JPH0714704U - 非可逆回路素子 - Google Patents

非可逆回路素子

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JPH0714704U
JPH0714704U JP4453893U JP4453893U JPH0714704U JP H0714704 U JPH0714704 U JP H0714704U JP 4453893 U JP4453893 U JP 4453893U JP 4453893 U JP4453893 U JP 4453893U JP H0714704 U JPH0714704 U JP H0714704U
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正幸 米田
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政則 辻
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 部品寸法の大型化を回避しながら、チップ部
品を半田付け接続する際の位置ずれによる接続不良を防
止できる非可逆回路素子を提供する。 【構成】 複数の中心電極が形成された基板10上に整
合用チップ部品R1,R2を配置するとともに、上記中
心電極上面にフェライト8bを配置し、該フェライト8
bの上面に永久磁石7を当接させてアイソレータ1(非
可逆回路素子)を構成する場合に、上記永久磁石7とチ
ップ部品R1,R2との間に押圧シート18を配設し、
該押圧シート18で上記チップ部品R1,R2を押圧固
定する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、VHF,UHF,及びSHF帯域で採用される非可逆回路素子、例 えばサーキュレータ,アイソレータに関し、詳細にはチップ部品を半田付け接続 する際に該部品が位置ずれして接続不良を生じるのを防止できるようにした構造 に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、サーキュレータ,アイソレータ等の非可逆回路素子は、信号の伝送方 向のみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有しており、例えば携帯電話 ,自動車電話等の移動通信機器の送信回路部に採用されている。このようなアイ ソレータの一例として、図4及び図5に示す構造のものがある。このアイソレー タ50は、下ヨーク51bに上ヨーク51aを装着してなる磁性体金属ヨーク5 1内に樹脂ブロック52を配置し、該樹脂ブロック52上に図示しない複数の中 心電極がパターン形成された電極基板53を配設し、該基板53の中心電極の両 面に一対のフェライト54a,54bを当接するとともに、両フェライト54a ,54bに永久磁石55a,55bにより直流磁界を印加するように構成されて いる。
【0003】 また上記電極基板53上にはアース板56が配設されており、このアース板5 6の中央部には上記フェライト54aが収容される凹部56aが凹設されている 。このアース板56は上ヨーク51aの天壁内面に貼着された永久磁石55aに より電極基板53上に押圧されている。
【0004】 さらに上記アース板56の左右コーナ部には切り欠き部56bが形成されてお り、この切り欠き部56bの上記電極基板53上にはチップ抵抗器R1,R2が 配置されている。この両抵抗器R1,R2には上記1つの中心電極の一端,及び アース電極が接続されている。
【0005】 上記アイソレータ50を組立てる場合、従来、上記電極基板53上面のアース 板56,及び各抵抗器R1,R2が当接する部分に半田を塗布し、これにアース 板56,各抵抗器R1,R2を配置した状態で上ヨーク51aを装着し、これに より上ヨーク51aの永久磁石55aでアース板56を押圧して位置決め固定す る。この状態で各半田を加熱溶融させて両者を接続する方法が用いられている。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の非可逆回路素子では、アース板56は永久磁石55 aにより押圧固定されているものの、各チップ抵抗器R1,R2は電極基板53 上に載置しただけであることから、半田を溶融させる際に位置ずれし易く、その 結果接続不良を生じる場合があり、品質に対する信頼性が低いという問題点があ る。
【0007】 ここで、上記位置ずれを防止するために、チップ抵抗器の組付け精度,あるい は半田の塗布量を管理することが行われているが、これらを用いても位置ずれの 改善は不充分な状況である。
【0008】 本考案は、上記従来の問題点を解決するためになされたもので、整合回路部品 の位置ずれによる接続不良を確実に防止できる非可逆回路素子を提供することを 目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本件考案者らは、上記半田付け時の位置ずれを防止するために検討したところ 、チップ部品と永久磁石との間には両者の接触を回避するための隙間があり、し かもこの隙間はデッドスペースとなっていることに着目し、この隙間に絶縁シー トを介設して上記チップ部品を押圧固定することによって位置ずれの問題を解消 できることに想到し、本考案を成したものである。
【0010】 そこで本考案は、複数の中心電極が形成された基板上に整合用チップ部品を配 置するとともに、上記中心電極の上面にフェライトを配置し、該フェライトの上 面に永久磁石を当接させて直流磁界を印加するようにした非可逆回路素子におい て、上記永久磁石とチップ部品との間に押圧シートを配設し、該永久磁石により 押圧シートを介して上記チップ部品を押圧固定したことを特徴としている。
【0011】 ここで、上記整合用チップ部品には、上述のアイソレータの構成部品としての チップ抵抗,あるいはアイソレータ,サーキュレータを構成するチップコンデン サ等が含まれる。
【0012】
【作用】
本考案に係る非可逆回路素子によれば、永久磁石とチップ部品との間に押圧シ ートを配設し、該押圧シートを介して整合用チップ部品を押圧固定したので、半 田を溶融させる際の位置ずれを確実に防止できる。その結果、チップ部品の組み 付け精度,あるいは半田の塗布量の管理を不要にできるとともに、接続不良によ る品質に対する信頼性を改善できる。
【0013】 また本考案では、チップ部品と永久磁石とのデッドスペースを利用した構造で あるので、押圧シートを配設したことにより厚さ方向の寸法が大きくなることは ないから、部品の大型化を回避できる。
【0014】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図について説明する。 図1ないし図3は、本考案の一実施例によるアイソレータを説明するための図 であり、図1はアイソレータの断面図、図2はその押圧シートの配置状態を示す 分解斜視図、図3はそのアイソレータの分解斜視図である。
【0015】 図において、1は本実施例構造が適用されたアイソレータであり、これは磁性 体金属製の下ヨーク2上面に永久磁石3を介在させて樹脂ブロック4を配設し、 該樹脂ブロック4上に同じく磁性体金属製の上ヨーク5を装着し、該上ヨーク5 の天壁内面にスペーサ6を介在させて永久磁石7を貼着した概略構造のものであ る。
【0016】 上記樹脂ブロック4上面の中央部には第1フェライト8aが配置される凹部4 aが、また該凹部4aの周縁部には3つのチップコンデンサC1,C2,C3が 配置される凹部4bがそれぞれ形成されている。また上記樹脂ブロック4の各側 壁には入出力,アース用としての各端子4cが形成されており、これらのうち入 出力端子4cには上記チップコンデンサC1,C3が接続されている。
【0017】 上記樹脂ブロック4の上部には3つの中心電極12がパターン形成された電極 基板10が配設されており、この電極基板10上の中心電極12には該基板10 を挟んで上記第1フェライト8aと対向する第2フェライト8bが配設されてい る。これにより上記各中心電極12は両フェライト8a,8bにより誘導結合さ れるとともに、上記各永久磁石3,7により直流磁界が印加されるようになって いる。
【0018】 上記電極基板10は、絶縁基板13の上面に上記各中心電極12の一部を形成 し、該基板13の下面に点対象をなすよう中心電極12の残部を形成し、この両 内端同士をスルーホール電極で接続して構成されており、これにより上記各中心 電極12は互いに120度ごとに電気的非接触状態で交差している。
【0019】 上記絶縁基板13上面の周縁部にはアース電極15が形成されており、該アー ス電極15には上面側の各中心電極12の外端部が接続されている。さらに上記 絶縁基板13下面の周縁部には図示しない3つのポート電極が形成されており、 各ポート電極には下面側の各中心電極12の外端部が接続されている。この各ポ ート電極には上記各チップコンデンサC1,C2,C3が接続されている。
【0020】 上記電極基板10上にはアース板11が配設されている。このアース板11の 中央部には凹部11aが凹設されており、この凹部11a内に上記第2フェライ ト8bが収容されている。上記アース板11はこれの上部に位置する永久磁石7 により押圧されており、該アース板11の周縁部は上記基板10上面に当接して いる。また上記アース板11の左右コーナ部には切り欠き部11bが形成されて おり、該切り欠き部11bにより電極基板10のアース電極15の一部が露出さ れている。
【0021】 上記電極基板10上面のアース板11の左右切り欠き部11b内にはそれぞれ チップ抵抗器R1,R2が配置されており、この各抵抗器R1,R2の一方の電 極は上記アース電極15に、他方の電極は上記絶縁基板13の一縁部に形成され た接続電極16にそれぞれ半田付け接続されている。この接続電極16はスルー ホール電極を介して上記1つのポート電極に接続されており、これにより上記1 つの中心電極12はチップコンデンサC2及び両抵抗器R1,R2に接続されて いる。
【0022】 そして、上記電極基板10上の各抵抗器R1,R2と永久磁石7との間には、 本実施例の特徴をなす押圧シート18が配設されている。この押圧シート18は 例えばテフロン(登録商標)等からなる絶縁性のもので、これの中央部には上記 アース板11の凹部11aが挿通する逃げ孔18aが形成されている。この押圧 シート18は上記永久磁石7を介して両抵抗器R1,R2を電極基板10上に押 圧固定しており、これによりツームストーンの発生が防止されている。
【0023】 次に本実施例の作用効果について説明する。 本実施例のアイソレータ1を組立てるには、まず電極基板10上面のアース電 極15,接続電極16に半田を塗布するとともに、各素子の接続部分に半田を塗 布する。そして樹脂ブロック4の下部に永久磁石3,下ヨーク2を配置するとと もに、上部の各凹部4a,4b内にチップコンデンサC1〜C3,第1フェライ ト8aを配置し、これの上部に電極基板10,第2フェライト8b,チップ抵抗 基板R1,R2,及びアース板11をそれぞれ順次配置する。
【0024】 次いで永久磁石7が貼着された上ヨーク5を上記樹脂ブロック4上に配置し、 該上ヨーク5を下ヨーク2に嵌着する。この挿着によって上ヨーク5の永久磁石 7がアース板11の凹部11aを押圧するとともに押圧シート18を押圧し、こ れによりアース板11の周縁部が電極基板10のアース電極15上に位置決め固 定され、かつ上記押圧シート18を介して各チップ抵抗器R1,R2が位置決め 固定される。
【0025】 上記各素子を組立てた状態で上記半田を加熱溶融させ、これにより上記各チッ プ抵抗器R1,R2とアース電極15,接続電極16とを接続するとともに、各 素子同士を接続する。
【0026】 ここで上記半田を溶融させる際に、従来では各チップ抵抗器R1,R2の位置 ずれにより接続不良が生じるという問題があった。これに対して本実施例では、 電極基板10上のチップ抵抗器R1,R2と永久磁石7との隙間に押圧シート1 8を配設し、該押圧シートで上記各チップ抵抗器R1,R2を押圧固定したので 、上記半田を溶融させても位置ずれすることはなく、接続不良を確実に防止でき る。
【0027】 また本実施例では、上記押圧シート18で永久磁石7とチップ抵抗器R1,R 2とのデッドスペースを埋める構造であることから、アイソレータ1の高さ方向 寸法が大きくなることはなく、部品の大型化を回避できる。
【0028】 なお、上記実施例では、押圧シート18を電極基板10上面を覆う大きさに形 成した場合を例にとって説明したが、本考案は少なくともチップ抵抗器R1,R 2の上面を覆う大きさの押圧シートを形成すればよく、特に限定するものではな い。
【0029】 また上記実施例では、アイソレータを例にとって説明したが、本考案はサーキ ュレータにも勿論適用できる。このサーキュレータの場合は、電極基板上にチッ プコンデンサを配置し、該チップコンデンサと永久磁石との間に押圧シートを介 設することとなる。
【0030】
【考案の効果】
以上のように本考案に係る非可逆回路素子によれば、永久磁石とチップ部品と の間に押圧シートを配設し、該押圧シートで整合用チップ部品を押圧固定したの で、部品寸法の大型化を回避しながら、半田を溶融させる際の位置ずれを確実に 防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例によるアイソレータを説明す
るための断面図てある。
【図2】上記実施例の押圧シートの挿着状態を示す分解
斜視図である。
【図3】上記実施例のアイソレータの分解斜視図であ
る。
【図4】従来のアイソレータの断面図である。
【図5】従来のアイソレータの斜視図である。
【符号の説明】
1 アイソレータ(非可逆回路素子) 7 永久磁石 8b フェライト 10 電極基板 12 中心電極 18 押圧シート R1,R2 チップ抵抗器(整合用チップ部品)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の中心電極が形成された基板上に整
    合用チップ部品を配置するとともに上記中心電極にフェ
    ライトを配置し、該フェライトの上面に永久磁石を当接
    させて直流磁界を印加するようにした非可逆回路素子に
    おいて、上記永久磁石とチップ部品との間に押圧シート
    を配設し、該永久磁石により押圧シートを介して上記チ
    ップ部品を押圧固定したことを特徴とする非可逆回路素
    子。
JP1993044538U 1993-08-16 1993-08-16 非可逆回路素子 Expired - Lifetime JP2607641Y2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS528767U (ja) * 1975-07-04 1977-01-21
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KR100320935B1 (ko) * 1997-12-09 2002-05-13 이형도 비가역소자의 스트론튬 페라이트 자기 이격장치

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