエミッタに接続
されている。第３トランジスタ３のコレクタ電流は、Ｐ
ＮＰトランジスタ５３１〜５３５で構成されるカレント
ミラー５３０の入力端に流れ、向きが変えられた第１の
出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531
は、ダイオード接続された第１トランジスタ１のコレク
タに、第２の出力であるトランジスタ５３２のコレクタ
電流Ｉｃ532 は、第２トランジスタ２のコレクタに、そ
して第３の出力であるトランジスタ５３５のコレクタ電
流Ｉｃ535 は、負荷となるダイオード接続されたトラン
ジスタ８のコレクタに流れ込む。７は負帰還安定用の位
相補償コンデンサで、３３３は起動に必要な電流を流す
抵抗である。９は電源である。
【０００５】次に、上記従来例の動作について、図８と
ともに説明する。図７において、第２トランジスタ２の
ベース〜エミッタ間電圧Ｖ1 を、第１トランジスタ１の
コレクタ電流Ｉｃ1 、第２トランジスタ２のコレクタ電
流Ｉｃ2 で表わすと、式（１）、式（２）のようにな
る。 Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｉｃ1 ／（Ｉｓ＊Ｎ））＋Ｒ4 ＊Ｉｃ1 ..........（１） Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｉｃ2 ／Ｉｓ）................................（２） ただし、Ｖｔ＝ｋＴ／ｑ ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷 Ｔ：絶対温度 Ｉｓ：ＮＰＮトランジスタの逆方向飽和電流 Ｒ4 ：抵抗４の抵抗値
ともに説明する。図７において、第２トランジスタ２の
ベース〜エミッタ間電圧Ｖ1 を、第１トランジスタ１の
コレクタ電流Ｉｃ1 、第２トランジスタ２のコレクタ電
流Ｉｃ2 で表わすと、式（１）、式（２）のようにな
る。 Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｉｃ1 ／（Ｉｓ＊Ｎ））＋Ｒ4 ＊Ｉｃ1 ..........（１） Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｉｃ2 ／Ｉｓ）................................（２） ただし、Ｖｔ＝ｋＴ／ｑ ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷 Ｔ：絶対温度 Ｉｓ：ＮＰＮトランジスタの逆方向飽和電流 Ｒ4 ：抵抗４の抵抗値
【０００６】図８は、それぞれのコレクタ電流Ｉｃ1 、
Ｉｃ2 を横軸にして変化させたときの、上記の式
（１）、式（２）の各項とそれぞれのＶ1 をプロットし
たものである。図８の点Ｐ、点Ｑは、式（１）、式
（２）の交点で、Ｉｃ1 ＝Ｉｃ2 かつ、共通のＶ1 を持
つ点であり、式（１）、式（２）を連立方程式として解
くと、この座標（コレクタ電流、ベース電位Ｖ1 ）は、
以下のようになる。点Ｐの座標は、（０、０）。点Ｑの
座標は、（Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 、Ｖｔ＊ｌｎ（（Ｖ
ｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ）／Ｉｓ））。
Ｉｃ2 を横軸にして変化させたときの、上記の式
（１）、式（２）の各項とそれぞれのＶ1 をプロットし
たものである。図８の点Ｐ、点Ｑは、式（１）、式
（２）の交点で、Ｉｃ1 ＝Ｉｃ2 かつ、共通のＶ1 を持
つ点であり、式（１）、式（２）を連立方程式として解
くと、この座標（コレクタ電流、ベース電位Ｖ1 ）は、
以下のようになる。点Ｐの座標は、（０、０）。点Ｑの
座標は、（Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 、Ｖｔ＊ｌｎ（（Ｖ
ｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ）／Ｉｓ））。
【０００７】従って，図８からＶ1 の大きさが点Ｐ〜点
Ｑの範囲内ではＩｃ1 ＞Ｉｃ2 であり、点Ｑより大きい
領域では、Ｉｃ1 ＜Ｉｃ2 となることが分かる。
Ｑの範囲内ではＩｃ1 ＞Ｉｃ2 であり、点Ｑより大きい
領域では、Ｉｃ1 ＜Ｉｃ2 となることが分かる。
【０００８】いま、トランジスタ１、２のベース電流を
無視して考えると、図７の回路構成から、カレントミラ
ー５３０の出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電
流Ｉｃ531 は、ダイオード接続されたトランジスタ１の
コレクタ電流Ｉｃ1 となり、カレントミラー５３０の出
力であるトランジスタ５３２のコレクタ電流Ｉｃ
532は、点Ａのノードに流入する。さらに点Ａのノード
には、向きが反対のトランジスタ２のコレクタ電流Ｉｃ
2 が流れ込むので、点Ａに流入する電流の大きさは、
（Ｉｃ1 −Ｉｃ2 ）となる。
無視して考えると、図７の回路構成から、カレントミラ
ー５３０の出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電
流Ｉｃ531 は、ダイオード接続されたトランジスタ１の
コレクタ電流Ｉｃ1 となり、カレントミラー５３０の出
力であるトランジスタ５３２のコレクタ電流Ｉｃ
532は、点Ａのノードに流入する。さらに点Ａのノード
には、向きが反対のトランジスタ２のコレクタ電流Ｉｃ
2 が流れ込むので、点Ａに流入する電流の大きさは、
（Ｉｃ1 −Ｉｃ2 ）となる。
【０００９】また、Ｖ1 の大きさが点Ｐ〜点Ｑの範囲で
は、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ1
＞Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は正の値で、点Ａ
に接続されたトランジスタ３のベース電流を増加させ、
カレントミラー５３０の入力電流であるコレクタ電流Ｉ
ｃ3 を増加させる。すると、カレントミラー５３０の出
力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 が
増加するので、トランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も
増加し、図８から、Ｉｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、
点Ａに流入する電流が小さくなる。
は、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ1
＞Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は正の値で、点Ａ
に接続されたトランジスタ３のベース電流を増加させ、
カレントミラー５３０の入力電流であるコレクタ電流Ｉ
ｃ3 を増加させる。すると、カレントミラー５３０の出
力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 が
増加するので、トランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も
増加し、図８から、Ｉｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、
点Ａに流入する電流が小さくなる。
【００１０】一方、Ｖ1 の大きさが点Ｑより大きい領域
では、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ
1 ＜Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は負の値で、点
Ａに接続されたトランジスタ３のベース電流を減少さ
せ、カレントミラー５３０の入力電流であるコレクタ電
流Ｉｃ3 を減少させる。すると、カレントミラー５３０
の出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ
531 が減少するので、トランジスタ１のコレクタ電流Ｉ
ｃ1 も減少し、図８からＩｃ1 とＩｃ2 の差が小さくな
り、点Ａに流入する電流が小さくなる。
では、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ
1 ＜Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は負の値で、点
Ａに接続されたトランジスタ３のベース電流を減少さ
せ、カレントミラー５３０の入力電流であるコレクタ電
流Ｉｃ3 を減少させる。すると、カレントミラー５３０
の出力であるトランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ
531 が減少するので、トランジスタ１のコレクタ電流Ｉ
ｃ1 も減少し、図８からＩｃ1 とＩｃ2 の差が小さくな
り、点Ａに流入する電流が小さくなる。
【００１１】これらの動作の結果、図７の回路は点Ｑで
安定する。この動作点における出力電流、例えばカレン
トミラー５３０の一つの出力であるトランジスタ５３５
のコレクタ電流Ｉｃ535 は、式（３）で表わされる。 Ｉｃ535 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ...............
（３） ところが、図８からもう一つの安定点である点Ｐがある
ことが分かる。抵抗３３３は、トランジスタ３のコレク
タ電流が０であっても、トランジスタ１、２のコレクタ
電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 が０にならないように設けてあり、
点Ｐで動作が安定しないようにしている。
安定する。この動作点における出力電流、例えばカレン
トミラー５３０の一つの出力であるトランジスタ５３５
のコレクタ電流Ｉｃ535 は、式（３）で表わされる。 Ｉｃ535 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ...............
（３） ところが、図８からもう一つの安定点である点Ｐがある
ことが分かる。抵抗３３３は、トランジスタ３のコレク
タ電流が０であっても、トランジスタ１、２のコレクタ
電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 が０にならないように設けてあり、
点Ｐで動作が安定しないようにしている。
【００１２】以上は、各トランジスタのｈｆｅが大き
く、それぞれのベース電流が無視できるものとして説明
してきた。しかし、ベース電流は、温度依存性やロット
間のバラつきが大きく、装置出力の精度を大きく悪化さ
せるため、トランジスタ３のコレクタ電流Ｉｃ3 を、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流の和の大きさになるよ
うに設定している。すなわち、カレントミラー５３０の
トランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 から除かれ
るトランジスタ１とトランジスタ２のベース電流と同じ
大きさの電流を、カレントミラー５３０のもう一方のト
ランジスタ５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 からも除くよ
うにする。これはカレントミラー５３０の入力電流を出
力電流の２倍に設定することにより、トランジスタ３の
ベース電流をトランジスタ１または２のベース電流の２
倍にできる。結果として、トランジスタ１、２のコレク
タ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
く、それぞれのベース電流が無視できるものとして説明
してきた。しかし、ベース電流は、温度依存性やロット
間のバラつきが大きく、装置出力の精度を大きく悪化さ
せるため、トランジスタ３のコレクタ電流Ｉｃ3 を、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流の和の大きさになるよ
うに設定している。すなわち、カレントミラー５３０の
トランジスタ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 から除かれ
るトランジスタ１とトランジスタ２のベース電流と同じ
大きさの電流を、カレントミラー５３０のもう一方のト
ランジスタ５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 からも除くよ
うにする。これはカレントミラー５３０の入力電流を出
力電流の２倍に設定することにより、トランジスタ３の
ベース電流をトランジスタ１または２のベース電流の２
倍にできる。結果として、トランジスタ１、２のコレク
タ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
【００１３】また回路構成上、トランジスタ１、２のコ
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
（ｈｆｅがＶｃｅ電圧に依存する）を相殺することがで
き、出力電流は電源電圧変動に影響を受けにくくなる。
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
（ｈｆｅがＶｃｅ電圧に依存する）を相殺することがで
き、出力電流は電源電圧変動に影響を受けにくくなる。
【００１４】このように、上記従来の電流発生装置で
も、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依
存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくくするこ
とができる。
も、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依
存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくくするこ
とができる。
【００１５】
（従来例の問題点）しかしながら、上記従来の電流発生
装置では、第１から第３の同一極性トランジスタと逆極
性のトランジスタから成るカレントミラーが必要であ
り、一方の極性しか製造することができない半導体集積
回路プロセスでは、この装置を実現できないという第１
の問題点があった。
装置では、第１から第３の同一極性トランジスタと逆極
性のトランジスタから成るカレントミラーが必要であ
り、一方の極性しか製造することができない半導体集積
回路プロセスでは、この装置を実現できないという第１
の問題点があった。
【００１６】また、第３のトランジスタには、ベースを
電流補償するのため、２倍のコレクタ電流が必要であ
り、設定電流が大きくなると、消費電流が増加し、携帯
電子機器に利用した場合、電池などの寿命を短くしてし
まう第２の問題点があった。
電流補償するのため、２倍のコレクタ電流が必要であ
り、設定電流が大きくなると、消費電流が増加し、携帯
電子機器に利用した場合、電池などの寿命を短くしてし
まう第２の問題点があった。
【００１７】（発明の目的）本発明の第１の目的は、上
記第１の問題点を解決するもので、ＮＰＮまたはＰＮＰ
のいずれか一方の極性のトランジスタで構成でき、電源
電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依存やロッ
ト間のバラつきなどの影響を受けにくい電流発生装置を
提供することである。
記第１の問題点を解決するもので、ＮＰＮまたはＰＮＰ
のいずれか一方の極性のトランジスタで構成でき、電源
電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依存やロッ
ト間のバラつきなどの影響を受けにくい電流発生装置を
提供することである。
【００１８】本発明の第２の目的は、上記第２の問題点
を解決するもので、ＮＰＮまたはＰＮＰの両方、または
いずれか一方の極性のトランジスタで構成でき、電源電
圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依存やロット
間のバラつきなどの影響を受けにくく、しかも電源電流
の消費の少ない電流発生装置を提供することである。
を解決するもので、ＮＰＮまたはＰＮＰの両方、または
いずれか一方の極性のトランジスタで構成でき、電源電
圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依存やロット
間のバラつきなどの影響を受けにくく、しかも電源電流
の消費の少ない電流発生装置を提供することである。
【００１９】
（発明の構成）本発明の第１の構成は、上記第１の目的
を達成するために、ベースが共に接続された第１トラン
ジスタおよび第２トランジスタと、第１トランジスタの
エミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トランジス
タのコレクタに接続された第３トランジスタと、第３ト
ランジスタのコレクタにその入力端が接続され且つ出力
抵抗を有する複数の出力部を持つ増幅手段とを備えたも
のである。
を達成するために、ベースが共に接続された第１トラン
ジスタおよび第２トランジスタと、第１トランジスタの
エミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トランジス
タのコレクタに接続された第３トランジスタと、第３ト
ランジスタのコレクタにその入力端が接続され且つ出力
抵抗を有する複数の出力部を持つ増幅手段とを備えたも
のである。
【００２０】本発明の第２の構成は、上記第１、第２の
目的を達成するために、ベースが共に接続された第１ト
ランジスタおよび第２トランジスタと、第１トランジス
タのエミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トラン
ジスタのコレクタに接続された第３トランジスタと、第
３トランジスタのコレクタにエミッタが接続された第４
トランジスタと、第４トランジスタのコレクタにその入
力端が接続され且つ出力抵抗を有する複数の出力部を持
つ増幅手段とを備えたものである。
目的を達成するために、ベースが共に接続された第１ト
ランジスタおよび第２トランジスタと、第１トランジス
タのエミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トラン
ジスタのコレクタに接続された第３トランジスタと、第
３トランジスタのコレクタにエミッタが接続された第４
トランジスタと、第４トランジスタのコレクタにその入
力端が接続され且つ出力抵抗を有する複数の出力部を持
つ増幅手段とを備えたものである。
【００２１】本発明の第３の構成は、上記第２の目的を
達成するために、ベースが共に接続された第１トランジ
スタおよび第２トランジスタと、第１トランジスタのエ
ミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トランジスタ
のコレクタに接続された第３トランジスタと、第３トラ
ンジスタのコレクタにエミッタが接続された第４トラン
ジスタと、第４トランジスタのコレクタにその入力端が
接続されたカレントミラーとを備えたものである。
達成するために、ベースが共に接続された第１トランジ
スタおよび第２トランジスタと、第１トランジスタのエ
ミッタに接続された抵抗と、ベースが第２トランジスタ
のコレクタに接続された第３トランジスタと、第３トラ
ンジスタのコレクタにエミッタが接続された第４トラン
ジスタと、第４トランジスタのコレクタにその入力端が
接続されたカレントミラーとを備えたものである。
【００２２】
【作用】従って、本発明の第１の構成によれば、増幅手
段が第１〜第３トランジスタと同一極性のトランジスタ
で構成でき、かつ第１トランジスタのコレクタ電流と第
２トランジスタのコレクタ電流を同一にするように第３
トランジスタのベース電流を設定することができるた
め、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依
存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくいという
効果を有する。
段が第１〜第３トランジスタと同一極性のトランジスタ
で構成でき、かつ第１トランジスタのコレクタ電流と第
２トランジスタのコレクタ電流を同一にするように第３
トランジスタのベース電流を設定することができるた
め、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの温度依
存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくいという
効果を有する。
【００２３】本発明の第２の構成によれば、増幅手段が
第１〜第４トランジスタと同一極性のトランジスタで構
成でき、かつ第１トランジスタのコレクタ電流と第２ト
ランジスタのコレクタ電流を同一にするように第３トラ
ンジスタのベース電流および第４トランジスタのベース
電流を設定することができるため、電源電圧の変動や、
トランジスタのｈｆｅの温度依存やロット間のバラつき
などの影響を受けにくい特性を、より少ない電流で駆動
できる効果を有する。
第１〜第４トランジスタと同一極性のトランジスタで構
成でき、かつ第１トランジスタのコレクタ電流と第２ト
ランジスタのコレクタ電流を同一にするように第３トラ
ンジスタのベース電流および第４トランジスタのベース
電流を設定することができるため、電源電圧の変動や、
トランジスタのｈｆｅの温度依存やロット間のバラつき
などの影響を受けにくい特性を、より少ない電流で駆動
できる効果を有する。
【００２４】本発明の第３の構成によれば、第１トラン
ジスタのコレクタ電流と第２トランジスタのコレクタ電
流を同一にするように第３トランジスタのベース電流お
よび第４トランジスタのベース電流を設定することがで
きるため、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの
温度依存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくい
特性を、より少ない電流で駆動できる効果を有する。
ジスタのコレクタ電流と第２トランジスタのコレクタ電
流を同一にするように第３トランジスタのベース電流お
よび第４トランジスタのベース電流を設定することがで
きるため、電源電圧の変動や、トランジスタのｈｆｅの
温度依存やロット間のバラつきなどの影響を受けにくい
特性を、より少ない電流で駆動できる効果を有する。
【００２５】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。まお、説明の使宣上、従来例の
説明に用いた符号を同様な要素に対して用いてある。
ついて詳細に説明する。まお、説明の使宣上、従来例の
説明に用いた符号を同様な要素に対して用いてある。
【００２６】（第１の発明） （第１の発明の第１の実施例の構成）図１は本発明の第
１の発明における第１の実施例の構成を示すものであ
り、特にＰＮＰトランジスタを使用しない構成で、かつ
増幅手段の出力は、出力先ごとにエミッタフォロアを配
した例である。
１の発明における第１の実施例の構成を示すものであ
り、特にＰＮＰトランジスタを使用しない構成で、かつ
増幅手段の出力は、出力先ごとにエミッタフォロアを配
した例である。
【００２７】図１において、１、２、３、８はＮＰＮト
ランジスタで、第１トランジスタ１は等価的に第２トラ
ンジスタ２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエ
ミッタ面積（図１ではＮ＝２）を持っており、第３トラ
ンジスタ３は等価的に第２トランジスタ２の大きさのト
ランジスタを２個並列にしたエミッタ面積を持ってい
る。４は抵抗で、第１トランジスタ１のエミッタに接続
されている。６は出力抵抗を有する複数の出力部を持つ
増幅手段で、エミッタ接地トランジスタ６０７と負荷抵
抗６０６とバッファ用のエミッタフォロアのトランジス
タ６０１〜６０５と出力抵抗５０１〜５０５から成る。
増幅手段６内の出力電圧は、同じ大きさの抵抗５０１〜
５０５を介して、トランジスタ１、２、３および負荷８
のコレクタへ、電流に変換されて供給される。７は負帰
還安定用の位相補償コンデンサ、９は電源である。
ランジスタで、第１トランジスタ１は等価的に第２トラ
ンジスタ２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエ
ミッタ面積（図１ではＮ＝２）を持っており、第３トラ
ンジスタ３は等価的に第２トランジスタ２の大きさのト
ランジスタを２個並列にしたエミッタ面積を持ってい
る。４は抵抗で、第１トランジスタ１のエミッタに接続
されている。６は出力抵抗を有する複数の出力部を持つ
増幅手段で、エミッタ接地トランジスタ６０７と負荷抵
抗６０６とバッファ用のエミッタフォロアのトランジス
タ６０１〜６０５と出力抵抗５０１〜５０５から成る。
増幅手段６内の出力電圧は、同じ大きさの抵抗５０１〜
５０５を介して、トランジスタ１、２、３および負荷８
のコレクタへ、電流に変換されて供給される。７は負帰
還安定用の位相補償コンデンサ、９は電源である。
【００２８】（第１の発明の第１の実施例の動作）次
に、本実施例の動作について説明する。図１において、
トランジスタ１、２、３および抵抗４の周辺は、トラン
ジスタ３の２個並列使用していることを除くと、上記従
来例の構成を示す図７と同じである。従って、トランジ
スタ２のベース〜エミッタ間電圧Ｖ1 を、それぞれのコ
レクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 で表わすと、前述の式
（１）、式（２）のようになり、コレクタ電流Ｉｃ1 、
Ｉｃ2 とＶ1の関係は図８で表わされ、それらの交点の
値も上記従来例と同じ値になる。そして、Ｖ1 の大きさ
が点Ｐ〜点Ｑの範囲内ではＩｃ1 ＞Ｉｃ2 であり、点Ｑ
より大きい領域では、Ｉｃ1 ＜Ｉｃ2 となることも同様
である。
に、本実施例の動作について説明する。図１において、
トランジスタ１、２、３および抵抗４の周辺は、トラン
ジスタ３の２個並列使用していることを除くと、上記従
来例の構成を示す図７と同じである。従って、トランジ
スタ２のベース〜エミッタ間電圧Ｖ1 を、それぞれのコ
レクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 で表わすと、前述の式
（１）、式（２）のようになり、コレクタ電流Ｉｃ1 、
Ｉｃ2 とＶ1の関係は図８で表わされ、それらの交点の
値も上記従来例と同じ値になる。そして、Ｖ1 の大きさ
が点Ｐ〜点Ｑの範囲内ではＩｃ1 ＞Ｉｃ2 であり、点Ｑ
より大きい領域では、Ｉｃ1 ＜Ｉｃ2 となることも同様
である。
【００２９】回路構成上、トランジスタ１のコレクタ電
位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地されている
ため、Ｖｂｅの大きさであり、トランジスタ２のコレク
タ電位はトランジスタ３がエミッタ抵抗なく接地されて
いるため、Ｖｂｅの大きさである。また、トランジスタ
３のコレクタ電位もトランジスタ６０７がエミッタ抵抗
なく接地されているため、Ｖｂｅの大きさである。さら
に、負荷となっているトランジスタ８のコレクタの電位
も、ダイオード接続のため、Ｖｂｅの大きさである。従
って、抵抗５０１〜５０５の端子電圧は皆同じ大きさ
で、かつ、その抵抗値も等しいので、それぞれに流れる
電流も同一の大きさになる。
位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地されている
ため、Ｖｂｅの大きさであり、トランジスタ２のコレク
タ電位はトランジスタ３がエミッタ抵抗なく接地されて
いるため、Ｖｂｅの大きさである。また、トランジスタ
３のコレクタ電位もトランジスタ６０７がエミッタ抵抗
なく接地されているため、Ｖｂｅの大きさである。さら
に、負荷となっているトランジスタ８のコレクタの電位
も、ダイオード接続のため、Ｖｂｅの大きさである。従
って、抵抗５０１〜５０５の端子電圧は皆同じ大きさ
で、かつ、その抵抗値も等しいので、それぞれに流れる
電流も同一の大きさになる。
【００３０】いま、トランジスタ１、２、３、８のベー
ス電流を無視すると、抵抗５０１の電流は、ダイオード
接続されたトランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 とな
り、抵抗５０２の電流は、図１の点Ａのノードに流入す
る。さらに点Ａのノードには、向きが反対のトランジス
タ２のコレクタ電流Ｉｃ2 が流れ込むので、点Ａに流入
する電流の大きさは、（Ｉｃ1 −Ｉｃ2 ）となる。
ス電流を無視すると、抵抗５０１の電流は、ダイオード
接続されたトランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 とな
り、抵抗５０２の電流は、図１の点Ａのノードに流入す
る。さらに点Ａのノードには、向きが反対のトランジス
タ２のコレクタ電流Ｉｃ2 が流れ込むので、点Ａに流入
する電流の大きさは、（Ｉｃ1 −Ｉｃ2 ）となる。
【００３１】また、Ｖ1 の大きさが点Ｐ〜点Ｑの範囲で
は、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ1
＞Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は正の値で、点Ａ
に接続されたトランジスタ３のベース電流が増加し、そ
のコレクタ電流Ｉｃ3 を増加させる。すると、増幅手段
６のトランジスタ６０７のベース電流が減少し、トラン
ジスタ６０１〜６０５のベース電位を増加させて抵抗５
０１〜５０５の端子電圧を大きくする。その結果、トラ
ンジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も増加し、図８からＩ
ｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、点Ａに流入する電流が
小さくなる。
は、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ1
＞Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は正の値で、点Ａ
に接続されたトランジスタ３のベース電流が増加し、そ
のコレクタ電流Ｉｃ3 を増加させる。すると、増幅手段
６のトランジスタ６０７のベース電流が減少し、トラン
ジスタ６０１〜６０５のベース電位を増加させて抵抗５
０１〜５０５の端子電圧を大きくする。その結果、トラ
ンジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も増加し、図８からＩ
ｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、点Ａに流入する電流が
小さくなる。
【００３２】一方、Ｖ1 の大きさが点Ｑより大きい領域
では、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ
1 ＜Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は負の値で、点
Ａに接続されたトランジスタ３のベース電流が減少し、
そのコレクタ電流Ｉｃ3 を減少させる。すると、増幅手
段６のトランジスタ６０７のベース電流が増加し、トラ
ンジスタ６０１〜６０５のベース電位を減少させて抵抗
５０１〜５０５の端子電圧を小さくする。その結果、ト
ランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も減少し、図８から
Ｉｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、点Ａに流入する電流
が小さくなる。
では、トランジスタ１、２のコレクタ電流の関係がＩｃ
1 ＜Ｉｃ2 であり、点Ａに流入する電流は負の値で、点
Ａに接続されたトランジスタ３のベース電流が減少し、
そのコレクタ電流Ｉｃ3 を減少させる。すると、増幅手
段６のトランジスタ６０７のベース電流が増加し、トラ
ンジスタ６０１〜６０５のベース電位を減少させて抵抗
５０１〜５０５の端子電圧を小さくする。その結果、ト
ランジスタ１のコレクタ電流Ｉｃ1 も減少し、図８から
Ｉｃ1 とＩｃ2 の差が小さくなり、点Ａに流入する電流
が小さくなる。
【００３３】これらの動作の結果、図１の回路は図８の
点Ｑで安定する。この動作点における出力電流、例えば
トランジスタ８のコレクタ電流Ｉｃ4 は、式（４）で表
わされる。 Ｉｃ4 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ............... （４） もう一つの安定点の点Ｐは、回路構成上、トランジスタ
１、２のコレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 が０にならないの
で存在せず、上記従来例のような起動回路は不要にな
る。
点Ｑで安定する。この動作点における出力電流、例えば
トランジスタ８のコレクタ電流Ｉｃ4 は、式（４）で表
わされる。 Ｉｃ4 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（Ｎ）／Ｒ4 ............... （４） もう一つの安定点の点Ｐは、回路構成上、トランジスタ
１、２のコレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 が０にならないの
で存在せず、上記従来例のような起動回路は不要にな
る。
【００３４】以上は、各トランジスタのｈｆｅが大き
く、それぞれのベース電流が無視できるものとして説明
してきた。しかし、ベース電流は、温度依存性やロット
間のバラつきが大きく、装置出力の精度を大きく悪化さ
せるため、トランジスタ３のコレクタ電流Ｉｃ3 を、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流の和の大きさになるよ
うに設定している。すなわち、抵抗５０１からの電流か
ら除かれるトランジスタ１とトランジスタ２のベース電
流と同じ値の電流を、抵抗５０２からの電流からも除く
ようにする。これはトランジスタ３のコレクタに抵抗５
０３と抵抗５０４を介して２倍の電流を供給することに
より、トランジスタ３のベース電流を、トランジスタ１
または２のベース電流の２倍にできる。結果として、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同
じ大きさになる。
く、それぞれのベース電流が無視できるものとして説明
してきた。しかし、ベース電流は、温度依存性やロット
間のバラつきが大きく、装置出力の精度を大きく悪化さ
せるため、トランジスタ３のコレクタ電流Ｉｃ3 を、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流の和の大きさになるよ
うに設定している。すなわち、抵抗５０１からの電流か
ら除かれるトランジスタ１とトランジスタ２のベース電
流と同じ値の電流を、抵抗５０２からの電流からも除く
ようにする。これはトランジスタ３のコレクタに抵抗５
０３と抵抗５０４を介して２倍の電流を供給することに
より、トランジスタ３のベース電流を、トランジスタ１
または２のベース電流の２倍にできる。結果として、ト
ランジスタ１、２のコレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同
じ大きさになる。
【００３５】また回路構成上、トランジスタ１、２のコ
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
を相殺することができ、出力電流は電源電圧変動に影響
を受けにくくなる。
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
を相殺することができ、出力電流は電源電圧変動に影響
を受けにくくなる。
【００３６】なお、本実施例の図１の説明において、増
幅手段６内の出力電圧とトランジスタ１、２、３、８の
コレクタ電圧の電位差を、各出力抵抗５０１〜５０５の
値で除した電流が流れると述べたが、トランジスタのエ
ミッタ電流に対するベース〜エミッタ電圧の変化のこと
を考えると、トランジスタ６０１〜６０５の動抵抗も加
味する必要がある。図２は、これらの動抵抗を表わした
等価回路である。すなわち、増幅手段６のトランジスタ
６０１〜６０５は、Ｖｂｅ値でレベルシフトするバッフ
ァと、動抵抗ｒｅ６０１〜ｒｅ６０５で表わされる。従
って、上記の素子としての抵抗を介してトランジスタ
１、２、３、８に供給される電流は、これら動抵抗ｒｅ
６０１〜ｒｅ６０５を、抵抗５０１〜５０５の値に加え
て設定する必要がある。動抵抗ｒｅ６０１〜ｒｅ６０５
の値は、コレクタ電流が同じなので、同一の値になる。
幅手段６内の出力電圧とトランジスタ１、２、３、８の
コレクタ電圧の電位差を、各出力抵抗５０１〜５０５の
値で除した電流が流れると述べたが、トランジスタのエ
ミッタ電流に対するベース〜エミッタ電圧の変化のこと
を考えると、トランジスタ６０１〜６０５の動抵抗も加
味する必要がある。図２は、これらの動抵抗を表わした
等価回路である。すなわち、増幅手段６のトランジスタ
６０１〜６０５は、Ｖｂｅ値でレベルシフトするバッフ
ァと、動抵抗ｒｅ６０１〜ｒｅ６０５で表わされる。従
って、上記の素子としての抵抗を介してトランジスタ
１、２、３、８に供給される電流は、これら動抵抗ｒｅ
６０１〜ｒｅ６０５を、抵抗５０１〜５０５の値に加え
て設定する必要がある。動抵抗ｒｅ６０１〜ｒｅ６０５
の値は、コレクタ電流が同じなので、同一の値になる。
【００３７】いま、トランジスタ１、２、３、８のＶｂ
ｅが正確に同一の値であれば、動抵抗を含めた抵抗に加
わる電圧は同じ大きさになるので、抵抗５０１〜５０５
が０Ωであっても、この動抵抗が出力抵抗として機能す
る。すなわち、トランジスタ１、２、３、８のエミッタ
面積と、コレクタ電流を適切に設定でき、かつ出力抵抗
の値が小さくても良い場合、素子としての抵抗５０１〜
５０５は不要で、トランジスタ６０１〜６０５の動抵抗
が出力抵抗として、上記実施例の動作を実現することが
できる。従って、本発明の中で出力抵抗と呼ぶ要素は、
素子としての抵抗だけでなく、機能としての抵抗も含ん
でいる。
ｅが正確に同一の値であれば、動抵抗を含めた抵抗に加
わる電圧は同じ大きさになるので、抵抗５０１〜５０５
が０Ωであっても、この動抵抗が出力抵抗として機能す
る。すなわち、トランジスタ１、２、３、８のエミッタ
面積と、コレクタ電流を適切に設定でき、かつ出力抵抗
の値が小さくても良い場合、素子としての抵抗５０１〜
５０５は不要で、トランジスタ６０１〜６０５の動抵抗
が出力抵抗として、上記実施例の動作を実現することが
できる。従って、本発明の中で出力抵抗と呼ぶ要素は、
素子としての抵抗だけでなく、機能としての抵抗も含ん
でいる。
【００３８】（第１の発明の第２の実施例の構成）図２
は本発明の第１の発明における第２の実施例の構成を示
すものであり、特にＰＮＰトランジスタを使用しない構
成で、かつ増幅手段の出力は、共通のエミッタフォロア
と個別のエミッタフォロアを併用した例である。図２に
おいて、本実施例が図１の実施例と異なるところは、増
幅手段６のエミッタフォロアのトランジスタ６０１〜６
０５が、一つのトランジスタ６１１に統合されたこと
と、新たな電流出力端子を得るために、エミッタフォロ
アのトランジスタ６１２と、出力抵抗の抵抗５１２と、
負荷トランジスタ８１１が追加されたことである。抵抗
５１２の値は、トランジスタ６１１とトランジスタ６１
２のコレクタ電流値が異なるため、その動抵抗の違いか
ら、抵抗５０１〜５０１の値と全く同じにはできない。
しかし、抵抗５０１〜５０５の電圧降下を大きく設定で
きれば、動抵抗やトランジスタ８１１のＶｂｅの差は無
視できるので、同一にすることは可能である。
は本発明の第１の発明における第２の実施例の構成を示
すものであり、特にＰＮＰトランジスタを使用しない構
成で、かつ増幅手段の出力は、共通のエミッタフォロア
と個別のエミッタフォロアを併用した例である。図２に
おいて、本実施例が図１の実施例と異なるところは、増
幅手段６のエミッタフォロアのトランジスタ６０１〜６
０５が、一つのトランジスタ６１１に統合されたこと
と、新たな電流出力端子を得るために、エミッタフォロ
アのトランジスタ６１２と、出力抵抗の抵抗５１２と、
負荷トランジスタ８１１が追加されたことである。抵抗
５１２の値は、トランジスタ６１１とトランジスタ６１
２のコレクタ電流値が異なるため、その動抵抗の違いか
ら、抵抗５０１〜５０１の値と全く同じにはできない。
しかし、抵抗５０１〜５０５の電圧降下を大きく設定で
きれば、動抵抗やトランジスタ８１１のＶｂｅの差は無
視できるので、同一にすることは可能である。
【００３９】（第１の発明の第２の実施例の動作）本実
施例の動作は、図１の実施例に対し増幅手段６の出力部
の構成が変化しただけであり、図１の実施例の動作と同
じである。すなわち、図１のトランジスタ６０１〜６０
５のコレクタ電流は同一であるため、各エミッタ電位も
同じである。従って、トランジスタ６０１〜６０５の各
エミッタをショートしても、横断する電流は発生しない
ので、上記第１の発明の第１の実施例の動作に変るとこ
ろはない。
施例の動作は、図１の実施例に対し増幅手段６の出力部
の構成が変化しただけであり、図１の実施例の動作と同
じである。すなわち、図１のトランジスタ６０１〜６０
５のコレクタ電流は同一であるため、各エミッタ電位も
同じである。従って、トランジスタ６０１〜６０５の各
エミッタをショートしても、横断する電流は発生しない
ので、上記第１の発明の第１の実施例の動作に変るとこ
ろはない。
【００４０】以上のような動作に影響しない改変をした
第１の発明における第１の実施例と第２の実施例との差
は、新たな出力端子の増設を除くと、前者のエミッタフ
ォロアトランジスタ（６０１〜６０５）のエミッタ面積
は６個分で、後者のトランジスタ６１１のエミッタ面積
は１個分である点である。この差は、装置の電流を設定
する際に重要なトランジスタ１、２、３のコレクタに流
す電流に、何等影響を与えることはない。しかし、新た
に設けた出力電流の設定には影響してくる。すなわち、
トランジスタ６１１、６１２のコレクタ電流の違いによ
る動抵抗、Ｖｂｅおよびトランジスタ８１１のＶｂｅに
差があるため、トランジスタ８の電流と、新たに設けた
電流出力のトランジスタ８１１の電流の差になって表れ
てくる。しかしこれは、抵抗５０１〜５０５の電圧降下
を大きく設定して、動抵抗やトランジスタ８１１のＶｂ
ｅの差を無視できるようにしたり、Ｖｂｅなどの差を見
込んで抵抗５１２の値を設定することにより、同一にす
ることは可能である。
第１の発明における第１の実施例と第２の実施例との差
は、新たな出力端子の増設を除くと、前者のエミッタフ
ォロアトランジスタ（６０１〜６０５）のエミッタ面積
は６個分で、後者のトランジスタ６１１のエミッタ面積
は１個分である点である。この差は、装置の電流を設定
する際に重要なトランジスタ１、２、３のコレクタに流
す電流に、何等影響を与えることはない。しかし、新た
に設けた出力電流の設定には影響してくる。すなわち、
トランジスタ６１１、６１２のコレクタ電流の違いによ
る動抵抗、Ｖｂｅおよびトランジスタ８１１のＶｂｅに
差があるため、トランジスタ８の電流と、新たに設けた
電流出力のトランジスタ８１１の電流の差になって表れ
てくる。しかしこれは、抵抗５０１〜５０５の電圧降下
を大きく設定して、動抵抗やトランジスタ８１１のＶｂ
ｅの差を無視できるようにしたり、Ｖｂｅなどの差を見
込んで抵抗５１２の値を設定することにより、同一にす
ることは可能である。
【００４１】（第１の発明の第１および第２の実施例の
効果）以上のように、上記第１の発明の実施例によれ
ば、以下のような効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタ６０１〜６０５
および６０７は、トランジスタ１〜３と同一極性でよ
い。 （２）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタのｈｆｅ
の温度依存とロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （３）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。
効果）以上のように、上記第１の発明の実施例によれ
ば、以下のような効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタ６０１〜６０５
および６０７は、トランジスタ１〜３と同一極性でよ
い。 （２）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタのｈｆｅ
の温度依存とロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （３）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。
【００４２】（第２の発明） （第２の発明の実施例の構成）図４は本発明の第２の発
明における実施例の構成を示すものであり、特にＰＮＰ
トランジスタを使用しない構成で、かつ増幅手段の出力
は、出力先ごとにエミッタフォロアを配し、かつ駆動用
の第３トランジスタの電流を１／２にした例である。図
４において、１、２、３、１２１、２２１、３２１、
８、８２１はＮＰＮトランジスタで、第１トランジスタ
１は等価的に第２トランジスタ２の大きさのトランジス
タをＮ個並列にしたエミッタ面積（図４ではＮ＝２）を
持ち、トランジスタ１２１、２２１はダイオード接続し
てＶｂｅ分レベルシフトさせ、第４トランジスタ３２１
は第３トランジスタ３のコレクタ電流をエミッタで受け
取るカスケード接続されている。４は抵抗で、第１トラ
ンジスタ１のエミッタに接続されている。６は出力抵抗
を有する複数の出力部を持つ増幅手段で、ダイオード接
続したレベルシフト用トランジスタ６２９を介してエミ
ッタ接地されたトランジスタ６２７と負荷抵抗６０６と
バッファ用のエミッタフォロアのトランジスタ６０１〜
６０５と出力抵抗５０１〜５０５から成る。増幅手段６
内の出力電圧は、同じ大きさの抵抗５０１〜５０５を介
して、トランジスタ１２１、２２１、３２１および負荷
８２１のコレクタへ、電流に変換されて供給される。７
は負帰還安定用の位相補償コンデンサ、９は電源であ
る。
明における実施例の構成を示すものであり、特にＰＮＰ
トランジスタを使用しない構成で、かつ増幅手段の出力
は、出力先ごとにエミッタフォロアを配し、かつ駆動用
の第３トランジスタの電流を１／２にした例である。図
４において、１、２、３、１２１、２２１、３２１、
８、８２１はＮＰＮトランジスタで、第１トランジスタ
１は等価的に第２トランジスタ２の大きさのトランジス
タをＮ個並列にしたエミッタ面積（図４ではＮ＝２）を
持ち、トランジスタ１２１、２２１はダイオード接続し
てＶｂｅ分レベルシフトさせ、第４トランジスタ３２１
は第３トランジスタ３のコレクタ電流をエミッタで受け
取るカスケード接続されている。４は抵抗で、第１トラ
ンジスタ１のエミッタに接続されている。６は出力抵抗
を有する複数の出力部を持つ増幅手段で、ダイオード接
続したレベルシフト用トランジスタ６２９を介してエミ
ッタ接地されたトランジスタ６２７と負荷抵抗６０６と
バッファ用のエミッタフォロアのトランジスタ６０１〜
６０５と出力抵抗５０１〜５０５から成る。増幅手段６
内の出力電圧は、同じ大きさの抵抗５０１〜５０５を介
して、トランジスタ１２１、２２１、３２１および負荷
８２１のコレクタへ、電流に変換されて供給される。７
は負帰還安定用の位相補償コンデンサ、９は電源であ
る。
【００４３】本実施例を、上記第１の発明における第１
の実施例と比べると、２個並列のトランジスタ３が１個
になり、また増幅手段内６の出力から出力抵抗を介して
供給される電流が１／２になり、トランジスタ１、２の
コレクタにＶｂｅレベルシフトトランジスタ１２１、２
２１およびトランジスタ３のコレクタにカスケードトラ
ンジスタである第４トランジスタ３２１が追加になって
いる。
の実施例と比べると、２個並列のトランジスタ３が１個
になり、また増幅手段内６の出力から出力抵抗を介して
供給される電流が１／２になり、トランジスタ１、２の
コレクタにＶｂｅレベルシフトトランジスタ１２１、２
２１およびトランジスタ３のコレクタにカスケードトラ
ンジスタである第４トランジスタ３２１が追加になって
いる。
【００４４】（第２の発明の実施例の動作）この第２の
発明の実施例の動作でも、電流を決定するメカニズムは
上記第１の発明の第１の実施例と同様である。異なると
ころは、トランジスタ１および２のコレクタ電流を同じ
値にするための方法にある。図４において、トランジス
タ３のコレクタ電流は、そのままカスケード接続の第４
トランジスタ３２１のエミッタ電流になる。一般に、利
用できるトランジスタのｈｆｅは通常１００付近の値で
あり、第４トランジスタ３２１のコレクタ電流は、エミ
ッタ電流とほぼ同じ大きさである。そのため、第３トラ
ンジスタ３のコレクタ電流と第４トランジスタ３２１の
コレクタ電流は、ほぼ同じ大きさになり、それぞれのベ
ース電流も同じ大きさになる。
発明の実施例の動作でも、電流を決定するメカニズムは
上記第１の発明の第１の実施例と同様である。異なると
ころは、トランジスタ１および２のコレクタ電流を同じ
値にするための方法にある。図４において、トランジス
タ３のコレクタ電流は、そのままカスケード接続の第４
トランジスタ３２１のエミッタ電流になる。一般に、利
用できるトランジスタのｈｆｅは通常１００付近の値で
あり、第４トランジスタ３２１のコレクタ電流は、エミ
ッタ電流とほぼ同じ大きさである。そのため、第３トラ
ンジスタ３のコレクタ電流と第４トランジスタ３２１の
コレクタ電流は、ほぼ同じ大きさになり、それぞれのベ
ース電流も同じ大きさになる。
【００４５】回路構成上、これらトランジスタ３、３２
１のベース電流は、抵抗５０２からの電流から除かれる
ようになっている。すなわち、抵抗５０１からの電流か
ら除かれるトランジスタ１とトランジスタ２のベース電
流と同じ値の電流を、抵抗５０２からの電流からも除く
ようにするため、抵抗５０４からトランジスタ３２１に
供給する電流を、トランジスタ１、２に供給されるもの
と同じ大きさに設定し、トランジスタ３２１のベース電
流とトランジスタ３のベース電流の和が、トランジスタ
１のベース電流とトランジスタ２のベース電流の和にな
るようにしている。結果として、トランジスタ１、２の
コレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
１のベース電流は、抵抗５０２からの電流から除かれる
ようになっている。すなわち、抵抗５０１からの電流か
ら除かれるトランジスタ１とトランジスタ２のベース電
流と同じ値の電流を、抵抗５０２からの電流からも除く
ようにするため、抵抗５０４からトランジスタ３２１に
供給する電流を、トランジスタ１、２に供給されるもの
と同じ大きさに設定し、トランジスタ３２１のベース電
流とトランジスタ３のベース電流の和が、トランジスタ
１のベース電流とトランジスタ２のベース電流の和にな
るようにしている。結果として、トランジスタ１、２の
コレクタ電流Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
【００４６】また回路構成上、トランジスタ１２１のコ
レクタ電位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地さ
れているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであり、トランジス
タ２２１のコレクタ電位はトランジスタ３がエミッタ抵
抗なく接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであ
る。また、トランジスタ３２１のコレクタ電位もトラン
ジスタ６２７のエミッタがレベルシフトトランジスタ６
２９を介してに接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大き
さである。さらに、負荷となっているトランジスタ８２
１のコレクタの電位も、トランジスタ８とともにダイオ
ード接続が２直列のため、Ｖｂｅ＊２の大きさである。
従って、抵抗５０１〜５０５の端子電圧は皆同じ大きさ
であり、それぞれに流れる電流も同一の大きさになるよ
うに構成されている。
レクタ電位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地さ
れているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであり、トランジス
タ２２１のコレクタ電位はトランジスタ３がエミッタ抵
抗なく接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであ
る。また、トランジスタ３２１のコレクタ電位もトラン
ジスタ６２７のエミッタがレベルシフトトランジスタ６
２９を介してに接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大き
さである。さらに、負荷となっているトランジスタ８２
１のコレクタの電位も、トランジスタ８とともにダイオ
ード接続が２直列のため、Ｖｂｅ＊２の大きさである。
従って、抵抗５０１〜５０５の端子電圧は皆同じ大きさ
であり、それぞれに流れる電流も同一の大きさになるよ
うに構成されている。
【００４７】また回路構成上、トランジスタ１、２のコ
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
を相殺することができ、出力電流は電源電圧変動に影響
を受けにくくなる。
レクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に関係なく同じ大
きさになるので、電源電圧が変化した際のアーリー効果
を相殺することができ、出力電流は電源電圧変動に影響
を受けにくくなる。
【００４８】（第２の発明の実施例の効果）以上のよう
に、上記第２の発明の実施例によれば、以下のような効
果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタ６０１〜６０５
および６０７は、トランジスタ１〜３と同一極性でよ
い。 （２）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受
けにくい。 （３）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （4 ）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするための回路の消費する電流
が、上記第１の発明の実施例の１／２にできる。
に、上記第２の発明の実施例によれば、以下のような効
果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタ６０１〜６０５
および６０７は、トランジスタ１〜３と同一極性でよ
い。 （２）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受
けにくい。 （３）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （4 ）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするための回路の消費する電流
が、上記第１の発明の実施例の１／２にできる。
【００４９】なお、上記第２の発明の実施例では、増幅
手段６の出力にはトランジスタ６０１〜６０５のエミッ
タフォロアを用いているが、これは上記第１の発明の第
２の実施例のように、一つのトランジスタ６１１に置き
換えても、得られる効果に変りはない。
手段６の出力にはトランジスタ６０１〜６０５のエミッ
タフォロアを用いているが、これは上記第１の発明の第
２の実施例のように、一つのトランジスタ６１１に置き
換えても、得られる効果に変りはない。
【００５０】（第３の発明） （第３の発明の実施例の構成）図５は本発明の第３の発
明における実施例の構成を示すものであり、特に従来例
のＰＮＰトランジスタ、ＮＰＮトランジスタの両方を使
用する構成で、かつ駆動用の第３トランジスタの電流を
１／２にした例である。図５において、１、２、３、１
２１、２２１、３２１、８、８２１はＮＰＮトランジス
タで、第１トランジスタ１は等価的に第２トランジスタ
２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエミッタ面
積（図５ではＮ＝２）を持ち、トランジスタ１２１、２
２１はレベルシフト用でダイオード接続されており、第
４トランジスタ３２１は第３トランジスタ３のコレクタ
電流をエミッタで受け取るカスケード接続されている。
４は抵抗で、第１トランジスタ１のエミッタに接続され
ている。第４トランジスタ３２１のコレクタ電流は、Ｐ
ＮＰトランジスタ５３１、５３２、５３４、５３５で構
成されるカレントミラー５３０の入力端に流れ、向きが
変えられた第１の出力であるトランジスタ５３１のコレ
クタ電流Ｉｃ531 は、ダイオード接続された第１トラン
ジスタ１のコレクタに、第２の出力であるトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 は、トランジスタ２のコ
レクタに、そして第３の出力であるトランジスタ５３５
のコレクタ電流Ｉｃ535 は、負荷となるダイオード接続
されたトランジスタ８２１のコレクタに流れ込む。７は
負帰還安定用の位相補償コンデンサで、３３３は起動に
必要な電流を流す抵抗である。９は電源である。
明における実施例の構成を示すものであり、特に従来例
のＰＮＰトランジスタ、ＮＰＮトランジスタの両方を使
用する構成で、かつ駆動用の第３トランジスタの電流を
１／２にした例である。図５において、１、２、３、１
２１、２２１、３２１、８、８２１はＮＰＮトランジス
タで、第１トランジスタ１は等価的に第２トランジスタ
２の大きさのトランジスタをＮ個並列にしたエミッタ面
積（図５ではＮ＝２）を持ち、トランジスタ１２１、２
２１はレベルシフト用でダイオード接続されており、第
４トランジスタ３２１は第３トランジスタ３のコレクタ
電流をエミッタで受け取るカスケード接続されている。
４は抵抗で、第１トランジスタ１のエミッタに接続され
ている。第４トランジスタ３２１のコレクタ電流は、Ｐ
ＮＰトランジスタ５３１、５３２、５３４、５３５で構
成されるカレントミラー５３０の入力端に流れ、向きが
変えられた第１の出力であるトランジスタ５３１のコレ
クタ電流Ｉｃ531 は、ダイオード接続された第１トラン
ジスタ１のコレクタに、第２の出力であるトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 は、トランジスタ２のコ
レクタに、そして第３の出力であるトランジスタ５３５
のコレクタ電流Ｉｃ535 は、負荷となるダイオード接続
されたトランジスタ８２１のコレクタに流れ込む。７は
負帰還安定用の位相補償コンデンサで、３３３は起動に
必要な電流を流す抵抗である。９は電源である。
【００５１】さて、本実施例の図５を従来例の図６と比
べると、カレントミラー５３０の２個並列のトランジス
タ５３３、５３４が１個のトランジスタ５３４になり、
また第１、第２トランジスタ１、２のコレクタにＶｂｅ
レベルシフトトランジスタ１２１、２２１および第３ト
ランジスタ３のコレクタにカスケードトランジスタ３２
１が追加になり、起動用の抵抗の接続が、トランジスタ
３のコレクタからトランジスタ３２１のコレクタに変わ
っている。また、本実施例の図５を上記第２の発明の実
施例を示す図３と比べると、位相補償コンデンサや起動
抵抗の有無などの違いはあるが、基本的には、増幅手段
６がカレントミラー５３０に置き代わったものと考える
ことができる。
べると、カレントミラー５３０の２個並列のトランジス
タ５３３、５３４が１個のトランジスタ５３４になり、
また第１、第２トランジスタ１、２のコレクタにＶｂｅ
レベルシフトトランジスタ１２１、２２１および第３ト
ランジスタ３のコレクタにカスケードトランジスタ３２
１が追加になり、起動用の抵抗の接続が、トランジスタ
３のコレクタからトランジスタ３２１のコレクタに変わ
っている。また、本実施例の図５を上記第２の発明の実
施例を示す図３と比べると、位相補償コンデンサや起動
抵抗の有無などの違いはあるが、基本的には、増幅手段
６がカレントミラー５３０に置き代わったものと考える
ことができる。
【００５２】（第３の発明の実施例の動作）本実施例の
動作でも、電流を決定するメカニズムは上記第１の発明
の第１の実施例、もしくは従来例と同様である。異なる
ところは、トランジスタ１および２のコレクタ電流を同
じ値にするための方法にある。図５において、第３トラ
ンジスタ３のコレクタ電流は、そのままカスケード接続
の第４トランジスタ３２１のエミッタ電流になる。一般
に利用できるトランジスタのｈｆｅは通常１００付近の
値であり、トランジスタ３２１のコレクタ電流は、エミ
ッタ電流とほぼ同じ大きさである。そのため、トランジ
スタ３のコレクタ電流とトランジスタ３２１のコレクタ
電流は、ほぼ同じ大きさになり、それぞれのベース電流
も同じ大きさになる。
動作でも、電流を決定するメカニズムは上記第１の発明
の第１の実施例、もしくは従来例と同様である。異なる
ところは、トランジスタ１および２のコレクタ電流を同
じ値にするための方法にある。図５において、第３トラ
ンジスタ３のコレクタ電流は、そのままカスケード接続
の第４トランジスタ３２１のエミッタ電流になる。一般
に利用できるトランジスタのｈｆｅは通常１００付近の
値であり、トランジスタ３２１のコレクタ電流は、エミ
ッタ電流とほぼ同じ大きさである。そのため、トランジ
スタ３のコレクタ電流とトランジスタ３２１のコレクタ
電流は、ほぼ同じ大きさになり、それぞれのベース電流
も同じ大きさになる。
【００５３】回路構成上、このトランジスタ３、３２１
のベース電流は、カレントミラー５３０のトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 から除かれるようになっ
ている。すなわち、カレントミラー５３０のトランジス
タ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 から除かれるトランジ
スタ１とトランジスタ２のベース電流と同じ大きさの電
流を、カレントミラー５３０のもう一方のトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 からも除くようにするた
め、カレントミラーの入力電流を出力電流と同じ大きさ
に設定し、トランジスタ３２１のベース電流とトランジ
スタ３のベース電流の和が、トランジスタ１のベース電
流とトランジスタ２のベース電流の和になるようにして
いる。結果として、トランジスタ１、２のコレクタ電流
Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
のベース電流は、カレントミラー５３０のトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 から除かれるようになっ
ている。すなわち、カレントミラー５３０のトランジス
タ５３１のコレクタ電流Ｉｃ531 から除かれるトランジ
スタ１とトランジスタ２のベース電流と同じ大きさの電
流を、カレントミラー５３０のもう一方のトランジスタ
５３２のコレクタ電流Ｉｃ532 からも除くようにするた
め、カレントミラーの入力電流を出力電流と同じ大きさ
に設定し、トランジスタ３２１のベース電流とトランジ
スタ３のベース電流の和が、トランジスタ１のベース電
流とトランジスタ２のベース電流の和になるようにして
いる。結果として、トランジスタ１、２のコレクタ電流
Ｉｃ1 、Ｉｃ2 は、同じ大きさになる。
【００５４】また回路構成上、トランジスタ１２１のコ
レクタ電位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地さ
れているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであり、トランジス
タ２２１のコレクタ電位はトランジスタ３がエミッタ抵
抗なく接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであ
る。さらに、負荷となっているトランジスタ８２１のコ
レクタの電位も、トランジスタ８とともにダイオード接
続が２直列のため、Ｖｂｅ＊２の大きさである。従っ
て、トランジスタ５３１、５３２、５３５のＶｃｅは皆
同じ大きさであり、それぞれのコレクタ電流は、アーリ
ー効果があっても、同一の大きさになる。
レクタ電位はトランジスタ２がエミッタ抵抗なく接地さ
れているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであり、トランジス
タ２２１のコレクタ電位はトランジスタ３がエミッタ抵
抗なく接地されているため、Ｖｂｅ＊２の大きさであ
る。さらに、負荷となっているトランジスタ８２１のコ
レクタの電位も、トランジスタ８とともにダイオード接
続が２直列のため、Ｖｂｅ＊２の大きさである。従っ
て、トランジスタ５３１、５３２、５３５のＶｃｅは皆
同じ大きさであり、それぞれのコレクタ電流は、アーリ
ー効果があっても、同一の大きさになる。
【００５５】また回路構成上、同一性が要求されるトラ
ンジスタ１、２の群と、トランジスタ５３１、５３２、
５３５の群のコレクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に
関係なく同じ大きさになるので、電源電圧が変化した際
のアーリー効果を相殺することができ、出力電流は電源
電圧変動に影響を受けにくくなる。
ンジスタ１、２の群と、トランジスタ５３１、５３２、
５３５の群のコレクタ〜エミッタ間電圧は、電源電圧に
関係なく同じ大きさになるので、電源電圧が変化した際
のアーリー効果を相殺することができ、出力電流は電源
電圧変動に影響を受けにくくなる。
【００５６】（第３の発明の実施例の効果）以上のよう
に、上記第３の発明の実施例によれば、以下のような効
果を有する。 （１）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受
けにくい。 （２）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （３）カレントミラー５３０を構成するトランジスタ５
３１、５３２、５３５のコレクタ〜エミッタ電圧を同一
にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電源電
圧の変動の影響を受けにくい。 （４）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするための回路の消費する電流
が、従来例の１／２にできる。
に、上記第３の発明の実施例によれば、以下のような効
果を有する。 （１）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするようにトランジスタ３のベ
ース電流を設定することができ、トランジスタの電流増
幅率ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受
けにくい。 （２）トランジスタ１、２のコレクタ〜エミッタ電圧を
同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （３）カレントミラー５３０を構成するトランジスタ５
３１、５３２、５３５のコレクタ〜エミッタ電圧を同一
にできるため、アーリー効果の影響が表われず、電源電
圧の変動の影響を受けにくい。 （４）トランジスタ１のコレクタ電流とトランジスタ２
のコレクタ電流を同一にするための回路の消費する電流
が、従来例の１／２にできる。
【００５７】なお、図６は上記第１の発明の第１、２の
実施例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実
施例における第１トランジスタ１と抵抗４との接続を、
電流設定機能は変えずに、もう一つの実現方法で表わし
たものである。これら上記実施例で述べたトランジスタ
１は、等価的にトランジスタ２の大きさのトランジスタ
をＮ個並列にしたエミッタ面積（図１ではＮ＝２）を持
っているが、これを実現するには複数個のトランジスタ
を並列に接続する方法と、あらかじめ大きなエミッタ面
積のトランジスタを用いる方法がある。前者の構成はさ
らに、上記実施例の図１〜５ように、単に複数個のトラ
ンジスタのすべての電極が並列接続されてそのエミッタ
に抵抗４が接続されるものと、図６に示すような、ベー
ス、コレクタだけが共通で、個々のエミッタにそれぞれ
に抵抗４と同じ機能の抵抗が接続されるものがある。
実施例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実
施例における第１トランジスタ１と抵抗４との接続を、
電流設定機能は変えずに、もう一つの実現方法で表わし
たものである。これら上記実施例で述べたトランジスタ
１は、等価的にトランジスタ２の大きさのトランジスタ
をＮ個並列にしたエミッタ面積（図１ではＮ＝２）を持
っているが、これを実現するには複数個のトランジスタ
を並列に接続する方法と、あらかじめ大きなエミッタ面
積のトランジスタを用いる方法がある。前者の構成はさ
らに、上記実施例の図１〜５ように、単に複数個のトラ
ンジスタのすべての電極が並列接続されてそのエミッタ
に抵抗４が接続されるものと、図６に示すような、ベー
ス、コレクタだけが共通で、個々のエミッタにそれぞれ
に抵抗４と同じ機能の抵抗が接続されるものがある。
【００５８】図６において、トランジスタ１のコレクタ
電流は、構成するトランジスタのそれぞれのコレクタ電
流に分割される。すなわち、１／Ｎに分割される。トラ
ンジスタ１を構成するトランジスタのｈｆｅがとても大
きいとして、コレクタ電流とエミッタ電流は等しいと考
え、１／Ｎに分割された電流は、それぞれ抵抗４４１、
４４２に流れる。いま、抵抗４４１、４４２の抵抗値
を、上記第１の発明の第１、２の実施例、上記第２の発
明の実施例、上記第３の発明の実施例における抵抗４の
Ｎ倍の大きさに設定すると、それぞれの抵抗４４１、４
４２の電圧降下は、抵抗４のそれと同じ値になる。この
部分の回路方程式を求めると、式（５）のようになる。 Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（（Ｉｃ1 ／Ｎ）／Ｉｓ）＋（Ｒ4 ＊Ｎ）＊（Ｉｃ1 ／Ｎ） ........... （５） この式は、変形すると式（１）になる。図６の抵抗４４
１、４４２の合計の大きさは、上記第１の発明の第１、
２の実施例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明
の実施例における抵抗４と比べると、Ｎの２乗倍も大き
くなり、集積回路で実現した場合、チップ面積を大きく
する要因になる。しかし、この構成は、トランジスタ１
を構成する並列接続のトランジスタの逆方向飽和電流Ｉ
ｓがバラついた際に、それぞれの抵抗４４１、４４２
が、その端子電圧を加減するため、設定電流値にはあま
り影響を与えないと言った効果がある。
電流は、構成するトランジスタのそれぞれのコレクタ電
流に分割される。すなわち、１／Ｎに分割される。トラ
ンジスタ１を構成するトランジスタのｈｆｅがとても大
きいとして、コレクタ電流とエミッタ電流は等しいと考
え、１／Ｎに分割された電流は、それぞれ抵抗４４１、
４４２に流れる。いま、抵抗４４１、４４２の抵抗値
を、上記第１の発明の第１、２の実施例、上記第２の発
明の実施例、上記第３の発明の実施例における抵抗４の
Ｎ倍の大きさに設定すると、それぞれの抵抗４４１、４
４２の電圧降下は、抵抗４のそれと同じ値になる。この
部分の回路方程式を求めると、式（５）のようになる。 Ｖ1 ＝Ｖｔ＊ｌｎ（（Ｉｃ1 ／Ｎ）／Ｉｓ）＋（Ｒ4 ＊Ｎ）＊（Ｉｃ1 ／Ｎ） ........... （５） この式は、変形すると式（１）になる。図６の抵抗４４
１、４４２の合計の大きさは、上記第１の発明の第１、
２の実施例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明
の実施例における抵抗４と比べると、Ｎの２乗倍も大き
くなり、集積回路で実現した場合、チップ面積を大きく
する要因になる。しかし、この構成は、トランジスタ１
を構成する並列接続のトランジスタの逆方向飽和電流Ｉ
ｓがバラついた際に、それぞれの抵抗４４１、４４２
が、その端子電圧を加減するため、設定電流値にはあま
り影響を与えないと言った効果がある。
【００５９】また、上記第１の発明の第１、２の実施
例、上記第２の発明の実施例における増幅手段６や位相
補償コンデンサ７の構成は以下のように変更することが
できる。 （１）増幅手段６の電圧利得は、トランジスタ６０７の
相互コンダクタンスに負荷抵抗６０６の抵抗を乗じた大
きさであるが、これは負荷抵抗６０６を信号源抵抗の大
きな電流源に置き換えることにより、電圧利得をさらに
大きくすることができる。もし、半導体プロセスでＦＥ
Ｔなどが利用できるのであれば、これらで構成したカレ
ントミラーや電流源を、この電流源として構成できる。
この場合、電源電圧変動や、トランジスタのｈｆｅの変
動に対し、より影響を受けにくくすることができる。 （２）増幅手段６の入力端子であるトランジスタ６０７
のベース電位は、回路構成上、トランジスタ１、２のコ
レクタ電位と同一になれば良く、この条件を満足すれ
ば、他の構成であってもよい。すなわち、入力電位の条
件を満たすように構成した差動増幅器やオペアンプでも
構成することができる。 （３）コンデンサ７は実質的に、負帰還を安定にするた
めの一巡伝達特性の利得および位相の補償ができれば、
どのような位置、数、方法であっても良い。例えば、コ
ンデンサ７の代わりに、トランジスタ６０７のベース〜
コレクタ間にコンデンサを設け、ミラー効果を期待し
て、より少ない容量のコンデンサにしても良い。 （４）増幅手段６の出力部はＮＰＮトランジスタによる
エミッタフォロアであるが、これは他のバッファ手段で
あっても良く、例えば、ＦＥＴによるソースフォロアで
あっても良い。この場合も、ソース電流の変化に対する
ゲート〜ソース間電圧の変化から導かれる動抵抗は、出
力抵抗に含まれる。 （５）増幅手段６の入力電圧変化に対する増幅手段６内
の出力電圧の変化の位相は負であるが、これは逆の正の
位相であっても良い。しかしこの場合、ダイオード接続
するトランジスタを、トランジスタ１からトランジスタ
２に変更するとともに、トランジスタ３のベースの接続
点を、トランジスタ２のコレクタからトランジスタ１の
コレクタに変更して、装置全体を負帰還にする必要があ
る。
例、上記第２の発明の実施例における増幅手段６や位相
補償コンデンサ７の構成は以下のように変更することが
できる。 （１）増幅手段６の電圧利得は、トランジスタ６０７の
相互コンダクタンスに負荷抵抗６０６の抵抗を乗じた大
きさであるが、これは負荷抵抗６０６を信号源抵抗の大
きな電流源に置き換えることにより、電圧利得をさらに
大きくすることができる。もし、半導体プロセスでＦＥ
Ｔなどが利用できるのであれば、これらで構成したカレ
ントミラーや電流源を、この電流源として構成できる。
この場合、電源電圧変動や、トランジスタのｈｆｅの変
動に対し、より影響を受けにくくすることができる。 （２）増幅手段６の入力端子であるトランジスタ６０７
のベース電位は、回路構成上、トランジスタ１、２のコ
レクタ電位と同一になれば良く、この条件を満足すれ
ば、他の構成であってもよい。すなわち、入力電位の条
件を満たすように構成した差動増幅器やオペアンプでも
構成することができる。 （３）コンデンサ７は実質的に、負帰還を安定にするた
めの一巡伝達特性の利得および位相の補償ができれば、
どのような位置、数、方法であっても良い。例えば、コ
ンデンサ７の代わりに、トランジスタ６０７のベース〜
コレクタ間にコンデンサを設け、ミラー効果を期待し
て、より少ない容量のコンデンサにしても良い。 （４）増幅手段６の出力部はＮＰＮトランジスタによる
エミッタフォロアであるが、これは他のバッファ手段で
あっても良く、例えば、ＦＥＴによるソースフォロアで
あっても良い。この場合も、ソース電流の変化に対する
ゲート〜ソース間電圧の変化から導かれる動抵抗は、出
力抵抗に含まれる。 （５）増幅手段６の入力電圧変化に対する増幅手段６内
の出力電圧の変化の位相は負であるが、これは逆の正の
位相であっても良い。しかしこの場合、ダイオード接続
するトランジスタを、トランジスタ１からトランジスタ
２に変更するとともに、トランジスタ３のベースの接続
点を、トランジスタ２のコレクタからトランジスタ１の
コレクタに変更して、装置全体を負帰還にする必要があ
る。
【００６０】また、上記第１の発明の第１、２の実施
例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実施例
において、トランジスタ２、トランジスタ３、トランジ
スタ６０７または６２９、トランジスタ８の各エミッタ
は、直接電源の接地端子に接続されているが、これら
は、まとめて一つのノードに接続して共通の電位を持た
せたり、また、それらの電位が同じ大きさになるように
設定した抵抗を介して接地させても良い。後者のような
個々に抵抗を介して接地する方法では、ベース電位の変
化に対するコレクタ電流の変化の割合である相互コンダ
クタンスが小さくでき、増幅手段６の電圧利得が大きい
場合には負帰還を安定にする効果が得られる。
例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実施例
において、トランジスタ２、トランジスタ３、トランジ
スタ６０７または６２９、トランジスタ８の各エミッタ
は、直接電源の接地端子に接続されているが、これら
は、まとめて一つのノードに接続して共通の電位を持た
せたり、また、それらの電位が同じ大きさになるように
設定した抵抗を介して接地させても良い。後者のような
個々に抵抗を介して接地する方法では、ベース電位の変
化に対するコレクタ電流の変化の割合である相互コンダ
クタンスが小さくでき、増幅手段６の電圧利得が大きい
場合には負帰還を安定にする効果が得られる。
【００６１】また、上記第１の発明の第１、２の実施
例、上記第２の発明の実施例において、トランジスタは
すべてＮＰＮトランジスタであるが、これはすべてＰＮ
Ｐトランジスタであっても良い。
例、上記第２の発明の実施例において、トランジスタは
すべてＮＰＮトランジスタであるが、これはすべてＰＮ
Ｐトランジスタであっても良い。
【００６２】また、上記第３の発明の実施例において、
起動用抵抗３３３がトランジスタ３２１のコレクタに接
続されているが、これはトランジスタ３２１のエミッタ
に接続しても良い。この場合、抵抗３３３の電流がトラ
ンジスタ３２１のコレクタ電流に加わるため、本来、補
償すべきトランジスタ１、２のベース電流より多いベー
ス電流がトランジスタ３２１のベースに流れることにな
る。しかし一方で、電源９の電圧が大きく変動するよう
なとき、抵抗の端子電圧がトランジスタ３２１のエミッ
タ電位で抑えられるため、設定電流が大きく変動するこ
とを防止することができる。従って抵抗値は、ベース電
流の補償値がずれる被害と、電源電圧の変動に強いと言
う効果のトレードオフで選定することになる。
起動用抵抗３３３がトランジスタ３２１のコレクタに接
続されているが、これはトランジスタ３２１のエミッタ
に接続しても良い。この場合、抵抗３３３の電流がトラ
ンジスタ３２１のコレクタ電流に加わるため、本来、補
償すべきトランジスタ１、２のベース電流より多いベー
ス電流がトランジスタ３２１のベースに流れることにな
る。しかし一方で、電源９の電圧が大きく変動するよう
なとき、抵抗の端子電圧がトランジスタ３２１のエミッ
タ電位で抑えられるため、設定電流が大きく変動するこ
とを防止することができる。従って抵抗値は、ベース電
流の補償値がずれる被害と、電源電圧の変動に強いと言
う効果のトレードオフで選定することになる。
【００６３】また、上記第１の発明の第１、２の実施
例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実施例
において、装置出力をトランジスタ８、８１１、８２１
などとして説明しているが、これはトランジスタ１、２
のコレクタ電流の和の電流が流れる、抵抗４とトランジ
スタ２のエミッタの接続点が、電源９に接地されるとこ
ろであったり、これにトランジスタ３のエミッタ電流が
加わったところの電流であったりしても良い。また、上
記第１の発明の第１、２の実施例、上記第２の発明の実
施例においては、トランジスタ６０１〜６０５、６１
１、６１２のコレクタ電流が装置出力であっても良い。
本発明の各実施例の電流発生装置では、増幅手段または
カレントミラーの駆動電流を除く、電源から接地に流れ
る電流は、電源電圧変動やトランジスタのｈｆｅの変動
に鈍感な本発明の目的の効果を備えた電流であり、出力
する電流はこれらのどれであっても良い。
例、上記第２の発明の実施例、上記第３の発明の実施例
において、装置出力をトランジスタ８、８１１、８２１
などとして説明しているが、これはトランジスタ１、２
のコレクタ電流の和の電流が流れる、抵抗４とトランジ
スタ２のエミッタの接続点が、電源９に接地されるとこ
ろであったり、これにトランジスタ３のエミッタ電流が
加わったところの電流であったりしても良い。また、上
記第１の発明の第１、２の実施例、上記第２の発明の実
施例においては、トランジスタ６０１〜６０５、６１
１、６１２のコレクタ電流が装置出力であっても良い。
本発明の各実施例の電流発生装置では、増幅手段または
カレントミラーの駆動電流を除く、電源から接地に流れ
る電流は、電源電圧変動やトランジスタのｈｆｅの変動
に鈍感な本発明の目的の効果を備えた電流であり、出力
する電流はこれらのどれであっても良い。
【００６４】
【発明の効果】本発明の第１の構成は、上記第１の発明
の第１および第２の実施例より明らかなように、以下に
示す効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタは、第１〜３ト
ランジスタと同一極性でよい。 （２）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タのベース電流を設定することができ、トランジスタの
ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受けに
くい。 （３）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、
電源電圧の変動の影響を受けにくい。
の第１および第２の実施例より明らかなように、以下に
示す効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタは、第１〜３ト
ランジスタと同一極性でよい。 （２）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タのベース電流を設定することができ、トランジスタの
ｈｆｅの温度依存とロット間のバラつきの影響を受けに
くい。 （３）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、
電源電圧の変動の影響を受けにくい。
【００６５】本発明の第２の構成は、上記第２の発明の
実施例より明らかなように、以下に示す効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタは、第１〜３ト
ランジスタと同一極性でよい。 （２）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タおよび第４トランジスタのベース電流を設定すること
ができ、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅの温度依存と
ロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （３）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、
電源電圧の変動の影響を受けにくい。 （4 ）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするための回路の消費する
電流が、上記第１の発明の実施例の１／２にできる。
実施例より明らかなように、以下に示す効果を有する。 （１）増幅手段を構成するトランジスタは、第１〜３ト
ランジスタと同一極性でよい。 （２）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タおよび第４トランジスタのベース電流を設定すること
ができ、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅの温度依存と
ロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （３）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表われず、
電源電圧の変動の影響を受けにくい。 （4 ）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするための回路の消費する
電流が、上記第１の発明の実施例の１／２にできる。
【００６６】本発明の第３の構成は、上記第３の発明の
実施例より明らかなように、以下に示す効果を有する。 （１）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タおよび第４トランジスタのベース電流を設定すること
ができ、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅの温度依存と
ロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （２）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表れず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （３）カレントミラーを構成するトランジスタのコレク
タ〜エミッタ電圧を同一にできるため、アーリー効果の
影響が表われず、電源電圧の変動の影響を受けにくい。 （４）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするための回路の消費する
電流が、従来例の１／２にできる。
実施例より明らかなように、以下に示す効果を有する。 （１）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするように第３トランジス
タおよび第４トランジスタのベース電流を設定すること
ができ、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅの温度依存と
ロット間のバラつきの影響を受けにくい。 （２）第１、２トランジスタのコレクタ〜エミッタ電圧
を同一にできるため、アーリー効果の影響が表れず、電
源電圧の変動の影響を受けにくい。 （３）カレントミラーを構成するトランジスタのコレク
タ〜エミッタ電圧を同一にできるため、アーリー効果の
影響が表われず、電源電圧の変動の影響を受けにくい。 （４）第１トランジスタのコレクタ電流と第２トランジ
スタのコレクタ電流を同一にするための回路の消費する
電流が、従来例の１／２にできる。
【図１】本発明の第１の発明の第１の実施例における電
流発生装置の構成を示す回路図
流発生装置の構成を示す回路図
【図２】本発明の第１の発明の第１の実施例における増
幅手段の出力回路を等価回路で表わした回路図
幅手段の出力回路を等価回路で表わした回路図
【図３】本発明の第１の発明の第２の実施例における電
流発生装置の構成を示す回路図
流発生装置の構成を示す回路図
【図４】本発明の第２の発明の実施例における電流発生
装置の構成を示す回路図
装置の構成を示す回路図
【図５】本発明の第３の発明の実施例における電流発生
装置の構成を示す回路図
装置の構成を示す回路図
【図６】本発明の第１、２、３の発明における第１トラ
ンジスタを個別エミッタごとに分けて、抵抗を接続する
ようにした部分回路図
ンジスタを個別エミッタごとに分けて、抵抗を接続する
ようにした部分回路図
【図７】従来の電流発生装置の構成を示す回路図
【図８】従来例における第１、２トランジスタのコレク
タ電流とＶ1 の関係式のプロット図
タ電流とＶ1 の関係式のプロット図
１ 第１トランジスタ ２ 第２トランジスタ ３ 第３トランジスタ ４ 抵抗 ６ 増幅装置 ７ コンデンサ ８ 負荷トランジスタ ９ 電源 １２１、２２１ トランジスタ ３２１ 第４トランジスタ ３３２、３３３ 抵抗 ４４１、４４２ 抵抗 ５０１〜５０５ 出力抵抗 ５１２ 出力抵抗 ５３０ カレントミラー ５３１〜５３５ トランジスタ ６０１〜６０５ トランジスタ ６０６ 負荷抵抗 ６０７、６２７、６２９ トランジスタ ６０８ バッファ ６１１、６１２ トランジスタ ８１１、８２１ 負荷
Claims (5)
- 【請求項１】 ベースが共に接続された第１トランジス
タおよび第２トランジスタと、前記第１トランジスタの
エミッタに接続された抵抗と、前記第２トランジスタの
コレクタにベースが接続された第３トランジスタと、前
記第３トランジスタのコレクタにその入力端が接続され
且つ出力抵抗を有する複数の出力部を持つ増幅手段とを
備え、前記増幅手段の各出力部がそれぞれ前記第１トラ
ンジスタおよび第２トランジスタおよび第３トランジス
タのコレクタに接続され、前記第１トランジスタのコレ
クタ電流と前記第２トランジスタのコレクタ電流を同一
にするように前記第３トランジスタのベース電流を設定
することを特徴とする電流発生装置。 - 【請求項２】 ベースが共に接続された第１トランジス
タおよび第２トランジスタと、前記第１トランジスタの
エミッタに接続された抵抗と、前記第２トランジスタの
コレクタにベースが接続された第３トランジスタと、前
記第３トランジスタのコレクタにエミッタが接続された
第４トランジスタと、前記第４トランジスタのコレクタ
にその入力端が接続され且つ出力抵抗を有する複数の出
力部を持つ増幅手段とを備え、前記増幅手段の各出力部
がそれぞれ前記第１トランジスタおよび第２トランジス
タおよび第３トランジスタのコレクタに接続され、前記
第１トランジスタのコレクタ電流と前記第２トランジス
タのコレクタ電流を同一にするように前記第３トランジ
スタおよび前記第４トランジスタのベース電流を設定す
ることを特徴とする電流発生装置。 - 【請求項３】 ベースが共に接続された第１トランジス
タおよび第２トランジスタと、前記第１トランジスタの
エミッタに接続された抵抗と、前記第２トランジスタの
コレクタにベースが接続された第３トランジスタと、前
記第３トランジスタのコレクタにエミッタが接続された
第４トランジスタと、前記第４トランジスタのコレクタ
にその入力端が接続された複数の出力を持つカレントミ
ラーとを備え、前記カレントミラーの各出力がそれぞれ
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタおよ
び負荷となるトランジスタのコレクタに接続され、前記
第１トランジスタのコレクタ電流と前記第２トランジス
タのコレクタ電流を同一にするように前記第３トランジ
スタおよび前記第４トランジスタのベース電流を設定す
ることを特徴とする電流発生装置。 - 【請求項４】 第１トランジスタと、前記第１トランジ
スタのエミッタに接続された抵抗の構成を、複数のトラ
ンジスタと、前記複数のトランジスタの各エミッタに抵
抗を接続した単位を、それぞれ並列接続したもので置き
換えたことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記
載の電流発生装置。 - 【請求項５】 増幅装置を、エミッタ接地トランジスタ
と、エミッタフォロアとで構成したことを特徴とする請
求項１から４のいずれかに記載の電流発生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05045897A JP3091801B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 電流発生装置 |
| EP94300813A EP0611105B1 (en) | 1993-02-09 | 1994-02-03 | Current source |
| DE69410654T DE69410654T2 (de) | 1993-02-09 | 1994-02-03 | Stromquelle |
| US08/194,331 US5432433A (en) | 1993-02-09 | 1994-02-08 | Current source having current mirror arrangement with plurality of output portions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05045897A JP3091801B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 電流発生装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000101642A Division JP3335984B2 (ja) | 1992-03-09 | 2000-04-03 | 電流発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720960A true JPH0720960A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3091801B2 JP3091801B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=12732041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05045897A Expired - Fee Related JP3091801B2 (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | 電流発生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432433A (ja) |
| EP (1) | EP0611105B1 (ja) |
| JP (1) | JP3091801B2 (ja) |
| DE (1) | DE69410654T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016181946A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | 記録ヘッドの駆動回路及び画像記録装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4416711C1 (de) * | 1994-05-11 | 1995-08-03 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzstroms |
| US5990725A (en) * | 1997-06-30 | 1999-11-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Temperature measurement with interleaved bi-level current on a diode and bi-level current source therefor |
| JP5320841B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-10-23 | 住友電気工業株式会社 | 増幅器および光モジュール |
| JP5554134B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-07-23 | ローム株式会社 | 電流生成回路およびそれを用いた基準電圧回路 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1134463A (en) * | 1978-10-13 | 1982-10-26 | Kyoichi Murakami | Circuit for converting single-ended input signals to a pair of differential output signals |
| JPS60191508A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流発生装置 |
| US4612496A (en) * | 1984-10-01 | 1986-09-16 | Motorola, Inc. | Linear voltage-to-current converter |
| FR2667703A1 (fr) * | 1990-10-05 | 1992-04-10 | Philips Composants | Source de courant a rapport donne entre courant de sortie et d'entree. |
| JPH0535350A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nec Yamagata Ltd | 定電流源 |
| DE69230521T2 (de) * | 1991-10-21 | 2000-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verstärker |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP05045897A patent/JP3091801B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-03 EP EP94300813A patent/EP0611105B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-03 DE DE69410654T patent/DE69410654T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-08 US US08/194,331 patent/US5432433A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016181946A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | 記録ヘッドの駆動回路及び画像記録装置 |
| CN107614268A (zh) * | 2015-05-13 | 2018-01-19 | 柯尼卡美能达株式会社 | 记录头的驱动电路以及图像记录装置 |
| JPWO2016181946A1 (ja) * | 2015-05-13 | 2018-03-01 | コニカミノルタ株式会社 | 記録ヘッドの駆動回路及び画像記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0611105A3 (en) | 1995-09-06 |
| US5432433A (en) | 1995-07-11 |
| DE69410654T2 (de) | 1998-12-10 |
| EP0611105A2 (en) | 1994-08-17 |
| JP3091801B2 (ja) | 2000-09-25 |
| EP0611105B1 (en) | 1998-06-03 |
| DE69410654D1 (de) | 1998-07-09 |
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