JPH07112039B2 - 多ピン多層配線リードフレーム - Google Patents
多ピン多層配線リードフレームInfo
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- JPH07112039B2 JPH07112039B2 JP3049675A JP4967591A JPH07112039B2 JP H07112039 B2 JPH07112039 B2 JP H07112039B2 JP 3049675 A JP3049675 A JP 3049675A JP 4967591 A JP4967591 A JP 4967591A JP H07112039 B2 JPH07112039 B2 JP H07112039B2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/01—Chemical elements
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置用の多ピン多層配線リードフレームに関するものであ
る。
置用の多ピン多層配線リードフレームに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置用のリードフレーム
は、半導体パッケージを小型化するため、平板上の金属
製の一層のリードフレームから構成されている。このよ
うな一層のリードフレームは、形状は簡単であるが、リ
ードフレームおよび半導体素子の電源用の端子と信号用
の端子が同一平面上に互いに近接して配置されているた
め、相互の端子間で電磁的な干渉が発生する。すなわ
ち、高い周波数の信号を伝送する場合にクロストークが
発生し、良好な伝送特性が得られないという欠点があっ
た。また、誘導電流を適当に除去できる接地層等もない
ため、静電容量が大きくなり、これも伝送特性の低下の
原因となっている。
は、半導体パッケージを小型化するため、平板上の金属
製の一層のリードフレームから構成されている。このよ
うな一層のリードフレームは、形状は簡単であるが、リ
ードフレームおよび半導体素子の電源用の端子と信号用
の端子が同一平面上に互いに近接して配置されているた
め、相互の端子間で電磁的な干渉が発生する。すなわ
ち、高い周波数の信号を伝送する場合にクロストークが
発生し、良好な伝送特性が得られないという欠点があっ
た。また、誘導電流を適当に除去できる接地層等もない
ため、静電容量が大きくなり、これも伝送特性の低下の
原因となっている。
【０００３】この欠点を解消するため、近年では、例え
ばリードフレームに絶縁層を介し接地板および電源供給
板をサンドウィッチ状に設けて、半導体素子の接地端子
および電源端子を接地板および電源供給板にそれぞれボ
ンディング接続した多層構造のリードフレームも発表さ
れている。
ばリードフレームに絶縁層を介し接地板および電源供給
板をサンドウィッチ状に設けて、半導体素子の接地端子
および電源端子を接地板および電源供給板にそれぞれボ
ンディング接続した多層構造のリードフレームも発表さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】リードフレームは、そ
れ自体の強度等からある厚さ以下にすることができず、
また打ち抜き加工上からもインナーリードの先端付近の
微細加工が難しく、そのためリードフレームのインナー
リードのピッチを一定以上小さくすることができなかっ
た。例えば０．１０ｍｍの板厚のリードフレームで０．
１８ｍｍピッチが限界であった。
れ自体の強度等からある厚さ以下にすることができず、
また打ち抜き加工上からもインナーリードの先端付近の
微細加工が難しく、そのためリードフレームのインナー
リードのピッチを一定以上小さくすることができなかっ
た。例えば０．１０ｍｍの板厚のリードフレームで０．
１８ｍｍピッチが限界であった。
【０００５】また、リード数を増加した例としては、米
国ＮＳＣ社製のTape Pac QFP(QuadFlat Package) 等も
ある。このパッケージの構造はＴＡＢテープキャリア型
であり、ＬＳＩ素子とギャング・ボンディング法にて接
続している。しかし、この構造では前述したように一層
の配線であるので、伝送特性の高速化が図れない。
国ＮＳＣ社製のTape Pac QFP(QuadFlat Package) 等も
ある。このパッケージの構造はＴＡＢテープキャリア型
であり、ＬＳＩ素子とギャング・ボンディング法にて接
続している。しかし、この構造では前述したように一層
の配線であるので、伝送特性の高速化が図れない。
【０００６】またリードフレームのリードの端子数が多
くなると、リードフレームの伝送特性がさらに重要な問
題となってくる。
くなると、リードフレームの伝送特性がさらに重要な問
題となってくる。
【０００７】かかるリードフレームにおいて、リードの
微細配線化のほかに、高周波信号が印加された場合の伝
送特性を向上するために種々の工夫がされている。
微細配線化のほかに、高周波信号が印加された場合の伝
送特性を向上するために種々の工夫がされている。
【０００８】一般に、高周波信号の遅延時間（Ｔ0 ）は
次式で表される。
次式で表される。
【数１】 ここで、ｌ：配線長さ、Ｃ0 ：容量、Ｚ0 ：インピーダ
ンス、Ｌ0 ：インダクタンス
ンス、Ｌ0 ：インダクタンス
【０００９】
【数２】 ここで、εr ：誘電率、ｗ：配線幅、ｄ：絶縁層厚さ
【００１０】上式から高周波信号の印加時の遅延時間
は、容量およびインピーダンスに主に関係することが分
かる。
は、容量およびインピーダンスに主に関係することが分
かる。
【００１１】しかし、従来の金属製の一層リードフレー
ムでは遅延時間に関係する容量およびインダクタンスが
充分に低くできなかった。
ムでは遅延時間に関係する容量およびインダクタンスが
充分に低くできなかった。
【００１２】本発明の目的は、上記問題点を解消し、リ
ードの微細配線化を図るとともに高周波信号の伝送特性
を向上した多ピン多層配線リードフレームを提供するに
ある。
ードの微細配線化を図るとともに高周波信号の伝送特性
を向上した多ピン多層配線リードフレームを提供するに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、接地用導体層および電源供給用導
体層と、前記両導体層上にそれぞれ設けられる絶縁層
と、接地用導体層上に設けられる絶縁層上にエッチング
または蒸着により微細に形成される信号用インナーリー
ドと、金属フレームにより形成されるアウターリードと
を備え、半導体素子の信号用電極とワイヤボンディング
により接続される前記インナーリードと前記アウターリ
ードの信号用リードとが重ね合せによる直接接合方式に
より電気的に接続され、前記接地用導体層と前記アウタ
ーリードの接地用リードとが重ね合せによる直接接合方
式により電気的に接合され、さらに前記電源供給用導体
層と前記アウターリードの電源供給用リードとが重ね合
せによる直接接合方式により電気的に接合され、前記絶
縁層には半導体素子の接地および電源用電極と前記両導
体層とをそれぞれワイヤボンディングするため前記両導
体層の一部を露出させる複数の開口部がそれぞれ設けら
れていることを特徴とする多ピン多層配線リードフレー
ムを提供する。
め、本発明によれば、接地用導体層および電源供給用導
体層と、前記両導体層上にそれぞれ設けられる絶縁層
と、接地用導体層上に設けられる絶縁層上にエッチング
または蒸着により微細に形成される信号用インナーリー
ドと、金属フレームにより形成されるアウターリードと
を備え、半導体素子の信号用電極とワイヤボンディング
により接続される前記インナーリードと前記アウターリ
ードの信号用リードとが重ね合せによる直接接合方式に
より電気的に接続され、前記接地用導体層と前記アウタ
ーリードの接地用リードとが重ね合せによる直接接合方
式により電気的に接合され、さらに前記電源供給用導体
層と前記アウターリードの電源供給用リードとが重ね合
せによる直接接合方式により電気的に接合され、前記絶
縁層には半導体素子の接地および電源用電極と前記両導
体層とをそれぞれワイヤボンディングするため前記両導
体層の一部を露出させる複数の開口部がそれぞれ設けら
れていることを特徴とする多ピン多層配線リードフレー
ムを提供する。
【００１４】前記インナーリードの先端部と絶縁層の開
口部を経て露出する前記導体層に金または銀めっきを施
すのが好ましい。
口部を経て露出する前記導体層に金または銀めっきを施
すのが好ましい。
【００１５】本発明は以下の技術の確立に基づいてい
る。 （イ）インナーリードとアウターリードのピッチ０．３
７ｍｍのマイクロ半田接合技術を開発してリードフレー
ムの多層構造を可能にした。 （ロ）フレキシブルプリント基板の裏面に接地および電
源供給用の導体層を形成して、誘導電流の除電を行っ
た。 （ハ）絶縁層をポリイミドとしたため、従来のパッケー
ジ封止レジンと比べて誘電率が３．９から２．０に低下
し、このため容量が低下した。 （ニ）電源供給および接地用の開口部の低部からワイヤ
ボンディングする技術を確立した。
る。 （イ）インナーリードとアウターリードのピッチ０．３
７ｍｍのマイクロ半田接合技術を開発してリードフレー
ムの多層構造を可能にした。 （ロ）フレキシブルプリント基板の裏面に接地および電
源供給用の導体層を形成して、誘導電流の除電を行っ
た。 （ハ）絶縁層をポリイミドとしたため、従来のパッケー
ジ封止レジンと比べて誘電率が３．９から２．０に低下
し、このため容量が低下した。 （ニ）電源供給および接地用の開口部の低部からワイヤ
ボンディングする技術を確立した。
【００１６】本発明の多層リードフレームでは、エッチ
ングまたは蒸着によりインナーリードを微細に形成する
ため、リードのピッチを大幅に小さくすることができ
る。さらに、インナーリードと、テープ状に形成された
アウターリードの信号用リードとが適宜に重ね合せ状態
に位置合わせされた後に、例えばマイクロ接合により、
接合されるため、フレーム上のアウターリードと絶縁層
上のインナーリードとが正確に、かつ電気的に接続され
る。
ングまたは蒸着によりインナーリードを微細に形成する
ため、リードのピッチを大幅に小さくすることができ
る。さらに、インナーリードと、テープ状に形成された
アウターリードの信号用リードとが適宜に重ね合せ状態
に位置合わせされた後に、例えばマイクロ接合により、
接合されるため、フレーム上のアウターリードと絶縁層
上のインナーリードとが正確に、かつ電気的に接続され
る。
【００１７】そのほかに、アウターリードの接地および
電源供給用リードが接地および電源供給用導体層に重ね
合せによる直接接合方式により電気的に接続されるた
め、接地および電源供給用リードからの電源供給が接地
および電源供給用導体層で均等化されるため、電圧を安
定に供給することができ、また、半導体素子搭載後の電
源供給時にＩＣチップの特定位置に電流が集中したとし
ても、上記導体層に速やかに短絡され、このため特定の
リードに電流が集中することはない。
電源供給用リードが接地および電源供給用導体層に重ね
合せによる直接接合方式により電気的に接続されるた
め、接地および電源供給用リードからの電源供給が接地
および電源供給用導体層で均等化されるため、電圧を安
定に供給することができ、また、半導体素子搭載後の電
源供給時にＩＣチップの特定位置に電流が集中したとし
ても、上記導体層に速やかに短絡され、このため特定の
リードに電流が集中することはない。
【００１８】このほかに、絶縁層上に開口部を複数個設
けて、この開口部から上記導体層が露出するため、上記
導体層と半導体素子の電源端子とを開口部を経て直接ワ
イヤボンディングすることができ、また他のリードとの
絶縁も確実となる。導体層に接地されると、誘導電流を
取り除くことができ、インダクタンスを小さくすること
ができる。さらに、導体層と半導体素子の電源端子との
ボンディング接続は、半導体素子の周囲の接続しやすい
箇所へ形成した場合には、ワイヤボンドされたワイヤの
長さが、一層リードフレームに比べて小さくなり、これ
も遅延時間の減少に役立つ。このワイヤ長の減少は、こ
のほかに、ワイヤの自己インダクタンスの減少をもたら
し、このためスイッチングの際の電位変動を小さくする
作用がある。
けて、この開口部から上記導体層が露出するため、上記
導体層と半導体素子の電源端子とを開口部を経て直接ワ
イヤボンディングすることができ、また他のリードとの
絶縁も確実となる。導体層に接地されると、誘導電流を
取り除くことができ、インダクタンスを小さくすること
ができる。さらに、導体層と半導体素子の電源端子との
ボンディング接続は、半導体素子の周囲の接続しやすい
箇所へ形成した場合には、ワイヤボンドされたワイヤの
長さが、一層リードフレームに比べて小さくなり、これ
も遅延時間の減少に役立つ。このワイヤ長の減少は、こ
のほかに、ワイヤの自己インダクタンスの減少をもたら
し、このためスイッチングの際の電位変動を小さくする
作用がある。
【００１９】好ましくは、インナーリードの先端部と絶
縁層の開口部を経て露出する導体層に金または銀めっき
を施すのが良い。この理由は、ボンディングワイヤの付
きを良くするとともに接続不良に起因する浮遊容量をな
くすためである。
縁層の開口部を経て露出する導体層に金または銀めっき
を施すのが良い。この理由は、ボンディングワイヤの付
きを良くするとともに接続不良に起因する浮遊容量をな
くすためである。
【００２０】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明の一実施例を示す一部断面
説明図である。ところで、図面は、説明のために一部を
省略したり、簡略化してあり、実際のものとは異なるこ
とに注意されたい。
説明図である。ところで、図面は、説明のために一部を
省略したり、簡略化してあり、実際のものとは異なるこ
とに注意されたい。
【００２２】リードフレーム１１は外枠１３を備え、こ
の外枠１３からアウターリード１５（１５ａ，１５ｂ）
が外枠１３の中心近傍に向かって延設されている。
の外枠１３からアウターリード１５（１５ａ，１５ｂ）
が外枠１３の中心近傍に向かって延設されている。
【００２３】リードフレーム１１の外枠１３の中心部に
はフレキシブル多層配線基板１７（以下、「多層配線基
板」と称する）が配置される。この多層配線基板１７
は、上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層
１９と、下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給
用導体層２１、２２との三層からなっている。実施例に
おいては、上記絶縁フィルム層１９は片面（すなわち上
面）銅箔付ポリイミドフィルムとしている。この銅箔は
後にエッチングされてインナーリードとなる。絶縁フィ
ルム１９、２０は、接地および電源供給用ホール２３、
２４とロックホール２５とがプレスパンチング等により
開口されており、さらに多層配線基板１７の四隅に切り
欠き２９を設けている。この絶縁フィルム層１９に導体
層２１が接着剤等により貼着されている。この多層配線
基板１７の絶縁フィルム層１９の上側表面に貼付された
銅箔を、例えばエッチングまたは蒸着して、インナーリ
ード２７が形成されている。このインナーリード２７の
内側先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされ
るように、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良
導体がめっきされている。 上記多層配線基板１７のホ
ール２３、２４にも、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金
のような良導体がめっきされている。ホール２３は中間
の接地層が、ホール２４は最下層の電源層が顔を出して
いる。
はフレキシブル多層配線基板１７（以下、「多層配線基
板」と称する）が配置される。この多層配線基板１７
は、上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層
１９と、下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給
用導体層２１、２２との三層からなっている。実施例に
おいては、上記絶縁フィルム層１９は片面（すなわち上
面）銅箔付ポリイミドフィルムとしている。この銅箔は
後にエッチングされてインナーリードとなる。絶縁フィ
ルム１９、２０は、接地および電源供給用ホール２３、
２４とロックホール２５とがプレスパンチング等により
開口されており、さらに多層配線基板１７の四隅に切り
欠き２９を設けている。この絶縁フィルム層１９に導体
層２１が接着剤等により貼着されている。この多層配線
基板１７の絶縁フィルム層１９の上側表面に貼付された
銅箔を、例えばエッチングまたは蒸着して、インナーリ
ード２７が形成されている。このインナーリード２７の
内側先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされ
るように、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良
導体がめっきされている。 上記多層配線基板１７のホ
ール２３、２４にも、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金
のような良導体がめっきされている。ホール２３は中間
の接地層が、ホール２４は最下層の電源層が顔を出して
いる。
【００２４】上記リードフレーム１１のアウターリード
１５と、多層配線基板１７のインナーリード２７との電
気的接続は、アウターリード１５の先端に半田めっきを
施した後、アウターリード１５とインナーリード２７と
を適切に重複配置させ、それらを赤外線ビーム加熱法に
より加熱圧着して達成されている。
１５と、多層配線基板１７のインナーリード２７との電
気的接続は、アウターリード１５の先端に半田めっきを
施した後、アウターリード１５とインナーリード２７と
を適切に重複配置させ、それらを赤外線ビーム加熱法に
より加熱圧着して達成されている。
【００２５】ところで、この図において、リードフレー
ム１１のアウターリード１５は、外枠１３の例えば四隅
近傍からそれぞれ延在するリードを接地および電源供給
用リード１５ａ、１５ｂとし、その他を信号用リード１
５ｃとしている。信号用リード１５ｃは、上述したよう
にインナーリード２７との接続がなされているが、接地
および電源供給用リード１５ａ、１５ｂは、導体層２
１、２２に直接接地される。この接地のため、まず、上
記絶縁フィルム層１９の切り欠き２９から露出する導体
層２１の隅部に半田めっきによりバンプ３１を形成し、
このバンプ３１に接地および電源供用リード１５ａ、１
５ｂの先端をあて、加熱圧着して、導体層２１、２２と
接地および電源供給用リード１５ａ、１５ｂとを導通接
続している。
ム１１のアウターリード１５は、外枠１３の例えば四隅
近傍からそれぞれ延在するリードを接地および電源供給
用リード１５ａ、１５ｂとし、その他を信号用リード１
５ｃとしている。信号用リード１５ｃは、上述したよう
にインナーリード２７との接続がなされているが、接地
および電源供給用リード１５ａ、１５ｂは、導体層２
１、２２に直接接地される。この接地のため、まず、上
記絶縁フィルム層１９の切り欠き２９から露出する導体
層２１の隅部に半田めっきによりバンプ３１を形成し、
このバンプ３１に接地および電源供用リード１５ａ、１
５ｂの先端をあて、加熱圧着して、導体層２１、２２と
接地および電源供給用リード１５ａ、１５ｂとを導通接
続している。
【００２６】かかる多層リードフレーム１１に、半導体
素子３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナ
ーリード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ
３５でボンディング接続するとともに、さらに半導体素
子３３の接地端子と導体層２１の絶縁フィルム１７の接
地および電源供給用ホール２３、２４から露出する部分
との間をボンディングワイヤ３５でボンディングして接
続する。最後にインナーリード２７を包むように樹脂封
止して半導体装置を作製することができる。
素子３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナ
ーリード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ
３５でボンディング接続するとともに、さらに半導体素
子３３の接地端子と導体層２１の絶縁フィルム１７の接
地および電源供給用ホール２３、２４から露出する部分
との間をボンディングワイヤ３５でボンディングして接
続する。最後にインナーリード２７を包むように樹脂封
止して半導体装置を作製することができる。
【００２７】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。
する。
【００２８】（実施例１）まず、厚さ０．１５ｍｍの４
２％Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いて、図２および図３に示すよ
うな、外枠１３およびアウターリード１５ａ、ｂ、ｃを
作製する（図では１５ｂは省略してある）。ここで、ア
ウターリード１５の先端におけるピッチは０．３７ｍｍ
である。次に厚さ０．０７ｍｍの、ポリイミド絶縁フィ
ルム層に接地および電源供給用ホール２３、２４を穿設
し（図では２４は省略してある）、このポリイミド絶縁
フィルム層の片面に厚さ０．００５〜０．０１ｍｍの銅
箔を接着した二層の多層配線基板１７を作製する。この
多層配線基板１７に厚さ０．０２ｍｍの銅箔を貼付し、
エッチングして０．１２ｍｍピッチのインナーリード２
７を形成し、インナーリード２７の内側端部にＡｕ／Ｎ
ｉめっきを施し、インナーリード２７の外側端部に半田
めっきが施されたアウターリード１５の信号用リード１
５ｃを一部重複させて赤外線ビーム加熱法により加熱圧
着する。なお、符号３７は半田接合層である。
２％Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いて、図２および図３に示すよ
うな、外枠１３およびアウターリード１５ａ、ｂ、ｃを
作製する（図では１５ｂは省略してある）。ここで、ア
ウターリード１５の先端におけるピッチは０．３７ｍｍ
である。次に厚さ０．０７ｍｍの、ポリイミド絶縁フィ
ルム層に接地および電源供給用ホール２３、２４を穿設
し（図では２４は省略してある）、このポリイミド絶縁
フィルム層の片面に厚さ０．００５〜０．０１ｍｍの銅
箔を接着した二層の多層配線基板１７を作製する。この
多層配線基板１７に厚さ０．０２ｍｍの銅箔を貼付し、
エッチングして０．１２ｍｍピッチのインナーリード２
７を形成し、インナーリード２７の内側端部にＡｕ／Ｎ
ｉめっきを施し、インナーリード２７の外側端部に半田
めっきが施されたアウターリード１５の信号用リード１
５ｃを一部重複させて赤外線ビーム加熱法により加熱圧
着する。なお、符号３７は半田接合層である。
【００２９】この一方で、多層配線基板１７の絶縁フィ
ルム１９から金属板（導体層）２１が露出した接地部切
り欠き２９に、半田または異方性導電膜によりバンプ３
１を形成し、このバンプ３１に接地および電源供用リー
ド１５ａ、１５ｂを熱圧着して接続し、多層リードフレ
ームを作製した。同様にして三層目の電源供給用金属板
（導体層）２２を絶縁フィルム（ポリイミド）２０を介
して接着剤により貼り付ける。このようにして電源供給
用ホール２４から電源供給用金属板２２が顔を出す。
ルム１９から金属板（導体層）２１が露出した接地部切
り欠き２９に、半田または異方性導電膜によりバンプ３
１を形成し、このバンプ３１に接地および電源供用リー
ド１５ａ、１５ｂを熱圧着して接続し、多層リードフレ
ームを作製した。同様にして三層目の電源供給用金属板
（導体層）２２を絶縁フィルム（ポリイミド）２０を介
して接着剤により貼り付ける。このようにして電源供給
用ホール２４から電源供給用金属板２２が顔を出す。
【００３０】バンプ３１は、図１に示すようにリード１
５先端に形成されても良い。かようにして作製した多層
リードフレーム１１に、一辺が１３．５ｍｍの３０４ピ
ンのＤＩＰ用の半導体素子３３を接着等により搭載し、
この半導体素子３３の信号端子をインナーリード２７の
めっき端部に直径２５マイクロメートルの金製のボンデ
ィングワイヤ３５でボンディングし、同じく半導体素子
３３の電源供給および接地用端子を多層配線基板１７の
接地および電源供給用ホール２３、２４に同様にボンデ
ィングし、樹脂封止して３０４ピンの半導体装置を作製
した。なお、図２中符号３７は、はんだ接合層を示す。
５先端に形成されても良い。かようにして作製した多層
リードフレーム１１に、一辺が１３．５ｍｍの３０４ピ
ンのＤＩＰ用の半導体素子３３を接着等により搭載し、
この半導体素子３３の信号端子をインナーリード２７の
めっき端部に直径２５マイクロメートルの金製のボンデ
ィングワイヤ３５でボンディングし、同じく半導体素子
３３の電源供給および接地用端子を多層配線基板１７の
接地および電源供給用ホール２３、２４に同様にボンデ
ィングし、樹脂封止して３０４ピンの半導体装置を作製
した。なお、図２中符号３７は、はんだ接合層を示す。
【００３１】比較のため、従来の一層のフレキシブル配
線基板を用いて、同様にして半導体装置を作製した。
線基板を用いて、同様にして半導体装置を作製した。
【００３２】これら半導体装置について、電源および接
地リードおよび信号リードの各々について、電気特性を
測定した。各測定において、各リードフレームにつき１
０個の接地および電源供給用リードならびに信号用リー
ドを、１０フレームについて測定し、合計１０フレーム
×１０リード＝１００リード測定して、これらの最低
値、最高値および平均値を求めた。この結果を表１に示
す。
地リードおよび信号リードの各々について、電気特性を
測定した。各測定において、各リードフレームにつき１
０個の接地および電源供給用リードならびに信号用リー
ドを、１０フレームについて測定し、合計１０フレーム
×１０リード＝１００リード測定して、これらの最低
値、最高値および平均値を求めた。この結果を表１に示
す。
【００３３】
【表１】
【００３４】この表から分かるように、本発明例による
多層リードフレームを用いた半導体装置の信号用リード
間容量およびインピーダンスは、従来の一層のリードフ
レームを用いた半導体装置の信号用リードと比べて、格
段に低減されている。 また、接地および電源供給用の
リードの抵抗およびインダクタンスが従来例に比べて、
小さくなり、逆に容量が格段に大きくなっている。これ
らは電源供給時の電圧変動を低減し、したがってノイズ
を小さくする。
多層リードフレームを用いた半導体装置の信号用リード
間容量およびインピーダンスは、従来の一層のリードフ
レームを用いた半導体装置の信号用リードと比べて、格
段に低減されている。 また、接地および電源供給用の
リードの抵抗およびインダクタンスが従来例に比べて、
小さくなり、逆に容量が格段に大きくなっている。これ
らは電源供給時の電圧変動を低減し、したがってノイズ
を小さくする。
【００３５】
【発明の効果】以上の詳細な説明から理解されるよう
に、本発明の多ピン多層配線リードフレームは、インナ
ーリードが微細に形成されて、リードのピッチが大幅に
小さくなる。接地および電源供給用導体層に接地される
と、誘導電流を取り除くことができ、インダクタンスを
小さくすることができる。上記導体層、例えば金属板が
露出する開口部を適切な箇所に設けることにより、ワイ
ヤボンドされるワイヤの長さを短くすることができる。
また、ワイヤボンディングを行う箇所に金または銀めっ
きを施すことにより、浮遊容量が減少する。これらリー
ド間容量の低減およびワイヤの長さの低減ならびに浮遊
容量の低減は遅延時間を低減し、したがって伝送特性を
向上するという効果がある。
に、本発明の多ピン多層配線リードフレームは、インナ
ーリードが微細に形成されて、リードのピッチが大幅に
小さくなる。接地および電源供給用導体層に接地される
と、誘導電流を取り除くことができ、インダクタンスを
小さくすることができる。上記導体層、例えば金属板が
露出する開口部を適切な箇所に設けることにより、ワイ
ヤボンドされるワイヤの長さを短くすることができる。
また、ワイヤボンディングを行う箇所に金または銀めっ
きを施すことにより、浮遊容量が減少する。これらリー
ド間容量の低減およびワイヤの長さの低減ならびに浮遊
容量の低減は遅延時間を低減し、したがって伝送特性を
向上するという効果がある。
【００３６】そのほかに、各リードが接地および電源供
給用導体層に均一に短絡するため、半導体搭載後の電源
供給時にＩＣチップの特定位置に電流が集中したとして
も、特定のリードに電流が集中することはない。また上
記ワイヤ長の低減は、ワイヤの自己インダクタンスの減
少をもたらし、このためスイッチングの際の電位変動を
小さくする。これらにより電源供給時のノイズの低減を
もたらし、ひいては伝送品質の向上をもたらすという効
果がある。
給用導体層に均一に短絡するため、半導体搭載後の電源
供給時にＩＣチップの特定位置に電流が集中したとして
も、特定のリードに電流が集中することはない。また上
記ワイヤ長の低減は、ワイヤの自己インダクタンスの減
少をもたらし、このためスイッチングの際の電位変動を
小さくする。これらにより電源供給時のノイズの低減を
もたらし、ひいては伝送品質の向上をもたらすという効
果がある。
【図１】本発明の多ピン多層配線リードフレームの一実
施例を説明するための一部断面説明図である。
施例を説明するための一部断面説明図である。
【図２】本発明の他の実施例を説明する断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する平面図である。
１１ リードフレーム １３ 外枠 １５ アウターリード １７ フレキシブル多層配線基板 １９、２０ 絶縁フィルム層 ２１ 接地用導体層 ２２ 電源供給用導体層 ２３ 接地用ホール ２４ 電源供給用ホール ２５ ロックホール ２７ インナーリード ２９ 切り欠き ３１ バンプ ３３ 半導体素子 ３５ ボンデイングワイヤ ３７ はんだ接合層 １５ａ 接地用リード １５ｂ 電源供給用リード １５ｃ 信号用リード
Claims (2)
- 【請求項１】接地用導体層および電源供給用導体層と、
前記両導体層上にそれぞれ設けられる絶縁層と、接地用
導体層上に設けられる絶縁層上にエッチングまたは蒸着
により微細に形成される信号用インナーリードと、金属
フレームにより形成されるアウターリードとを備え、半
導体素子の信号用電極とワイヤボンディングにより接続
される前記インナーリードと前記アウターリードの信号
用リードとが重ね合せによる直接接合方式により電気的
に接続され、前記接地用導体層と前記アウターリードの
接地用リードとが重ね合せによる直接接合方式により電
気的に接合され、さらに前記電源供給用導体層と前記ア
ウターリードの電源供給用リードとが重ね合せによる直
接接合方式により電気的に接合され、前記絶縁層には半
導体素子の接地および電源用電極と前記両導体層とをそ
れぞれワイヤボンディングするため前記両導体層の一部
を露出させる複数の開口部がそれぞれ設けられているこ
とを特徴とする多ピン多層配線リードフレーム。 - 【請求項２】前記インナーリードの先端部と絶縁層の開
口部を経て露出する前記導体層に金または銀めっきを施
す請求項１記載の多ピン多層配線リードフレーム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049675A JPH07112039B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 多ピン多層配線リードフレーム |
| US07/711,214 US5196725A (en) | 1990-06-11 | 1991-06-06 | High pin count and multi-layer wiring lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049675A JPH07112039B2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 多ピン多層配線リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286148A JPH04286148A (ja) | 1992-10-12 |
| JPH07112039B2 true JPH07112039B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=12837752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3049675A Expired - Fee Related JPH07112039B2 (ja) | 1990-06-11 | 1991-03-14 | 多ピン多層配線リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112039B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2710906B2 (ja) * | 1992-11-24 | 1998-02-10 | 京セラ株式会社 | 半導体装置 |
| US6465882B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-10-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated circuit package having partially exposed conductive layer |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2199988B (en) * | 1987-01-12 | 1990-04-25 | Intel Corp | Multi-layer molded plastic ic package |
| JPH0336755A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子用リードフレーム |
| JPH03222351A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP3049675A patent/JPH07112039B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04286148A (ja) | 1992-10-12 |
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