JPH0713555A - 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム - Google Patents

1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム

Info

Publication number
JPH0713555A
JPH0713555A JP6042170A JP4217094A JPH0713555A JP H0713555 A JPH0713555 A JP H0713555A JP 6042170 A JP6042170 A JP 6042170A JP 4217094 A JP4217094 A JP 4217094A JP H0713555 A JPH0713555 A JP H0713555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
read
bus
write operation
storage element
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6042170A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Kimura
光一 木村
Toshihiko Ogura
敏彦 小倉
Hiroaki Aotsu
広明 青津
Mitsuru Ikegami
充 池上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6042170A priority Critical patent/JPH0713555A/ja
Publication of JPH0713555A publication Critical patent/JPH0713555A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】多機能メモリデバイスに対して複数の動作モー
ドを外部デバイスからバスを介して事前設定できるよう
にして1チップメモリデバイスへのリード又はライト動
作を高速で制御できる方法およびシステムを提供する。 【構成】外部デバイスと、実行手段と記憶素子2とを有
する1チップメモリデバイスとが第1のバスを介して接
続され、第1のバスと記憶素子と間でリード又はライト
動作を行う実行手段を、外部デバイスに接続された第2
のバスを介して制御するシステムであって、リード又は
ライト動作を実行する前に、動作のモードを第2のバス
を介して実行手段に設定する設定手段を備え、実行手段
は設定されたリード又はライト動作のモードに基づいて
外部デバイスと記憶素子2との間で第1のバスを介して
データのリード又はライト動作を実行する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、RAM(Ramdom Acc
ess Memory)に係り、特に記憶データのRead-Modify
-Write 動作に好適な多機能の1チップメモリデバイス
へのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム
に関するものである。 【0002】 【従来の技術】図1、図2に示す様な画像処理を例に取
り、従来技術の説明を行なう。図1において、M1はC
RT(Catdode Ray Tube)画面と1対1に対応する
画像エリア、M2は合成する画像データが格納してある
格納エリア、FCは画像エリアM1のデータと格納エリ
アM2のデータの合成を行なうためのModify機能
である。また図2において、S1は画像エリアM1から
データをReadする処理ステップ、S2は格納エリア
M2からデータをReadする処理ステップ、S3はR
eadした画像エリアM1と格納エリアM2のデータを
合成するための処理ステップ、S4はステップS3で得
られた合成データを画像エリアM1へのWrite処理
ステップである。 【0003】図1で示した画像処理の例では、単なる合
成のため、図2における処理ステップは論理和機能とな
る。 【0004】一方、対象となる画像エリアM1のデータ
量は、通常100K〜数MByteと大容量となる。従っ
て図2で示した一連の処理は、データをByte単位で処
理した場合でも、その繰返し回数は106のオーダとな
る。 【0005】このため、従来では、下記のような課題を
生じている。即ち、 (1)図2に示した様に本処理ではその殆んどがパスを
使用するパスサイクル(S1,S2,S4)で占められ
ている。従って、パスの占有率が高くなり、パス負荷が
増大する。 【0006】(2)また、低速パスであったり、パスの
占有制御等のオーバヘッドにより、実際の処理時間が大
きい。 【0007】(3)更に、図2の例では静的なステップ
数は4ステップと少ないが、扱うデータ量が非常に多い
ため、動的なステップ数が膨大な量となり、処理時間が
大きい。 【0008】なお、この種の処理を行なう記憶回路とし
て関連するものには、例えば、特開昭59−60658
号公報が挙げられる。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の課題を解決すべく、多機能メモリデバイスに
対して複数の動作モードを外部デバイスからバスを介し
て事前設定できるようにして1チップメモリデバイスへ
のリード又はライト動作を高速で制御できるようにした
多機能の1チップメモリデバイスへのリード又はライト
動作制御方法およびそのシステムを提供することにあ
る。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、外部デバイスと、実行手段と記憶素子と
を有する1チップメモリデバイスとを第1のバスを介し
て接続され、前記第1のバスと前記記憶素子と間でリー
ド又はライト動作を実行する前記実行手段を、外部デバ
イスに接続された第2のバスを介して制御する方法であ
って、前記記憶素子へのリード又はライト動作を実行す
るに先立って、前記外部デバイスからリード又はライト
動作のモードを第2のバスを介して前記実行手段に設定
し、前記実行手段は、該設定されたリード又はライト動
作のモードに基づいて前記外部デバイスと前記記憶素子
との間で前記第1のバスを介してデータのリード又はラ
イト動作を実行することを特徴とする1チップメモリデ
バイスへのリード又はライト動作制御方法である。 【0011】また本発明は、外部デバイスと、実行手段
と記憶素子とを有する1チップメモリデバイスとを第1
のバスを介して接続され、前記第1のバスと前記記憶素
子と間でリード又はライト動作を実行する前記実行手段
を、外部デバイスに接続された第2のバスを介して制御
するシステムであって、前記記憶素子へのリード又はラ
イト動作を実行するに先立って、前記外部デバイスから
リード又はライト動作のモードを第2のバスを介して前
記実行手段に設定する設定手段を備え、前記実行手段
は、前記設定手段により設定されたリード又はライト動
作のモードに基づいて前記外部デバイスと前記記憶素子
との間で前記第1のバスを介してデータのリード又はラ
イト動作を実行するように構成したことを特徴とする1
チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御シ
ステムである。 【0012】また本発明は、例えば前述した画像の合成
処理(データの書換え処理)の高速化を図るために、下
記の2つの機能を合わせ持つ記憶回路で構成したことに
ある。 【0013】a)記憶素子に既に記憶されているデータ
を修正し、同一アドレスの記憶素子へその修正データを
再び書き込む処理機能。 【0014】b)一般的な外部データの記憶素子への書
き込み処理機能。 【0015】また、本発明では、上記した2つの機能を
持つ記憶回路を、次の点に着眼して実現しており、図3
を用いて説明する。図3は外部からD−RAM(Dynam
ic-Ramdom Access Memory)へのデータ書込み処理を
示したものであり、この時、D−RAMはリードライト
サイクルとした。図3において、ADRは外部からのア
ドレス、WRは外部からのライトリクエストで、これら
2つの信号(ADR,WR)は例えばマイクロプロセッ
サから与えられるものとする。また、RASは行アドロ
スストロープ、CASは列アドレスストローブ、Aは列
及び行アドレスが時分割に発生されるアドレス信号、W
Eはライトイネーブル、DOはリードデータ、Zは外部
(マイクロプロセッサ)からのデータで、これらの信号
はZを除いて例えばDRAMコントローラ等から生成さ
れるコントロール信号である。すなわち、 (I)図3に示した様に、一般にリードライトサイクル
では、1回のメモリアクセスは、リードサイクル(I)
で開始し、ライトイネーブルWEによるライトサイクル
(III)が実行される。 【0016】(II)従って、上記リードサイクル(I)
とライトサイクル(III)の間には、リードデータDO
と外部データZが同時に存在する区間(II)が表われ
る。 【0017】(III)この区間(II)を修正区間とし、 (IV)更に、この修正制御を外部データZによって行な
うことは可能とする。 【0018】 【実施例】以下、本発明の一実施例を図3〜図11を用
いて説明する。図3は、上述した様にD−RAMのタイ
ムチャートである。図4は、本発明の一実施例を示すブ
ロック図、図5は図4に示した実施例の動作原理の説明
図、図6は図5に示した動作原理を実現した回路例を示
す図、図7は図6の動作の詳細を説明する図である。 【0019】図4において、1は制御回路、2は記憶素
子、3はD−RAMコントローラ、X,Yは外部からの
データ、Zは記憶素子へのライトデータ、DOは記憶素
子からのリードデータ、A,CAS,RAS,WE,A
DR,WRは前記した図3と同種の信号である。なお、
図3で示した外部データZを、ここでは(図4)制御回
路1を介した記憶素子2へのライトデータZに書換えて
いる。 【0020】図4に示した様に本発明は、制御回路1に
おいて、リードデータDOを外部データX,Yで制御、
修正して記憶素子2に書込む。この制御動作を図5に示
す。図5において、モードIは外部データYをライトデ
ータZとするモード、モードIIはリードデータDOをラ
イトデータZとするモードである。図5に示す様に外部
データX,Yによって、すなわち外部からの制御で記憶
素子2のリードデータDOを修正、書込み(モードI
I)、或いは外部データYの書込み処理(モードI)、
の2つのモードを制御することができる。この2つのモ
ードの制御は、(I)モードI,IIの指定を外部データ
Xで行ない、(II)モードIIにおけるリードデータDO
の非反転、反転の指定(修正)は外部データで行なう。 【0021】上記した動作と実現する具体的な回路例を
図6に示す。また、その動作の詳細真理値を図7に示
す。図6、図7に示す様に、本発明は2つの論理の組合
わせによって実現できる。 【0022】また、上記した動作は、図3に示した如く
1メモリサイクルの間に実行完了することができる。一
方、図6に示した回路は次の論理式(数1)で表わされ
る。 【0023】 【数1】 【0024】また、外部から制御可能なデータX,Yの
取り得る値として(数1)式に、信号“0”、信号
“1”、例えばマイクロプロセッサ(外部デバイス)か
らの第1のバスを介してのバスデータDi 、その反転デ
ータDi’を割当て、整理すると、図8に示す如き二項
論理演算結果が得られる。これを実際の回路にして図4
と組合わせたものを図9に示す。図9において、SEL
0,1は4人力のセレクタ、S0,S1はセレクタSE
L0の入力選択信号、S2,S3はセレクタSEL1の
入力選択信号、INVは反転素子である。 【0025】以下、図1、図8、図9、図10を用い
て、具体的に動作例を説明する。 【0026】図8に示す様に、外部入力選択信号S0,
S1はセレクタSEL0の選択信号であり、この信号S
0,S1によってデータXの値を決定する。同様に入力
選択信号S2,S3によって、データYが決定される。
これらのデータX,Yの取り得る値としては、前述の如
く、信号“0”、信号“1”、パスデータDi 、その反
転データDi’とし、図9に示した様にマイクロプロセ
ッサ(外部デバイス)から第2のバスを介して入力され
る入力選択信号S0,S1,S2,S3により、各セレ
クタSEL0,1はそれぞれ上記4つの信号のうちの1
つが選択される。図8には、入力選択信号S0,S1,
S2,S3とセレクタSEL0,1の出力であるデータ
X,Yとの関係を示し、更に前記数1で表わせる制御回
路1の動作(ライトデータZの値)を表わしている。例
えば、図1に示した様な画像処理(OR演算:Case
1)では、入力選択信号S0,S1=(11),S2,
3=(10)とすることでデータX,YはそれぞれX=
Di’,Y=Di が選択される。これらデータX,Yの
値を前記制御回路1の動作を表わす(数1)式に代入す
ると、Z=Di +Do のOR演算が実行できることがわ
かる。従って、本発明によれば図1の画像処理は図10
に示した様に、最初の1ステップで入力選択信号S0,
1,2,3を指定(Funetionの指定)して動作モード
を事前設定し、その後は合成したい画像データを格納エ
リアM2からReadし、画像エリアM1への単なるW
rite動作だけで図1に示した画像処理が実行でき
る。また、本発明は図8に示した様に多種の論理機能が
実行可能である。従って、図11に示した様に例えば任
意に移動するマウスカーソルの描画等も容易に可能にな
る。図11に示した様にマウスカーソル(M2)は、画
像エリアM1内の画像と重なった場合でも、そのカーソ
ルを表示しなければならないため、Funetionとしては
EOR機能が必要になる。すなわち、このカーソル表示
では、入力選択信号S0,1=(01),S2,3=
(10)として前述した画像の合成(図1)の場合と同
様に図10の如く処理を行なうことができる。従って、
第2のバスを介して入力される入力選択信号S0,1,
2,3の値を変えることにより、図6に示した様な多種
の論理機能が容易に実行でき、更に単なるWrite動
作のみで記憶素子2とのリード、モディファイ、ライト
が実行できる。 【0027】この様に図9の如き構成をとることで、マ
イクロプロセッサからのデータDiと記憶素子2のリー
ドデータDoとのModifyとして図8に示した二項
論理演算を行なうことができる。なお、二項論理演算は
入力選択信号S0〜S3によって指定する。 【0028】以上述べたように実施例を用いることによ
り、図1、図2を用いた従来の画像の合成処理は、図1
0に示した様に処理を簡素化できる。なお、上述した実
施例は、図9に示した様に3つの機能、すなわち記憶素
子2で構成される記憶部、制御回路1で構成される制御
部、及びセレクタSEL0,1で構成されるセレクタ部
に分けられる。しかし、上記制御とセレクタ部の組合わ
せにより実現している機能は、図8に示した二項論理演
算機能であり、この機能は、他の手段でも容易に達成で
きる。 【0029】以上説明した如く、本実施例によれば、次
の効果が得られる。 【0030】(1)図1に示した様な処理を行なった場
合、図10の如く、メモリサイクルを減少できるため、
前述した従来における欠点を無くすことができる。 【0031】(2)また、マイクロプロセッサは、1回
のライトサイクルで、リード、モディファイ、ライトの
3つの処理を実行できるため、更に大きな処理時間の高
速化が図れる。 【0032】(3)記憶素子群と比べて、本発明による
回路全体に占める比率が少ないため、容易にLSI化す
ることが可能である。 【0033】(4)現在市販している64K×4bit
のD−RAMの多くは、1つのPinがNo−Conn
ectionとなっており、図10に示した4点まで、
すなわち記憶素子2及び制御回路1をLSI化した場合
でもPin数の増加にならず、極めてLSI化には有利
となる。 【0034】 【発明の効果】本発明によれば、複数の動作モードを外
部デバイスから第2のバスを介して事前設定することに
より多機能のメモリデバイスに対応でき、しかも事前設
定された動作モードに基づいて外部デバイスから第1の
バスを介して記憶素子へのリード又はライトアクセス動
作を高速に実行することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 【図1】画像処理を例にとり従来技術を説明するための
図である。 【図2】図1のフローチャートである。 【図3】D−RAMへのデータ書込み処理におけるタイ
ムチャートである。 【図4】本発明の一実施例を示すブロック図である。 【図5】図4の動作原理を説明するための図である。 【図6】図5の動作原理を実現する回路例を示す図であ
る。 【図7】図6の動作を説明するための図である。 【図8】入力選択信号とセレクタ出力との関係を示す図
である。 【図9】図8を実現するための回路図である。 【図10】本発明を画像処理に適用した場合のフローチ
ャートである。 【図11】本発明の別の適用例を説明するための図であ
る。 【符号の説明】 1…制御回路、 2…記憶素子、 SEL…セレクタ。
フロントページの続き (72)発明者 青津 広明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マイクロエレクトロニクス 機器開発研究所内 (72)発明者 池上 充 神奈川県秦野市堀山下1番地株式会社日立 製作所神奈川工場内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.外部デバイスと、実行手段と記憶素子とを有する1
    チップメモリデバイスとを第1のバスを介して接続さ
    れ、前記第1のバスと前記記憶素子と間でリード又はラ
    イト動作を実行する前記実行手段を、外部デバイスに接
    続された第2のバスを介して制御する方法であって、 前記記憶素子へのリード又はライト動作を実行するに先
    立って、前記外部デバイスからリード又はライト動作の
    モードを第2のバスを介して前記実行手段に設定し、 前記実行手段は、該設定されたリード又はライト動作の
    モードに基づいて前記外部デバイスと前記記憶素子との
    間で前記第1のバスを介してデータのリード又はライト
    動作を実行することを特徴とする1チップメモリデバイ
    スへのリード又はライト動作制御方法。 2.外部デバイスと、実行手段と記憶素子とを有する1
    チップメモリデバイスとを第1のバスを介して接続さ
    れ、前記第1のバスと前記記憶素子と間でリード又はラ
    イト動作を実行する前記実行手段を、外部デバイスに接
    続された第2のバスを介して制御するシステムであっ
    て、 前記記憶素子へのリード又はライト動作を実行するに先
    立って、前記外部デバイスからリード又はライト動作の
    モードを第2のバスを介して前記実行手段に設定する設
    定手段を備え、 前記実行手段は、前記設定手段により設定されたリード
    又はライト動作のモードに基づいて前記外部デバイスと
    前記記憶素子との間で前記第1のバスを介してデータの
    リード又はライト動作を実行するように構成したことを
    特徴とする1チップメモリデバイスへのリード又はライ
    ト動作制御システム。
JP6042170A 1994-03-14 1994-03-14 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム Pending JPH0713555A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6042170A JPH0713555A (ja) 1994-03-14 1994-03-14 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6042170A JPH0713555A (ja) 1994-03-14 1994-03-14 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59208266A Division JPS6187194A (ja) 1984-05-20 1984-10-05 記憶回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0713555A true JPH0713555A (ja) 1995-01-17

Family

ID=12628504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6042170A Pending JPH0713555A (ja) 1994-03-14 1994-03-14 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0713555A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55124187A (en) * 1979-03-19 1980-09-25 Hitachi Ltd Color graphic display and device therefor
JPS61264379A (ja) * 1985-05-20 1986-11-22 株式会社日立製作所 記憶回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55124187A (en) * 1979-03-19 1980-09-25 Hitachi Ltd Color graphic display and device therefor
JPS61264379A (ja) * 1985-05-20 1986-11-22 株式会社日立製作所 記憶回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3038781B2 (ja) メモリアクセス制御回路
JPS62149099A (ja) メモリアクセス制御回路
JPS59188764A (ja) メモリ装置
JP2886855B2 (ja) 画像表示装置
US6643189B2 (en) Memory device
JPH0713555A (ja) 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム
JP3036441B2 (ja) 1チップメモリデバイス
JP2719589B2 (ja) 1チップ半導体記憶装置
JP3085299B2 (ja) 情報処理システム
JPH06318171A (ja) 複数メモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム
JPH06318170A (ja) 1チップメモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム
JPH06318172A (ja) 複数メモリデバイスへのリード又はライト動作制御方法およびそのシステム
JP3285033B2 (ja) 情報処理システム
JP3075280B2 (ja) 情報処理システム
US6425020B1 (en) Systems and methods for passively transferring data across a selected single bus line independent of a control circuitry
JPH0863385A (ja) 記憶回路
JPH09146825A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0863386A (ja) 記憶回路
JPH0863384A (ja) 1チップ半導体記憶装置およびそれを用いたデータ処理装置
JP2001005719A (ja) 情報処理システム
JP2000347926A (ja) 情報処理システム
JPH06301772A (ja) 画像処理用lsi
JP2003050737A (ja) 情報処理システム
JP2769384B2 (ja) 演算制御icおよび情報処理装置
JPH09251419A (ja) データ処理装置