JPS61186216A - 球状シリカ粒子の製造方法 - Google Patents

球状シリカ粒子の製造方法

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JPS61186216A
JPS61186216A JP2464785A JP2464785A JPS61186216A JP S61186216 A JPS61186216 A JP S61186216A JP 2464785 A JP2464785 A JP 2464785A JP 2464785 A JP2464785 A JP 2464785A JP S61186216 A JPS61186216 A JP S61186216A
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JP
Japan
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silicon compound
silica particles
spherical silica
silica
temperature
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JP2464785A
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English (en)
Inventor
Suzuya Yamada
鈴弥 山田
Nobuhiro Watabe
渡部 信弘
Kazuo Takahashi
和男 高橋
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、球状シリカ粒子の製法、特にケイ素化合物を
加水分解法によりシリカ粒子を生成させ、これを高温で
焼成し、平均粒径1〜5μm1粒子表面が平滑な球状粒
子で、ウランおよびトリウム・の官有量が0.1 pp
b以下で、C7やNaの官有量が少ない球状シリカ粒子
の製法に関する。
〈従来技術とその問題点ン 従来、合成シリカ粒子はケイ酸ソーダを塩酸、加酸等の
酸によって分解、またはケイ酸ソーダからアルカリ土類
金属ケイ酸塩を生成したのち酸で分解する湿式法、や特
公昭3;6−3359号公報に記載された気化したハロ
ダン化ケイ素を酸水累炎中で加水分解する乾式法等によ
って製造されている。一方、シリカ粒子はICプラスチ
ックパッケージ用のフィラー材として用いられている。
このシリカ粒子は天然ケイ石を溶融し粉砕、分級等する
ことによって製造したものが主として用いられている。
近年、シリカフィラーの安定供給およびフィラーから放
出されるα線によっておこるICの誤動作を防ぐために
α線源であるウラン、トリウムを低くおさえた高品質の
ものが要求されている。この見地から天然ケイ石より製
造されたフィラーを合成シリカ粒子に代替することが検
討されだが、これらの粒子はそのままでは平均粒径が0
.1μm以下の微粉であるため樹脂への充填性が悪く、
直接フィラー材として供給することはできず、造粒、焼
成、溶解、粉砕等の工程が必要である。また前記の湿式
法によるシリカ粒子については、アルカリイオンが不純
物として残存するという問題があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明者は、精製された特定のケイ素化合物を水蒸気と
特定の条件下加水分解させた後、高温で焼成することに
より、不純物の含有量が少ない高品質のもので、しかも
表面が平滑かつ球状で、その平均粒子径が1〜5μmで
あるシリカ粒子が得られることを見出した。
本発明はこのような知見に基づいて完成されたもので、
その要旨は下記一般式で示される精製されたケイ素化合
物を高温で加水分解させてシリカ粒子を製造するにあた
り、H2C/ケイ素化合物のモル比1.5〜5、温度3
00〜600°C1滞留時間0.1〜i Q secの
条件下加水分解させ、その生成物を温度500〜130
0℃で焼成することを特徴とするものである。
一般式 %式% (但し式中Xはハロゲン元素、nは0〜4の整数を表わ
す。) 以下さらに詳しく説明する。
本発明の原料として使用されるケイ素化合物は前記した
特定のものであるが、その具体例としては5iC14、
Sin’、、SiBr4、SiI4.8iH4,5IH
C13SiH2C72,8iH3Clなどがあげられる
。これらの中5iCA!4は比較的安価で多量に入手で
き、しかも蒸留M製によりウランおよびトリウム等の不
純物が容易に除去されることから好ましい原料である。
また水蒸気(H2C)は蒸留法、イオン交換法等の方法
によって高純度化したものを使用する。
このように原料ケイ素化合物およびH2Cを精製しウラ
ンおよびトリウムの含有量をそれぞれ0.05ppb以
下とするが、このように高純度化したものを用いる理由
は生成したシリカ粒子をそのまま合成樹脂に充填し、α
線の影響を受けない封止材料とするためである。
次に本発明の製造条件について説明する。合成炉として
は竪型炉が用いられるが、これに限られるものではない
。竪型炉を用いた例により説明すると、合成炉の上部に
取り付けた2重ノ戸ルの一方から気化したケイ素化合物
、また他方からH2C(水蒸気)を噴出させる。この場
合ケイ素化合物およびH2Cは、キャリアガスとしてN
2 、Ar等を用いて供給しても直接気化させて供給し
てもよい。
合成温度は、300〜600℃の範囲である。その理由
は、合成温度が600°にえると平均粒径1μm以下と
なって樹脂への充填性が悪<、300°C未満であると
反応率が低下するからである。シリカ粒子はH20/ケ
イ累化合物化モル比や滞留時間によって異った粒子形状
のものが得られるが、H20/ケイ素化合物のモル比が
1.5〜5、滞留時間0.1〜10 secの条件で粒
子表面が平滑な球形粒子となる。
H20/ケイ素化合物のモル比が1.5より小さくなる
と反応率が低下し、5をこえると球状でなくなる。
滞留時間が3.1sec未満では反応率が低下するので
好ましくなく、10BθCをこえると粒子表面に凹凸を
生じスパイラルフローが低下する。
このようにして合成したシリカ粒子は付着水、Cl分を
含んでいるので、温度500〜1600℃で焼成する。
温度が500℃未満であると、シリカ粒子中KC,1,
分残存し、1300−0をこえるとシリカ粒子の凝集が
おこり樹脂への充填性が悪くなる。    一 本発明により得られたシリカ粒子は平均粒径1〜5μm
(最大粒径約20μm以下)の粒子表面が平滑な球形粒
子で、かつウランおよびトリウムの含有量が0.1 p
pb以下である合成シリカ粒子である。
〈実施例〉 内径51Wll+!、長さ1000mm、均熱体幅20
0朋の竪型管状炉の上部に石英ガラス製2重ノズルを取
り付け、気化させた5iC14をノズル外側に供給し、
またN20 (ga8)をノズル内側に供給して合成を
おこなった。S 1C14は純度99.999%以上の
ものを用いた。またN20は蒸留水をイオン交換法によ
って純化させたのち使用した。両者ともウラン官有量は
0.05 ppb以下であった。生成したシリカ粒子を
N2気流中で焼成をおこなった。得られたものの不純物
の分析および樹脂との充填性を調べるため混練テストを
おこなった。これらの条件および結果を表に示す。
また図面はシリカ粒子構造の走査型電子顕微鏡(8FM
 )写真であって、第1図に実施例の実験層1の球状シ
リカ粒子構造、第2図および第6図はそれぞれ比較例の
実験A10および実験/1615のものである。
本発明法により得られたシリカ粒子は高純度であり、平
均粒径が比較的大きく、粒子表面が平滑な球形粒子であ
るため樹脂への充填性が良好であった。
なお表に示した物性は次の方法によって測定した。
(1)U及びTh・・・螢光光度法 f21  CJ   ・・・イオンクロマトグラフ(3
)  Na  ・・・原子吸光分析(4)平均粒径・・
・8FM粒子径 (5)粒子径状・・・SEM観察 (6)スパイラルフロー シリカ粉末の含有量が70重量係となるようにオルソフ
レ・戸−ルノボラックエポキシ樹脂100g1フェノー
ルノボラック樹脂50g、硬化促進剤コーランディシル
イミダデール2g、カーざノブラック2gカルナパワツ
クA2N、  カップリング剤rA−186J 1,1
配合しミキシングロールで10分間混線後粉砕し、圧カ
フ 0 kg / cyn”で成型した。
゛[A−186Jは日本ユニカー(株)のものでなおり
ツブリング剤「ベーター(6,4−エポキシ−シイクロ
ヘキシル)エチル−トリメトキシシラン」を主成分とす
るものである。
〈発明の効果〉 本発明によれば、造粒等の処理をすることなく平均粒径
1〜5μm1その粒子表面が平滑な球形シリカ粒子が得
られる。これは樹脂への充填性がよく、シかもウランお
よびトリウムの含有量が0.1 ppb以下、C1やN
aの含有量が少ないためICプラスチックパッケージ用
フィラー材として直接使用することができる。
【図面の簡単な説明】
図面はシリカの粒子構造を示すSZ写真であって、第1
図は本発明の実施例の実験/161、第2図及び第3図
はそれぞれ比較例の実験/1610及び実験/l615
のものを示す。 特許出願人 電気化学工業株式会社 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記一般式で示される精製されたケイ素化合物を高温で
    加水分解させてシリカ粒子を製造するにあたり、H_2
    O/ケイ素化合物のモル比1.5〜5、温度300〜6
    00℃、滞留時間0.1〜10secの条件下加水分解
    させ、その生成物を温度500〜1300℃で焼成する
    ことを特徴とする球状シリカ粒子の製造方法。 一般式 SiX_nH_4_−_n (但し式中Xはハロゲン元素、nは0〜4の整数を表わ
    す。)
JP2464785A 1985-02-12 1985-02-12 球状シリカ粒子の製造方法 Pending JPS61186216A (ja)

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