JPH02107010A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
- Publication number
- JPH02107010A JPH02107010A JP26085688A JP26085688A JPH02107010A JP H02107010 A JPH02107010 A JP H02107010A JP 26085688 A JP26085688 A JP 26085688A JP 26085688 A JP26085688 A JP 26085688A JP H02107010 A JPH02107010 A JP H02107010A
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- JP
- Japan
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- circuit
- capacity
- capacitor
- wavelength
- serial
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波増幅回路に関し、特に、ＧａＡｓＦＥ
Ｔを用いたＸ帯辺上の周波数に使用される増幅器に関す
る。
Ｔを用いたＸ帯辺上の周波数に使用される増幅器に関す
る。
従来の技術
従来、この種の増幅回路では、狭帯域増幅器の場合、使
用される素子の性能を完全に引き出すようにするために
、信号伝送線路は勿論のこと、バイアス回路にも使用周
波数帯ではできるだけ損失が発生しないような回路を構
成している。実際例を第２図に示す。
用される素子の性能を完全に引き出すようにするために
、信号伝送線路は勿論のこと、バイアス回路にも使用周
波数帯ではできるだけ損失が発生しないような回路を構
成している。実際例を第２図に示す。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の増幅回路では、素子の利得が大きくなる
低域の周波数において、整合回路の構成方法によっては
、周波数の低域で極端に利得が高くなるために、回路が
不安定になり、場合によっては発振等を惹起していた。
低域の周波数において、整合回路の構成方法によっては
、周波数の低域で極端に利得が高くなるために、回路が
不安定になり、場合によっては発振等を惹起していた。
第２図に示すような低域通過フィルタを使用した回路構
成を用いた回路の場合には、低域において不安定になり
やすい。
成を用いた回路の場合には、低域において不安定になり
やすい。
第３図に示すような直流回路方式を使用する場合もある
が、抵抗による電圧降下が起こるところでは使用できず
、ゲート側にのみ使用されるために不安定要因は残って
いる。
が、抵抗による電圧降下が起こるところでは使用できず
、ゲート側にのみ使用されるために不安定要因は残って
いる。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記詫欠
点を解消することを可能とした新規な高周波増幅回路を
提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記詫欠
点を解消することを可能とした新規な高周波増幅回路を
提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の高周波増幅回路では、直流給電回路に高
周波エネルギーを吸収する抵抗を持たないために、回路
が非常に不安定になるのに対し、本発明では、直流回路
に吸収抵抗を有しているために、安定性を確保できると
いう相違点がある。
周波エネルギーを吸収する抵抗を持たないために、回路
が非常に不安定になるのに対し、本発明では、直流回路
に吸収抵抗を有しているために、安定性を確保できると
いう相違点がある。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に（系る高周波増幅回
路は、その直流給電回路に、使用周波数の’／４波長に
形成された’／４波長線路と５該’／４波長線路に直列
に、第１の容量と該第１の容量に並列に接続される第２
の容量と抵抗の直列回路とを備えて構成され、この並列
回路網と前記１／４波長線路の接続点を給電点として直
流給電が行われることを特徴としている。
路は、その直流給電回路に、使用周波数の’／４波長に
形成された’／４波長線路と５該’／４波長線路に直列
に、第１の容量と該第１の容量に並列に接続される第２
の容量と抵抗の直列回路とを備えて構成され、この並列
回路網と前記１／４波長線路の接続点を給電点として直
流給電が行われることを特徴としている。
実施例
次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。
第１図を参照するに、参照番号１．３はそれぞれ入力整
合回路、出力整合回路を示し、２．４は直流給電用回路
を示す。直流給電用回路２．４はそれぞれ、使用周波数
の１／４波長に形成された１７４波長線路と、容量、抵
抗により形成された回路から構成されている。更に具体
的に説明するに、直流給電用回路２は、１７４波長線路
７と、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１、容量Ｃ４の直列回路との並
列回路とが直列接続されて構成されている。また直流給
電用回路４は、！へ波長線路８と、容量Ｃ７と抵抗Ｒ２
、容量Ｃ６の直列回路と８の並列回路とが直列接続され
て構成されている。５は半導体素子を示し、第１図では
ＦＥＴを表している。６は入出力の直流阻止用の容量を
示している。容量Ｃ５Ｃ６は使用周波数で十分低インピ
ーダンスになるように選ばれている（目安として、θ、
１Ω程度）。
合回路、出力整合回路を示し、２．４は直流給電用回路
を示す。直流給電用回路２．４はそれぞれ、使用周波数
の１／４波長に形成された１７４波長線路と、容量、抵
抗により形成された回路から構成されている。更に具体
的に説明するに、直流給電用回路２は、１７４波長線路
７と、容量Ｃ１と抵抗Ｒ１、容量Ｃ４の直列回路との並
列回路とが直列接続されて構成されている。また直流給
電用回路４は、！へ波長線路８と、容量Ｃ７と抵抗Ｒ２
、容量Ｃ６の直列回路と８の並列回路とが直列接続され
て構成されている。５は半導体素子を示し、第１図では
ＦＥＴを表している。６は入出力の直流阻止用の容量を
示している。容量Ｃ５Ｃ６は使用周波数で十分低インピ
ーダンスになるように選ばれている（目安として、θ、
１Ω程度）。
抵抗Ｒ，，Ｒ２はそれぞれ主線路の特性インピーダンス
に合わせられている。
に合わせられている。
第１図において、主線路に対し並列に接続されている直
流給電回路２，４の動作は、使用周波数に対しては１７
４波長線路７．８の先端が容量ｃ、。
流給電回路２，４の動作は、使用周波数に対しては１７
４波長線路７．８の先端が容量ｃ、。
Ｃ６を介して接地されるために、主線路からみた直流給
電回路は無限大のインピーダンスとなり、抵抗Ｒ，，Ｒ
２による損失の影響はない。一方、容量Ｃ４，Ｃ，を十
分大きくとり、不要周波数に対して短絡とみなせる容量
値としておけば、主線路に対し大きな損失を与えること
ができる。
電回路は無限大のインピーダンスとなり、抵抗Ｒ，，Ｒ
２による損失の影響はない。一方、容量Ｃ４，Ｃ，を十
分大きくとり、不要周波数に対して短絡とみなせる容量
値としておけば、主線路に対し大きな損失を与えること
ができる。
本実７ｉ８ｉ１！ｌＩでは、ＦＥＴを使った増幅器の例
を示したが、バイポーラ型トランジスタ等も使用可能で
あることはいうまでもない。
を示したが、バイポーラ型トランジスタ等も使用可能で
あることはいうまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば使用周波数に対して
は主線路に対して影響を与えることなく、また不要周波
数については主線路の特性インピーダンスで終端される
ことになり、安定に直流給電ができる効果が得られる。
は主線路に対して影響を与えることなく、また不要周波
数については主線路の特性インピーダンスで終端される
ことになり、安定に直流給電ができる効果が得られる。
また、ｃ、、Ｒ，の組み合わせによって利得の平坦性も
得られるという効果がある。
得られるという効果がある。
第１図は本発明に係る高周波増幅回路の一実施例を示す
回路構成図、第２図は従来の高周波増幅回路の回路図、
第３図は従来の高周波増幅回路に使用されている直流回
路を示す図である。
回路構成図、第２図は従来の高周波増幅回路の回路図、
第３図は従来の高周波増幅回路に使用されている直流回
路を示す図である。
Claims (1)
- 半導体素子を使用した増幅器において、使用周波数の１
／４波長に形成された１／４波長線路と、該線路に直列
に接続された第１の容量と、該第１の容量に並列に接続
される第２の容量と抵抗の直列回路とから構成される回
路網を有し、前記１／４波長線路と前記第１の容量と第
２の容量、抵抗の並列回路の接続点から直流給電が行わ
れることを特徴とする高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085688A JPH02107010A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085688A JPH02107010A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107010A true JPH02107010A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17353701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26085688A Pending JPH02107010A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02107010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070050718A (ko) * | 2005-11-12 | 2007-05-16 | 삼성전자주식회사 | 메모리 효과를 최소화하는 기지국용 전력 증폭기 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26085688A patent/JPH02107010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070050718A (ko) * | 2005-11-12 | 2007-05-16 | 삼성전자주식회사 | 메모리 효과를 최소화하는 기지국용 전력 증폭기 |
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