JPH07168385A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH07168385A JPH07168385A JP6266240A JP26624094A JPH07168385A JP H07168385 A JPH07168385 A JP H07168385A JP 6266240 A JP6266240 A JP 6266240A JP 26624094 A JP26624094 A JP 26624094A JP H07168385 A JPH07168385 A JP H07168385A
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- JP
- Japan
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- layer
- protective layer
- surface protective
- carbon
- film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 導電性支持体上に少なくとも感光層及び表面
保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体にお
いて、前記表面保護層が水素を含有するダイヤモンド状
カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に窒
素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び沃素等から選
ばれた少なくとも一種の添加物元素を含有する膜からな
り、しかも該添加物元素の炭素に対する含有原子量比
が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表層付近の方
が大きいもの。 【効果】 炭素を主成分とする保護層を有する感光体の
耐剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能になる。
保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体にお
いて、前記表面保護層が水素を含有するダイヤモンド状
カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に窒
素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び沃素等から選
ばれた少なくとも一種の添加物元素を含有する膜からな
り、しかも該添加物元素の炭素に対する含有原子量比
が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表層付近の方
が大きいもの。 【効果】 炭素を主成分とする保護層を有する感光体の
耐剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形成を
行なうことが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真用感光体に関
し、更に詳しくは感光層上に耐剥離性に優れた表面保護
層を有する電子写真用感光体に関する。
し、更に詳しくは感光層上に耐剥離性に優れた表面保護
層を有する電子写真用感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体としては、導電性支持体上にセレンないしセレン
合金を主体とする感光層を設けたもの、酸化亜鉛、硫化
カドミウムなどの無機系光導電材料をバインダー中に分
散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニ
トロフルオレノンあるいはアゾ顔料などの有機光導電材
料を用いたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたも
の等が一般に知られている。
感光体としては、導電性支持体上にセレンないしセレン
合金を主体とする感光層を設けたもの、酸化亜鉛、硫化
カドミウムなどの無機系光導電材料をバインダー中に分
散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとトリニ
トロフルオレノンあるいはアゾ顔料などの有機光導電材
料を用いたもの、及び非晶質シリコン系材料を用いたも
の等が一般に知られている。
【０００３】ところで、一般に「電子写真方式」とは、
光導電性の感光体をまず暗所で例えばコロナ放電によっ
て帯電させ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択
的に散逸せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔
料などの着色剤と高分子物質などの結合剤とから構成さ
れる検電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。
光導電性の感光体をまず暗所で例えばコロナ放電によっ
て帯電させ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択
的に散逸せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔
料などの着色剤と高分子物質などの結合剤とから構成さ
れる検電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形
成するようにした画像形成法の一つである。
【０００４】このような電子写真法において、感光体に
要求される基本的な特性としては、（１）暗所で適当な
電位に帯電できること、（２）暗所において、電荷の散
逸が少ないこと、（３）光照射によっで速やかに電荷を
散逸できること、などが挙げられる。近年、電子写真複
写機の高速化、大型化が進むなか、感光体に対して上記
特性以外に、長期繰返し使用に際しても高画質を保つこ
とのできる信頼性が強く要求される様になっている。
要求される基本的な特性としては、（１）暗所で適当な
電位に帯電できること、（２）暗所において、電荷の散
逸が少ないこと、（３）光照射によっで速やかに電荷を
散逸できること、などが挙げられる。近年、電子写真複
写機の高速化、大型化が進むなか、感光体に対して上記
特性以外に、長期繰返し使用に際しても高画質を保つこ
とのできる信頼性が強く要求される様になっている。
【０００５】複写機の中で感光体の寿命を損なっている
主な原因としては、大きく分けて二つ考えられており、
一つは、現像プロセス、クリーニングプロセス、コピー
紙などから受ける機械的なストレスによって引き起こさ
れる摩耗やスクラッチによるもの、もう一つは帯電、転
写、分離過程等で受けるコロナ放電によって引き起こさ
れる化学的な損傷によるものである。
主な原因としては、大きく分けて二つ考えられており、
一つは、現像プロセス、クリーニングプロセス、コピー
紙などから受ける機械的なストレスによって引き起こさ
れる摩耗やスクラッチによるもの、もう一つは帯電、転
写、分離過程等で受けるコロナ放電によって引き起こさ
れる化学的な損傷によるものである。
【０００６】前者の感光体の摩耗を防ぐ方法として、感
光体表面に保護層を設ける技術が知られている。例え
ば、感光層の表面に有機フィルムを設ける方法（特公昭
３８−１５４６６号公報）、無機酸化物を設ける方法
（特公昭４３−１４５１７号公報）、接着層を設けた後
絶縁層を積層する方法（特公昭４３−２７５９１号公
報）、あるいはプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等によっ
てａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ層、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈ
層等を積層する方法（特開昭５７−１７９８５９号、特
開昭５９−５８４３７号各公報）等が開示されている。
光体表面に保護層を設ける技術が知られている。例え
ば、感光層の表面に有機フィルムを設ける方法（特公昭
３８−１５４６６号公報）、無機酸化物を設ける方法
（特公昭４３−１４５１７号公報）、接着層を設けた後
絶縁層を積層する方法（特公昭４３−２７５９１号公
報）、あるいはプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等によっ
てａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ層、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｈ
層等を積層する方法（特開昭５７−１７９８５９号、特
開昭５９−５８４３７号各公報）等が開示されている。
【０００７】また、近年プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、スパッタ法等の方法で得られる、炭素又は炭素を主
成分とする高硬度膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜、無定形炭素膜、非
晶質炭素膜、ダイアモンド状炭素膜等と称されてい
る、）の感光体保護層への応用が活発化している。例え
ば、感光層の表面に無定形炭素又は硬質炭素からなる保
護層を設けたもの（特開昭６０−２４９１５５号公
報）、最表面にダイアモンド状カーボン保護層を設けた
もの（特開昭６１−２５５３５２号公報）、感光層上に
炭素を主成分とする高硬度絶縁層を形成したもの（特開
昭６１−２６４３５５号公報）あるいは有機感光層上に
窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、アルカリ金属原子
等の原子を少なくとも含むグロー放電により生成された
非晶質炭化水素膜からなる保護層を設けたもの（特開昭
６３−２２０１６６〜９号各公報）などが挙げられる。
法、スパッタ法等の方法で得られる、炭素又は炭素を主
成分とする高硬度膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜、無定形炭素膜、非
晶質炭素膜、ダイアモンド状炭素膜等と称されてい
る、）の感光体保護層への応用が活発化している。例え
ば、感光層の表面に無定形炭素又は硬質炭素からなる保
護層を設けたもの（特開昭６０−２４９１５５号公
報）、最表面にダイアモンド状カーボン保護層を設けた
もの（特開昭６１−２５５３５２号公報）、感光層上に
炭素を主成分とする高硬度絶縁層を形成したもの（特開
昭６１−２６４３５５号公報）あるいは有機感光層上に
窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、アルカリ金属原子
等の原子を少なくとも含むグロー放電により生成された
非晶質炭化水素膜からなる保護層を設けたもの（特開昭
６３−２２０１６６〜９号各公報）などが挙げられる。
【０００８】これらの方法により、表面硬度が非常に向
上した耐摩耗性に優れた感光体が得られるようになっ
た。しかし、これらの感光体は、電子写真複写プロセス
により受ける局部的で且つ長期的な機械的ストレスによ
り発生する表面保護層の剥離に対しては充分な抵抗力を
有していない。
上した耐摩耗性に優れた感光体が得られるようになっ
た。しかし、これらの感光体は、電子写真複写プロセス
により受ける局部的で且つ長期的な機械的ストレスによ
り発生する表面保護層の剥離に対しては充分な抵抗力を
有していない。
【０００９】そこで、表面保護層である非晶質炭化水素
膜に含有されるフッ素濃度を膜厚方向に且つ感光層側に
大きくなるように変化させることにより、耐久性、耐湿
性を改善すると共に画像かぶりを防ぐこと（特開平１−
２２７１６１号公報）などが提案されているが、表面保
護層の剥離抵抗性という点では未だ不充分である。更
に、これらの感光体を電子写真プロセスの中で繰り返し
使用すると、一次帯電後の画像露光後における光照射部
の感光体表面電位が短期的あるいは長期的に増加する、
いわゆる残留電位の上昇傾向が認められるようになり、
正常な画像を得ることができなくなるという問題が判明
し、総合的な耐久性がそれ程向上していないことが明ら
かとなった。
膜に含有されるフッ素濃度を膜厚方向に且つ感光層側に
大きくなるように変化させることにより、耐久性、耐湿
性を改善すると共に画像かぶりを防ぐこと（特開平１−
２２７１６１号公報）などが提案されているが、表面保
護層の剥離抵抗性という点では未だ不充分である。更
に、これらの感光体を電子写真プロセスの中で繰り返し
使用すると、一次帯電後の画像露光後における光照射部
の感光体表面電位が短期的あるいは長期的に増加する、
いわゆる残留電位の上昇傾向が認められるようになり、
正常な画像を得ることができなくなるという問題が判明
し、総合的な耐久性がそれ程向上していないことが明ら
かとなった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの問
題点を解決するためになされたものであって、その目的
は、感光層上に炭素を主成分とする保護層を有する感光
体の耐剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形
成を行うことが可能な電子写真用感光体を提供すること
にある。
題点を解決するためになされたものであって、その目的
は、感光層上に炭素を主成分とする保護層を有する感光
体の耐剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形
成を行うことが可能な電子写真用感光体を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
支持体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層
した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保
護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは
非晶質カーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、
リン、塩素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一
種の添加物元素を含有する膜からなり、しかも該添加物
元素の炭素に対する含有原子量比が、表面保護層の感光
層近傍付近よりも最表層付近の方が大きいことを特徴と
する電子写真用感光体が提供される。
支持体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層
した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保
護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは
非晶質カーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、
リン、塩素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一
種の添加物元素を含有する膜からなり、しかも該添加物
元素の炭素に対する含有原子量比が、表面保護層の感光
層近傍付近よりも最表層付近の方が大きいことを特徴と
する電子写真用感光体が提供される。
【００１２】また、本発明によれば、導電性支持体上に
少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層した構成を
持つ電子写真用感光体において、前記表面保護層が水素
を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カー
ボン構造を有し、更に少なくとも窒素を含有する膜から
なり、しかも窒素と炭素の含有原子量比（Ｎ／Ｃ比）
が、感光層近傍付近では０．００５以下であり且つ最表
層付近では０．０５以上であることを特徴とする電子写
真用感光体が提供され、更に導電性支持体上に少なくと
も感光層及び表面保護層を順次積層した構成を持つ電子
写真用感光体において、前記表面保護層が水素を含有す
るダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造
を有し、更に少なくともフッ素を含有する膜からなり、
しかもフッ素と炭素の含有原子量比（Ｆ／Ｃ比）が、感
光層近傍付近では０．００１以下であり且つ最表層付近
では０．００５以上であることを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層した構成を
持つ電子写真用感光体において、前記表面保護層が水素
を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カー
ボン構造を有し、更に少なくとも窒素を含有する膜から
なり、しかも窒素と炭素の含有原子量比（Ｎ／Ｃ比）
が、感光層近傍付近では０．００５以下であり且つ最表
層付近では０．０５以上であることを特徴とする電子写
真用感光体が提供され、更に導電性支持体上に少なくと
も感光層及び表面保護層を順次積層した構成を持つ電子
写真用感光体において、前記表面保護層が水素を含有す
るダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造
を有し、更に少なくともフッ素を含有する膜からなり、
しかもフッ素と炭素の含有原子量比（Ｆ／Ｃ比）が、感
光層近傍付近では０．００１以下であり且つ最表層付近
では０．００５以上であることを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
【００１３】本発明の電子写真用感光体は、導電性支持
体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層した
構成を持つ感光体において、上記表面保護層が水素を含
有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン
構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭
素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加物元素
を含有する膜からなり、しかも該添加物元素の炭素に対
する含有原子量比が、表面保護層の感光層近傍付近より
も最表層付近の方が大きいものとしたことから、感光体
の保護層の耐剥離性が向上し、しかも本感光体によると
長期的に安定した画像形成を行うことができる。更に、
本発明の電子写真用感光体は、前記表面保護層が水素を
含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボ
ン構造を有し、更に少なくとも窒素を含有する膜からな
り、しかも窒素と炭素の含有原子量比（Ｎ／Ｃ比）が、
感光層近傍付近では０．００５以下であり且つ最表層付
近では０．０５以上であるか、または前記表面保護層が
水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質
カーボン構造を有し、更に少なくともフッ素を含有する
膜からなり、しかもフッ素と炭素の含有原子量比（Ｆ／
Ｃ比）が、感光層近傍付近では０．００１以下であり且
つ最表層付近では０．００５以上であるものとしたこと
から、更に前記特性を向上させることができる。
体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層した
構成を持つ感光体において、上記表面保護層が水素を含
有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン
構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭
素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加物元素
を含有する膜からなり、しかも該添加物元素の炭素に対
する含有原子量比が、表面保護層の感光層近傍付近より
も最表層付近の方が大きいものとしたことから、感光体
の保護層の耐剥離性が向上し、しかも本感光体によると
長期的に安定した画像形成を行うことができる。更に、
本発明の電子写真用感光体は、前記表面保護層が水素を
含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボ
ン構造を有し、更に少なくとも窒素を含有する膜からな
り、しかも窒素と炭素の含有原子量比（Ｎ／Ｃ比）が、
感光層近傍付近では０．００５以下であり且つ最表層付
近では０．０５以上であるか、または前記表面保護層が
水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質
カーボン構造を有し、更に少なくともフッ素を含有する
膜からなり、しかもフッ素と炭素の含有原子量比（Ｆ／
Ｃ比）が、感光層近傍付近では０．００１以下であり且
つ最表層付近では０．００５以上であるものとしたこと
から、更に前記特性を向上させることができる。
【００１４】詳しく言うと、水素を含有するダイヤモン
ド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面
保護層に、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び
沃素等の添加物元素を含有させることにより、残留電位
の上昇の低減化、良好な帯電能等の電気的特性の改善を
行い、更に透光性の高い高硬度の表面保護層を形成でき
る。ただ、上記添加物元素を多く含有する表面保護層
は、感光層との接着性が問題となる。そこで表面保護層
を作製する際にまず上記添加物元素の含有量が少ない若
しくは含有しない水素含有炭素膜を感光層近傍付近に設
けることにより、表面保護層の接着性を高め、更に、こ
の膜上に上記添加物元素の含有量が多い表面保護層を設
ける。このようにすることにより、上記添加物元素の含
有量が多い表面保護層を作製する際に使用されるＮ2、
ＮＨ3、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3、Ｂ2Ｈ6、ＢＣｌ3、ＢＢｒ、Ｂ
Ｆ3、ＰＨ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3等のエッチングガスになり
得る添加物ガスによる感光層へのダメージ防止や、感光
層と表面保護層の接触抵抗の減少などにより、感光体の
保護層の耐剥離性が向上し、且つ長期的安定した画像形
成が行えるようになるものと推定される。
ド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有する表面
保護層に、窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び
沃素等の添加物元素を含有させることにより、残留電位
の上昇の低減化、良好な帯電能等の電気的特性の改善を
行い、更に透光性の高い高硬度の表面保護層を形成でき
る。ただ、上記添加物元素を多く含有する表面保護層
は、感光層との接着性が問題となる。そこで表面保護層
を作製する際にまず上記添加物元素の含有量が少ない若
しくは含有しない水素含有炭素膜を感光層近傍付近に設
けることにより、表面保護層の接着性を高め、更に、こ
の膜上に上記添加物元素の含有量が多い表面保護層を設
ける。このようにすることにより、上記添加物元素の含
有量が多い表面保護層を作製する際に使用されるＮ2、
ＮＨ3、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3、Ｂ2Ｈ6、ＢＣｌ3、ＢＢｒ、Ｂ
Ｆ3、ＰＨ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3等のエッチングガスになり
得る添加物ガスによる感光層へのダメージ防止や、感光
層と表面保護層の接触抵抗の減少などにより、感光体の
保護層の耐剥離性が向上し、且つ長期的安定した画像形
成が行えるようになるものと推定される。
【００１５】以下、図面に沿って本発明を更に詳しく説
明する。図１〜８はそれぞれ本発明の電子写真用感光体
の構成例を示す。即ち、図１は導電性支持体１上に感光
層２、表面保護層３を順次設けたものであり、図２は導
電性支持体１上に下引層４を介して感光層２、表面保護
層３を順次設けたものであり、図３は感光層２が電荷発
生層（ＣＧＬ）２ａと電荷輸送層（ＣＴＬ）２ｂより構
成される機能分離型タイプのもの、図４は機能分離型タ
イプの感光層２のＣＧＬ、ＣＴＬの積層順序が逆になっ
ているものをそれぞれ示したものである。また、図５〜
図８は、それぞれ図１〜図４の構成において、表面保護
層を積層として設けたものであり、この場合、該保護層
は第１表面保護層３ａと第２表面保護層３ｂとから構成
される。なお、導電性支持体１上に感光層２と表面保護
層３を少なくとも有していれば、上記のその他の層及び
感光層のタイプは任意に組み合わされていても構わな
い。
明する。図１〜８はそれぞれ本発明の電子写真用感光体
の構成例を示す。即ち、図１は導電性支持体１上に感光
層２、表面保護層３を順次設けたものであり、図２は導
電性支持体１上に下引層４を介して感光層２、表面保護
層３を順次設けたものであり、図３は感光層２が電荷発
生層（ＣＧＬ）２ａと電荷輸送層（ＣＴＬ）２ｂより構
成される機能分離型タイプのもの、図４は機能分離型タ
イプの感光層２のＣＧＬ、ＣＴＬの積層順序が逆になっ
ているものをそれぞれ示したものである。また、図５〜
図８は、それぞれ図１〜図４の構成において、表面保護
層を積層として設けたものであり、この場合、該保護層
は第１表面保護層３ａと第２表面保護層３ｂとから構成
される。なお、導電性支持体１上に感光層２と表面保護
層３を少なくとも有していれば、上記のその他の層及び
感光層のタイプは任意に組み合わされていても構わな
い。
【００１６】本発明において電子写真用感光体に使用さ
れる導電性支持体としては、導電体あるいは導電処理を
した絶縁体、例えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属
あるいはそれらの合金の他、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、
Ａｇ、Ａｕ等の金属あるいはＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の導
電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が使
用できる。導電性支持体の形状は特に制約はなく板状、
ドラム状あるいはベルト状のいずれかのものも使用でき
る。
れる導電性支持体としては、導電体あるいは導電処理を
した絶縁体、例えばＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属
あるいはそれらの合金の他、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、
Ａｇ、Ａｕ等の金属あるいはＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2等の導
電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が使
用できる。導電性支持体の形状は特に制約はなく板状、
ドラム状あるいはベルト状のいずれかのものも使用でき
る。
【００１７】導電性支持体と光導電層との間に必要に応
じ設けられる下引層は、感光特性の改善、接着性の向上
等の目的で設けられ、その材料としてはＳｉＯ、Ａｌ2
Ｏ3、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、
クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂、
アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニルブ
チラール、ポリビニルブチラール、ＰＶＡ等の接着性の
良いバインダー樹脂等が使用される。その他、前記接着
性の良い樹脂にＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＳ等を分散した
ものも使用できる。下引層の形成方法としては無機材料
単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、また、
有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される。な
お、下引層の厚さは５μｍ以下が適当である。
じ設けられる下引層は、感光特性の改善、接着性の向上
等の目的で設けられ、その材料としてはＳｉＯ、Ａｌ2
Ｏ3、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、
クロムカップリング剤等の無機材料やポリアミド樹脂、
アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニルブ
チラール、ポリビニルブチラール、ＰＶＡ等の接着性の
良いバインダー樹脂等が使用される。その他、前記接着
性の良い樹脂にＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＳ等を分散した
ものも使用できる。下引層の形成方法としては無機材料
単独の場合はスパッタリング、蒸着等の方法が、また、
有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採用される。な
お、下引層の厚さは５μｍ以下が適当である。
【００１８】前記導電性支持体に直接あるいは下引層を
介して設けられる感光層の種類は、前述したＳｅ系、Ｏ
ＰＣ系等のいずれもが、またその構成は単層型、機能分
離型のいずれもが適用できる。これらのうちＯＰＣ系に
ついて以下に簡単に説明する。
介して設けられる感光層の種類は、前述したＳｅ系、Ｏ
ＰＣ系等のいずれもが、またその構成は単層型、機能分
離型のいずれもが適用できる。これらのうちＯＰＣ系に
ついて以下に簡単に説明する。
【００１９】単層型有機感光層の例としては、色素増感
された酸化亜鉛、酸化チタン、硫酸亜鉛等の光導電性粉
体、無定形シリコン粉体、スクアリック塩顔料、フタロ
シアニン顔料、アズレニウム塩顔料、アゾ顔料等を必要
に応じて結着剤樹脂及び／又は後述する電子供与性化合
物と共に塗布形成されたもの、またビリリウム系染料と
ビスフフェノールＡ系のポリカーボネートとから形成さ
れる共晶錯体に電子供与性化合物を添加した組成物を用
いたもの等が挙げられる。結着樹脂としては後述する機
能分離型感光体と同様のものを使用することができる。
この単層型感光体の厚さは５〜３０μｍが適当である。
された酸化亜鉛、酸化チタン、硫酸亜鉛等の光導電性粉
体、無定形シリコン粉体、スクアリック塩顔料、フタロ
シアニン顔料、アズレニウム塩顔料、アゾ顔料等を必要
に応じて結着剤樹脂及び／又は後述する電子供与性化合
物と共に塗布形成されたもの、またビリリウム系染料と
ビスフフェノールＡ系のポリカーボネートとから形成さ
れる共晶錯体に電子供与性化合物を添加した組成物を用
いたもの等が挙げられる。結着樹脂としては後述する機
能分離型感光体と同様のものを使用することができる。
この単層型感光体の厚さは５〜３０μｍが適当である。
【００２０】一方、機能分離型感光層の例としては、電
荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）を積層した
ものが例示される。画像露光により潜像電荷を発生分離
させるための電荷発生層（ＣＧＬ）としては、結晶セレ
ン、セレン化ヒ素等の無機光導電性粉体あるいは有機系
染顔料を結着剤樹脂に分散若しくは溶解させたものが用
いられる。
荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）を積層した
ものが例示される。画像露光により潜像電荷を発生分離
させるための電荷発生層（ＣＧＬ）としては、結晶セレ
ン、セレン化ヒ素等の無機光導電性粉体あるいは有機系
染顔料を結着剤樹脂に分散若しくは溶解させたものが用
いられる。
【００２１】電荷発生物質としての有機系染顔料として
は、例えば、シーアイピグメントブルー２５｛カラーイ
ンデックス（ＣＩ）２１１８０｝、シーアイピグメント
レッド４１（ＣＩ２１２００）、シーアイアシッドレッ
ド５２（ＣＩ４５１００）、シーアイベーシックレッド
３（ＣＩ４５２１０）、更にポリフィリン骨格を有する
フタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクアリ
ック塩顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開
昭５３−９５０３３号公報に記載）、スチリルスチルベ
ン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３８２２９号
公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５３−１３２５４７号公報に記載）、ジベン
ゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１
７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有する
アゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フ
レオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８
３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格をアゾ顔料
（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）。ジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−
２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報に記
載）、カルバゾール骨格を有するトリアゾ顔料（特開昭
５７−１９５７６７号公報、同５７−１９５７６８号公
報に記載）等、更にシーアイピグメントブルー１６（Ｃ
Ｉ７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバ
ッドブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバッドダ
イ（ＣＩ７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカ
ーレットＢ（バイオレット社製）インダンスレンスカー
レットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等を使用
することができる。これらの電荷発生物質は単独である
いは２種以上併用して用いられる。
は、例えば、シーアイピグメントブルー２５｛カラーイ
ンデックス（ＣＩ）２１１８０｝、シーアイピグメント
レッド４１（ＣＩ２１２００）、シーアイアシッドレッ
ド５２（ＣＩ４５１００）、シーアイベーシックレッド
３（ＣＩ４５２１０）、更にポリフィリン骨格を有する
フタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクアリ
ック塩顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開
昭５３−９５０３３号公報に記載）、スチリルスチルベ
ン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３８２２９号
公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５３−１３２５４７号公報に記載）、ジベン
ゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１
７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有する
アゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フ
レオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８
３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格をアゾ顔料
（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）。ジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−
２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報に記
載）、カルバゾール骨格を有するトリアゾ顔料（特開昭
５７−１９５７６７号公報、同５７−１９５７６８号公
報に記載）等、更にシーアイピグメントブルー１６（Ｃ
Ｉ７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバ
ッドブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバッドダ
イ（ＣＩ７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカ
ーレットＢ（バイオレット社製）インダンスレンスカー
レットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等を使用
することができる。これらの電荷発生物質は単独である
いは２種以上併用して用いられる。
【００２２】これら有機染顔料と併用される結着剤樹脂
としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エ
ポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルなど縮合
系樹脂並びにポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルブチラール、スチレン／ブタジエン共重合体、スチ
レン／アクリロニトリル共重合体等の重合体及び共重合
体等の接着性、絶縁性樹脂が挙げられる。結着剤樹脂
は、電荷発生物質１００重量部に対して０〜１００重量
部用いるのが適当であり、好ましくは０〜５０重量部で
ある。
としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エ
ポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルなど縮合
系樹脂並びにポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルブチラール、スチレン／ブタジエン共重合体、スチ
レン／アクリロニトリル共重合体等の重合体及び共重合
体等の接着性、絶縁性樹脂が挙げられる。結着剤樹脂
は、電荷発生物質１００重量部に対して０〜１００重量
部用いるのが適当であり、好ましくは０〜５０重量部で
ある。
【００２３】電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならば
バインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適当に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行うことができる。電荷発生層
の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好まし
くは０．１〜２μｍである。
バインダー樹脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適当に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行うことができる。電荷発生層
の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好まし
くは０．１〜２μｍである。
【００２４】また、本発明において、電荷発生物質とし
て結晶セレン又はセレン化ヒ素合金等の粒子を用いる場
合には、電子供与性粘着剤及び／又は電子供与性有機化
合物とが併用される。このような電子供与性物質として
はポリビニルカルバゾール及びその誘導体（例えばカル
バゾー骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、ア
ミノ基などの置換基を有するもの）、ポリビニルピレ
ン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジア
リールメタン、α−フェニルスチルベン、トリフェニル
アミン系化合物などの窒素含有化合物及びその誘導体が
好ましい。この種の無機系電荷発生物質の含有量は層全
体の３０〜９０重量％が適当である。また、無機系電荷
発生物質を用いた場合の電荷発生層の厚さは０．２〜５
μｍ程度が適当である。
て結晶セレン又はセレン化ヒ素合金等の粒子を用いる場
合には、電子供与性粘着剤及び／又は電子供与性有機化
合物とが併用される。このような電子供与性物質として
はポリビニルカルバゾール及びその誘導体（例えばカル
バゾー骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基、ア
ミノ基などの置換基を有するもの）、ポリビニルピレ
ン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジア
リールメタン、α−フェニルスチルベン、トリフェニル
アミン系化合物などの窒素含有化合物及びその誘導体が
好ましい。この種の無機系電荷発生物質の含有量は層全
体の３０〜９０重量％が適当である。また、無機系電荷
発生物質を用いた場合の電荷発生層の厚さは０．２〜５
μｍ程度が適当である。
【００２５】電荷輸送層（ＣＴＬ）は帯電電荷を保持さ
せ、且つ露光により電荷発生層で発生分離した電荷を移
動させて保持していた帯電電荷と結合させることを目的
とする層である。帯電電荷を保持させる目的達成のため
に電気抵抗が高いことが要求され、また保持していた帯
電電荷で高い表面電位を得る目的を達成するためには、
誘電率が小さく且つ電荷移動性が良いことが要求され
る。これらの要件を満足させるための電荷輸送層は、電
荷輸送物質及び必要に応じて用いられるバインダー樹脂
より構成される。即ち、以上の物質を適当な溶剤に溶解
ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷輸送
層を形成することができる。
せ、且つ露光により電荷発生層で発生分離した電荷を移
動させて保持していた帯電電荷と結合させることを目的
とする層である。帯電電荷を保持させる目的達成のため
に電気抵抗が高いことが要求され、また保持していた帯
電電荷で高い表面電位を得る目的を達成するためには、
誘電率が小さく且つ電荷移動性が良いことが要求され
る。これらの要件を満足させるための電荷輸送層は、電
荷輸送物質及び必要に応じて用いられるバインダー樹脂
より構成される。即ち、以上の物質を適当な溶剤に溶解
ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷輸送
層を形成することができる。
【００２６】電荷輸送物質には正孔輸送物質と電子輸送
物質とがある。正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメ−ト及びその誘導体、ピレン−ホルム
アルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、
ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニ
ルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノ
フェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリル
ピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチ
ルベン誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。
物質とがある。正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメ−ト及びその誘導体、ピレン−ホルム
アルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、
ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニ
ルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノ
フェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリル
ピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチ
ルベン誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。
【００２７】電子輸送物質としては、例えば、クロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノンジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フル
オレン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ（１，２−ｂ）チオフェノ
ン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフ
ェノン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容物質が挙
げられる。これらの電荷輸送物質は、単独又は２種以上
混合して用いられる。
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノンジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フル
オレン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ（１，２−ｂ）チオフェノ
ン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフ
ェノン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容物質が挙
げられる。これらの電荷輸送物質は、単独又は２種以上
混合して用いられる。
【００２８】また、必要に応じて用いられるバインダー
樹脂としては、ポリスチレン、スチレン／アクリロニト
リル共重合体、スチレン／ブタジェン共重合体、スチレ
ン／無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化
ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フ
ェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹
脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性
樹脂が挙げられる。溶剤としては、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルエタン、塩化メチレンなどが用いられる。
樹脂としては、ポリスチレン、スチレン／アクリロニト
リル共重合体、スチレン／ブタジェン共重合体、スチレ
ン／無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化
ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート樹脂、フ
ェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹
脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性
樹脂が挙げられる。溶剤としては、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジク
ロルエタン、塩化メチレンなどが用いられる。
【００２９】電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍ程度が
適当である。また電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤
を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレー
ト、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤とし
て使用されているものがそのまま使用でき、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量
部程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチル
シリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルな
どのシリコーンオイル類が使用され、その使用量はバイ
ンダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適
当である。
適当である。また電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤
を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレー
ト、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤とし
て使用されているものがそのまま使用でき、その使用量
は、バインダー樹脂１００重量部に対して０〜３０重量
部程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチル
シリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルな
どのシリコーンオイル類が使用され、その使用量はバイ
ンダー樹脂１００重量部に対して０〜１重量部程度が適
当である。
【００３０】これらのＣＧＬとＣＴＬは支持体上に支持
体側からＣＧＬ，ＣＴＬの順に積層しても、ＣＴＬ、Ｃ
ＧＬの順に積層してもかまわない。
体側からＣＧＬ，ＣＴＬの順に積層しても、ＣＴＬ、Ｃ
ＧＬの順に積層してもかまわない。
【００３１】本発明において、表面保護層は、水素を含
有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン
構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭
素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加物元素
を含有し、しかも該添加物元素の炭素に対する含有原子
量比が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表層付近
の方が大きい高硬度薄膜より構成されるものである。水
素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カ
ーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩
素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加
物元素を含有し、しかも該添加物元素の炭素に対する含
有原子量比が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表
層付近の方が大きい表面保護層は、好ましくはＳＰ3軌
道を有するダイアモンドと類似のＣ−Ｃ結合を有する方
が望ましい。なお、ＳＰ2軌道を有するグラファイトと
類似の構造を持つ膜でも構わないし、更に非晶質性のも
のでも構わない。更に窒素を含有する表面保護層は、感
光層近傍付近のＮ／Ｃ比が０．００５以下であり、最表
層付近のＮ／Ｃ比が０．０５以上であることが望まし
く、またフッ素を含有する表面保護層は、感光体近傍付
近のＦ／Ｃ比が０．００１以下であり、最表層付近のＦ
／Ｃ比が０．００５以上であることが望ましい。また、
表面保護層の感光体近傍付近においては、添加物元素は
存在しない方が望ましい。なお、表面保護層の膜厚は、
５，０００Å〜５０，０００Åであることが望ましい。
有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン
構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭
素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加物元素
を含有し、しかも該添加物元素の炭素に対する含有原子
量比が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表層付近
の方が大きい高硬度薄膜より構成されるものである。水
素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カ
ーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、リン、塩
素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一種の添加
物元素を含有し、しかも該添加物元素の炭素に対する含
有原子量比が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表
層付近の方が大きい表面保護層は、好ましくはＳＰ3軌
道を有するダイアモンドと類似のＣ−Ｃ結合を有する方
が望ましい。なお、ＳＰ2軌道を有するグラファイトと
類似の構造を持つ膜でも構わないし、更に非晶質性のも
のでも構わない。更に窒素を含有する表面保護層は、感
光層近傍付近のＮ／Ｃ比が０．００５以下であり、最表
層付近のＮ／Ｃ比が０．０５以上であることが望まし
く、またフッ素を含有する表面保護層は、感光体近傍付
近のＦ／Ｃ比が０．００１以下であり、最表層付近のＦ
／Ｃ比が０．００５以上であることが望ましい。また、
表面保護層の感光体近傍付近においては、添加物元素は
存在しない方が望ましい。なお、表面保護層の膜厚は、
５，０００Å〜５０，０００Åであることが望ましい。
【００３２】更に表面保護層は、添加物の有無、種類等
を制御した多層構造からなっていても構わない。この多
層構成の例としては、添加物元素の含有量が少ない第１
表面保護層と、添加物元素の含有量が第１表面保護層と
比較して大きい第２表面保護層とを積層してなる２層構
成がある。更に層構成を、膜質などを制御した多層構成
にすることは可能である。更に積層構成ではなく、添加
物元素の炭素に対する含有原子量比の濃度勾配がついた
明確な界面のない単層構造でも構わない。また、表面保
護層に含有される添加物元素の炭素に対する含有原子量
比は、感光体近傍付近よりも最表層付近が大きければよ
く、その条件を満たしていれば表面保護層中の含有原子
量比は、どのようになっていても構わない。
を制御した多層構造からなっていても構わない。この多
層構成の例としては、添加物元素の含有量が少ない第１
表面保護層と、添加物元素の含有量が第１表面保護層と
比較して大きい第２表面保護層とを積層してなる２層構
成がある。更に層構成を、膜質などを制御した多層構成
にすることは可能である。更に積層構成ではなく、添加
物元素の炭素に対する含有原子量比の濃度勾配がついた
明確な界面のない単層構造でも構わない。また、表面保
護層に含有される添加物元素の炭素に対する含有原子量
比は、感光体近傍付近よりも最表層付近が大きければよ
く、その条件を満たしていれば表面保護層中の含有原子
量比は、どのようになっていても構わない。
【００３３】表面保護層を作製するときには、炭化水素
ガス（メタン、エタン、エチレン、アセチレン等）を主
材料として、Ｈ2、Ａｒ等のキャリアガスを用いる。更
に、添加物元素を供給するガスとしては、減圧下で気化
できるもの、加熱することにより気化できるものであれ
ば構わない。例えば窒素を供給するガスとしてＮＨ3、
Ｎ2等を用い、フッ素を供給するガスとしてＣ2Ｆ6、Ｃ
Ｈ3Ｆ等を用い、硼素を供給するガスとしてはＢ2Ｈ6等
を用い、リンを供給するガスとしてはＰＨ3等を用い、
塩素を供給するガスとしてはＣＨ3Ｃｌ、ＣＨ2Ｃｌ2、
ＣＨＣｌ3、ＣＣｌ4等を用い、臭素を供給するガスとし
てはＣＨ3Ｂｒ等を用い、沃素を供給するガスとしては
ＣＨ3Ｉ等を用いることができる。また、添加物元素を
複数供給するガスとしては、ＮＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ、
ＢＦ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3等を用いる。上記のようなガス
を用い、プラズマＣＶＤ法、グロー放電分解法、光ＣＶ
Ｄ法などやグラファイト等をターゲットとしたスパッタ
リング法等により形成される。特にその製膜法は限定さ
れるものではないが、保護層として良好な特性を有する
炭素を主成分とする膜を形成する方法として、プラズマ
ＣＶＤ法でありながらスパッタ効果を伴わせつつ製膜さ
せる方法（特開昭５８−４９６０９号公報）等が知られ
ている。
ガス（メタン、エタン、エチレン、アセチレン等）を主
材料として、Ｈ2、Ａｒ等のキャリアガスを用いる。更
に、添加物元素を供給するガスとしては、減圧下で気化
できるもの、加熱することにより気化できるものであれ
ば構わない。例えば窒素を供給するガスとしてＮＨ3、
Ｎ2等を用い、フッ素を供給するガスとしてＣ2Ｆ6、Ｃ
Ｈ3Ｆ等を用い、硼素を供給するガスとしてはＢ2Ｈ6等
を用い、リンを供給するガスとしてはＰＨ3等を用い、
塩素を供給するガスとしてはＣＨ3Ｃｌ、ＣＨ2Ｃｌ2、
ＣＨＣｌ3、ＣＣｌ4等を用い、臭素を供給するガスとし
てはＣＨ3Ｂｒ等を用い、沃素を供給するガスとしては
ＣＨ3Ｉ等を用いることができる。また、添加物元素を
複数供給するガスとしては、ＮＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ、
ＢＦ3、ＰＦ3、ＰＣｌ3等を用いる。上記のようなガス
を用い、プラズマＣＶＤ法、グロー放電分解法、光ＣＶ
Ｄ法などやグラファイト等をターゲットとしたスパッタ
リング法等により形成される。特にその製膜法は限定さ
れるものではないが、保護層として良好な特性を有する
炭素を主成分とする膜を形成する方法として、プラズマ
ＣＶＤ法でありながらスパッタ効果を伴わせつつ製膜さ
せる方法（特開昭５８−４９６０９号公報）等が知られ
ている。
【００３４】プラズマＣＶＤ法を利用した炭素を主成分
とする保護層の製膜法では、支持体を特に加熱する必要
がなく、約１５０℃以下の低温で被膜を形成できるた
め、耐熱性の低い有機系感光層上に保護層を形成する際
にも、何ら支障がないというメリットがある。この炭素
を主成分とする保護層の膜厚は製膜時間の制御等により
調節できる。なお、表面保護層の膜組成を分析する方法
としては、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＳＩＭＳ等の測定法が用い
られる。
とする保護層の製膜法では、支持体を特に加熱する必要
がなく、約１５０℃以下の低温で被膜を形成できるた
め、耐熱性の低い有機系感光層上に保護層を形成する際
にも、何ら支障がないというメリットがある。この炭素
を主成分とする保護層の膜厚は製膜時間の制御等により
調節できる。なお、表面保護層の膜組成を分析する方法
としては、ＸＰＳ、ＡＥＳ、ＳＩＭＳ等の測定法が用い
られる。
【００３５】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、これ
により本発明の態様が限定されるものではない。部はい
ずれも重量基準である。
により本発明の態様が限定されるものではない。部はい
ずれも重量基準である。
【００３６】実施例１ アルミニウム製シリンダー状支持体（外径８０ｍｍΦ、
長さ３４０ｍｍ）に下記組成比の混合物をボールミルで
１２時間分散し、調製した下引層形成液を乾燥後の膜厚
が約２μｍになるように浸積法で塗工し、下引層を形成
した。 ＴｉＯ2（石原産業社製タイペーク） １部 ポリアミド樹脂（東レ社製ＣＭ８０００） １部 メタノール ２５部
長さ３４０ｍｍ）に下記組成比の混合物をボールミルで
１２時間分散し、調製した下引層形成液を乾燥後の膜厚
が約２μｍになるように浸積法で塗工し、下引層を形成
した。 ＴｉＯ2（石原産業社製タイペーク） １部 ポリアミド樹脂（東レ社製ＣＭ８０００） １部 メタノール ２５部
【００３７】この下引層上に下記化１で示される構造の
トリスアゾ顔料を含む電荷発生層塗工液を浸積塗工し、
１２０℃で１０分間乾燥させ、膜厚約０．１５μｍのＣ
ＧＬを形成した。
トリスアゾ顔料を含む電荷発生層塗工液を浸積塗工し、
１２０℃で１０分間乾燥させ、膜厚約０．１５μｍのＣ
ＧＬを形成した。
【化１】 ３０部 ポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロン２００） １２部 シクロヘキサノン ３６０部 ［上記混合物をボールミルで７２時間分散した後、更に
シクロヘキサノン：メチルエチルケトン＝１：１（重量
比）の混合溶媒５００部で稀釈調整する。］
シクロヘキサノン：メチルエチルケトン＝１：１（重量
比）の混合溶媒５００部で稀釈調整する。］
【００３８】次いで、このＣＧＬ上に下記組成の電荷輸
送層塗工液を乾燥後の膜厚が約３０μｍになるように浸
積塗工して有機感光層を作製した。
送層塗工液を乾燥後の膜厚が約３０μｍになるように浸
積塗工して有機感光層を作製した。
【化２】 １０部 ポリカーボネート（帝人化成社製パンライトＣ−１４００）１０部 テトラヒドロフラン ８０部 シリコーンオイル（信越シリコーン社製ＫＦ５０） ０．００１部
【００３９】このようにして作製した有機感光層を図９
〜図１１に示すようなプラズマＣＶＤ装置にセットし、
炭素又は炭素を主成分とする薄膜よりなる保護層を形成
した。ここで図９中、１０７はプラズマＣＶＤ装置の真
空槽であり、ゲート弁１０９によりロード／アンロード
用予備室１１７と仕切られている。真空槽１０７内は排
気系１２０（圧力調整バルブ１２１、ターボ分子ポンプ
１２２、ロータリーポンプ１２３よりなる）により真空
排気され、また一定圧力に保たれるようになっている。
真空槽１０７内には反応槽１５０が設けられている。反
応槽は図１０、図１１に示すような枠状構造体１０２
（電極側より見て四角又は六角形状を有している）と、
この両端の開口部を覆うようにしたフード１０８、１１
８、更にこのフード１０８、１１８に配設された一対の
同一形状を有する第一及び第二の電極１０３、１１３
（アルミニウム等の金属メッシュを用いている）より構
成されている。１３０は反応槽１５０内へ導入するガス
ラインを示しており、各種材料ガス容器が接続されてお
り、それぞれ流量計１２９を経てノズル１２５より反応
槽１５０の中へ導入される。
〜図１１に示すようなプラズマＣＶＤ装置にセットし、
炭素又は炭素を主成分とする薄膜よりなる保護層を形成
した。ここで図９中、１０７はプラズマＣＶＤ装置の真
空槽であり、ゲート弁１０９によりロード／アンロード
用予備室１１７と仕切られている。真空槽１０７内は排
気系１２０（圧力調整バルブ１２１、ターボ分子ポンプ
１２２、ロータリーポンプ１２３よりなる）により真空
排気され、また一定圧力に保たれるようになっている。
真空槽１０７内には反応槽１５０が設けられている。反
応槽は図１０、図１１に示すような枠状構造体１０２
（電極側より見て四角又は六角形状を有している）と、
この両端の開口部を覆うようにしたフード１０８、１１
８、更にこのフード１０８、１１８に配設された一対の
同一形状を有する第一及び第二の電極１０３、１１３
（アルミニウム等の金属メッシュを用いている）より構
成されている。１３０は反応槽１５０内へ導入するガス
ラインを示しており、各種材料ガス容器が接続されてお
り、それぞれ流量計１２９を経てノズル１２５より反応
槽１５０の中へ導入される。
【００４０】枠状構造体１０２中には、前記感光層を形
成した支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１
−ｎ）が図１０、図１１のように配置される。なおこの
それぞれの支持体は、後述するように第三の電極として
配置される。電極１０３、１１３には、それぞれ第一の
交番電圧を印加するための一対の電源１１５（１１５−
１、１１５−２）が用意されている。第一の交番電圧の
周波数は、１〜１００ＭＨｚである。これらの電源は、
それぞれマッチングトランス１１６−１、１１６−２と
つながる。このマッチングトランスでの位相は位相調整
器１２６により調整し、互いに１８０°又は０°ずれて
供給できる。即ち、対称型又は同相型の出力を有してい
る。マッチンズトランスの一端１０４及び他端１１４
は、それぞれ第一及び第二の電極１０３、１１３に連結
されている。また、トランスの出力側中点１０５は接地
レベルに保持されている。更に、この中点１０５と第三
の電極、即ち支持体１０１（１０１−１、１０１−２…
１０１−ｎ）又はそれらに電気的に連結するホルダ１０
２の間に第二の交番電圧を印加するための電源１１９が
配設されている。この第二の交番電圧の周波数は、１〜
５００ＫＨｚである。この第一及び第二の電極に印加す
る第一の交番電圧の出力は、１３．５６ＭＨｚの周波数
の場合０．１〜１ＫＷであり、第三の電極即ち支持体に
印加する第二の交番電圧の出力は、１５０ＫＨｚの周波
数の場合約１００Ｗである。
成した支持体１０１（１０１−１、１０１−２…１０１
−ｎ）が図１０、図１１のように配置される。なおこの
それぞれの支持体は、後述するように第三の電極として
配置される。電極１０３、１１３には、それぞれ第一の
交番電圧を印加するための一対の電源１１５（１１５−
１、１１５−２）が用意されている。第一の交番電圧の
周波数は、１〜１００ＭＨｚである。これらの電源は、
それぞれマッチングトランス１１６−１、１１６−２と
つながる。このマッチングトランスでの位相は位相調整
器１２６により調整し、互いに１８０°又は０°ずれて
供給できる。即ち、対称型又は同相型の出力を有してい
る。マッチンズトランスの一端１０４及び他端１１４
は、それぞれ第一及び第二の電極１０３、１１３に連結
されている。また、トランスの出力側中点１０５は接地
レベルに保持されている。更に、この中点１０５と第三
の電極、即ち支持体１０１（１０１−１、１０１−２…
１０１−ｎ）又はそれらに電気的に連結するホルダ１０
２の間に第二の交番電圧を印加するための電源１１９が
配設されている。この第二の交番電圧の周波数は、１〜
５００ＫＨｚである。この第一及び第二の電極に印加す
る第一の交番電圧の出力は、１３．５６ＭＨｚの周波数
の場合０．１〜１ＫＷであり、第三の電極即ち支持体に
印加する第二の交番電圧の出力は、１５０ＫＨｚの周波
数の場合約１００Ｗである。
【００４１】保護層を２層構成とし、感光層に接してい
る側の保護層を第１表面保護層とし、最表層側の保護層
を第２表面保護層とした。第１表面保護層は、水素を含
む非晶質炭素であって、更に窒素を含有する膜からな
る。その製膜条件は以下の通りで行った。 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ Ｎ2流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０３ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び窒素を含有しており、Ｎ／Ｃ比が
０．００２であることが判明した。
る側の保護層を第１表面保護層とし、最表層側の保護層
を第２表面保護層とした。第１表面保護層は、水素を含
む非晶質炭素であって、更に窒素を含有する膜からな
る。その製膜条件は以下の通りで行った。 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ Ｎ2流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０３ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び窒素を含有しており、Ｎ／Ｃ比が
０．００２であることが判明した。
【００４２】第２表面保護層は、水素を含む非晶質炭素
であって、更に窒素を含有する膜からなる。その製膜条
件は以下の通りで行った。 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ Ｎ2流量 ：４５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０２ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ 膜厚 ：３０，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び窒素を含有し、Ｎ／Ｃ比が０．１４
であることが判明した。
であって、更に窒素を含有する膜からなる。その製膜条
件は以下の通りで行った。 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ Ｎ2流量 ：４５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０２ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ 膜厚 ：３０，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び窒素を含有し、Ｎ／Ｃ比が０．１４
であることが判明した。
【００４３】このようにして作成した感光体について、
初期及び市販デジタル複写機イマジオ４２０Ｖ［（株）
リコー製］を用いて１０万枚及び４０万枚の通紙試験を
行った後、感光体表面の保護層の剥離状況、感度などの
評価を行った。評価結果を表１に示す。
初期及び市販デジタル複写機イマジオ４２０Ｖ［（株）
リコー製］を用いて１０万枚及び４０万枚の通紙試験を
行った後、感光体表面の保護層の剥離状況、感度などの
評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００４４】実施例２ 第１表面保護層の製膜条件を下記に示す条件としたこと
以外は、すべて実施例１と同様にして感光体を作成し、
評価を行った。 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０３ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
評価結果を表１に示す。
以外は、すべて実施例１と同様にして感光体を作成し、
評価を行った。 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０３ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
評価結果を表１に示す。
【００４５】実施例３ 第１表面保護層、第２表面保護層の作製条件を下記のよ
うにしたこと以外は、すべて実施例１と同様にして感光
体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ Ｃ2Ｆ6流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及びフッ素を含有し、Ｆ／Ｃ比が０．０
００５であることが判明した。
うにしたこと以外は、すべて実施例１と同様にして感光
体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 ＣＨ4流量 ：２００ｓｃｃｍ Ｃ2Ｆ6流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及びフッ素を含有し、Ｆ／Ｃ比が０．０
００５であることが判明した。
【００４６】第２表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ Ｃ2Ｆ6流量 ：２５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０２ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ 膜厚 ：３０，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及びフッ素を含有し、Ｆ／Ｃ比が０．０
０８であることが判明した。評価結果を表１に示す。
が、炭素、水素及びフッ素を含有し、Ｆ／Ｃ比が０．０
０８であることが判明した。評価結果を表１に示す。
【００４７】実施例４ 第１表面保護層の作製条件を下記のようにしたこと以外
は、すべて実施例１と同様にして感光体を作製し、評価
を行った。 Ｃ2Ｈ4流量 ：２００ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−１８０Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
評価結果を表１に示す。
は、すべて実施例１と同様にして感光体を作製し、評価
を行った。 Ｃ2Ｈ4流量 ：２００ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−１８０Ｖ 膜厚 ：５００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
評価結果を表１に示す。
【００４８】実施例５ 第１表面保護層及び第２表面保護層の作製条件を下記の
ようにしたこと以外は、すべて実施例１と同様にして感
光体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 ＣＨ4流量 ：１５０ｓｃｃｍ Ｂ2Ｈ6流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：４００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び硼素を含有し、Ｂ／Ｃ比が０．００
０７であることが判明した。
ようにしたこと以外は、すべて実施例１と同様にして感
光体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 ＣＨ4流量 ：１５０ｓｃｃｍ Ｂ2Ｈ6流量 ：５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：４００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び硼素を含有し、Ｂ／Ｃ比が０．００
０７であることが判明した。
【００４９】第２表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ Ｂ2Ｈ6流量 ：３０ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０２ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−１０Ｖ 膜厚 ：２５，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素及び硼素を含有し、Ｂ／Ｃ比が０．０１
であることが判明した。評価結果を表１に示す。
が、炭素、水素及び硼素を含有し、Ｂ／Ｃ比が０．０１
であることが判明した。評価結果を表１に示す。
【００５０】比較例１ 保護層として実施例１で記載した第２表面保護層のみを
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
【００５１】比較例２ 保護層として実施例３で記載した第２表面保護層のみを
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
【００５２】比較例３ 保護層として実施例５で記載した第２表面保護層のみを
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
単層として設けたこと以外は、すべて実施例１と同様に
して感光体を作製し、評価を行った。評価結果を表２に
示す。
【００５３】比較例４ 保護層として実施例１で記載した第１表面保護層のみを
単層として、膜厚３０，０００Åで設けたこと以外は、
すべて実施例１と同様にして感光体を作製し、評価を行
った。評価結果を表２に示す。
単層として、膜厚３０，０００Åで設けたこと以外は、
すべて実施例１と同様にして感光体を作製し、評価を行
った。評価結果を表２に示す。
【００５４】比較例５ 保護層として実施例３で記載した第１表面保護層のみを
単層として、膜厚３０，０００Åで設けたこと以外は、
すべて実施例３と同様にして感光体を作製し、評価を行
った。評価結果を表２に示す。
単層として、膜厚３０，０００Åで設けたこと以外は、
すべて実施例３と同様にして感光体を作製し、評価を行
った。評価結果を表２に示す。
【００５５】実施例６ 表面保護層を３層構成とし、感光層に近い側から、第１
表面保護層、第２表面保護層、第３表面保護層とし、下
記のような条件で製膜したこと以外は、すべて実施例１
と同様にして感光体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：３００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
表面保護層、第２表面保護層、第３表面保護層とし、下
記のような条件で製膜したこと以外は、すべて実施例１
と同様にして感光体を作製し、評価を行った。 第１表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−２００Ｖ 膜厚 ：３００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素及び水素のみを含有していることが判明した。
【００５６】第２表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ ＮＦ3流量 ：４５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０３ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ 膜厚 ：１０，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素、窒素及びフッ素を含有し、Ｎ／Ｃ比が
０．１５であり、Ｆ／Ｃ比が０．０１９であることが判
明した。
が、炭素、水素、窒素及びフッ素を含有し、Ｎ／Ｃ比が
０．１５であり、Ｆ／Ｃ比が０．０１９であることが判
明した。
【００５７】第３表面保護層 Ｃ2Ｈ4流量 ：９０ｓｃｃｍ Ｈ2流量 ：２１０ｓｃｃｍ ＮＦ3流量 ：４５ｓｃｃｍ 反応圧力 ：０．０１ｔｏｒｒ 第一の交番電圧出力 ：１００Ｗ １３．５６ＭＨｚ バイアス電圧（直流分）：−５Ｖ 膜厚 ：１０，０００Å この膜の組成分析（ＸＰＳ法）を行った結果、膜の組成
が、炭素、水素、窒素及びフッ素を含有し、Ｎ／Ｃ比が
０．１４であり、Ｆ／Ｃ比が０．０２０であることが判
明した。評価結果を表１に示す。
が、炭素、水素、窒素及びフッ素を含有し、Ｎ／Ｃ比が
０．１４であり、Ｆ／Ｃ比が０．０２０であることが判
明した。評価結果を表１に示す。
【００５８】実施例７ 実施例６の電子写真感光体の製造に関して、３００Åの
第１表面保護層を形成後、第１表面保護層の製膜条件か
ら第２表面保護層の製膜条件に至るまで徐々に変化さ
せ、厚さ３，０００Åの層を形成し、更に第２表面保護
層の製膜条件のもとで、全第２表面保護層の膜厚が１
０，０００Åとなる様に製膜が継続された。次に、第２
表面保護層の製膜条件から第３表面保護層の製膜条件に
到るまで徐々に変化させ、厚さ１，０００Åの層を形成
し、更に第３表面保護層の製膜条件のもとで、全第３表
面保護層の膜厚が１０，０００Åとなる様に製膜が継続
された以外は、実施例６と同様にして本発明の電子写真
感光体を作製した。
第１表面保護層を形成後、第１表面保護層の製膜条件か
ら第２表面保護層の製膜条件に至るまで徐々に変化さ
せ、厚さ３，０００Åの層を形成し、更に第２表面保護
層の製膜条件のもとで、全第２表面保護層の膜厚が１
０，０００Åとなる様に製膜が継続された。次に、第２
表面保護層の製膜条件から第３表面保護層の製膜条件に
到るまで徐々に変化させ、厚さ１，０００Åの層を形成
し、更に第３表面保護層の製膜条件のもとで、全第３表
面保護層の膜厚が１０，０００Åとなる様に製膜が継続
された以外は、実施例６と同様にして本発明の電子写真
感光体を作製した。
【００５９】
【表１】 註）感 度 ：コロナ放電により感光体を帯電させ、感
光体表面に光をあてて、表面電位が８００Ｖから１／５
の１６０Ｖになるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感度
（Ｅ1/5）を算出した。 剥離特性：感光体表面に剥離が認められなかった場合
○、局部的な剥離が認められた場合 △、全面剥離が認
められた場合 × △ＶL ：露光部電位の変化量（１０万枚及び４０万枚
時点とスタート時点での地肌部電位の差）
光体表面に光をあてて、表面電位が８００Ｖから１／５
の１６０Ｖになるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感度
（Ｅ1/5）を算出した。 剥離特性：感光体表面に剥離が認められなかった場合
○、局部的な剥離が認められた場合 △、全面剥離が認
められた場合 × △ＶL ：露光部電位の変化量（１０万枚及び４０万枚
時点とスタート時点での地肌部電位の差）
【００６０】
【表２】 註）感 度 ：コロナ放電により感光体を帯電させ、感
光体表面に光をあてて、表面電位が８００Ｖから１／５
の１６０Ｖになるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感度
（Ｅ1/5）を算出した。 剥離特性：感光体表面に剥離が認められなかった場合
○、局部的な剥離が認められた場合 △、全面剥離が認
められた場合 × △ＶL ：露光部電位の変化量（１０万枚及び４０万枚
時点とスタート時点での地肌部電位の差）
光体表面に光をあてて、表面電位が８００Ｖから１／５
の１６０Ｖになるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感度
（Ｅ1/5）を算出した。 剥離特性：感光体表面に剥離が認められなかった場合
○、局部的な剥離が認められた場合 △、全面剥離が認
められた場合 × △ＶL ：露光部電位の変化量（１０万枚及び４０万枚
時点とスタート時点での地肌部電位の差）
【００６１】
【発明の効果】請求項１の電子写真用感光体は、導電性
支持体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層
した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保
護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは
非晶質カーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、
リン、塩素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一
種の添加物元素を含有する膜からなり、しかも該添加物
元素の炭素に対する含有原子量比が、表面保護層の感光
層近傍付近よりも最表層付近の方が大きいものとしたこ
とから、炭素を主成分とする保護層を有する感光体の耐
剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形成を行
うことが可能になる。
支持体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層
した構成を持つ電子写真用感光体において、前記表面保
護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは
非晶質カーボン構造を有し、更に窒素、フッ素、硼素、
リン、塩素、臭素及び沃素等から選ばれた少なくとも一
種の添加物元素を含有する膜からなり、しかも該添加物
元素の炭素に対する含有原子量比が、表面保護層の感光
層近傍付近よりも最表層付近の方が大きいものとしたこ
とから、炭素を主成分とする保護層を有する感光体の耐
剥離性を向上させ、且つ長期的に安定した画像形成を行
うことが可能になる。
【００６２】請求項２及び３の電子写真用感光体は、前
記表面保護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン
若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に少なくとも窒
素を含有する膜からなり、しかも窒素と炭素の含有原子
量比（Ｎ／Ｃ比）が、感光層近傍付近では０．００５以
下であり且つ最表層付近では０．０５以上であるものと
するか、又は前記表面保護層が水素を含有するダイヤモ
ンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更
に少なくともフッ素を含有する膜からなり、しかもフッ
素と炭素の含有原子量比（Ｆ／Ｃ比）が、感光層近傍付
近では０．００１以下であり且つ最表層付近では０．０
０５以上であるものとしたことから、更に前記特性を向
上させることが可能になる。
記表面保護層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン
若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に少なくとも窒
素を含有する膜からなり、しかも窒素と炭素の含有原子
量比（Ｎ／Ｃ比）が、感光層近傍付近では０．００５以
下であり且つ最表層付近では０．０５以上であるものと
するか、又は前記表面保護層が水素を含有するダイヤモ
ンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更
に少なくともフッ素を含有する膜からなり、しかもフッ
素と炭素の含有原子量比（Ｆ／Ｃ比）が、感光層近傍付
近では０．００１以下であり且つ最表層付近では０．０
０５以上であるものとしたことから、更に前記特性を向
上させることが可能になる。
【図１】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の一例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図２】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図４】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図５】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図６】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図７】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図８】本発明に係る電子写真用感光体の層構成の別の
一例を示す模式断面図である。
一例を示す模式断面図である。
【図９】炭素を主成分とする薄膜よりなる保護層を形成
する際に用いるプラズマＣＶＤ装置の具体例の説明図で
ある。
する際に用いるプラズマＣＶＤ装置の具体例の説明図で
ある。
【図１０】プラズマＣＶＤ装置の枠状構造体１０２の平
面図である。
面図である。
【図１１】別のプラズマＣＶＤ装置の枠状構造体１０２
の平面図である。
の平面図である。
１…導電性支持体 ２…感光層 ２ａ…電荷発生層（ＣＧＬ） ２ｂ…電荷輸送層（ＣＴＬ） ３…表面保護層 ３ａ…第１表面保護層 ３ｂ…第２表面保護層 ４…下引層 １０１−１〜１０１−ｎ…支持体 １０２…枠状構造体 １０３、１１３…電極 １０４、１１４…マッチングトランスの端部 １０５…トランス出力側中点 １０７…真空槽 １０８、１１８…フード １０９…ゲート弁 １１５…電源 １１６−１、１１６−２…マッチングトランス １１７…ロード／アンロード用予備室 １１９…電源 １２０…排気系統 １２１…調整バルブ １２２…ターボ分子ポンプ １２３…ロータリーポンプ １２５…ガス導入ノズル １２６…位相調整器 １２９…流量計 １３０〜１３４…ガスライン １４０…交番電源系 １５０…反応槽
フロントページの続き (72)発明者 永目 宏 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山▲崎▼ 舜平 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 林 茂則 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも感光層及び
表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体
において、前記表面保護層が水素を含有するダイヤモン
ド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に
窒素、フッ素、硼素、リン、塩素、臭素及び沃素等から
選ばれた少なくとも一種の添加物元素を含有する膜から
なり、しかも該添加物元素の炭素に対する含有原子量比
が、表面保護層の感光層近傍付近よりも最表層付近の方
が大きいことを特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】 導電性支持体上に少なくとも感光層及び
表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体
において、前記表面保護層が水素を含有するダイヤモン
ド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に
少なくとも窒素を含有する膜からなり、しかも窒素と炭
素の含有原子量比（Ｎ／Ｃ比）が、感光層近傍付近では
０．００５以下であり且つ最表層付近では０．０５以上
であることを特徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項３】 導電性支持体上に少なくとも感光層及び
表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体
において、前記表面保護層が水素を含有するダイヤモン
ド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有し、更に
少なくともフッ素を含有する膜からなり、しかもフッ素
と炭素の含有原子量比（Ｆ／Ｃ比）が、感光層近傍付近
では０．００１以下であり且つ最表層付近では０．００
５以上であることを特徴とする電子写真用感光体。
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