JPH07126115A - 除草剤組成物 - Google Patents

除草剤組成物

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JPH07126115A
JPH07126115A JP27541993A JP27541993A JPH07126115A JP H07126115 A JPH07126115 A JP H07126115A JP 27541993 A JP27541993 A JP 27541993A JP 27541993 A JP27541993 A JP 27541993A JP H07126115 A JPH07126115 A JP H07126115A
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JP
Japan
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group
carbon atoms
formula
derivative
alkyl group
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Application number
JP27541993A
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English (en)
Inventor
Hiroyuki Murakami
博幸 村上
Kazuyuki Takahashi
一幸 高橋
Seiji Tomita
誠司 富田
Hideki Kamano
秀樹 鎌野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 式(I)のカーバメート系誘導体および/ま
たは式(II)のアミド系誘導体とメチル−2−[3−
(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル−9−ウレ
イドスルホニルメチル]ベンゾエートを含む12種類の
特定化合物群から選ばれた少なくとも1種の化合物とを
有効成分として含有する除草剤組成物。 〔例えば、X:Cl,R′=R:H,R:Me〕 〔例えば、Y:Cl,R=R=R:H〕 【効果】 有効成分の相乗効果により、特に水田の強害
雑草であるノビエに対し、かなり生育が進んだものまで
高い効果を示し、その結果、水田の強害雑草であるノビ
エに対し、処理適期幅が拡大され、有効薬量の低減を測
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は除草剤組成物に関する。
【0002】
【背景技術】これまでに種々の除草剤が開発されてお
り、農業生産性および省力化に寄与してきた。しかしな
がら、ある種の除草剤は長年に亘り使用されてきたた
め、これら除草剤の効かない難防除雑草が増えて来てお
り、殺草スペクトラムが広く、かつ、これら難防除雑草
に対しても有効な除草剤の出現が望まれている。
【0003】また、従来の除草剤による環境汚染問題を
解消するため、高活性除草剤の開発も望まれている。さ
らには、雑草の長期間に亘る不均一な発生に対処するた
め、残効性に優れ、かつ、雑草の発生前から生育期まで
の広範囲の時期にわたって処理しても有効な処理適期幅
の広い除草剤の出現も待たれている。
【0004】このような状況のもとで、本発明者らは、
特定の新規なカーバメート系誘導体またはアミド系誘導
体が湛水土壌処理効果が優れた化合物であることを見い
出した(特願平4−200036号明細書および同4−
346937号明細書)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のカーバメート系
誘導体またはアミド系誘導体は単独でも十分な除草効果
を有するが、これら除草剤はアゼナ等の広葉雑草やミズ
ガヤツリなどの多年性雑草に対する効果は必ずしも十分
でなく、この点の改良が求められていた。
【0006】従って本発明の目的は、上記のカーバメー
ト系誘導体またはアミド系誘導体をベースにし、他の除
草剤を併用することにより、幅広い雑草スペクトラムを
有するとともに、より低薬量で高い除草活性を示す除草
剤組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明者は鋭意検討を加えた結果、特願平4−20003
6号明細書に記載のカーバメート系誘導体および特願平
4−346937号明細書に記載のアミド系誘導体から
選ばれる少なくとも1種の化合物に下記式(A)〜
(L)で示される特定の化合物を組み合せた組成物が、
上記カーバメート系誘導体および上記アミド系誘導体の
それぞれ単独の性質からは予測できない優れた除草活性
を発揮し、幅広い殺草スペクトラムを有するとともに、
より低薬量で高い除草効果を示すことを見出し、本発明
を完成するに到った。
【0008】従って本発明は、一般式(I)
【化7】 (式中、Aは
【化8】 を示し、Bは
【化9】 を示す。また、式A中のXはハロゲン原子または炭素数
1〜4のハロアルキル基を示す。式B中のR1は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基を示し、R2は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロア
ルキル基を示し、R3は炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のハロアルキル基、フェニル基を示す。)で
表されるカーバメート系誘導体および一般式(II)
【化10】 (式中、Cは
【化11】 を示し、Dは
【化12】 を示し、そして、式C中のYはハロゲン原子または炭素
数1〜4のハロアルキル基を示し、式D中のR4は水素
原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、R5は水
素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4
のアシル基を示し、R6は水素原子、炭素数1〜4のア
ルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基を示
す。)で表されるアミド系誘導体からなる群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物と、下記化合物(A)〜
(L)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物
とを有効成分として含有することを特徴とする除草剤組
成物である。
【0009】(A)メチル−2−[3−(4,6−ジメ
トキシピリミジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル
メチル]ベンゾエート (B)エチル−5−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル]−1−メト
キシ−ピラゾール−4−カルボキシレート (C)N−[2−クロロイミダゾール−(1、2−α)
−ピリジン−3−イル−スルホニル]−N’−(4,6
−ジメトキシ−2−ピリミジル)ウレア (D)N−[2−(2−メトキシエトキシ)−フェニル
スルホニル]−N’−(4,6−ジメトキシ−1,3,
5−トリアジン−2−イル)−ウレア (E)4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−1,3−
ジメチル−5−ピラゾリル−p−トルエンスルホネート (F)2−[4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−
1,3−ジメチルピラゾール−5−イルオキシ]アセト
フェン (G)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルベンゾイ
ル)−1,3−ジメチル−5−(4−メチルフェナシル
オキシ)−1H−ピラゾール (H)α−(2−ナフトキシ)プロピオンアニリド (I)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルフェノキ
シ)プロピオンアニリド (J)4−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酪酸
エチル (K)(2,4−ジクロロフェノキシ)酢酸エチル (L)(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酢酸エチ
ル 以下本発明を詳説する。
【0010】本発明の除草剤組成物の有効成分について
順次説明する。
【0011】有効成分の一つであるカーバメート系誘導
体は、一般式(I)
【化13】 (式中、Aは
【化14】 を示し、Bは
【化15】 を示す。また、式A中のXはハロゲン原子または炭素数
1〜4のハロアルキル基を示す。式B中のR1は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基を示し、R2は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロア
ルキル基を示し、R3は炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のハロアルキル基、フェニル基を示す。)で
示されるものである。
【0012】前記一般式(I)で表されるカーバメイト
誘導体は新規な化合物であり、式中のA、B、X、
1、R2、R3について具体的に説明すると以下の通り
である。
【0013】Aは
【化16】 である。
【0014】式A中のXはハロゲン原子または炭素数1
〜4のハロアルキル基である。ここにハロゲン原子とし
ては弗素、塩素、臭素、沃素が挙げられる。炭素数1〜
4のハロアルキル基としては、炭素数1〜4のアルキル
基が1個又は2個以上の上記ハロゲン原子で置換された
基、例えばハロメチル基、ハロエチル基、ハロプロピル
基、ハロブチル基が挙げられる。
【0015】Bは
【化17】 である。
【0016】R1は水素原子または炭素数1〜4アルキ
ル基である。ここに炭素数1〜4のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げ
られる。 R2は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基
またはメトキシエチル基である。 ここに炭素数1〜4
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基が挙げられる。
【0017】R3は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数
1〜4のハロアルキル基またはフェニル基である。ここ
に炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
が挙げられる。炭素数1〜4のハロアルキル基として
は、炭素数1〜4のアルキル基が1個又は2個以上のハ
ロゲン原子で置換された基、例えばハロメチル基、ハロ
エチル基、ハロプロピル基、ハロブチル基が挙げられ
る。
【0018】なお、上記X、R1、R2、R3におけるア
ルキル基、ハロアルキル基中のアルキルは、直鎖状およ
び分岐状のいずれでもよい。
【0019】なお、以下メチル基をMe,エチル基をE
t,n−プロピル基をn−Pr,i−プロピル基をi−
Pr,n−ブチル基をn−Bu、t−ブチル基をt−B
uと略記することがある。
【0020】一般式(I)で示される本発明のカーバメ
ート誘導体の代表例としては、表1〜表4に掲げるもの
が挙げられる。
【0021】
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】
【表3】
【0025】
【表4】
【0026】また、一般式(I)のカーバメート誘導体
にはベンジル部分、オキシラン部分の4級炭素に基づい
て鏡像体が存在し、通常ラセミ体として得られるが、不
斉合成などの既知の方法で各対掌体を得ることも可能で
ある。カーバメート誘導体(I)はラセミ体であって
も、あるいは各鏡像体単独であってもよく、それぞれが
除草剤として使用できる。
【0027】また、一般式(I)のカーバメート誘導体
において不斉炭素が2個ある場合にはジアステレオマー
が存在し、カラムクロマトグラフィーなどの既知の方法
で各ジアステレオマーを得ることも可能である。カーバ
メート誘導体(I)はジアステレオマー混合物であって
も、あるいは各ジアステレオマー単独であってもよくそ
れぞれが除草剤成分として使用できる。
【0028】カーバメート誘導体(I)のうちポリハロ
アルケン誘導体(Ia)(表1および表2の化合物)は、
図1で示されるように、プロペン誘導体(III)を原料
として製造することができる。
【0029】すなわち、塩化第一銅などの触媒及びピペ
リジンやシクロヘキシルアミンなどのアミン類の存在
下、プロペン誘導体(III)とポリハロアルカン(CC
2 XX′)とを、通常0℃ないしポリハロアルカンの
沸点の範囲の温度において1〜20時間程度反応させる
ことにより、所望のポリハロアルケン誘導体(Ia)又は
ポリハロアルカン誘導体(IV)が得られる。この場合、
反応条件を適当に選ぶことによりポリハロアルケン誘導
体(Ia)に直接導いてもよいし、ポリハロアルカン誘導
体(IV)に導いてもよい。ポリハロアルカン誘導体(I
V)を得た場合には、このものを、例えばo−ジクロロ
ベンゼン、1,2−ジクロロエタンなどの溶媒中におい
て塩化第一銅、塩化第二鉄などの触媒の存在下に適当な
温度に加熱することにより、所望のポリハロアルケン誘
導体(Ia)に導くことができる。
【0030】また、本発明のカーバメート誘導体(I)
のうちオキシラン誘導体(Ib)(表3および表4の化合
物)は、図2で示されるように、ポリハロアルケン誘導
体(Ia)を過酸化物を用いてエポキシ化することにより
製造することができる。 この反応において用いられる
過酸化物については特に制限はなく、通常エチレン性二
重結合のエポキシ化に用いられるもの、例えばクメンハ
イドロパーオキシド、t−ブチル−ハイドロパーオキシ
ド、シクロヘキシルハイドロパーオキシドや過酢酸、α
−ハイドロパーオキシイソ酪酸、過安息香酸、m−クロ
ロ過安息香酸などの過有機カルボン酸および過酸化水
素、オキソンなどを使用することができるが、これらの
中で過有機カルボン酸、特に過酢酸及びm−クロロ過安
息香酸が好適である。この反応は通常、不活性溶媒中に
おいて、好ましくは0〜80℃の範囲の温度において実
施される。不活性溶媒としては、例えば塩化メチレン
、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、1,
1,1−トリクロロエタン、o−ジクロロベンゼンなど
のハロゲン化炭化水素類が好ましく用いられる。また、
所望により、この反応系に酢酸ナトリウム、安息香酸ナ
トリウム、りん酸水素二ナトリウム、炭酸リチウムなど
の緩衝剤を添加して反応を行ってもよい。前記アルケン
誘導体(Ia)と過酸化物との使用割合については、過酸
化物をアルケン誘導体(Ia)に対して1〜4倍当量の割
合で用いることが望ましい。反応時間は、反応温度や使
用する過酸化物の種類などによって異なり、一義的に決
めることができないが、通常1〜50時間程度である。
【0031】なお、カーバメート誘導体(I)の製造に
おいて原料とて用いられる前記プロペン誘導体(III)
は容易に入手しうる原料を用いて通常の方法により製造
することができる。図3にその代表例を示す。
【0032】次に一般式(II)のアミド誘導体について
説明する。
【0033】前記一般式(II)で表されるアミド誘導体
は、新規な化合物であり、式中のC、D、Y、R4、R5
およびR6について具体的に説明すると以下の通りであ
る。Cは
【化18】 である。
【0034】そして式C中のYはハロゲン原子または炭
素数1〜4のハロアルキル基である。ここにハロゲン原
子としては弗素、塩素、臭素、沃素が挙げられる。炭素
数1〜4のハロアルキル基としては、1個又は2個以上
の上記ハロゲン原子を有するメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基が挙げられる。
【0035】Dは
【化19】 である。
【0036】そして式中DのR4は水素原子または炭素
数1〜4のアルキル基である。ここに炭素数1〜4のア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基が挙げられる。
【0037】式中DのR5は水素原子、炭素数1〜4の
アルキル基または炭素数1〜4のアシル基である。ここ
に炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。炭素数は1
〜4のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基が挙げられる。
【0038】式中DのR6は水素原子、炭素数1〜6の
アルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基であ
る。ここに炭素数1〜6のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基が挙げられ、炭素数3以上のアルキル基はシク
ロアルキル基であっても良い。炭素数1〜4のハロアル
キル基としては、1個又は2個以上の上記ハロゲン原子
を有するメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が
挙げられる。
【0039】なお、上記Y、R4、R5、R6中のアルキ
ル基、ハロアルキル基におけるアルキルは、直鎖状およ
び分岐状のいずれでもよい。
【0040】一般式(II)のアミド誘導体の代表例とし
ては、表5〜表8に掲げるものが挙げられる。
【0041】
【0042】
【表5】
【0043】
【表6】
【0044】
【表7】
【0045】
【表8】
【0046】また、アミド誘導体(II)にはベンジル部
分、オキシラン部分の4級炭素に基づいて鏡象体が存在
し、通常ラセミ体として得られるが、不斉合成などの既
知の方法で各対掌体を得ることも可能である。アミド誘
導体(II)はラセミ体であっても、あるいは各鏡像体単
独にあってもよく、それぞれが除草剤として使用でき
る。
【0047】また、アミド誘導体(II)において不斉炭
素が2個以上ある場合にはジアステレオマーが存在し、
カラムクロマトグラフィーなどの既知の方法で各ジアス
テレオマーを得ることも可能である。アミド誘導体(I
I)はジアステレオマー混合物であっても、あるいは各
ジアステレオマー単独であってもよく、それぞれが除草
剤成分として使用できる。
【0048】アミド誘導体(II)のうちポリハロアルケ
ン誘導体(IIa)(表5および表6の化合物)は、図4
で示されるように、プロペン誘導体(VI)を原料として
製造することができる。
【0049】すなわち、塩化第一銅などの触媒及びピペ
リジンやシクロヘキシルアミンなどのアミン類の存在
下、プロペン誘導体(VI)とポリハロアルカン(CCl
2 YX′)とを、通常0℃ないしポリハロアルカンの沸
点の範囲の温度において1〜20時間程度反応させるこ
とにより、所望のポリハロアルケン誘導体(IIa)又は
ポリハロアルカン誘導体(V)が得られる。この場合、
反応条件を適当に選ぶことによりポリハロアルケン誘導
体(IIa)に直接導いてもよいし、ポリハロアルカン誘
導体(V)に導いてもよい。ポリハロアルカン誘導体
(V)を得た場合には、このものを、例えばo−ジクロ
ロベンゼン、1,2−ジクロロエタンなどの溶媒中にお
いて塩化第一銅、塩化第二鉄などの触媒の存在下に適当
な温度に加熱することにより、所望のポリハロアルケン
誘導体(IIa)に導くことができる。
【0050】また、アミド誘導体(II)のうちオキシラ
ン誘導体(IIb)(表7および表8の化合物)は、図5
で示されるように、ポリハロアルケン誘導体(IIa)を
過酸化物を用いてエポキシ化することにより製造するこ
とができる。
【0051】この反応において用いられる過酸化物につ
いては特に制限はなく、通常エチレン性二重結合のエポ
キシ化に用いられるもの、例えばクメンハイドロパーオ
キシド、t−ブチル−ハイドロパーオキシド、シクロヘ
キシルハイドロパーオキシドや過酢酸、α−ハイドロパ
ーオキシイソ酪酸、過安息香酸、m−クロロ過安息香酸
などの過有機カルボン酸および過酸化水素、オキソンな
どを使用することができるが、これらの中で過有機カル
ボン酸、特に過酢酸及びm−クロロ過安息香酸が好適で
ある。この反応は通常、不活性溶媒中において、好まし
くは0〜80℃の範囲の温度において実施される。不活
性溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、
四塩化炭素、ジクロロメタン、1,1,1−トリクロロ
エタン、o−ジクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素類が好ましく用いられる。また、所望により、この反
応系に酢酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、りん酸水
素二ナトリウム、炭酸リチウムなどの緩衝剤を添加して
反応を行ってもよい。前記アルケン誘導体(IIa)と過
酸化物との使用割合については、過酸化物をアルケン誘
導体(IIa)に対して1〜4倍当量の割合で用いること
が望ましい。反応時間は、反応温度や使用する過酸化物
の種類などによって異なり、一義的に決めることができ
ないが、通常1〜50時間程度である。
【0052】なお、アミド誘導体(II)の製造において
原料として用いられる前記プロペン誘導体(VI)は容易
に入手しうる原料を用いて通常の方法により製造するこ
とができる。図6及び図7にその代表例を示す。
【0053】本発明の除草剤組成物においては、上記一
般式(I)のカーバメート誘導体および一般式(II)の
アミド誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種
に、下記の化合物(A)〜(L)からなる群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物が配合される。
【0054】(A)メチル−2−[3−(4,6−ジメ
トキシピリミジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル
メチル]ベンゾエート (B)エチル−5−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル]−1−メト
キシ−ピラゾール−4−カルボキシレート (C)N−[2−クロロイミダゾール−(1、2−α)
−ピリジン−3−イル−スルホニル]−N’−(4,6
−ジメトキシ−2−ピリミジル)ウレア (D)N−[2−(2−メトキシエトキシ)−フェニル
スルホニル]−N’−(4,6−ジメトキシ−1,3,
5−トリアジン−2−イル)−ウレア (E)4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−1,3−
ジメチル−5−ピラゾリル−p−トルエンスルホネート (F)2−[4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−
1,3−ジメチルピラゾール−5−イルオキシ]アセト
フェン (G)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルベンゾイ
ル)−1,3−ジメチル−5−(4−メチルフェナシル
オキシ)−1H−ピラゾール (H)α−(2−ナフトキシ)プロピオンアニリド (I)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルフェノキ
シ)プロピオンアニリド (J)4−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酪酸
エチル (K)(2,4−ジクロロフェノキシ)酢酸エチル (L)(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酢酸エチ
ル また、上記化合物(A)〜(L)の構造式、一般名、製
法を以下に示す。
【0055】化合物(A) 構造式
【化20】 一般名 ベンゾスルフロンメチル 製法 特開昭57−112379号公報の記載に従って合成し
た。
【0056】化合物(B) 構造式
【化21】 一般名 ピラゾスルフロンエチル 製法 シリウス(日慶化学)よりアセトン抽出して得た。
【0057】化合物(C) 構造式
【化22】 一般名 イマゾスルフロン 製法 特開昭64−38091号公報の記載に従って合成し
た。
【0058】化合物(D) 構造式
【化23】 一般名 シノスルフロン 製法 米国特許第479821号の記載に従って合成した。
【0059】化合物(E) 構造式
【化24】 一般名 ピラゾレート 製法 サンバード(三共)からアセトン抽出して得た。
【0060】化合物(F) 構造式
【化25】 一般名 ピラゾキシフェン 製法 ワンオール(石原産業)からアセトン抽出して得た。
【0061】化合物(G) 構造式
【化26】 一般名 ペンゾフェナップ 製法 シーゼットフロアブルよりアセトン抽出して得た。
【0062】化合物(H) 構造式
【化27】 一般名 ナプロアニリド 製法 ウリベスト(三井東圧)よりアセトン抽出して得た。
【0063】化合物(I) 構造式
【化28】 一般名 クロメプロップ 製法 センテ(三菱油化)よりアセトン抽出して得た。
【0064】化合物(J) 構造式
【化29】 一般名 MCPB 製法 既知の合成法に従って合成した。
【0065】化合物(K) 構造式
【化30】 一般名 2,4−D 製法 既知の合成法に従って合成した。
【0066】化合物(L) 構造式
【化31】 一般名 MCPA 製法 既知の合成法に従って合成した。
【0067】本発明の除草剤組成物は、上記一般式
(I)で表されるカーバメート系誘導体および上記一般
式(II)で表されるアミド系誘導体からなる群から選ば
れる少なくとも1種と、上記化合物(A)〜(L)から
なる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を有効成分
として含有するものであるが、その配合割合は特に制限
がなく、広い配合比において優れた相乗効果が得られ
る。
【0068】一般的な配合例を示すと、一般式(I)の
カーバメート系誘導体および/または一般式(II)のア
ミド系誘導体1重量部に対し、化合物(A)〜(L)は
0.02〜300重量部、好ましくは0.03〜100
重量部の範囲で用いられる。本発明の除草剤組成物は、
上記のカーバメート系誘導体(I)および/またはアミ
ド系誘導体(II)と上記化合物(A)〜(L)よりなる
群から選ばれた少なくとも1種の化合物を、有機溶媒等
の液状担体または鉱物質粉等の固体担体と混合し、水和
剤、乳剤、粉剤、粒剤、フロアブル剤、液剤等の形態に
製剤化して使用することができる。製剤化に際しては、
所望により乳化剤、分散剤、展着剤、懸濁剤、浸透剤、
安定剤として各種の界面活性剤、その他の補助剤を添加
すればよい。
【0069】本発明の除草剤組成物を水和剤の形態で用
いる場合、通常は、上述したカーバメート系誘導体
(I)および/またはアミド系誘導体(II)と化合物
(A)〜(L)よりなる群から選ばれた少なくとも1種
の化合物を有効成分として5〜55重量%、固体担体4
0〜88重量%および界面活性剤2〜5重量%の割合で
配合して組成物を調製し、これを用いればよい。
【0070】また、乳剤およびフロアブル剤の形態で用
いる場合は、通常は、有効成分として上述したカーバメ
ート系誘導体(I)および/またはアミド系誘導体(I
I)と化合物(A)〜(L)よりなる群から選ばれた少
なくとも1種の化合物を10〜50重量%、溶剤35〜
75重量%および界面活性剤5〜15重量%の割合で配
合して調製すればよい。
【0071】一方、粉剤の形態で用いる場合は、通常
は、有効成分として上述したカーバメート系誘導体
(I)および/またはアミド系誘導体(II)と化合物
(A)〜(L)よりなる群から選ばれた少なくとも1種
の化合物を1〜20重量%、固体担体75〜97重量%
および界面活性剤2〜5重量%の割合で配合して調製す
ればよい。 さらに、粒剤の形態で用いる場合は、通常
は、有効成分として上述したカーバメート系誘導体
(I)および/またはアミド系誘導体(II)と化合物
(A)〜( L)よりなる群から選ばれた少なくとも1
種の化合物を1〜20重量%、固体担体75〜97重量
%および界面活性剤2〜5重量%の割合で配合して調製
すればよい。
【0072】ここで、固体担体としては鉱物質の微粉が
用いられ、この鉱物質の微粉として具体的には、ケイソ
ウ土、消石灰等の酸化物、リン灰石等のリン酸塩、セッ
コウ等の硫酸塩、タルク、パイロフェライト、クレー、
カオリン、ベントナイト、酸性白土、ホワイトカーボ
ン、石英粉末、ケイ石粉等のケイ酸塩などを挙げること
ができる。
【0073】また、溶剤としては、有機溶媒が用いら
れ、具体的にはキシレン、トルエン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素、o−クロルトルエン、トリクロルメタン、
トリクロルエチレン等の塩素化炭化水素、シクロヘキサ
ノール、アミルアルコール、エチレングリコール等のア
ルコール、エチレングルコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のアルコールエ
ーテル、イソホロン、シクロヘキサノン、シクロヘキセ
ニル−シクロヘキサノン等のケトン、ブチルセロソル
ブ、ジメチルエーテル、メチルエチルエーテル等のエー
テル、酢酸イソプロピル、酢酸ベンジル、フタル酸メチ
ル等のエステル、ジメチルホルムアミド等のアミド、ア
セトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル、ジメチ
ルスルホキシド等のスルホキシド、あるいはこれらの混
合物等の有機溶媒を挙げることができる。
【0074】さらに、界面活性剤としては、アニオン型
(アルキルベンゼンスルフォネート、アルキルスルフォ
ネート、ラウリン酸アミドスルフォネート等)、ノニオ
ン型(ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリエチ
レングルコールラウレート、ソルビタンアルキルエステ
ル等)、カチオン型(ジメチルラウリルベンジルアンモ
ニウムクロライド、ラウリルアミン、ステアリルトリメ
チルアンモニアムクロライド等)あるいは両性イオン型
(アミノ酸、ベタイン等)のいずれを用いることもでき
る。
【0075】また、本発明の除草剤組成物には、製剤の
性状を改善し、除草効果を高める目的で、アルギン酸ソ
ーダ、カルボキシメチルセルロース、カルボキシビニル
ポリマー、アラビヤガム、ヒドロキシプロピルメチルセ
ルロース等の高分子化合物や補助剤を併用することもで
きる。
【0076】このような本発明の除草剤組成物は、水稲
作において雑草の発芽前または発芽後に湛水土壌処理す
ることにより、薬害のない高選択性除草剤として優れた
効果を発揮する。本発明の除草剤組成物は、有効成分で
10アール当り1g〜1,000g程度、好ましくは5
〜500gを施用する。
【0077】また、必要に応じて本発明の除草剤組成物
に殺虫剤または各種添加物を加えても良い。とくに除草
剤として、より一層の効果向上を目指して、他の除草剤
を併用することが望ましい場合がある。添加し得る除草
剤としては、表9〜10に示すものが挙げられる。
【0078】
【0079】
【表9】
【0080】
【表10】
【0081】
【実施例】次に本発明を実施例により説明する。
【0082】なお、下記製造例中、「部」は重量%を意
味する。カーバメート系誘導体またはアミド系誘導体と
しては、表11〜12に示した化合物を用いた。
【0083】
【0084】
【表11】
【0085】
【表12】
【0086】(1)除草剤組成物の調製 タルク57重量部、ベントナイト40重量部、界面活性
剤としてアルキルベンゼンスルホン酸ソーダ3重量部を
均一に粉砕混合して水和剤用の担体を得た。
【0087】次にカーバメート系誘導体(I)、アミド
系誘導体(II)または化合物(A)〜(L)で表される
化合物のいずれか一剤を10量部と、上記の水和剤用担
体90重量部を均一に粉砕混合して水和剤を得た。
【0088】さらに、カーバメート系誘導体(I)また
はアミド系誘導体(II)と化合物(A)〜(L)で表さ
れる化合物のいずれか一剤とを含有する水和剤のそれぞ
れ水で希釈したものを所定量混合して、本発明の除草剤
組成物を調製した。
【0089】(2)生物試験I 1/5000アールのプラスチック容器に、水田土壌を
充填し、表層にノビエ、ホタルイ、アゼナの種子を播種
し、催芽させたミズガヤツリの塊茎を移植し、さらに2
葉期の稲苗(品種:日本晴)を移植した。その後、湛水
深を3cmとし、温室内に静置した。水稲移植後、3日
(ノビエ発芽時)および12日(ノビエ2葉期)に前記
(1)で調製した水和剤の所定量を水で希釈し、所定量
滴下処理した。薬剤処理後30日目に、除草効果および
薬害を下記の判定基準に従い調査した。結果を表13〜
21(ノビエ発芽時)、および表22〜30(ノビエ2
葉期)に示す。
【0090】(判定基準) 除草効果の程度 除草効果(殺草率) 0 5%未満(ほとんど効果なし) 1 10〜20%未満 2 20〜30%未満 3 30〜40%未満 4 40〜50%未満 5 50〜60%未満 6 60〜70%未満 7 70〜80%未満 8 80〜90%未満 9 90〜95%未満(ほとんど完全枯死) 10 95〜100%(完全枯死) ただし、上記の殺草率は、薬剤処理区の地上部生草重お
よび無処理区の地上部生草重を測定して、下記の式によ
り求めたものである。
【0091】殺草率(%) ={1−(処理区の地上部生草重)/(無処理区の地上
部生草重)}×100 薬害の程度 0…作物に対する薬害は認められず 1…作物に対する薬害は殆ど認められず 2…作物に対する薬害が若干認められる 3…作物に対する薬害が認められる 4…作物に対する薬害が顕著に認められる
【0092】
【表13】
【0093】
【表14】
【0094】
【表15】
【0095】
【表16】
【0096】
【表17】
【0097】
【表18】
【0098】
【表19】
【0099】
【表20】
【0100】
【表21】
【0101】
【表22】
【0102】
【表23】
【0103】
【表24】
【0104】
【表25】
【0105】
【表26】
【0106】
【表27】
【0107】
【表28】
【0108】
【表29】
【0109】
【表30】
【0110】(3)生物試験II 1/7500アールの磁器製ポットに、水田土壌を充填
し、ノビエ種子を播種した。湛水深を3cmとし、温室内
に静置した。播種後12日目、ノビエが2葉期に生育し
た時期に、前記(1)で調製した水和剤の所定量を水で
希釈し、滴下処理した。薬剤処理後30日目に、残存し
ているノビエの地上部生草重および無処理区の地上部生
草重を測定し、下記式により、殺草率(%)を算出し
た。結果については、表31ないし表33に示す。
【0111】殺草率(%) ={1−(処理区の地上部生草重)/(無処理区の地上
部生草重)}×100
【0112】
【表31】
【0113】
【表32】
【0114】
【表33】
【0115】(4)生物試験III 1/7500アールの磁器製ポットに水田土壌を充填
し、ホタルイ種子を播種した。湛水深を3cmとし、温室
内に静置した。播種後12日目、ホタルイが1.5葉期
に生育した時期に、前記(1)で調製した水和剤の所定
量を水で希釈し、滴下処理した。薬剤処理後30日目
に、残存しているホタルイの地上部生草重および無処理
区の地上部生草重を測定し、下記式により、殺草率
(%)を算出した。結果については、表34〜38に示
す。
【0116】殺草率(%) ={1−(処理区の地上部生草重)/(無処理区の地上
部生草重)}×100 なお、表31〜38中の予想値(QE)は、Colby の次
式により算出した混合剤の殺草率の予想値(QE)であ
る。ここで、上記試験により測定した実測値(殺草率)
が、この予想値(QE)より大きければ、除草活性に相
乗作用が発現したということになる。
【0117】QE(%)=Qa+Qb−{(Qa×Qb)/
100} QE=予想値 Qa=除草剤A(有効成分として一般式(I)および/ま
たは一般式(II)の化合物のみを含む)をaグラム/1
0アールの量で処理した時の殺草率 Qb=除草剤B(有効成分として化合物(A)〜(L)
のうちの1種のみを含む)をbグラム/10アールの量
で処理した時の殺草率
【0118】
【表34】
【0119】
【表35】
【0120】
【表36】
【0121】
【表37】
【0122】
【表38】
【0123】
【発明の効果】本発明の除草剤組成物は、その有効成分
であるカーバメート系誘導体および/またはアミド系誘
導体と、特定の化合物群(A)〜(L)から選ばれた少
なくとも1種の化合物とを含有することにより、多種類
の雑草に対して優れた除草効果を示すとともに、水田の
強害雑草であるノビエもしくはホタルイに対して予想を
上回る顕著な相乗効果を示す。
【0124】その結果、本発明の除草剤組成物は、1回
の散布で水田の主要な雑草を防除できるだけでなく、相
乗効果により有効薬量の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般式(Ia)の化合物の製造工程図
【図2】一般式(Ib)の化合物の製造工程図
【図3】一般式(III)の化合物の製造工程図
【図4】一般式(IIa)の化合物の製造工程図
【図5】一般式(IIb)の化合物の製造工程図
【図6】一般式(VI)の化合物の製造工程図(前半)
【図7】一般式(VI)の化合物の製造工程図(後半)
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年1月18日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0054
【補正方法】変更
【補正内容】
【0054】化合物(B) 構造式
【化21】 一般名 ピラゾスルフロンエチル 製法 シリウス(日産化学)よりアセトン抽出して得た。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年2月4日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【化1】 (式中、Aは
【化2】 を示し、Bは
【化3】 を示す。また、式A中のXはハロゲン原子または炭素数
1〜4のハロアルキル基を示す。式B中のR1は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基を示し、R2は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロア
ルキル基を示し、R3は炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のハロアルキル基、フェニル基を示す。)で
表されるカーバメート系誘導体および一般式(II)
【化4】 (式中、Cは
【化5】 を示し、Dは
【化6】 を示し、そして、式C中のYはハロゲン原子または炭素
数1〜4のハロアルキル基を示し、式D中のR4は水素
原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、R5は水
素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4
のアシル基を示し、R6は水素原子、炭素数1〜のア
ルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基を示
す。)で表されるアミド系誘導体からなる群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物と、下記化合物(A)〜
(L)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物
とを有効成分として含有することを特徴とする除草剤組
成物。 (A)メチル−2−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニルメチル]ベン
ゾエート (B)エチル−5−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル]−1−メト
キシ−ピラゾール−4−カルボキシレート (C)N−[2−クロロイミダゾール−(1、2−α)
−ピリジン−3−イル−スルホニル]−N’−(4,6
−ジメトキシ−2−ピリミジル)ウレア (D)N−[2−(2−メトキシエトキシ)−フェニル
スルホニル]−N’−(4,6−ジメトキシ−1,3,
5−トリアジン−2−イル)−ウレア (E)4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−1,3−
ジメチル−5−ピラゾリル−p−トルエンスルホネート (F)2−[4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−
1,3−ジメチルピラゾール−5−イルオキシ]アセト
フェン (G)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルベンゾイ
ル)−1,3−ジメチル−5−(4−メチルフェナシル
オキシ)−1H−ピラゾール (H)α−(2−ナフトキシ)プロピオンアニリド (I)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルフェノキ
シ)プロピオンアニリド (J)4−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酪酸
エチル (K)(2,4−ジクロロフェノキシ)酢酸エチル (L)(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酢酸エチ
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】従って本発明は、一般式(I)
【化7】 (式中、Aは
【化8】 を示し、Bは
【化9】 を示す。また、式A中のXはハロゲン原子または炭素数
1〜4のハロアルキル基を示す。式B中のR1は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基を示し、R2は水素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロア
ルキル基を示し、R3は炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のハロアルキル基、フェニル基を示す。)で
表されるカーバメート系誘導体および一般式(II)
【化10】 (式中、Cは
【化11】 を示し、Dは
【化12】 を示し、そして、式C中のYはハロゲン原子または炭素
数1〜4のハロアルキル基を示し、式D中のR4は水素
原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、R5は水
素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4
のアシル基を示し、R6は水素原子、炭素数1〜のア
ルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基を示
す。)で表されるアミド系誘導体からなる群から選ばれ
る少なくとも1種の化合物と、下記化合物(A)〜
(L)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物
とを有効成分として含有することを特徴とする除草剤組
成物である。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0068
【補正方法】変更
【補正内容】
【0068】また、乳剤およびフロアブル剤の形態で用
いる場合は、通常は、有効成分として上述したカーバメ
ート系誘導体(I)および/またはアミド系誘導体(I
I)と化合物(A)〜(L)よりなる群から選ばれた少
なくとも1種の化合物を〜50重量%、溶剤35〜
重量%および界面活性剤5〜15重量%の割合で配合
して調製すればよい。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 A01N 43/56 A B C 47/34 E 47/36 101 E (72)発明者 鎌野 秀樹 千葉県袖ケ浦市上泉1280番地 出光興産株 式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Aは 【化2】 を示し、Bは 【化3】 を示す。また、式A中のXはハロゲン原子または炭素数
    1〜4のハロアルキル基を示す。式B中のR1は水素原
    子、炭素数1〜4のアルキル基を示し、R2は水素原
    子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のハロア
    ルキル基を示し、R3は炭素数1〜4のアルキル基、炭
    素数1〜4のハロアルキル基、フェニル基を示す。)で
    表されるカーバメート系誘導体および一般式(II) 【化4】 (式中、Cは 【化5】 を示し、Dは 【化6】 を示し、そして、式C中のYはハロゲン原子または炭素
    数1〜4のハロアルキル基を示し、式D中のR4は水素
    原子または炭素数1〜4のアルキル基を示し、R5は水
    素原子、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4
    のアシル基を示し、R6は水素原子、炭素数1〜4のア
    ルキル基または炭素数1〜4のハロアルキル基を示
    す。)で表されるアミド系誘導体からなる群から選ばれ
    る少なくとも1種の化合物と、下記化合物(A)〜
    (L)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物
    とを有効成分として含有することを特徴とする除草剤組
    成物。 (A)メチル−2−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
    ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニルメチル]ベン
    ゾエート (B)エチル−5−[3−(4,6−ジメトキシピリミ
    ジン−2−イル−9−ウレイドスルホニル]−1−メト
    キシ−ピラゾール−4−カルボキシレート (C)N−[2−クロロイミダゾール−(1、2−α)
    −ピリジン−3−イル−スルホニル]−N’−(4,6
    −ジメトキシ−2−ピリミジル)ウレア (D)N−[2−(2−メトキシエトキシ)−フェニル
    スルホニル]−N’−(4,6−ジメトキシ−1,3,
    5−トリアジン−2−イル)−ウレア (E)4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−1,3−
    ジメチル−5−ピラゾリル−p−トルエンスルホネート (F)2−[4−(2,4−ジクロロベンゾイル)−
    1,3−ジメチルピラゾール−5−イルオキシ]アセト
    フェン (G)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルベンゾイ
    ル)−1,3−ジメチル−5−(4−メチルフェナシル
    オキシ)−1H−ピラゾール (H)α−(2−ナフトキシ)プロピオンアニリド (I)2−(2,4−ジクロロ−3−メチルフェノキ
    シ)プロピオンアニリド (J)4−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酪酸
    エチル (K)(2,4−ジクロロフェノキシ)酢酸エチル (L)(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)酢酸エチ
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100338621B1 (ko) * 2000-01-24 2002-05-30 전광술 제초제 및 그 제조방법

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