JP2003050737A - 情報処理システム - Google Patents
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- JP2003050737A JP2003050737A JP2002219054A JP2002219054A JP2003050737A JP 2003050737 A JP2003050737 A JP 2003050737A JP 2002219054 A JP2002219054 A JP 2002219054A JP 2002219054 A JP2002219054 A JP 2002219054A JP 2003050737 A JP2003050737 A JP 2003050737A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、入力されるデータとは無関係にメモ
リデバイス内部の記憶素子に対するデータの書換えが容
易に且つ高速で行なうことができるようした情報処理シ
ステムを提供することにある。 【解決手段】本発明は、本発明は、プロセッサと、記憶
素子と、前記記憶素子に前記プロセッサからのデータを
書き込む制御部とを備え、プロセッサは、記憶素子に書
き込まれるデータの供給に先立って、制御部に対し、複
数の異なったモードのうちから一つのモードを指示する
ための複数ビットの信号を供給し、制御部は、プロセッ
サから供給された一つのモードを指示するための信号に
従って、プロセッサから入力されるデータを記憶素子に
書き込むことを特徴とする。
リデバイス内部の記憶素子に対するデータの書換えが容
易に且つ高速で行なうことができるようした情報処理シ
ステムを提供することにある。 【解決手段】本発明は、本発明は、プロセッサと、記憶
素子と、前記記憶素子に前記プロセッサからのデータを
書き込む制御部とを備え、プロセッサは、記憶素子に書
き込まれるデータの供給に先立って、制御部に対し、複
数の異なったモードのうちから一つのモードを指示する
ための複数ビットの信号を供給し、制御部は、プロセッ
サから供給された一つのモードを指示するための信号に
従って、プロセッサから入力されるデータを記憶素子に
書き込むことを特徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記憶装置(Memor
y)を有する情報処理システムに関する。 【0002】 【従来の技術】図1、図2に示す様な画像処理を例に取
り、従来技術の説明を行なう。図1において、M1はC
RT(Cathode Ray Tube)画面と1対1に対応する画像
エリア、M2は合成する画像データが格納してある格納
エリア、FCは画像エリアM1のデータと格納エリアM
2のデータの合成を行なうためのModify機能である。ま
た図2において、S1は画像エリアM1からデータをRe
adする処理ステップ、S2は格納エリアM2からデータ
をReadする処理ステップ、S3はReadした画像エリアM
1と格納エリアM2のデータを合成するための処理ステ
ップ、S4はステップS3で得られた合成データを画像
エリアM1へのWrite処理ステップである。 【0003】図1で示した画像処理の例では、単なる合
成のため、図2における処理ステップは論理和機能とな
る。 【0004】一方、対象となる画像エリアM1のデータ
量は、通常100K〜数MByteと大容量となる。従って
図2で示した一連の処理は、データをByte単位で処理し
た場合でも、その繰返し回数は10の6乗のオーダとな
る。 【0005】このため、従来では、下記のような欠点を
生じている。即ち、(1)図2に示した様に本処理ではそ
の殆んどがバスを使用するバスサイクル(S1,S2,
S4)で占められている。従って、バスの占有率が高く
なり、バス負荷が増大する。 【0006】(2)また、低速バスであったり、バスの占
有制御等のオーバヘッドにより、実際の処理時間が大き
い。 【0007】(3)更に、図2の例では静的なステップ数
は4ステップと少ないが、扱うデータ量が非常に多いた
め、動的なステップ数が膨大な量となり、処理時間が大
きい。 【0008】なお、この種の処理を行なう記憶回路とし
て関連するものには、例えば、特公昭59−26031
号公報が挙げられる。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複数
の書込みモードにより外部デバイスからのデータをメモ
リデバイス内部の記憶素子に対するデータの書き換えが
容易にかつ高速で行うことができるようにした情報処理
装置を提供することにある。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、プロセッサ
と、記憶素子と、前記記憶素子に前記プロセッサからの
データを書き込む制御部とを備え、プロセッサは、記憶
素子に書き込まれるデータの供給に先立って、制御部に
対し、複数の異なったモードのうちから一つのモードを
指示するための複数ビットの信号を供給し、制御部は、
プロセッサから供給された一つのモードを指示するため
の信号に従って、プロセッサから入力されるデータを記
憶素子に書き込むことを特徴とする。 【0011】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図3〜
図11を用いて説明する。図3はタイムチャートであ
る。図4は、本発明の一実施例を示すブロック図、図5
は図4に示した実施例の動作原理図の説明図、図6は図5
に示した動作原理を実現した回路例を示す図、図7は図
6の動作の詳細を説明する図である。 【0012】図4において、1は制御回路、2は記憶素
子、3はD−RAMコントローラ、X,Yは外部からの
データ、Zは記憶素子へのライトデータ、DOは記憶素
子からのリードデータ、A、CAS,RAS,WE,A
DR,WRは図3と同種の信号であり、Aは列及び行ア
ドレスが時分割に発生されるアドレス信号、CASは列
アドレスストローブ、RASは行アドレスストローブ、
WEはライトイネーブル、ADRは外部からのアドレ
ス、WRは外部からのライトリクエストで、これら2つ
の信号(ADR,WR)は例えばマイクロプロセッサか
ら与えられるものとする。なお、図3で示した外部デー
タZを、ここでは(図4)制御回路1を介した記憶素子
2へのライトデータZに書換えている。 【0013】図4に示した様に本発明は、制御回路1に
おいて、リードデータDOを外部データX,Yで制御、
修正して記憶素子2に書込む。この制御動作を図5に示
す。図5において、モードIは外部データYをライトデ
ータZとするモード、モードIIはリードデータDOをラ
イトデータZとするモードである。図5に示す様に外部
データX,Yによって、すなわち外部からの制御で記憶
素子2のリードデータDOを修正、書込み(モードI
I)、或いは外部データYの書込み処理(モードI)、
の2つのモードを制御することができる。この2つのモ
ードの制御は、(i)モードI,IIの指定を外部データX
で行ない、(ii)モードIIにおけるリードデータDOの非
反転、反転の指定(修正)は外部データで行なう。 【0014】上記した動作と実現する具体的な回路例を
図6に示す。また、その動作の詳細を図7に示す。図
6、図7に示す様に、本発明は2つの論理の組合わせに
よって実現できる。 【0015】また、上記した動作は、図3に示した如く
1メモリサイクルの間に実行完了することができる。一
方、図6に示した回路は次の論理数1で表わされる。 【0016】 Z=(NOT X)・Y+X・(Y EOR DO)……(1) 但し、(NOT X)はXの反転を示し、EORは排他
的論理和を示す。 【0017】また、外部から制御可能なデータX,Yの
取り得る値として数1式に、信号“0”,信号“1”,
例えばマイクロプロセッサからのバスデータDi,その
反転データ(NOT Di)を割当て、整理すると、図
8に示す如き二項論理演算結果が得られる。但し、図8
において上記NOTはオーバーラインにて表現してい
る。 【0018】これを実際の回路にして図4と組合わせた
ものを図9に示す。図9において、SEL0,1は4入
力のセレクタ、S0,S1はセレクタSEL0の入力選
択信号、S2,S3はセレクタSEL1の入力選択信
号、INVは反転素子である。以下、図1、図8、図
9、図10を用いて、具体的に動作例を説明する。図8
に示す様に、入力選択信号S0,S1はセレクタSEL
0の制御信号であり、この信号S0,S1によってデー
タXの値を決定する。同様に入力選択信号S2,S3に
よって、データYが決定される。これらのデータX,Y
の取り得る値としては、前述の如く、内部で発生した信
号“0”,信号“1”,マイクロプロセッサからのバス
データDi,その反転データ(Di)とし、図9に示し
た様に入力選択信号S0,S1,S2,S3により、各
セレクタSEL0,1はそれぞれ上記4つの信号のうち
の1つが選択される。図8には、入力選択信号S0,S
1,S2,S3とセレクタSEL0,1の出力であるデ
ータX,Yとの関係を示し、更に前記数1式で表わせる
制御回路1の動作(ライトデータZの値)を表わしてい
る。例えば、図1に示した様な画像処理(OR演算:C
ase1)では、入力選択信号S0,S1=(11),
S2,3=(10)とすることでデータX,Yはそれぞ
れX=(反転 Di),Y=Diが選択される。これら
データX,Yの値を前記制御回路1の動作を表わす(数
1)式に代入すると、Z=Di+DoのOR演算が実行
できることがわかる。従って、本発明によれば図1の画
像処理は図10に示した様に、最初の1ステップで入力
選択信号S0,1,2,3を指定(Functionの指定)し
て、動作モードを事前設定し、その後は合成したい画像
データを格納エリアM2からReadし、画像エリアM1へ
の単なるWrite動作だけで図1に示した画像処理が実行
できる。また、本発明は図8に示した様に多種の論理機
能が実行可能である。 【0019】従って、図11に示した様に例えば任意に
移動するマウスカーソルの描画等も容易に可能になる。
図11に示した様にマウスカーソル(M2)は、画像エ
リアM1内の画像と重なった場合でも、そのカーソルを
表示しなければならないため、FunctionとしてはEOR
機能が必要になる。すなわち、このカーソル表示では、
入力選択信号S0,1=(01),S2,3=(10)
として前述した画像の合成(図1)の場合と同様に図1
0の如く処理を行なうことができる。従って、外部から
入力される入力選択信号S0,1,2,3の値を変える
ことにより、図8に示した様な多種の論理機能が容易に
実行でき、更に単なるWrite動作のみで記憶素子2との
リード、モディファイ、ライトが実行できる。 【0020】この様に図9の如き構成をとることで、マ
イクロプロセッサからのデータDiと記憶素子2のリー
ドデータDoとのModifyとして図8に示した二項論理演
算を行なうことができる。なお、二項論理演算は入力選
択信号S0〜S3によって指定する。 【0021】更に、例えば、入力選択信号S0,S1=
(00),S2,S3=(00)または(10)を指定
することにより、データX,Yとして内部で発生した信
号“0”または“1”を選択してZ=0または1トシテ記憶
素子に書込むことができる。以上述べたように実施例を
用いることにより、図1、図2を用いた従来の画像の合
成処理は、図10に示した様に処理を簡素化できる。な
お、上述した実施例は、図9に示した様に3つの機能、
すなわち記憶素子2で構成される記憶部、制御回路1で
構成される制御部、及びセレクタSEL0,1で構成さ
れるセレクタ部に分けられる。しかし、上記制御とセレ
クタ部の組合わせにより実現している機能は、図8に示
した二項論理演算機能であり、この機能は、他の手段で
も容易に達成できる。 【0022】以上説明したごとく、本実施例によれば、
次の効果が得られる。 【0023】(1)図1に示した様な処理を行なった場
合、図10の如く、メモリサイクルを減少できるため、
前述した従来における欠点を無くすことができる。 【0024】(2)また、マイクロプロセッサは、1回の
ライトサイクルで、リード、モディファイ、ライトの3
つの処理を実行できるため、更に大きな処理時間の高速
化が図れる。 【0025】(3)記憶素子群と比べて、本発明による回
路全体に占める比率が少ないため、容易にLSI化する
ことが可能である。 【0026】(4)現在市販している64K×4bitの
D-RAMの多くは、1つのPinがNo-Connectionと
なっており、図10に示したb点まで、すなわち記憶素
子2及び制御回路1をLSI化した場合でもPin数の
増加にならず、極めてLSI化には有利となる。 【0027】 【発明の効果】本発明によれば、メモリデバイス内に記
憶素子へ書き込み信号(“1”又は“0”)を発生する
信号発生手段を持ち、この書き込み信号を用いて記憶素
子のデータを書換えるように構成されているので、外部
デバイスからのデータとは無関係にメモリデバイス内部
の記憶素子に対するデータ書換えを容易にかつ高速に行
うことができる効果を奏する。
y)を有する情報処理システムに関する。 【0002】 【従来の技術】図1、図2に示す様な画像処理を例に取
り、従来技術の説明を行なう。図1において、M1はC
RT(Cathode Ray Tube)画面と1対1に対応する画像
エリア、M2は合成する画像データが格納してある格納
エリア、FCは画像エリアM1のデータと格納エリアM
2のデータの合成を行なうためのModify機能である。ま
た図2において、S1は画像エリアM1からデータをRe
adする処理ステップ、S2は格納エリアM2からデータ
をReadする処理ステップ、S3はReadした画像エリアM
1と格納エリアM2のデータを合成するための処理ステ
ップ、S4はステップS3で得られた合成データを画像
エリアM1へのWrite処理ステップである。 【0003】図1で示した画像処理の例では、単なる合
成のため、図2における処理ステップは論理和機能とな
る。 【0004】一方、対象となる画像エリアM1のデータ
量は、通常100K〜数MByteと大容量となる。従って
図2で示した一連の処理は、データをByte単位で処理し
た場合でも、その繰返し回数は10の6乗のオーダとな
る。 【0005】このため、従来では、下記のような欠点を
生じている。即ち、(1)図2に示した様に本処理ではそ
の殆んどがバスを使用するバスサイクル(S1,S2,
S4)で占められている。従って、バスの占有率が高く
なり、バス負荷が増大する。 【0006】(2)また、低速バスであったり、バスの占
有制御等のオーバヘッドにより、実際の処理時間が大き
い。 【0007】(3)更に、図2の例では静的なステップ数
は4ステップと少ないが、扱うデータ量が非常に多いた
め、動的なステップ数が膨大な量となり、処理時間が大
きい。 【0008】なお、この種の処理を行なう記憶回路とし
て関連するものには、例えば、特公昭59−26031
号公報が挙げられる。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複数
の書込みモードにより外部デバイスからのデータをメモ
リデバイス内部の記憶素子に対するデータの書き換えが
容易にかつ高速で行うことができるようにした情報処理
装置を提供することにある。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明は、プロセッサ
と、記憶素子と、前記記憶素子に前記プロセッサからの
データを書き込む制御部とを備え、プロセッサは、記憶
素子に書き込まれるデータの供給に先立って、制御部に
対し、複数の異なったモードのうちから一つのモードを
指示するための複数ビットの信号を供給し、制御部は、
プロセッサから供給された一つのモードを指示するため
の信号に従って、プロセッサから入力されるデータを記
憶素子に書き込むことを特徴とする。 【0011】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図3〜
図11を用いて説明する。図3はタイムチャートであ
る。図4は、本発明の一実施例を示すブロック図、図5
は図4に示した実施例の動作原理図の説明図、図6は図5
に示した動作原理を実現した回路例を示す図、図7は図
6の動作の詳細を説明する図である。 【0012】図4において、1は制御回路、2は記憶素
子、3はD−RAMコントローラ、X,Yは外部からの
データ、Zは記憶素子へのライトデータ、DOは記憶素
子からのリードデータ、A、CAS,RAS,WE,A
DR,WRは図3と同種の信号であり、Aは列及び行ア
ドレスが時分割に発生されるアドレス信号、CASは列
アドレスストローブ、RASは行アドレスストローブ、
WEはライトイネーブル、ADRは外部からのアドレ
ス、WRは外部からのライトリクエストで、これら2つ
の信号(ADR,WR)は例えばマイクロプロセッサか
ら与えられるものとする。なお、図3で示した外部デー
タZを、ここでは(図4)制御回路1を介した記憶素子
2へのライトデータZに書換えている。 【0013】図4に示した様に本発明は、制御回路1に
おいて、リードデータDOを外部データX,Yで制御、
修正して記憶素子2に書込む。この制御動作を図5に示
す。図5において、モードIは外部データYをライトデ
ータZとするモード、モードIIはリードデータDOをラ
イトデータZとするモードである。図5に示す様に外部
データX,Yによって、すなわち外部からの制御で記憶
素子2のリードデータDOを修正、書込み(モードI
I)、或いは外部データYの書込み処理(モードI)、
の2つのモードを制御することができる。この2つのモ
ードの制御は、(i)モードI,IIの指定を外部データX
で行ない、(ii)モードIIにおけるリードデータDOの非
反転、反転の指定(修正)は外部データで行なう。 【0014】上記した動作と実現する具体的な回路例を
図6に示す。また、その動作の詳細を図7に示す。図
6、図7に示す様に、本発明は2つの論理の組合わせに
よって実現できる。 【0015】また、上記した動作は、図3に示した如く
1メモリサイクルの間に実行完了することができる。一
方、図6に示した回路は次の論理数1で表わされる。 【0016】 Z=(NOT X)・Y+X・(Y EOR DO)……(1) 但し、(NOT X)はXの反転を示し、EORは排他
的論理和を示す。 【0017】また、外部から制御可能なデータX,Yの
取り得る値として数1式に、信号“0”,信号“1”,
例えばマイクロプロセッサからのバスデータDi,その
反転データ(NOT Di)を割当て、整理すると、図
8に示す如き二項論理演算結果が得られる。但し、図8
において上記NOTはオーバーラインにて表現してい
る。 【0018】これを実際の回路にして図4と組合わせた
ものを図9に示す。図9において、SEL0,1は4入
力のセレクタ、S0,S1はセレクタSEL0の入力選
択信号、S2,S3はセレクタSEL1の入力選択信
号、INVは反転素子である。以下、図1、図8、図
9、図10を用いて、具体的に動作例を説明する。図8
に示す様に、入力選択信号S0,S1はセレクタSEL
0の制御信号であり、この信号S0,S1によってデー
タXの値を決定する。同様に入力選択信号S2,S3に
よって、データYが決定される。これらのデータX,Y
の取り得る値としては、前述の如く、内部で発生した信
号“0”,信号“1”,マイクロプロセッサからのバス
データDi,その反転データ(Di)とし、図9に示し
た様に入力選択信号S0,S1,S2,S3により、各
セレクタSEL0,1はそれぞれ上記4つの信号のうち
の1つが選択される。図8には、入力選択信号S0,S
1,S2,S3とセレクタSEL0,1の出力であるデ
ータX,Yとの関係を示し、更に前記数1式で表わせる
制御回路1の動作(ライトデータZの値)を表わしてい
る。例えば、図1に示した様な画像処理(OR演算:C
ase1)では、入力選択信号S0,S1=(11),
S2,3=(10)とすることでデータX,Yはそれぞ
れX=(反転 Di),Y=Diが選択される。これら
データX,Yの値を前記制御回路1の動作を表わす(数
1)式に代入すると、Z=Di+DoのOR演算が実行
できることがわかる。従って、本発明によれば図1の画
像処理は図10に示した様に、最初の1ステップで入力
選択信号S0,1,2,3を指定(Functionの指定)し
て、動作モードを事前設定し、その後は合成したい画像
データを格納エリアM2からReadし、画像エリアM1へ
の単なるWrite動作だけで図1に示した画像処理が実行
できる。また、本発明は図8に示した様に多種の論理機
能が実行可能である。 【0019】従って、図11に示した様に例えば任意に
移動するマウスカーソルの描画等も容易に可能になる。
図11に示した様にマウスカーソル(M2)は、画像エ
リアM1内の画像と重なった場合でも、そのカーソルを
表示しなければならないため、FunctionとしてはEOR
機能が必要になる。すなわち、このカーソル表示では、
入力選択信号S0,1=(01),S2,3=(10)
として前述した画像の合成(図1)の場合と同様に図1
0の如く処理を行なうことができる。従って、外部から
入力される入力選択信号S0,1,2,3の値を変える
ことにより、図8に示した様な多種の論理機能が容易に
実行でき、更に単なるWrite動作のみで記憶素子2との
リード、モディファイ、ライトが実行できる。 【0020】この様に図9の如き構成をとることで、マ
イクロプロセッサからのデータDiと記憶素子2のリー
ドデータDoとのModifyとして図8に示した二項論理演
算を行なうことができる。なお、二項論理演算は入力選
択信号S0〜S3によって指定する。 【0021】更に、例えば、入力選択信号S0,S1=
(00),S2,S3=(00)または(10)を指定
することにより、データX,Yとして内部で発生した信
号“0”または“1”を選択してZ=0または1トシテ記憶
素子に書込むことができる。以上述べたように実施例を
用いることにより、図1、図2を用いた従来の画像の合
成処理は、図10に示した様に処理を簡素化できる。な
お、上述した実施例は、図9に示した様に3つの機能、
すなわち記憶素子2で構成される記憶部、制御回路1で
構成される制御部、及びセレクタSEL0,1で構成さ
れるセレクタ部に分けられる。しかし、上記制御とセレ
クタ部の組合わせにより実現している機能は、図8に示
した二項論理演算機能であり、この機能は、他の手段で
も容易に達成できる。 【0022】以上説明したごとく、本実施例によれば、
次の効果が得られる。 【0023】(1)図1に示した様な処理を行なった場
合、図10の如く、メモリサイクルを減少できるため、
前述した従来における欠点を無くすことができる。 【0024】(2)また、マイクロプロセッサは、1回の
ライトサイクルで、リード、モディファイ、ライトの3
つの処理を実行できるため、更に大きな処理時間の高速
化が図れる。 【0025】(3)記憶素子群と比べて、本発明による回
路全体に占める比率が少ないため、容易にLSI化する
ことが可能である。 【0026】(4)現在市販している64K×4bitの
D-RAMの多くは、1つのPinがNo-Connectionと
なっており、図10に示したb点まで、すなわち記憶素
子2及び制御回路1をLSI化した場合でもPin数の
増加にならず、極めてLSI化には有利となる。 【0027】 【発明の効果】本発明によれば、メモリデバイス内に記
憶素子へ書き込み信号(“1”又は“0”)を発生する
信号発生手段を持ち、この書き込み信号を用いて記憶素
子のデータを書換えるように構成されているので、外部
デバイスからのデータとは無関係にメモリデバイス内部
の記憶素子に対するデータ書換えを容易にかつ高速に行
うことができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】画像処理を例にとり従来技術を説明するための
図である。 【図2】図1のフローチャートである。 【図3】D−RAMへのデータ書込み処理におけるタイ
ムチャートである。 【図4】本発明の一実施例を示すブロック図である。 【図5】図4の動作原理を説明するための図である。 【図6】図5の動作原理を実現する回露呈を示す図であ
る。 【図7】図6の動作を説明するための図である。 【図8】入力選択信号とセレクタ出力との関係を示す図
である。 【図9】図8を実現するための回路図である。 【図10】本発明を画像処理に適用した場合のフローチ
ャートである。 【図11】本発明の別の適用例を説明するための図であ
る。 【符号の説明】 1…制御回路、 2…記憶素子、 SEL…セレクタ。
図である。 【図2】図1のフローチャートである。 【図3】D−RAMへのデータ書込み処理におけるタイ
ムチャートである。 【図4】本発明の一実施例を示すブロック図である。 【図5】図4の動作原理を説明するための図である。 【図6】図5の動作原理を実現する回露呈を示す図であ
る。 【図7】図6の動作を説明するための図である。 【図8】入力選択信号とセレクタ出力との関係を示す図
である。 【図9】図8を実現するための回路図である。 【図10】本発明を画像処理に適用した場合のフローチ
ャートである。 【図11】本発明の別の適用例を説明するための図であ
る。 【符号の説明】 1…制御回路、 2…記憶素子、 SEL…セレクタ。
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フロントページの続き
(72)発明者 小倉 敏彦
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所マイクロエレクトロニク
ス機器開発研究所内
(72)発明者 青津 広明
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所マイクロエレクトロニク
ス機器開発研究所内
(72)発明者 池上 充
神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日
立製作所神奈川工場内
Fターム(参考) 5B060 MM20
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】プロセッサと、記憶素子と、前記記憶素子
に前記プロセッサからのデータを書き込む制御部とを備
えた情報処理システムにおいて、 前記プロセッサは、前記記憶素子に書き込まれるデータ
の供給に先立って、前記制御部に対し、複数の異なった
モードのうちから一つのモードを指示するための複数ビ
ットの信号を供給し、 前記制御部は、前記プロセッサから供給された前記一つ
のモードを指示するための信号に従って、前記プロセッ
サから入力される前記データを前記記憶素子に書き込む
ことを特徴とする情報処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219054A JP2003050737A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 情報処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219054A JP2003050737A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 情報処理システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Family Applications (1)
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-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002219054A patent/JP2003050737A/ja active Pending
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