JPH0720658A - 電子写真現像用キャリヤの静抵抗値調節法 - Google Patents
電子写真現像用キャリヤの静抵抗値調節法Info
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- JPH0720658A JPH0720658A JP5182270A JP18227093A JPH0720658A JP H0720658 A JPH0720658 A JP H0720658A JP 5182270 A JP5182270 A JP 5182270A JP 18227093 A JP18227093 A JP 18227093A JP H0720658 A JPH0720658 A JP H0720658A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子写真現像用キャリヤの静抵抗値を任意に
調節する。 【構成】 一般式 (MO)100-X(Fe2O3)X で示されるソ
フトフェライト粒子(式中のMはソフトフェライトを構
成し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の任
意数を表す)からなる電子写真現像用キャリヤの静抵抗
値を100V印加時で106 Ω・cmから1012Ω・c
mまでの任意の値に調節する手段として,該フエライト
中の燐または酸化燐の含有量を調節する。
調節する。 【構成】 一般式 (MO)100-X(Fe2O3)X で示されるソ
フトフェライト粒子(式中のMはソフトフェライトを構
成し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の任
意数を表す)からなる電子写真現像用キャリヤの静抵抗
値を100V印加時で106 Ω・cmから1012Ω・c
mまでの任意の値に調節する手段として,該フエライト
中の燐または酸化燐の含有量を調節する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真現像用キャリ
ヤ,特に2成分現像剤におけるフェライトキャリヤの静
抵抗値を任意に調節する方法に関する。
ヤ,特に2成分現像剤におけるフェライトキャリヤの静
抵抗値を任意に調節する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光導電性材料の表面上に静電気的手段に
より像を形成して現像する電子写真像形成法のうち,い
わゆる磁気ブラシ現像法は,米国特許第2874063
号に記載されているように,トナーと磁性キャリヤ粒子
からなる現像剤をあたかもブラシ様に配列させ,この磁
気ブラシを静電像支持表面と接触させてトナー粒子をブ
ラシから潜像に静電気力により引き付けることにより可
視像を形成し,この可視像を紙あるいはその他の支持体
に転写せしめた後,熱等により定着することによって完
了する。
より像を形成して現像する電子写真像形成法のうち,い
わゆる磁気ブラシ現像法は,米国特許第2874063
号に記載されているように,トナーと磁性キャリヤ粒子
からなる現像剤をあたかもブラシ様に配列させ,この磁
気ブラシを静電像支持表面と接触させてトナー粒子をブ
ラシから潜像に静電気力により引き付けることにより可
視像を形成し,この可視像を紙あるいはその他の支持体
に転写せしめた後,熱等により定着することによって完
了する。
【0003】この磁気ブラシ法に用いられるキャリヤ物
質としては強磁性を示す物質,例えば,マグネタイト,
鉄粉,Co,Ni元素を含む合金,フェライト等の各種
のものが提案されているが,現在ではフェライトが主流
を占めるようになっている。
質としては強磁性を示す物質,例えば,マグネタイト,
鉄粉,Co,Ni元素を含む合金,フェライト等の各種
のものが提案されているが,現在ではフェライトが主流
を占めるようになっている。
【0004】なかでも米国特許第3929657号に提
案されたものは,表面に樹脂等の被覆層を設けて湿度に
対して安定化をはかる必要のない重要なフェライトキャ
リヤの一つである。
案されたものは,表面に樹脂等の被覆層を設けて湿度に
対して安定化をはかる必要のない重要なフェライトキャ
リヤの一つである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】該米国特許のフェライ
トキャリヤは(MO)と(Fe2O3)を理論的化学量
論近傍に設定するものである。このためそれ自体抵抗値
が高く,得られる画像濃度が低いことに加え階調性の変
化率も小さいことは判明している。
トキャリヤは(MO)と(Fe2O3)を理論的化学量
論近傍に設定するものである。このためそれ自体抵抗値
が高く,得られる画像濃度が低いことに加え階調性の変
化率も小さいことは判明している。
【0006】この問題を改良すべく特公昭62−377
82号公報は,(Fe2O3)を54モル%以上に設定
したうえ,更に焼成時の雰囲気を調整することによって
抵抗値を連続的に低く変化させる処法を開示しており,
これによって任意の画像が得られると教示している。し
かし(Fe2O3)を54モル%以上に設定すると,湿
度に対してキャリヤ物性が不安定になり,結果として樹
脂被覆なしでは安定な画像が得られないことが判明して
いる。また,焼成雰囲気の調整のために製造コストが高
くつくことはさけられない。
82号公報は,(Fe2O3)を54モル%以上に設定
したうえ,更に焼成時の雰囲気を調整することによって
抵抗値を連続的に低く変化させる処法を開示しており,
これによって任意の画像が得られると教示している。し
かし(Fe2O3)を54モル%以上に設定すると,湿
度に対してキャリヤ物性が不安定になり,結果として樹
脂被覆なしでは安定な画像が得られないことが判明して
いる。また,焼成雰囲気の調整のために製造コストが高
くつくことはさけられない。
【0007】本発明の目的は,かような従来技術の問題
の解決を図り,電子写真現像用キャリヤの抵抗値を任意
に調節できる新たな処法を提供せんとするものである。
の解決を図り,電子写真現像用キャリヤの抵抗値を任意
に調節できる新たな処法を提供せんとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば,一般式
(MO)100−x(Fe2O3)Xで示されるソフト
フェライト(ただし式中のMはソフトフェライトを構成
し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の任意
数,好ましくは45〜70の範囲の任意数を表す)を電
子写真現像用キャリヤとして使用するさいに,該キャリ
ヤの静抵抗値を100V印加時で106Ω・cmから1
012Ω・cmまでの任意の値に調節する手段として,
燐または酸化燐を該ソフトフェライト中に含有させるこ
とを特徴とする電子写真現像用フェライトキャリヤの静
抵抗調節法を提供する。
(MO)100−x(Fe2O3)Xで示されるソフト
フェライト(ただし式中のMはソフトフェライトを構成
し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の任意
数,好ましくは45〜70の範囲の任意数を表す)を電
子写真現像用キャリヤとして使用するさいに,該キャリ
ヤの静抵抗値を100V印加時で106Ω・cmから1
012Ω・cmまでの任意の値に調節する手段として,
燐または酸化燐を該ソフトフェライト中に含有させるこ
とを特徴とする電子写真現像用フェライトキャリヤの静
抵抗調節法を提供する。
【0009】また別法として,前記の燐または酸化燐に
代えてまたはこれに加えてAs2O3またはSb2O3
を静抵抗調節手段に用いる電子写真現像用フェライトキ
ャリヤの静抵抗調節法を提供する。
代えてまたはこれに加えてAs2O3またはSb2O3
を静抵抗調節手段に用いる電子写真現像用フェライトキ
ャリヤの静抵抗調節法を提供する。
【0010】
【作用】前記の一般式で示されるソフトフェライトにP
を添加すると,P添加量に応じて該フエライトの静抵抗
値が低くなる作用があることがわかった。つまり,意図
する静抵抗値を得るにはそれに対応する量のPを添加す
ればよい。同様の作用はP2O5にも見られ,またAs
2O3やSb2O3にも見られることがわかった。
を添加すると,P添加量に応じて該フエライトの静抵抗
値が低くなる作用があることがわかった。つまり,意図
する静抵抗値を得るにはそれに対応する量のPを添加す
ればよい。同様の作用はP2O5にも見られ,またAs
2O3やSb2O3にも見られることがわかった。
【0011】したがって,本発明によれば例えば(Fe
2O3)が54モル%未満の湿度に対して安定なソフト
フェライトであっても(該式中のXが54未満のもので
あっても)意図する静抵抗値に自在に調節できる。この
ため樹脂被覆で湿度に対する安定性を確保する必要がな
くなり,樹脂被覆なしで静抵抗値の低いソフトフェライ
トが提供できる。したがって,式中のXの値が40以上
54未満,さらに好ましくは45以上54未満のソフト
フェライトにおいて本発明は特に有益である。
2O3)が54モル%未満の湿度に対して安定なソフト
フェライトであっても(該式中のXが54未満のもので
あっても)意図する静抵抗値に自在に調節できる。この
ため樹脂被覆で湿度に対する安定性を確保する必要がな
くなり,樹脂被覆なしで静抵抗値の低いソフトフェライ
トが提供できる。したがって,式中のXの値が40以上
54未満,さらに好ましくは45以上54未満のソフト
フェライトにおいて本発明は特に有益である。
【0012】また.これらP,P2O5,As2O3,
Sb2O3をフエライト中に適量添加すればフエライト
粒子の衝撃に対する強度が大きくなるという作用効果も
奏される。
Sb2O3をフエライト中に適量添加すればフエライト
粒子の衝撃に対する強度が大きくなるという作用効果も
奏される。
【0013】なお,特開昭60−227265号公報に
は特定組成のフエライトキャリヤ材において周期率表の
第V族の元素の酸化物,例えば酸化燐,酸化砒素,酸化
アンチモン,酸化ビスマスまたは酸化バナジウム等を添
加すると表面が滑らかな球状粒子とすることができると
記載されている。そして該公報にはこれらの酸化物を添
加した場合の電気抵抗率も示されている。だが,このデ
ータを見ると無添加の場合に比べて殆んど変化が見られ
ないと言って過言ではない。本発明者は,後記の実施例
に示すように,この公報の内容からは全く予期しえない
ような,或いは予期に反するような静抵抗値のドラスチ
ックな低下がPの含有量の調節(更にはP2O5,As
2O3,Sb2O3の含有量の調節)によって具現でき
ることを知った。
は特定組成のフエライトキャリヤ材において周期率表の
第V族の元素の酸化物,例えば酸化燐,酸化砒素,酸化
アンチモン,酸化ビスマスまたは酸化バナジウム等を添
加すると表面が滑らかな球状粒子とすることができると
記載されている。そして該公報にはこれらの酸化物を添
加した場合の電気抵抗率も示されている。だが,このデ
ータを見ると無添加の場合に比べて殆んど変化が見られ
ないと言って過言ではない。本発明者は,後記の実施例
に示すように,この公報の内容からは全く予期しえない
ような,或いは予期に反するような静抵抗値のドラスチ
ックな低下がPの含有量の調節(更にはP2O5,As
2O3,Sb2O3の含有量の調節)によって具現でき
ることを知った。
【0014】本発明によればフエライトキャリヤの静抵
抗値を自由且つ任意に所望の値に調節できるのであり,
このことは,電子写真現像用機械(コピー機械)の特性
に応じて最も適正な静抵抗値をもつキャリヤ材が得られ
ることを意味する。すなわち良好な画像を得るには機種
にマッチした静抵抗値のキャリヤが要求されるのである
が,本発明によればこの機種に応じた要求を樹脂被覆な
しに満たすことができる。
抗値を自由且つ任意に所望の値に調節できるのであり,
このことは,電子写真現像用機械(コピー機械)の特性
に応じて最も適正な静抵抗値をもつキャリヤ材が得られ
ることを意味する。すなわち良好な画像を得るには機種
にマッチした静抵抗値のキャリヤが要求されるのである
が,本発明によればこの機種に応じた要求を樹脂被覆な
しに満たすことができる。
【0015】本発明法が適用できる電子写真キャリヤは
一般式(MO)100−x(Fe2O3)Xで示される
ソフトフェライト粒子(式中のMはソフトフェライトを
構成し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の
任意数を表す)である。2価の金属元素としてはCu,
Zn,Fe,Co,Ni,Mn,Cd,Mg等が挙げら
れる。これらの元素は複合して存在してもよい。Xの値
すなわち(Fe2O3)のモル%は40以上100未満
であるのが好ましく,より好ましくは45以上70未満
である。Xが40未満では飽和磁化が減少しキャリヤ飛
散が多くなるし,原料費も高くなる。
一般式(MO)100−x(Fe2O3)Xで示される
ソフトフェライト粒子(式中のMはソフトフェライトを
構成し得る2価の金属元素,Xは40以上100未満の
任意数を表す)である。2価の金属元素としてはCu,
Zn,Fe,Co,Ni,Mn,Cd,Mg等が挙げら
れる。これらの元素は複合して存在してもよい。Xの値
すなわち(Fe2O3)のモル%は40以上100未満
であるのが好ましく,より好ましくは45以上70未満
である。Xが40未満では飽和磁化が減少しキャリヤ飛
散が多くなるし,原料費も高くなる。
【0016】静抵抗値の調節のために添加するP量(更
にはP2O5,As2O3,Sb2O3量)は合計で
0.05〜5.00重量%,より好ましくは0.1〜
2.0重量%の範囲であり,この範囲において添加量を
増量すればその増量に応じて静抵抗値は連続的に低下す
る。0.05重量%未満では静抵抗値の低下作用が少な
く,5.00重量%を超えると飽和磁化が減少しキャリ
ヤ飛散が多くなる。静抵抗値の調節範囲は対象とするフ
エライトの組成によっても相違するが100V印加値で
106〜1012Ω・cmに及ぶことができる。
にはP2O5,As2O3,Sb2O3量)は合計で
0.05〜5.00重量%,より好ましくは0.1〜
2.0重量%の範囲であり,この範囲において添加量を
増量すればその増量に応じて静抵抗値は連続的に低下す
る。0.05重量%未満では静抵抗値の低下作用が少な
く,5.00重量%を超えると飽和磁化が減少しキャリ
ヤ飛散が多くなる。静抵抗値の調節範囲は対象とするフ
エライトの組成によっても相違するが100V印加値で
106〜1012Ω・cmに及ぶことができる。
【0017】本発明のキャリヤ粒子は通常20〜200
μmの平均粒径を有し,前記の静抵抗値の範囲において
樹脂被覆しないで用いられる。静抵抗値が106Ω・c
m未満になると解像度が低下し,1012Ω・cmを超
えると画像濃度が低下する。更に本発明のキャリヤ粒子
の飽和磁化σsは45emu/g以上であることが好ま
しく,これ未満になるとキャリヤが感光体に付着するキ
ャリヤ引きの現象が現れる。もちろん本発明キャリヤに
帯電制御等の必要から樹脂被覆をして使用してもかまわ
ない。
μmの平均粒径を有し,前記の静抵抗値の範囲において
樹脂被覆しないで用いられる。静抵抗値が106Ω・c
m未満になると解像度が低下し,1012Ω・cmを超
えると画像濃度が低下する。更に本発明のキャリヤ粒子
の飽和磁化σsは45emu/g以上であることが好ま
しく,これ未満になるとキャリヤが感光体に付着するキ
ャリヤ引きの現象が現れる。もちろん本発明キャリヤに
帯電制御等の必要から樹脂被覆をして使用してもかまわ
ない。
【0018】なお 本発明キャリヤは前述の米国特許第
3929657号に記載されているような一般的な工程
で製造することができる。すなわちフェライト構成成分
と水を混合し,必要に応じ結合剤,分散剤を添加する。
ついでスプレードライヤーにより造粒乾燥し必要な粒度
に分級する。更に所定の焼成温度にて焼成を行う。この
時炉内の酸素濃度は大気と同じでよい。焼成後のケーキ
はハンマーミル等で解砕され希望の粒度に分級されてキ
ャリヤとなる。
3929657号に記載されているような一般的な工程
で製造することができる。すなわちフェライト構成成分
と水を混合し,必要に応じ結合剤,分散剤を添加する。
ついでスプレードライヤーにより造粒乾燥し必要な粒度
に分級する。更に所定の焼成温度にて焼成を行う。この
時炉内の酸素濃度は大気と同じでよい。焼成後のケーキ
はハンマーミル等で解砕され希望の粒度に分級されてキ
ャリヤとなる。
【0019】
[実施例1]配合割合がFe2O3=53モル%,Cu
O=23.5モル%,ZnO=23.5モル%となるも
のにPを各々0,0.2,2.0,5.0重量%添加し
て4種の組成物を準備した。それぞれに1%の結合剤と
水を加えて60%濃度のスラリーとした後,湿式ボール
ミルで粉砕しスプレードライヤーにより平均粒径80μ
mの乾燥粒子を得た。ついで焼成炉にて大気雰囲気のも
と1150℃で焼成を行った後,解粒篩分けして平均粒
径70μmのフェライト粒子を得た。
O=23.5モル%,ZnO=23.5モル%となるも
のにPを各々0,0.2,2.0,5.0重量%添加し
て4種の組成物を準備した。それぞれに1%の結合剤と
水を加えて60%濃度のスラリーとした後,湿式ボール
ミルで粉砕しスプレードライヤーにより平均粒径80μ
mの乾燥粒子を得た。ついで焼成炉にて大気雰囲気のも
と1150℃で焼成を行った後,解粒篩分けして平均粒
径70μmのフェライト粒子を得た。
【0020】表1に各フエライト粒子の物性値を示し
た。飽和磁化は直流磁化特性測定装置(横河電気製)に
より測定した。静抵抗値は試料5gに100V印加した
時の抵抗を絶縁抵抗計により測定した。破砕率は破砕試
験機(協立理工製)に予め45μm以下を除去した試料
を入れ,15秒間運転後,45μm以下の発生率を測定
した。破砕率が低いほど粒子強度が高いことを意味す
る。
た。飽和磁化は直流磁化特性測定装置(横河電気製)に
より測定した。静抵抗値は試料5gに100V印加した
時の抵抗を絶縁抵抗計により測定した。破砕率は破砕試
験機(協立理工製)に予め45μm以下を除去した試料
を入れ,15秒間運転後,45μm以下の発生率を測定
した。破砕率が低いほど粒子強度が高いことを意味す
る。
【0021】
【表1】
【0022】表1の結果から,Pの添加量が増加するに
つれて飽和磁化には大きな変化はなくても静抵抗値が急
激に低くなることがわかる。また破砕率も低くなり強度
の向上も顕著である。したがって,このフエライト粒子
のP添加量と静抵抗値の関係を予め把握しておけば,こ
の相関を利用することにより,意図する静抵抗値をもつ
フエライト粒子が当該P含有量の調節によって得ること
ができる。
つれて飽和磁化には大きな変化はなくても静抵抗値が急
激に低くなることがわかる。また破砕率も低くなり強度
の向上も顕著である。したがって,このフエライト粒子
のP添加量と静抵抗値の関係を予め把握しておけば,こ
の相関を利用することにより,意図する静抵抗値をもつ
フエライト粒子が当該P含有量の調節によって得ること
ができる。
【0023】各フェライト粒子をA社製の汎用複写機の
現像用キャリヤとして20℃,60RH%の条件下で実
写テストを実施した結果,P含有量0.2,2.0,
5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られたが,P
含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像となった。また
同様の実写テストを10℃で30RH%と30℃で85
RH%の条件を変えて実施したところ,P含有量0.
2,2.0,5.0%のものは同様の画像が得られた。
これは本発明キャリヤ材が温度,湿度の変化に対して安
定であることを示している。
現像用キャリヤとして20℃,60RH%の条件下で実
写テストを実施した結果,P含有量0.2,2.0,
5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られたが,P
含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像となった。また
同様の実写テストを10℃で30RH%と30℃で85
RH%の条件を変えて実施したところ,P含有量0.
2,2.0,5.0%のものは同様の画像が得られた。
これは本発明キャリヤ材が温度,湿度の変化に対して安
定であることを示している。
【0024】[実施例2]配合割合がFe2O3=50
モル%,CuO=25モル%,ZnO=25モル%とな
るものに,P2O5を各々0,0.2,2.0,5.0
重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞれに1
%の結合剤と水を加えて約60%濃度のスラリーとした
後,スプレードライヤーにより平均粒径80μmの乾燥
粒子を得た。ついで焼成炉にて大気雰囲気のもと111
5℃で焼成を行った後,解粒篩分けして平均粒径70μ
mのフェライト粒子を得た。
モル%,CuO=25モル%,ZnO=25モル%とな
るものに,P2O5を各々0,0.2,2.0,5.0
重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞれに1
%の結合剤と水を加えて約60%濃度のスラリーとした
後,スプレードライヤーにより平均粒径80μmの乾燥
粒子を得た。ついで焼成炉にて大気雰囲気のもと111
5℃で焼成を行った後,解粒篩分けして平均粒径70μ
mのフェライト粒子を得た。
【0025】各フエライト粒子の物性値を実施例1と同
様に測定して表2の結果を得た。
様に測定して表2の結果を得た。
【0026】
【表2】
【0027】表2の結果から,P2O5含有量の調節に
よってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節できる
ことがわかる。また,実施例1と同様の温湿度条件で同
一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿度条件の
変動に拘わらずP2O5含有量0.2,2.0,5.0
%のキャリヤは濃度の高い画像が得られたが,P2O5
含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像となった。
よってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節できる
ことがわかる。また,実施例1と同様の温湿度条件で同
一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿度条件の
変動に拘わらずP2O5含有量0.2,2.0,5.0
%のキャリヤは濃度の高い画像が得られたが,P2O5
含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像となった。
【0028】[実施例3]配合割合がFe2O3=63
モル%,MnO=20.0モル%,ZnO=17.0モ
ル%のものに,As2O3を各々0,0.2,2.0,
5.0重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞ
れに1%の結合剤と水を加えて60%濃度のスラリーと
した後,湿式ボールミルで粉砕しスプレードライヤーに
より平均粒径80μmの乾燥粒子を得た。ついで,焼成
炉にて大気雰囲気のもと1200℃で焼成を行った後,
解粒篩分けして平均粒径70μmのフェライト粒子を得
た。
モル%,MnO=20.0モル%,ZnO=17.0モ
ル%のものに,As2O3を各々0,0.2,2.0,
5.0重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞ
れに1%の結合剤と水を加えて60%濃度のスラリーと
した後,湿式ボールミルで粉砕しスプレードライヤーに
より平均粒径80μmの乾燥粒子を得た。ついで,焼成
炉にて大気雰囲気のもと1200℃で焼成を行った後,
解粒篩分けして平均粒径70μmのフェライト粒子を得
た。
【0029】各フエライト粒子の物性値を実施例1と同
様に測定して表3の結果を得た。
様に測定して表3の結果を得た。
【0030】
【表3】
【0031】表3の結果から,As2O3含有量の調節
によってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節でき
ることがわかる。また,実施例1と同様に温湿度条件を
変えて同一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿
度条件の変動に拘わらず,As2O3含有量0.2,
2.0,5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られ
たがAs2O3含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像
となった。
によってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節でき
ることがわかる。また,実施例1と同様に温湿度条件を
変えて同一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿
度条件の変動に拘わらず,As2O3含有量0.2,
2.0,5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られ
たがAs2O3含有量0%のキャリヤは濃度の低い画像
となった。
【0032】[実施例4]配合割合がFe2O3=70
モル%,MgO=20.0モル%,ZnO=10.0モ
ル%のものにSb2O3を各々0,0.2,2.0,
5.0重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞ
れに1%の結合剤と水を加え60%濃度のスラリーとし
た後,湿式ボールミルで粉砕しスプレードライヤーによ
り平均粒径80μmの乾燥粒子を得た。ついで焼成炉に
て大気雰囲気のもと1250℃で焼成を行った後,解粒
篩分けして平均粒径70μmのフェライト粒子を得た。
モル%,MgO=20.0モル%,ZnO=10.0モ
ル%のものにSb2O3を各々0,0.2,2.0,
5.0重量%添加して4種の組成物を準備した。それぞ
れに1%の結合剤と水を加え60%濃度のスラリーとし
た後,湿式ボールミルで粉砕しスプレードライヤーによ
り平均粒径80μmの乾燥粒子を得た。ついで焼成炉に
て大気雰囲気のもと1250℃で焼成を行った後,解粒
篩分けして平均粒径70μmのフェライト粒子を得た。
【0033】各フエライト粒子の物性値を実施例1と同
様に測定して表4の結果を得た。
様に測定して表4の結果を得た。
【0034】
【表4】
【0035】表3の結果から,Sb2O3含有量の調節
によってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節でき
ることがわかる。また,実施例1と同様に温湿度条件を
変えて同一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿
度条件の変動に拘わらず,Sb2O3含有量0.2,
2.0,5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られ
たが,AS2O3含有量0%のキャリヤは濃度の低い画
像となった。
によってもフエライト粒子の静抵抗値が任意に調節でき
ることがわかる。また,実施例1と同様に温湿度条件を
変えて同一複写機を用いて実写テストを行ったが,温湿
度条件の変動に拘わらず,Sb2O3含有量0.2,
2.0,5.0%のキャリヤは濃度の高い画像が得られ
たが,AS2O3含有量0%のキャリヤは濃度の低い画
像となった。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明によれば,ソフトフ
ェライト粒子からなる電子写真現像用キャリヤの静抵抗
値を任意の値に簡単に調節できるようになった。しか
も,本発明法による静抵抗値の調節はソフトフェライト
の組成特にFe2O3のモル%に関係なく行える点で,
従来の組成を変えたり焼成条件を変える処法に比べると
極めて実用的で且つ融通性がある。このため,例えば最
も温湿度に対する安定性が高い組成のもの(このものは
一般に静抵抗値が高い)に対しても静抵抗値を自由に調
節できる(低下できる)という従来法ではなし得なかっ
た効果が奏される。
ェライト粒子からなる電子写真現像用キャリヤの静抵抗
値を任意の値に簡単に調節できるようになった。しか
も,本発明法による静抵抗値の調節はソフトフェライト
の組成特にFe2O3のモル%に関係なく行える点で,
従来の組成を変えたり焼成条件を変える処法に比べると
極めて実用的で且つ融通性がある。このため,例えば最
も温湿度に対する安定性が高い組成のもの(このものは
一般に静抵抗値が高い)に対しても静抵抗値を自由に調
節できる(低下できる)という従来法ではなし得なかっ
た効果が奏される。
【0037】また本発明法に従って静抵抗値を低下させ
るとキャリヤ粒子の破砕率が低下して強度が向上する点
でも,さらには静抵抗値を低下させても飽和磁化などの
磁気特性に大きな影響を及ぼさない点でも有利である。
るとキャリヤ粒子の破砕率が低下して強度が向上する点
でも,さらには静抵抗値を低下させても飽和磁化などの
磁気特性に大きな影響を及ぼさない点でも有利である。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式 (MO)100-X(Fe2O3)X で示され
るソフトフェライト粒子(ただし,式中のMはソフトフ
ェライトを構成し得る2価の金属元素,Xは40以上1
00未満の任意数を表す)からなる電子写真現像用キャ
リヤの静抵抗値を100V印加時で106 Ω・cmから
1012Ω・cmまでの任意の値に調節する手段として,
該フエライト中の燐または酸化燐の含有量を調節するこ
とからなる電子写真現像用フェライトキャリヤの静抵抗
調節法。 - 【請求項2】 燐または酸化燐の含有量は0.05〜5.00重
量%の範囲で調節される請求項1に記載の静抵抗値調節
法。 - 【請求項3】 一般式 (MO)100-X(Fe2O3)X で示され
るソフトフェライト粒子(ただし,式中のMはソフトフ
ェライトを構成し得る2価の金属元素,Xは40以上1
00未満の任意数を表す)からなる電子写真現像用キャ
リヤの静抵抗値を100V印加時で106 Ω・cmから
1012Ω・cmまでの任意の値に調節する手段として,
該フエライト中のAs2O3 またはSb2O3 の含有量を調
節することからなる電子写真現像用フェライトキャリヤ
の静抵抗調節法。 - 【請求項4】 As2O3 またはSb2O3 の含有量は0.05
〜5.00重量%の範囲で調節される請求項3に記載の静抵
抗値調節法。 - 【請求項5】 一般式中のXは45以上54未満の範囲
の任意数であり,キャリヤ粒子は樹脂被覆無しの平均粒
径20〜200μmのものである請求項1,2,3また
は4に記載の静抵抗値調節法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18227093A JP3157066B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 電子写真現像用キャリヤの静抵抗値調節法 |
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JP18227093A JP3157066B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 電子写真現像用キャリヤの静抵抗値調節法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0720658A true JPH0720658A (ja) | 1995-01-24 |
JP3157066B2 JP3157066B2 (ja) | 2001-04-16 |
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ID=16115330
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18227093A Expired - Fee Related JP3157066B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 電子写真現像用キャリヤの静抵抗値調節法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3157066B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5976747A (en) * | 1998-01-08 | 1999-11-02 | Powdertech Co., Ltd. | Ferrite carrier for electrophotographic developer and electrophotographic developer containing the same |
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JP2001093720A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Dowa Mining Co Ltd | ソフトフェライトの製造法 |
JP2007163673A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Dowa Holdings Co Ltd | 電子写真現像用キャリア芯材および製造法並びに電子写真現像剤 |
WO2011001940A1 (ja) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子写真現像剤用キャリア芯材およびその製造方法、電子写真現像剤用キャリア、並びに電子写真現像剤 |
JP2011075594A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子写真現像剤用キャリア芯材およびその製造方法 |
JP2012144401A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | フェライト粒子並びにそれを用いた電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18227093A patent/JP3157066B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN102472989A (zh) * | 2009-06-29 | 2012-05-23 | 同和电子科技有限公司 | 电子照相显影剂用载体芯材及其制造方法、电子照相显影剂用载体、以及电子照相显影剂 |
KR101327000B1 (ko) * | 2009-06-29 | 2013-11-13 | 도와 아이피 크리에이션 가부시키가이샤 | 전자 사진 현상제용 캐리어 심재 및 이의 제조 방법, 전자 사진 현상제용 캐리어 및 전자 사진 현상제 |
US9164411B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-10-20 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Carrier core material for electrophotographic developer, method for manufacturing the same, carrier for electrophotographic developer and electrophotographic developer |
JP2011075594A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 電子写真現像剤用キャリア芯材およびその製造方法 |
JP2012144401A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | フェライト粒子並びにそれを用いた電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤 |
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