JPH0719134Y2 - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
- Publication number
- JPH0719134Y2 JPH0719134Y2 JP1989110090U JP11009089U JPH0719134Y2 JP H0719134 Y2 JPH0719134 Y2 JP H0719134Y2 JP 1989110090 U JP1989110090 U JP 1989110090U JP 11009089 U JP11009089 U JP 11009089U JP H0719134 Y2 JPH0719134 Y2 JP H0719134Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- present
- ceramic body
- surface roughness
- product
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は、各種電子機器，電器機器等に用いられるセラ
ミック電子部品に関し、特に外周面を樹脂部材で被覆し
たセラミックコンデンサ，バリスタ等のセラミック電子
部品の改良に関する。
ミック電子部品に関し、特に外周面を樹脂部材で被覆し
たセラミックコンデンサ，バリスタ等のセラミック電子
部品の改良に関する。
（従来の技術） 従来のセラミック電子部品として例えば第６図に示すセ
ラミックコンデンサが知られている。
ラミックコンデンサが知られている。
同図（ａ）に示すセラミックコンデンサ11は、SrTiO3‐
PbTiO3‐CaTiO3‐Bi2O3・３TiO2系のセラミック誘電体
によるセラミック素体12と、前記セラミック素体12の表
面に形成した例えば銀、銅等からなる電極13と、前記電
極13に半田14で接続したリード線（端子）15とを有し、
その外周面を例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂部材16
で被覆して構成されている。また、同図（ｂ）に示すよ
うに端子は断面突状部材15aとしてもよい。
PbTiO3‐CaTiO3‐Bi2O3・３TiO2系のセラミック誘電体
によるセラミック素体12と、前記セラミック素体12の表
面に形成した例えば銀、銅等からなる電極13と、前記電
極13に半田14で接続したリード線（端子）15とを有し、
その外周面を例えばエポキシ樹脂等からなる樹脂部材16
で被覆して構成されている。また、同図（ｂ）に示すよ
うに端子は断面突状部材15aとしてもよい。
（考案が解決しようとする課題） しかしながら、上述した従来のセラミックコンデンサ11
では、前記セラミック素体12と前記樹脂部材16との密着
強度が弱いため、高温負荷試験，耐熱負荷試験等によ
り、比較的短時間で前記樹脂部材16が剥離する，あるい
は亀裂する等の不具合が生じてしまい、耐久性および信
頼性が低下するという問題があった。
では、前記セラミック素体12と前記樹脂部材16との密着
強度が弱いため、高温負荷試験，耐熱負荷試験等によ
り、比較的短時間で前記樹脂部材16が剥離する，あるい
は亀裂する等の不具合が生じてしまい、耐久性および信
頼性が低下するという問題があった。
本考案は以上のような問題に鑑みてなされたものであ
り、密着強度が強く、樹脂部材が剥離する，あるいは亀
裂する等の不具合が生じず、耐久性および信頼性が向上
するセラミック電子部品を提供することを目的とするも
のである。
り、密着強度が強く、樹脂部材が剥離する，あるいは亀
裂する等の不具合が生じず、耐久性および信頼性が向上
するセラミック電子部品を提供することを目的とするも
のである。
［考案の構成］ （課題を解決するための手段） 上記問題点を解決するために本考案は、セラミック素体
と、前記セラミック素体表面に形成した電極と、前記電
極に接続した端子とを有し、その外周面を樹脂部材で被
覆したセラミック電子部品において、前記セラミック素
体を構成する結晶粒径が2.0μｍ乃至5.0μｍであり、か
つセラミック素体の表面粗さが0.2μｍ以上であること
を特徴とするものである。
と、前記セラミック素体表面に形成した電極と、前記電
極に接続した端子とを有し、その外周面を樹脂部材で被
覆したセラミック電子部品において、前記セラミック素
体を構成する結晶粒径が2.0μｍ乃至5.0μｍであり、か
つセラミック素体の表面粗さが0.2μｍ以上であること
を特徴とするものである。
（作用） 前記セラミック素体を構成する結晶粒径を2.0μｍ乃至
5.0μｍとし、表面粗さを0.2μｍ以上としたことによ
り、前記セラミック素体と前記樹脂部材との密着強度が
強くなる。
5.0μｍとし、表面粗さを0.2μｍ以上としたことによ
り、前記セラミック素体と前記樹脂部材との密着強度が
強くなる。
（実施例） 本願考案者らは、セラミック素体と樹脂部材との密着強
度が、セラミック素体を構成する結晶粒径とその表面粗
さに影響されることに着目し、種々の結晶粒径とその表
面粗さを測定し鋭意研究をかさねた。その結果前記セラ
ミック素体を構成する結晶粒径が2.0μｍ乃至5.0μｍで
あり、表面粗さが0.2μｍ以上であれば密着強度が強く
なることがわかった。
度が、セラミック素体を構成する結晶粒径とその表面粗
さに影響されることに着目し、種々の結晶粒径とその表
面粗さを測定し鋭意研究をかさねた。その結果前記セラ
ミック素体を構成する結晶粒径が2.0μｍ乃至5.0μｍで
あり、表面粗さが0.2μｍ以上であれば密着強度が強く
なることがわかった。
以下図面を参照して本考案の一実施例をセラミックコン
デンサを例にして説明する。
デンサを例にして説明する。
第１図は本考案の一実施例を示す断面図である。
同図（ａ）に示すセラミックコンデンサ１は、BaTiO3‐
BaZrO3‐CaTiO3‐MgTiO3‐Bi2O3・３TiO2系のセラミッ
ク誘電体によるセラミック素体２と、前記セラミック素
体２の表面に形成した例えば銀、銅などからなる電極３
と、前記電極３に半田４で接続したリード線（端子）５
とを有し、その外周面を例えばエポキシ樹脂等からなる
樹脂部材６で被覆して構成されている。また、同図
（ｂ）に示すように端子は断面突状部材5aとしてもよ
い。
BaZrO3‐CaTiO3‐MgTiO3‐Bi2O3・３TiO2系のセラミッ
ク誘電体によるセラミック素体２と、前記セラミック素
体２の表面に形成した例えば銀、銅などからなる電極３
と、前記電極３に半田４で接続したリード線（端子）５
とを有し、その外周面を例えばエポキシ樹脂等からなる
樹脂部材６で被覆して構成されている。また、同図
（ｂ）に示すように端子は断面突状部材5aとしてもよ
い。
次に、本考案の一実施例の特性について図面を参照して
説明する。
説明する。
第２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と従来品のセ
ラミック素体の表面結晶構造の電子顕微鏡写真、第３図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と従来品のセラミッ
ク素体の表面粗さを示すグラフ、第４図平均表面粗さの
算出方法を説明するための図、第５図は本考案品と従来
品の密着強度を示すグラフである。尚、表面結晶構造の
電子顕微鏡写真は、日本電子製走査型顕微鏡にて撮影し
た。
ラミック素体の表面結晶構造の電子顕微鏡写真、第３図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と従来品のセラミッ
ク素体の表面粗さを示すグラフ、第４図平均表面粗さの
算出方法を説明するための図、第５図は本考案品と従来
品の密着強度を示すグラフである。尚、表面結晶構造の
電子顕微鏡写真は、日本電子製走査型顕微鏡にて撮影し
た。
また表面粗さは、株式会社東京精密製表面粗さ計にて測
定し、後述する平均表面粗さにて算出した。前記平均表
面粗さをRaとすれば、第４図に示すように表面粗さ曲線
l1からその中心線l0方向に測定長さＬの部分を抜取り、
この抜取り部分の中心線l0をＸ軸、それに直行する軸を
Ｙ軸として、粗さ曲線l1をｙ＝ｆ（ｘ）としたとき、 Ra＝∫O L|f（ｘ）|dx/L …（１） にて算出される。尚図中斜線部分の面積は等しくなる。
定し、後述する平均表面粗さにて算出した。前記平均表
面粗さをRaとすれば、第４図に示すように表面粗さ曲線
l1からその中心線l0方向に測定長さＬの部分を抜取り、
この抜取り部分の中心線l0をＸ軸、それに直行する軸を
Ｙ軸として、粗さ曲線l1をｙ＝ｆ（ｘ）としたとき、 Ra＝∫O L|f（ｘ）|dx/L …（１） にて算出される。尚図中斜線部分の面積は等しくなる。
第２図（ａ）に示すように本考案品の表面結晶粒径は略
2.0μｍ乃至5.0μｍであるのに対し、同図（ｂ）に示す
ように従来品の表面結晶粒径は、ほぼ2.0μｍ以下であ
る。
2.0μｍ乃至5.0μｍであるのに対し、同図（ｂ）に示す
ように従来品の表面結晶粒径は、ほぼ2.0μｍ以下であ
る。
第３図の測定結果と上記式（１）とにより平均表面粗さ
を算出すれば、第３図（ａ）に示すように本考案品の平
均表面粗さは0.25μｍ、同図（ｂ）に示すように従来品
の平均表面粗さは0.14μｍである。
を算出すれば、第３図（ａ）に示すように本考案品の平
均表面粗さは0.25μｍ、同図（ｂ）に示すように従来品
の平均表面粗さは0.14μｍである。
また第５図に示すように測定温度範囲80℃乃至140℃に
おいて、本考案品の密着強度は20kgf/cm2乃至30kgf/cm2
であるのに対し、従来品の密着強度は略10kgf/cm2乃至2
0kgf/cm2であり、本考案品の密着強度が強くなっている
ことが判断できる。
おいて、本考案品の密着強度は20kgf/cm2乃至30kgf/cm2
であるのに対し、従来品の密着強度は略10kgf/cm2乃至2
0kgf/cm2であり、本考案品の密着強度が強くなっている
ことが判断できる。
次に、本考案品と従来品とをそれぞれ適宜個数抜取り、
高温負荷試験を行った結果を下表に示す。
高温負荷試験を行った結果を下表に示す。
上表に示すように従来品は、100℃‐DC15KVの試験条件
では、10HR（時間）,24HR,50HR,230HR,550HRの時に、12
0℃‐DC20KVの試験条件では、3HR（時間）,4HR,8HR,38H
R,287HRの時に、樹脂部材の剥離が原因と思われる電気
的破壊が発生したのに対して、本考案品は両試験条件の
場合であっても全品2000HR以上経過しても不具合は発生
しない。
では、10HR（時間）,24HR,50HR,230HR,550HRの時に、12
0℃‐DC20KVの試験条件では、3HR（時間）,4HR,8HR,38H
R,287HRの時に、樹脂部材の剥離が原因と思われる電気
的破壊が発生したのに対して、本考案品は両試験条件の
場合であっても全品2000HR以上経過しても不具合は発生
しない。
以上詳述したように上記実施例によれば、密着強度が強
く、樹脂部材が剥離する，あるいは亀裂する等の不具合
が生じず、耐久性および信頼性が向上するセラミックコ
ンデンサが得られる。
く、樹脂部材が剥離する，あるいは亀裂する等の不具合
が生じず、耐久性および信頼性が向上するセラミックコ
ンデンサが得られる。
本考案は上記実施例に限定されず種々の変形実施が可能
である。
である。
例えば、上記実施例はセラミックコンデンサを例にした
が、本考案はセラミック素体を用いたバリスタ等の電子
部品に対しても実施可能である。
が、本考案はセラミック素体を用いたバリスタ等の電子
部品に対しても実施可能である。
［考案の効果］ 以上述べたように本考案によれば、密着強度が強く、樹
脂部材の剥離が原因と思われる電気的破壊が生じず、耐
久性および信頼性が向上するセラミック電子部品を提供
することができる。
脂部材の剥離が原因と思われる電気的破壊が生じず、耐
久性および信頼性が向上するセラミック電子部品を提供
することができる。
第１図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案の一実施例を示
す断面図、第２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と
従来品のセラミック素体の表面結晶構造の電子顕微鏡写
真、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と従来品
のセラミック素体の表面粗さを示すグラフ、第４図は平
均表面粗さの算出方法を説明するための図、第５図は本
考案品と従来品の密着強度を示すグラフである。第６図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来例を示す断面図である。 １……セラミックコンデンサ、２……セラミック素体、
３……電極、４……半田、５……リード線（端子）、６
……樹脂部材。
す断面図、第２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と
従来品のセラミック素体の表面結晶構造の電子顕微鏡写
真、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本考案品と従来品
のセラミック素体の表面粗さを示すグラフ、第４図は平
均表面粗さの算出方法を説明するための図、第５図は本
考案品と従来品の密着強度を示すグラフである。第６図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来例を示す断面図である。 １……セラミックコンデンサ、２……セラミック素体、
３……電極、４……半田、５……リード線（端子）、６
……樹脂部材。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック素体と、前記セラミック素体表
面に形成した電極と、前記電極に接続した端子とを有
し、その外周面を樹脂部材で被覆したセラミック電子部
品において、前記セラミック素体を構成する結晶粒径が
2.0μｍ乃至5.0μｍであり、かつセラミック素体の表面
粗さが0.2μｍ以上であるセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989110090U JPH0719134Y2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989110090U JPH0719134Y2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | セラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350319U JPH0350319U (ja) | 1991-05-16 |
| JPH0719134Y2 true JPH0719134Y2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=31658642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989110090U Expired - Lifetime JPH0719134Y2 (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719134Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4959865B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2012-06-27 | 株式会社エスクラフト | 生ゴミ破砕処理装置 |
| JP6225503B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2017-11-08 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599532B2 (ja) * | 1978-05-30 | 1984-03-03 | 三井化学株式会社 | レゾルシンの回収方法 |
| JPS6312120A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-01-19 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS6339924B2 (ja) * | 1982-02-22 | 1988-08-09 | Hitachi Ltd | |
| JPS6339925B2 (ja) * | 1982-06-22 | 1988-08-09 | Nippon Denki Hoomu Erekutoronikusu Kk |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164538U (ja) * | 1980-05-10 | 1981-12-07 | ||
| JPS5897825U (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 樹脂充填乾式コンデンサ |
| JPS599532U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
| JPS6081639U (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | 住友特殊金属株式会社 | 貫通コンデンサ用磁器 |
| JPH0310660Y2 (ja) * | 1984-11-02 | 1991-03-15 | ||
| JPS6339925U (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 | ||
| JPS6339924U (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP1989110090U patent/JPH0719134Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599532B2 (ja) * | 1978-05-30 | 1984-03-03 | 三井化学株式会社 | レゾルシンの回収方法 |
| JPS6339924B2 (ja) * | 1982-02-22 | 1988-08-09 | Hitachi Ltd | |
| JPS6339925B2 (ja) * | 1982-06-22 | 1988-08-09 | Nippon Denki Hoomu Erekutoronikusu Kk | |
| JPS6312120A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-01-19 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350319U (ja) | 1991-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |