JPH0710864B2

JPH0710864B2 - テトラヒドロ‐７‐オキソ‐８‐インドリジンカルボン酸誘導体及びその製造法

Info

Publication number: JPH0710864B2
Application number: JP63275186A
Authority: JP
Inventors: 幸久後藤; 和久正本
Original assignee: Daicel Chemical Industries Ltd
Current assignee: Daicel Corp
Priority date: 1988-10-31
Filing date: 1988-10-31
Publication date: 1995-02-08
Anticipated expiration: 2010-02-08
Also published as: JPH02121988A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、医薬、農薬等の製造中間体として有用な新規
なテトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカルボン酸
誘導体及びその製造法に関する。

（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）従来、テトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカルボ
ン酸誘導体としては、12,3,7-テトラヒドロ‐7-オキソ
‐8-インドリジンカルボン酸（J.Heterocycl.Chem.,16,
953（1979））及び1,2,3,7-テトラヒドロ‐5-メチル‐7
-オキソ‐8-インドリジンカルボン酸エチル（薬学雑
誌、93,1084（1973））が知られている。しかしながら
この発明の化合物（Ｉ）のような、１位、２位、３位の
少なくとも１箇所に低級アルキル基を有するようなテト
ラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカルボン酸誘導体
は報告されていない。

本発明者らは、除草活性を有する縮合複素環化合物の製
法について検討した結果、本発明化合物が、その製造中
間体として重要であること及びこの化合物の有利な製造
法を見い出し本発明に至った。

（課題を解決するための手段）本発明は、一般式（Ｉ）；［式中、R¹は、カルボキシ基若しくはその塩、低級アル
コキシカルボニル基又はフェノキシカルボニル基;R²,R³
は同一若しくは異なって、水素原子又は低級アルキル
基;R⁴,R⁵,R⁶は同一若しくは異なって水素原子又は低級
アルキル基であってかつR⁴,R⁵,R⁶のうち少なくとも１つ
は低級アルキル基を意味する。］で表されるテトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカ
ルボン酸誘導体及びその製造法に関する。

R¹が、カルボキシ基の塩であるときは、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、遷移金属またはアンモニウムをカチ
オンとして有することができる。

代表的な金属カチオンとしては、ナトリウム、カリウ
ム、リチウム、カルシウム、マグネシウム、バリウム、
亜鉛、マンガン、第一銅、第二銅、第一鉄、第二鉄、チ
タン、アルミニウム、などが、又、代表的アンモニウム
カチオンとしては、アンモニウム、トリブチルアンモニ
ウム、ピペリジニウム、ピリジニウムなどが挙げられ
る。

この発明において、低級アルコキシカルボニル基には、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、イソプロポキシカル
ボニル、イソブトキシカルボニル又は第三ブチルオキシ
カルボニルなどが含まれる。

低級アルキル基には、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、イソペンチルなどが含
まれる。

本発明における一般式（Ｉ）の化合物のうち、R¹が低級
アルコキシカルボニ基又はフェノキシカルボニル基であ
る化合物、すなわち一般式（Ｉ′）［式中、R¹は、低級アルコキシカルボニル基又はフェノ
キシカルボニル基;R²,R³は同一若しくは異なって、水素
原子又は低級アルキル基;R⁴,R⁵,R⁶は同一若しくは異な
って水素原子又は低級アルキル基であってかつR⁴,R⁵,R⁶
のうち少なくとも１つは低級アルキル基を意味する。］で表される化合物は一般式（II）又は（II′）：［式（II）又は（II′）中、R¹′は、低級アルコキシカ
ルボニル基又はフェノキシカルボニル基;R⁴,R⁵,R⁶は同
一若しくは異なって水素原子又は低級アルキル基であっ
てかつR⁴,R⁵,R⁶のうち少なくとも１つは低級アルキル基
を意味する。］で表される化合物と一般式（III）：［式中、R²,R³は同一若しくは異なって、水素原子又は
低級アルキル基;R⁷,R⁸は水素原子又は、アルキル基、フ
ェニル基又はR⁷およびR⁸がR⁷とR⁸の結合する炭素原子と
共にシクロアルキル基を形成してもよい。］で表される
化合物とを反応させることによって製造することができ
る。

原料として用いる式（II）又は（II′）の化合物及び式
（III）の化合物は、従来既知の方法に基づいて、製造
することができる。式（III）におけるR⁴とR⁵は、目的
物に導入されない基であり、入手容易で安価なものを選
択利用するのが望ましい。R⁴,R⁵として、メチル基又は
エチル基が好ましい。式（II）と式（II′）は互変異性
体である。

一般式（II）又は（II′）の化合物と一般式（III）の
化合物との反応は無溶媒下または不活性溶媒中で行うこ
とができる。好ましい溶媒の例として、ベンゼン、トル
エン、キシレン、テトラリン、デカリン、ジフェニルエ
ーテルなどが挙げられる。反応温度としては、一般式
（III）で表される化合物の熱分解温度を目安として、
約100℃から200℃程度の温度が用いられる。

また一般式（III）で表される化合物の使用量は、一般
式（II）又は（II′）で表される化合物に対して１当量
以上、好ましくは1.2〜3.0当量の範囲である。

本発明における一般式（Ｉ）の化合物のうちR¹がガルボ
キシ基又はその塩である化合物すなわち一般式（I
I″）：［式中、R¹″は、カルボキシ基若しくはその塩、R²,R³,
R⁴,R⁵,R⁶は上記と同じ］で表される化合物は前記の一般式（Ｉ′）の化合物を加
水分解することによって製造することができる。

加水分解は酸、アルカリまたはその他の方法が用いられ
る。酸による加水分解は、塩酸、硫酸または臭化水素酸
などによって行うことができる。通常室温から150℃の
範囲の温度で実施される。アルカリによる加水分解で
は、アルカリとして、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ムが、一般的に使われ、水溶液、メタノール溶液、エタ
ノール溶液中で、室温もしくは、加熱して反応させる。
この場合には、R¹″がカルボキシ基の塩であるものが得
られるが、これを鉱酸によって、遊離カルボン酸にする
ことができる。その他の加水分解としては、ルチジン、
コリジン、ジメチルホルムアミドなどを溶媒として、ヨ
ウ化リチウム、臭化リチウム、シアン化ナトリウム又は
酢酸ナトリウムを加熱下に作用させ、しかるのちに酸で
処理する方法を挙げることができる。

式（Ｉ″）において、R¹″がカルボキシ基の塩である化
合物は、R¹″がカルボキシ基である化合物と、対応する
塩基との反応によって得ることができる。

なお、本発明の製造法によって得られる本発明の化合物
（Ｉ）から、例えば、下記ルートによって、一般式（I
V）で示される除草活性を示す化合物が得られる。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。

（実施例）実施例１メチル1,2,3,7-テトラヒドロ‐3,5-ジメチル‐7-オキソ
‐8-インドリジンカルボキシレートメチルα‐（テトラヒドロ‐5-メチル‐2-ピロリジニリ
デン）アセテート3.10g及びキシレン10mlの混合物を穏
やかに加熱還流させながら、2-エチル‐2,6-ジメチル‐
4H-1,3-ジオキシン‐4-オン7.81gのキシレン（10ml）溶
液を15分間で滴下し、さらに２時間加熱還流を続けた。
その間に副生するメチルエチルケトンは、ディーンスタ
ーク装置により系外に除去した。反応混合物を室温まで
放冷し、生じた結晶を別洗浄し減圧下で乾燥すると題
記化合物が3.67g（収率83％）得られた。¹ H-NMR（CDCl₃）δ;1.36（d,3H）,1.60-2.70（m,2H）,
2.30（s,3H）,3.15-3.50（m,2H）,3.82（s,3H）,3.20-
3.83（m,1H）,6.18（s,1H）． IR（Kbr）cm^-1;1635,1698. 融点;105〜110℃ 実施例２ 1,2,3,7-テトラヒドロ‐3,5-ジメチル‐7-オキソ‐8-イ
ンドリジンカルボン酸実施例１で得られたメチル1,2,3,7-テトラヒドロ‐3,5-
ジメチル‐7-オキソ‐8-インドリジンカルボキシレート
2.21g及び５％水酸化ナトリウム水溶液80gの混合物を70
℃で２時間加熱攪はんした。反応混合物を室温まで放冷
後、氷水で冷却しながら濃塩酸8.79ml加えた。クロロホ
ルムで抽出後飽和食塩水で洗浄、乾燥、濃縮した結晶性
残さをトルエンとクロロホルムの混合液から再結晶して
題記化合物1.11g（収率54％）を得た。¹ H-NMR（CDCl₃）δ;1.40（d,2H）,1.60-2.90（m,2H）,
2.45（s,3H）,3.00-4.30（m,2H）,4.30-5.00（m,1H）,
6.42（s,1H）,16.82（br,1H）．実施例３メチル1,2,3,7-テトラヒドロ‐1,5-ジメチル‐7-オキソ
‐8-インドリジンカルボキシレートメチルα‐（テトラヒドロ‐3-メチル‐2-ピロリジニリ
デン）アセテート4.00g及びキシレン12mlの混合物を穏
やかに加熱還流させながら、2-エチル‐2,6-ジメチル‐
4H-1,3-ジオキシン‐4-オン10.06gのキシレン（12ml）
溶液を15分間で滴下し、さらに２時間加熱還流を続け
た。その間に副生するメチルエチルケトンは、ディーン
スターク装置により系外に除去した。反応混合物を室温
まで放冷し、生じた結晶を別、洗浄し減圧下で乾燥す
ると題記化合物が4.76g（収率83％）得られた。¹ H-NMR（CDCl₃）δ;1.23（d,3H）,1.60-2.80（m,2H）,
2.24（s,3H）,3.45-4.25（m,3H）,3.83（s,3H）,6.14
（s,1H）． IR（Kbr）cm^-1;1632,1712. 融点;108〜110℃ 実施例４ 1,2,3,7-テトラヒドロ‐1,5-ジメチル‐7-オキソ‐8-イ
ンドリジンカルボン酸実施例３で得られたメチル1,2,3,7-テトラヒドロ‐1,5-
ジメチル‐7-オキソ‐8-インドリジンカルボキシレート
4.00g及び５％水酸化ナトリウム水溶液145gの混合物を7
0℃で２時間加熱攪はんした。反応混合物を室温まで放
冷後、氷水で冷却しながら濃塩酸15.91ml加えた。析出
した結晶を別、洗浄し減圧下で乾燥すると題記化合物
が2.16g（収率58％）を得られた。¹ H-NMR（CDCl₃）δ;1.31（d,3H）,1.60-2.90（m,2H）,
2.40（s,3H）,4.00-4.70（m,3H）,6.41（s,1H）,17.03
（br,1H）． IR（Kbr）cm^-1;1635,1698. 融点;183〜184℃

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）：［式中、R¹は、カルボキシ基若しくはその塩、低級アル
コキシカルボニル基又はフェノキシカルボニル基;R²,R³
は同一若しくは異なって水素原子又は低級アルキル基;R
⁴,R⁵,R⁶は同一若しくは異なって水素原子又は低級アル
キル基であってかつR⁴,R⁵,R⁶のうち少なくとも１つは低
級アルキル基を意味する。］で表されるテトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカ
ルボン酸誘導体。
【請求項２】一般式（II）又は（II′）：［式（II）又は（II′）中、R¹′は、低級アルコキシカ
ルボニル基又はフェノキシカルボニル基;R⁴,R⁵,R⁶は同
一若しくは異なって水素原子又は低級アルキル基であっ
てかつR⁴,R⁵,R⁶のうち少なくとも１つは低級アルキル基
を意味する。］で表される化合物と一般式（III）：［式中、R²,R³は同一若しくは異なって、水素原子又は
低級アルキル基;R⁷,R⁸は水素原子又はアルキル基、フェ
ニル基又はR⁷およびR⁸が、R⁷とR⁸の結合する炭素原子と
共にシクロアルキル基を形成してもよい。］で表される化合物とを反応させることを特徴とする一般式（Ｉ′）：［式中、R¹′,R²,R³,R⁴,R⁵,R⁶は上記と同じ］で表されるテトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカ
ルボン酸誘導体の製造法。
【請求項３】一般式（Ｉ′）［式中、R¹は、低級アルコキシカルボニル基又はフェノ
キシカルボニル基;R²,R³は同一若しくは異なって、水素
原子又は低級アルキル基;R⁴,R⁵,R⁶は同一若しくは異な
って水素原子又は低級アルキル基であってかつR⁴,R⁵,R⁶
のうち少なくとも１つは低級アルキル基を意味する。］で表される化合物を加水分解することを特徴とする。一般式（Ｉ″）：［式中、R¹″は、カルボキシ基若しくはその塩;R²,R³,R
⁴,R⁵,R⁶は上記と同じ］で表されるテトラヒドロ‐7-オキソ‐8-インドリジンカ
ルボン酸誘導体の製造法。