JPH07131264A - 高周波分布形増幅器 - Google Patents
高周波分布形増幅器Info
- Publication number
- JPH07131264A JPH07131264A JP5272039A JP27203993A JPH07131264A JP H07131264 A JPH07131264 A JP H07131264A JP 5272039 A JP5272039 A JP 5272039A JP 27203993 A JP27203993 A JP 27203993A JP H07131264 A JPH07131264 A JP H07131264A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- bias
- fet
- amplifier
- bias resistor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 十分なアイソレーションをとることのできる
高周波分布形増幅器とする。 【構成】 単位増幅器２０を並列接続した高周波分布形
増幅器において、各単位増幅器２０にほぼ同一特性を有
する複数の電界効果トランジスタ２１、２２とほぼ同じ
抵抗値を持つ複数のバイアス抵抗２３、２４を備え、後
段の電界効果トランジスタ２２のソースと前段の電界効
果トランジスタ２１のドレインとをバイアス抵抗２４を
介して縦続接続すると共に、最前段の電界効果トランジ
スタ２１のソースをバイアス抵抗２３を介して接地す
る。
高周波分布形増幅器とする。 【構成】 単位増幅器２０を並列接続した高周波分布形
増幅器において、各単位増幅器２０にほぼ同一特性を有
する複数の電界効果トランジスタ２１、２２とほぼ同じ
抵抗値を持つ複数のバイアス抵抗２３、２４を備え、後
段の電界効果トランジスタ２２のソースと前段の電界効
果トランジスタ２１のドレインとをバイアス抵抗２４を
介して縦続接続すると共に、最前段の電界効果トランジ
スタ２１のソースをバイアス抵抗２３を介して接地す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、計測器、レーダー、通
信機などに使用される高周波分布形増幅器に関する。
信機などに使用される高周波分布形増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波分布形増幅器の回路図を図
４に示す。図において、１は入力端、２は出力端であ
る。本例の高周波分布形増幅器は、４つの単位増幅器３
を並列接続してなり、各々の単位増幅器３は、ＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）４と、バイアス抵抗１０を備
えている。ＦＥＴ４の入力側には、入力側のインピーダ
ンスを特性インピーダンス５０Ωに整合するための伝送
線路５、６が設けられ、ＦＥＴ４の出力側には、出力側
のインピーダンスを特性インピーダンス５０Ωに整合す
るための伝送線路７、８、９が設けられる。
４に示す。図において、１は入力端、２は出力端であ
る。本例の高周波分布形増幅器は、４つの単位増幅器３
を並列接続してなり、各々の単位増幅器３は、ＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）４と、バイアス抵抗１０を備
えている。ＦＥＴ４の入力側には、入力側のインピーダ
ンスを特性インピーダンス５０Ωに整合するための伝送
線路５、６が設けられ、ＦＥＴ４の出力側には、出力側
のインピーダンスを特性インピーダンス５０Ωに整合す
るための伝送線路７、８、９が設けられる。
【０００３】１７はバイアス給電源端であり、ＦＥＴ４
のソースがバイアス抵抗１０と交流成分カット用キャパ
シタ１１を介して接地された自己バイアス方式を構成し
ている。尚、１２，１３及び１４は交流成分カット用キ
ャパシタであり、１５は入力回路側終端抵抗、１６は出
力回路側終端抵抗である。
のソースがバイアス抵抗１０と交流成分カット用キャパ
シタ１１を介して接地された自己バイアス方式を構成し
ている。尚、１２，１３及び１４は交流成分カット用キ
ャパシタであり、１５は入力回路側終端抵抗、１６は出
力回路側終端抵抗である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の高周波分布形増幅器にあっては、各々の単位増幅
器３が１個のＦＥＴ４で構成され、該ＦＥＴ４でアイソ
レーションを取っているため、この単位増幅器を複数並
列接続した分布増幅器においては、増幅器としてのアイ
ソレーションが不足であるという問題があった。
従来の高周波分布形増幅器にあっては、各々の単位増幅
器３が１個のＦＥＴ４で構成され、該ＦＥＴ４でアイソ
レーションを取っているため、この単位増幅器を複数並
列接続した分布増幅器においては、増幅器としてのアイ
ソレーションが不足であるという問題があった。
【０００５】さらに、これに起因して、入出力反射特性
や利得特性も悪化し、高周波化が困難であるという問題
もあった。本発明はかかる問題点に鑑みなされたもの
で、十分なアイソレーションをとることのできる高周波
分布形増幅器を提供することを目的とする。
や利得特性も悪化し、高周波化が困難であるという問題
もあった。本発明はかかる問題点に鑑みなされたもの
で、十分なアイソレーションをとることのできる高周波
分布形増幅器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明にかかる高周波分布形増幅器では、電界効果ト
ランジスタ及びそのバイアス抵抗を含む単位増幅器を並
列接続した高周波分布形増幅器において、各単位増幅器
に複数のほぼ同一特性を有する電界効果トランジスタと
複数のほぼ同じ抵抗値を持つバイアス抵抗を備え、後段
の電界効果トランジスタのソースと前段の電界効果トラ
ンジスタのドレインとをバイアス抵抗を介して縦続接続
すると共に、最前段の電界効果トランジスタのソースを
バイアス抵抗を介して接地する。
の本発明にかかる高周波分布形増幅器では、電界効果ト
ランジスタ及びそのバイアス抵抗を含む単位増幅器を並
列接続した高周波分布形増幅器において、各単位増幅器
に複数のほぼ同一特性を有する電界効果トランジスタと
複数のほぼ同じ抵抗値を持つバイアス抵抗を備え、後段
の電界効果トランジスタのソースと前段の電界効果トラ
ンジスタのドレインとをバイアス抵抗を介して縦続接続
すると共に、最前段の電界効果トランジスタのソースを
バイアス抵抗を介して接地する。
【０００７】
【作用】ほぼ同じ抵抗値を持つバイアス抵抗によって、
複数の電界効果トランジスタは同一バイアス状態で駆動
される。最前段のバイアス抵抗は、最前段の電界効果ト
ランジスタのバイアス抵抗として作用し、電界効果トラ
ンジスタ同士を接続する残りのバイアス抵抗は、バイア
ス抵抗のみならず両電界効果トランジスタの抵抗整合と
しても作用するので、複数の電界効果トランジスタは、
高周波的に安定した動作が可能になる。
複数の電界効果トランジスタは同一バイアス状態で駆動
される。最前段のバイアス抵抗は、最前段の電界効果ト
ランジスタのバイアス抵抗として作用し、電界効果トラ
ンジスタ同士を接続する残りのバイアス抵抗は、バイア
ス抵抗のみならず両電界効果トランジスタの抵抗整合と
しても作用するので、複数の電界効果トランジスタは、
高周波的に安定した動作が可能になる。
【０００８】このように、複数の電界効果トランジスタ
を縦続接続することによって、アイソレーションを向上
させることができ、入出力反射特性、利得特性、高周波
特性を向上させることができる。
を縦続接続することによって、アイソレーションを向上
させることができ、入出力反射特性、利得特性、高周波
特性を向上させることができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明の第１実施例を示す回路図であ
り、従来と同一の部品は、同一の符号を付す。本実施例
では、４つの単位増幅器２０を並列接続している。各単
位増幅器２０は、電界効果トランジスタである２つのＦ
ＥＴ２１、２２と、バイアス抵抗２３、２４を備えてい
る。前段のＦＥＴ２１の入力側には、入力側のインピー
ダンスを特性インピーダンス５０Ωに整合するための伝
送線路２５、２６が設けられ、後段のＦＥＴ２２の出力
側には、出力側のインピーダンスを特性インピーダンス
５０Ωに整合するための伝送線路２８、２９、３３が設
けられる。
する。図１は、本発明の第１実施例を示す回路図であ
り、従来と同一の部品は、同一の符号を付す。本実施例
では、４つの単位増幅器２０を並列接続している。各単
位増幅器２０は、電界効果トランジスタである２つのＦ
ＥＴ２１、２２と、バイアス抵抗２３、２４を備えてい
る。前段のＦＥＴ２１の入力側には、入力側のインピー
ダンスを特性インピーダンス５０Ωに整合するための伝
送線路２５、２６が設けられ、後段のＦＥＴ２２の出力
側には、出力側のインピーダンスを特性インピーダンス
５０Ωに整合するための伝送線路２８、２９、３３が設
けられる。
【００１０】また、前段のＦＥＴ２１のソースはバイア
ス抵抗２３と交流成分カット用キャパシタ３０を介して
接地され、後段のＦＥＴ２２のソースは、交流成分カッ
ト用キャパシタ３１を介して接地されると共に、バイア
ス抵抗２４を介して前段のＦＥＴ２１のドレインと接続
される。尚、３２は、前後段のＦＥＴ２１、２２の整合
をとるための伝送線路である。
ス抵抗２３と交流成分カット用キャパシタ３０を介して
接地され、後段のＦＥＴ２２のソースは、交流成分カッ
ト用キャパシタ３１を介して接地されると共に、バイア
ス抵抗２４を介して前段のＦＥＴ２１のドレインと接続
される。尚、３２は、前後段のＦＥＴ２１、２２の整合
をとるための伝送線路である。
【００１１】このように構成された高周波分布形増幅器
においては、入力端１から入力した高周波信号が入力整
合用の伝送線路２５、２６を通り、４つの単位増幅器２
０に分配されて増幅された後、再び出力整合用の伝送線
路２８、２９を通って合成されて出力端２から出力され
る。このときバイアス給電は、バイアス給電源端１７か
ら４つの単位増幅器２０に共通に供給されている。
においては、入力端１から入力した高周波信号が入力整
合用の伝送線路２５、２６を通り、４つの単位増幅器２
０に分配されて増幅された後、再び出力整合用の伝送線
路２８、２９を通って合成されて出力端２から出力され
る。このときバイアス給電は、バイアス給電源端１７か
ら４つの単位増幅器２０に共通に供給されている。
【００１２】図２は、各単位増幅器２０のバイアス給電
を説明するための拡大図であり、説明のために入出力整
合用の伝送線路２５、２６、２８、２９を省略してい
る。バイアス給電源端１７から供給されたバイアス電流
は、出力回路側終端抵抗１６、伝送線路３３、後段のＦ
ＥＴ２２のドレイン、ソース、バイアス抵抗２４、伝送
線路３２、前段のＦＥＴ２１のドレイン、ソース、バイ
アス抵抗２３を通って流れる。このバイアス電流は、Ｆ
ＥＴ２１の直流特性と、バイアス抵抗２３によって決ま
るので、従来のバイアス電流と同じ程度の電流が流れる
ことになる。
を説明するための拡大図であり、説明のために入出力整
合用の伝送線路２５、２６、２８、２９を省略してい
る。バイアス給電源端１７から供給されたバイアス電流
は、出力回路側終端抵抗１６、伝送線路３３、後段のＦ
ＥＴ２２のドレイン、ソース、バイアス抵抗２４、伝送
線路３２、前段のＦＥＴ２１のドレイン、ソース、バイ
アス抵抗２３を通って流れる。このバイアス電流は、Ｆ
ＥＴ２１の直流特性と、バイアス抵抗２３によって決ま
るので、従来のバイアス電流と同じ程度の電流が流れる
ことになる。
【００１３】ＦＥＴ２１と２２が同一特性を持ち、バイ
アス抵抗２３、２４の抵抗値がほぼ等しければ、２つの
ＦＥＴ２１、２２には等しいバイアス電流が流れるので
ＦＥＴ２１とＦＥＴ２２に等しいバイアス電圧（ゲート
・ソース間電圧）を与えることができる。従って、等し
いバイアス条件で２つのＦＥＴ２１、２２を駆動するこ
とができる。
アス抵抗２３、２４の抵抗値がほぼ等しければ、２つの
ＦＥＴ２１、２２には等しいバイアス電流が流れるので
ＦＥＴ２１とＦＥＴ２２に等しいバイアス電圧（ゲート
・ソース間電圧）を与えることができる。従って、等し
いバイアス条件で２つのＦＥＴ２１、２２を駆動するこ
とができる。
【００１４】また、バイアス抵抗２４は、ＦＥＴ２１、
２２の間の抵抗整合の作用もするので、高周波的にも安
定した状態で動作させることができる。以上のように、
本実施例によれば、等しいバイアス状態で駆動され高周
波的にも安定した２つのＦＥＴを含む単位増幅器で構成
されるために、アイソレーション、入出力反射特性、高
利得性、利得平坦性、高周波特性において良好な性能が
得られる。また単一電源で複数の単位増幅器を駆動する
ことができ、従来に比較しても消費電流は変わらないと
いう利点を有する。
２２の間の抵抗整合の作用もするので、高周波的にも安
定した状態で動作させることができる。以上のように、
本実施例によれば、等しいバイアス状態で駆動され高周
波的にも安定した２つのＦＥＴを含む単位増幅器で構成
されるために、アイソレーション、入出力反射特性、高
利得性、利得平坦性、高周波特性において良好な性能が
得られる。また単一電源で複数の単位増幅器を駆動する
ことができ、従来に比較しても消費電流は変わらないと
いう利点を有する。
【００１５】図３は、本発明に係る高周波分布形増幅器
の第２実施例を示す。本実施例の単位増幅器４０は、３
以上のＦＥＴ４１1 、４１2 、４１3 、・・・を縦続接
続したものであり、第１実施例と同様に、各ＦＥＴの間
には、前段側のＦＥＴのドレインと後段側のＦＥＴのソ
ースを接続するバイアス抵抗４２2 、４２3 が備えら
れ、最前段のＦＥＴ４１1 のソースがバイアス抵抗４２
1 を介して接地される。
の第２実施例を示す。本実施例の単位増幅器４０は、３
以上のＦＥＴ４１1 、４１2 、４１3 、・・・を縦続接
続したものであり、第１実施例と同様に、各ＦＥＴの間
には、前段側のＦＥＴのドレインと後段側のＦＥＴのソ
ースを接続するバイアス抵抗４２2 、４２3 が備えら
れ、最前段のＦＥＴ４１1 のソースがバイアス抵抗４２
1 を介して接地される。
【００１６】このように３つ以上のＦＥＴを接続した場
合も、各ＦＥＴが同一特性を持ち各バイアス抵抗４
２1 、４２2 、４２3 の抵抗値をほぼ同じにすれば、同
一のバイアス条件で各ＦＥＴを駆動することができる。
また、バイアス抵抗４２2 、４２ 3 ・・・は、ＦＥＴ間
の抵抗整合の作用を行う。以上のように多数のＦＥＴを
使用することでアイソレーションをさらに向上させるこ
とができる一方で、流れるバイアス電流は、ＦＥＴ４１
1 の直流特性とバイアス抵抗４２1 によって決まるた
め、従来と同じものを使用すれば消費電流が変わらずに
すむ。
合も、各ＦＥＴが同一特性を持ち各バイアス抵抗４
２1 、４２2 、４２3 の抵抗値をほぼ同じにすれば、同
一のバイアス条件で各ＦＥＴを駆動することができる。
また、バイアス抵抗４２2 、４２ 3 ・・・は、ＦＥＴ間
の抵抗整合の作用を行う。以上のように多数のＦＥＴを
使用することでアイソレーションをさらに向上させるこ
とができる一方で、流れるバイアス電流は、ＦＥＴ４１
1 の直流特性とバイアス抵抗４２1 によって決まるた
め、従来と同じものを使用すれば消費電流が変わらずに
すむ。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単位増幅器に複数の電界効果トランジスタとバイアス抵
抗を備え、複数の電界効果トランジスタを縦続接続する
ことによって、アイソレーションを向上させることがで
き、入出力反射特性、利得特性を向上させることができ
る。また、電界効果トランジスタを接続するバイアス抵
抗が、抵抗整合としても作用するので、高周波的に安定
に動作させることができる。
単位増幅器に複数の電界効果トランジスタとバイアス抵
抗を備え、複数の電界効果トランジスタを縦続接続する
ことによって、アイソレーションを向上させることがで
き、入出力反射特性、利得特性を向上させることができ
る。また、電界効果トランジスタを接続するバイアス抵
抗が、抵抗整合としても作用するので、高周波的に安定
に動作させることができる。
【００１８】また電界効果トランジスタの数は増加して
もバイアス電流の消費電流は従来と変わらないという効
果も有する。
もバイアス電流の消費電流は従来と変わらないという効
果も有する。
【図１】本発明に係る高周波分布形増幅器の第１実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】図１の作用を説明するための単位増幅器の回路
図である。
図である。
【図３】本発明に係る高周波分布形増幅器の第２実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図４】従来の高周波分布形増幅器を示す回路図であ
る。
る。
２０，４０ 単位増幅器 ２１，２２、４１1 、４１2 、４１3 ＦＥＴ（電界効
果トランジスタ） ２３，２４、４２1 、４２2 、４２3 バイアス抵抗
果トランジスタ） ２３，２４、４２1 、４２2 、４２3 バイアス抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 電界効果トランジスタ及びそのバイアス
抵抗を含む単位増幅器を並列接続した高周波分布形増幅
器において、 各単位増幅器にほぼ同一特性を有する複数の電界効果ト
ランジスタとほぼ同じ抵抗値を持つ複数のバイアス抵抗
を備え、後段の電界効果トランジスタのソースと前段の
電界効果トランジスタのドレインとをバイアス抵抗を介
して縦続接続すると共に、最前段の電界効果トランジス
タのソースをバイアス抵抗を介して接地することを特徴
とする高周波分布形増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5272039A JPH07131264A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 高周波分布形増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5272039A JPH07131264A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 高周波分布形増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131264A true JPH07131264A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17508275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5272039A Pending JPH07131264A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 高周波分布形増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131264A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019508955A (ja) * | 2016-02-04 | 2019-03-28 | フラウンホーファ−ゲゼルシャフト ツァー フォルデルング デア アンゲバンデン フォルシュンク エー． ファオ．Ｆｒａｕｎｈｏｆｅｒ−Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｚｕｒ Ｆｏｒｄｅｒｕｎｇ Ｄｅｒ Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅｎ Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇ Ｅ． Ｖ． | マトリックス電力増幅器 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP5272039A patent/JPH07131264A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019508955A (ja) * | 2016-02-04 | 2019-03-28 | フラウンホーファ−ゲゼルシャフト ツァー フォルデルング デア アンゲバンデン フォルシュンク エー． ファオ．Ｆｒａｕｎｈｏｆｅｒ−Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ Ｚｕｒ Ｆｏｒｄｅｒｕｎｇ Ｄｅｒ Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅｎ Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇ Ｅ． Ｖ． | マトリックス電力増幅器 |
| US10530316B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-01-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Matrix power amplifier |
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