JPH0714819B2 - 低α線微粒三酸化アンチモン - Google Patents

低α線微粒三酸化アンチモン

Info

Publication number
JPH0714819B2
JPH0714819B2 JP63150349A JP15034988A JPH0714819B2 JP H0714819 B2 JPH0714819 B2 JP H0714819B2 JP 63150349 A JP63150349 A JP 63150349A JP 15034988 A JP15034988 A JP 15034988A JP H0714819 B2 JPH0714819 B2 JP H0714819B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antimony trioxide
fine particles
low
antimony
low alpha
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63150349A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH026336A (ja
Inventor
洋孝 高橋
修 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP63150349A priority Critical patent/JPH0714819B2/ja
Publication of JPH026336A publication Critical patent/JPH026336A/ja
Publication of JPH0714819B2 publication Critical patent/JPH0714819B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体封止材料として好適なα線放射量が低い
三酸化アンチモンに関する。
〔従来技術〕
近年、集積回路の小型化に伴い、集積回路の封止剤に不
純物として含まれている放射性元素から放射されるα線
により集積回路が誤動作する、通称ソフトエラーという
現象が大きな問題となって来ている。この封止剤として
はエポキシ樹脂のようプラスチックが主に使用され、難
燃化する必要から通常酸化アンチモンを添加混入してい
るが、先の理由の為、少くとも0.1カウント/cm2Hr以下
のα線量のものが要望されている。また酸化アンチモン
を封止剤中に添加混合したときに、その粒径が大で数10
μm以上であったり、凝集性が強かったりすると、集積
回路内で配線が断線したり、あるいはショートしたりす
る不都合を生ずるので、微粒で且つ凝集性のない混合性
の良好な酸化アンチモンであることが要望されている。
従来、α線量が低く且つ凝集性の低い微粒酸化アンチモ
ンは得られていない。例えば本出願人らによる特公昭62
−21730号公報では三酸化アンチモンに濃塩酸を添加し
て不溶解残渣を分離した後、得られた塩化アンチモン水
溶液を蒸留後、この蒸留水に水をを添加して三酸化アン
チモンを沈殿させる方法がある。しかしながらこの方法
では粒径が3〜4μmの微粉でα線量は0.1カウント/cm
2Hr以下にすることはできても、依然として凝集性が高
い点が問題である。
〔発明が解決しようとする課題〕
そこで本発明の目的は上記問題点を解消し、α線放射量
が低く且つ凝集性の低い三酸化アンチモンを提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するために本発明はα線放射量が0.01カ
ウント/cm2Hr以下、粒子径が1〜0.1μmであり粒子凝
集性が少い点に特徴がある。
〔作 用〕
該α線放射量は0.01カウント/cm2Hrであることが必要で
あるが、0.01カウント/cm2Hrより大であると集積回路の
誤動作発生率が高くなり好ましくない。該粒径は1μm
以下であることが必要であるが、1μmより大であると
プラスチックに添加混入した際に十分均一に分解され
ず、やはり集積回路の誤動作発生率が高くなり好ましく
ない。
本発明の低α線微粒三酸化アンチモンを得る製造方法と
しては、まず通常の化学用三酸化アンチモンの低α線化
を行い(第一工程)、その後、微粒化ならびに凝集性の
低減化を図る(第二工程)ようにするのが好適である。
該化学用三酸化アンチモンを低α線化する方法として
は、特に限定されず、塩化アンチモン水溶液をアンモニ
アで中和する方法、塩化アンチモン水溶液を蒸留後加水
分解する方法等あるが、本願出願人が特公昭62−21730
号公報に開示したように三酸化アンチモンを濃塩酸に溶
解し、不溶解残渣を分離除去した塩化アンチモンを蒸留
し、この蒸留液を加水分解する方法が好適で、0.1〜0.5
カウント/cm2Hrであったα線放射量を0.01カウント/cm2
Hr以下にすることができる。
上記のように低α線化された三酸化アンチモンの形状は
粉末状、塊状、凝集体等の何れの形態でも差支えない。
次に、上記低α線化された酸化アンチモンを微粒化し、
且つ、凝集性の低減化を図る方法としては、特に限定さ
れないが、例えば本出願人による特開昭62−161375号
(特開昭64−5913号公報)で開示された凝集性の低い三
酸化アンチモン微粉の調整方法が好適であり、三酸化ア
ンチモンと脂肪族多価アルコールと反応させて溶解した
後、加水分解して析出物を分離することにより凝集性の
低い粒度が0.1〜0.3μmの三酸化アンチモン微粉が得ら
れる。
〔実施例〕
純度が99.6重量%で、α線放射量が0.35カウント/cm2Hr
のSb2O3120gを330mlの濃塩酸に常温で溶解しこれをグラ
スファイバーフィルタで過して370mlのSbClO3水溶液
を得た。これに純水5を加え攪拌ながら95〜98℃に1
時間保持した後に別し、再び5の純水を加え攪拌し
ながら95〜98℃に30分間保持しパルプ洗浄を2回繰り返
した後乾燥したところα線放射量0.0037カウント/cm2H
r、平均粒径3.75μmのSb2O3110gを得た。この粉末は無
定形で凝集が顕著であった。得られたSb2O380gをエチレ
ングリコール2kgに加え攪拌しながら140℃に加温し液が
無色透明になるまで保持した。この液を80℃まで放冷
後、常温の純水300mlを加え加水分解を行った。生成し
た沈殿物を遠心分離し乾燥したところ、凝集が殆んどな
い粒状のSb2O3が得られた。このα線放射量は0.0035カ
ウント/cm2Hr(住友化学製LACS−1000測定機)であっ
た。原料に用いたSb2O3とと、本発明で得られたSb2O3
電子顕微鏡写真をそれぞれ第1図と第2図に示す。これ
らの写真から本発明のSb2O3は一次粒子毎に極めて良好
に分散し、粒径が0.2〜0.6μmの微粒である。
〔発明の効果〕
本発明によりα線放射量が0.01カウント/cm2Hr以下で凝
集性の低い粒径が1〜0.1μmの三酸化アンチモンを得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に用いたSb2O3原料の電子顕微鏡写真(1
0,000倍)であり、第2図は本発明の低α線微粒Sb2O3
電子顕微鏡写真(10,000倍)である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】α線放射量が0.01カウント/cm2Hr以下、粒
    子径が1〜0.1μmであり粒子凝集性が少い低α線微粒
    三酸化アンチモン。
JP63150349A 1988-06-20 1988-06-20 低α線微粒三酸化アンチモン Expired - Lifetime JPH0714819B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63150349A JPH0714819B2 (ja) 1988-06-20 1988-06-20 低α線微粒三酸化アンチモン

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63150349A JPH0714819B2 (ja) 1988-06-20 1988-06-20 低α線微粒三酸化アンチモン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH026336A JPH026336A (ja) 1990-01-10
JPH0714819B2 true JPH0714819B2 (ja) 1995-02-22

Family

ID=15495049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63150349A Expired - Lifetime JPH0714819B2 (ja) 1988-06-20 1988-06-20 低α線微粒三酸化アンチモン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0714819B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5112032A (en) * 1991-01-09 1992-05-12 General Motors Corporation Hydraulic mount with triple decouplers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60250050A (ja) * 1984-05-28 1985-12-10 Nissan Chem Ind Ltd 五酸化アンチモン難燃剤及びその製造法
JPS61106416A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造方法
JPH068177B2 (ja) * 1984-12-12 1994-02-02 住友金属鉱山株式会社 三酸化アンチモン微粉末の製造装置
JPS6221730A (ja) * 1985-07-22 1987-01-30 ピ−ピ−ジ− インダストリ−ズ,インコ−ポレ−テツド 分割ガラスフアイバ成形炉から一様なストランドを作る方法及び装置
JPS6230618A (ja) * 1985-08-01 1987-02-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 三酸化アンチモン粉末の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH026336A (ja) 1990-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4043103B2 (ja) 溶融球状シリカ及びその製造方法
JPWO2011099378A1 (ja) 球状ハイドロタルサイト化合物および電子部品封止用樹脂組成物
JP4605864B2 (ja) 真球状シリカ粒子集合体の製造方法
JPS644540B2 (ja)
JPH0714819B2 (ja) 低α線微粒三酸化アンチモン
JP2542797B2 (ja) 高純度シリカの製造方法
JPS58127354A (ja) 半導体素子封止用樹脂組成物
CN116143134B (zh) 一种集成电路封装用硅微粉的制备方法
JP2827616B2 (ja) 封止材用錫酸亜鉛粉末およびその製造方法と用途
JPS61186216A (ja) 球状シリカ粒子の製造方法
JPH08231224A (ja) 低α線微粒三酸化アンチモン
JP3453783B2 (ja) インジウム−錫酸化物針状粉末の製造方法
JP3383882B2 (ja) 低レベルα線量・高純度三酸化アンチモンの製造方法
JP3017888B2 (ja) 半導体装置
JPS5840948B2 (ja) 4↓−アミノ↓−3,5,6↓−トリクロロ↓−2↓−ピコリン酸の結晶化方法
JPH05339B2 (ja)
JPH02145416A (ja) 溶融球状シリカ及びこれを用いた封止用樹脂組成物
JPS60180911A (ja) 高純度シリカおよびその製造法
JP3198344B2 (ja) 低レベルα線量・高純度三酸化アンチモンの製造法
JP3402397B2 (ja) インジウムー錫酸化物針状粉末製造用原料の製造方法
JPS6117416A (ja) 高純度シリカおよびその製造方法
JPS59217622A (ja) α線放射量の低い三酸化アンチモンの製造法
JPH02302327A (ja) ルテニウム酸鉛微粉末の製造方法
JPS60246220A (ja) α線放射量の低いアルミナ水和物またはアルミナの製造方法
JPS61186215A (ja) 球状シリカの製造方法