JPH0710866B2 - ヘキサヒドロ‐２‐オキソピリド［１，２‐ａアゼピン‐１‐カルボン酸誘導体及びその製造法 - Google Patents
ヘキサヒドロ‐２‐オキソピリド［１，２‐ａアゼピン‐１‐カルボン酸誘導体及びその製造法Info
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- JPH0710866B2 JPH0710866B2 JP28090188A JP28090188A JPH0710866B2 JP H0710866 B2 JPH0710866 B2 JP H0710866B2 JP 28090188 A JP28090188 A JP 28090188A JP 28090188 A JP28090188 A JP 28090188A JP H0710866 B2 JPH0710866 B2 JP H0710866B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、医薬，農薬等の製造中間体として有用な、新
規なヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボン酸誘導体及びその製造法に関する。
規なヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボン酸誘導体及びその製造法に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題） 本発明化合物は、本発明者らによって初めて合成された
新規化合物である。本発明者らは、除草活性を有する縮
合複素環化合物の製法について検討した結果、本発明化
合物がその製造中間体として重要であること、及びこの
化合物の有利な製造法を見出し、本発明に至った。
新規化合物である。本発明者らは、除草活性を有する縮
合複素環化合物の製法について検討した結果、本発明化
合物がその製造中間体として重要であること、及びこの
化合物の有利な製造法を見出し、本発明に至った。
（課題を解決するための手段） 本発明は、一般式（Ｉ）： ［式中R1は、カルボキシル基もしくはその塩、低級アル
コキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基;R2
は、水素原子，ハロゲン原子，低級アルキル基，低級ア
ルケニル基，低級アルキニル基、又はハロゲン化低級ア
ルキル基;R3は、水素原子，低級アルキル基，ハロゲン
化低級アルキル基，シクロアルキル基，低級アルコキシ
アルキル基，低級アルキルチオアルキル基、又はハロゲ
ン原子，低級アルキル基，低級アルコキシ基，ハロゲン
化低級アルキル基，ニトロ基、もしくはシアノ基で置換
されてもよいフェニル基、核がハロゲン原子，低級アル
キル基、もしくは低級アルコキシ基で置換されてもよい
アラルキル基；又はR2とR3は一緒に、−（CH2）ｎ−
（ｎは３もしくは４）をそれぞれ意味する。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体及びその製造法に関する。
コキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基;R2
は、水素原子，ハロゲン原子，低級アルキル基，低級ア
ルケニル基，低級アルキニル基、又はハロゲン化低級ア
ルキル基;R3は、水素原子，低級アルキル基，ハロゲン
化低級アルキル基，シクロアルキル基，低級アルコキシ
アルキル基，低級アルキルチオアルキル基、又はハロゲ
ン原子，低級アルキル基，低級アルコキシ基，ハロゲン
化低級アルキル基，ニトロ基、もしくはシアノ基で置換
されてもよいフェニル基、核がハロゲン原子，低級アル
キル基、もしくは低級アルコキシ基で置換されてもよい
アラルキル基；又はR2とR3は一緒に、−（CH2）ｎ−
（ｎは３もしくは４）をそれぞれ意味する。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体及びその製造法に関する。
R1がカルボキシ基の塩であるときは、アルカリ金属，ア
ルカリ土類金属，遷移金属又はアンモニウムをカチオン
として有することができる。代表的な金属カチオンとし
ては、ナトリウム，カリウム，リチウム，カルシウム，
マグネシウム，バリウム，亜鉛，マンガン，第一銅，第
二銅，第一鉄，第二鉄，チタン，アルミニウム等が、ま
た代表的なアンモニウムカチオンとしては、アンモニウ
ム，トリブチルアンモニウム，ピペリジニウム，ピリジ
ニウム等が挙げられる。
ルカリ土類金属，遷移金属又はアンモニウムをカチオン
として有することができる。代表的な金属カチオンとし
ては、ナトリウム，カリウム，リチウム，カルシウム，
マグネシウム，バリウム，亜鉛，マンガン，第一銅，第
二銅，第一鉄，第二鉄，チタン，アルミニウム等が、ま
た代表的なアンモニウムカチオンとしては、アンモニウ
ム，トリブチルアンモニウム，ピペリジニウム，ピリジ
ニウム等が挙げられる。
この発明において、低級アルコキシカルボニル基には、
メトキシカルボニル，エトキシカルボニル，プロポキシ
カルボニル，ブトキシカルボニル，イソプロポキシカル
ボニル，イソブトキシカルボニル又は第三ブチルオキシ
カルボニル等が含まれる。
メトキシカルボニル，エトキシカルボニル，プロポキシ
カルボニル，ブトキシカルボニル，イソプロポキシカル
ボニル，イソブトキシカルボニル又は第三ブチルオキシ
カルボニル等が含まれる。
ハロゲン原子には、フッ素，塩素，臭素又はヨウ素原子
が含まれる。
が含まれる。
低級アルキル基には、メチル，エチル，プロピル，イソ
プロピル，ブチル，イソブチル，イソペンチル等が含ま
れる。
プロピル，ブチル，イソブチル，イソペンチル等が含ま
れる。
低級アルケニル基には、ビニル，アリル，イソプロペニ
ル,2-ブテニル,1,3-ブタジエニル,2-ペンテニル,1,4-ペ
ンタジエニル,1,6-ヘプタジエニル,1-ヘキセニル等が含
まれる。
ル,2-ブテニル,1,3-ブタジエニル,2-ペンテニル,1,4-ペ
ンタジエニル,1,6-ヘプタジエニル,1-ヘキセニル等が含
まれる。
低級アルキニル基には、エチニル,2-プロピニル等が含
まれる。
まれる。
ハロゲン化低級アルキル基には、クロロメチル，ブロモ
メチル，ジフルオロメチル，トリフルオロメチル等が含
まれる。
メチル，ジフルオロメチル，トリフルオロメチル等が含
まれる。
シクロアルキル基には、シクロプロピル，シクロペンチ
ル，シクロヘキシル等が含まれる。
ル，シクロヘキシル等が含まれる。
低級アルコキシアルキル基には、メトキシメチル，エト
キシメチル，プロポキシメチル，ブトキシメチル，エト
キシエチル等が含まれる。
キシメチル，プロポキシメチル，ブトキシメチル，エト
キシエチル等が含まれる。
低級アルキルチオアルキル基には、メチルチオメチル，
エチルチオメチル，メチルチオエチル，エチルチオエチ
ル等が含まれる。
エチルチオメチル，メチルチオエチル，エチルチオエチ
ル等が含まれる。
低級アルコキシ基には、メトキシ，エトキシ，プロポキ
シ，イソプロポキシ，ブトキシなどが含まれる。
シ，イソプロポキシ，ブトキシなどが含まれる。
アラルキル基には、ベンジル，フェネチル,3-フェニル
プロピル,3-フェニルブチル等が含まれる。
プロピル,3-フェニルブチル等が含まれる。
本発明における一般式（Ｉ）の化合物のうち、R1が、低
級アルコキシカルボニル基又はフェノキシカルボニル基
である化合物、即ち一般式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表される化合物は、一般式（II）又は（II′）： ［式中R1′は、式（Ｉ′）中の定義と同じ。］ で表される化合物と、一般式（III）： ［式中R2,R3は、式（Ｉ′）中の定義と同じ。;R4,R
5は、水素原子，アルキル基，フェニル基、又はR4及びR
5が、R4とR5の係合する炭素原子と共にシクロアルキル
基を形成してもよい。］ で表される化合物とを反応させることによって製造する
ことができる。
級アルコキシカルボニル基又はフェノキシカルボニル基
である化合物、即ち一般式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表される化合物は、一般式（II）又は（II′）： ［式中R1′は、式（Ｉ′）中の定義と同じ。］ で表される化合物と、一般式（III）： ［式中R2,R3は、式（Ｉ′）中の定義と同じ。;R4,R
5は、水素原子，アルキル基，フェニル基、又はR4及びR
5が、R4とR5の係合する炭素原子と共にシクロアルキル
基を形成してもよい。］ で表される化合物とを反応させることによって製造する
ことができる。
原料として用いる式（II）又は（II′）の化合物及び式
（III）の化合物は、従来既知の方法で製造することが
できる。式（III）におけるR4とR5は、目的物に導入さ
れない基であり、入手容易で安価なものを選択利用する
のが望ましい。R4,R5として、メチル基又はエチル基が
好ましい。式（II）と式（II′）は、互変異性体であ
る。
（III）の化合物は、従来既知の方法で製造することが
できる。式（III）におけるR4とR5は、目的物に導入さ
れない基であり、入手容易で安価なものを選択利用する
のが望ましい。R4,R5として、メチル基又はエチル基が
好ましい。式（II）と式（II′）は、互変異性体であ
る。
一般式（II）又は（II′）の化合物と一般式（III）の
化合物との反応は、無溶媒下又は不活性溶媒中で行うこ
とができる。好ましい溶媒の例として、ベンゼン，トル
エン，キシレン，テトラリン，デカリン，ジフェニルエ
ーテル等が挙げられる。反応温度としては、一般式（II
I）で表される化合物の熱分解温度を目安として、約100
℃から200℃程度の温度が用いられる。
化合物との反応は、無溶媒下又は不活性溶媒中で行うこ
とができる。好ましい溶媒の例として、ベンゼン，トル
エン，キシレン，テトラリン，デカリン，ジフェニルエ
ーテル等が挙げられる。反応温度としては、一般式（II
I）で表される化合物の熱分解温度を目安として、約100
℃から200℃程度の温度が用いられる。
また、一般式（III）で表される化合物の使用量は、一
般式（II）又は（II′）で表される化合物に対して１当
量以上、好ましくは1.2〜3.0当量の範囲である。
般式（II）又は（II′）で表される化合物に対して１当
量以上、好ましくは1.2〜3.0当量の範囲である。
本発明における一般式（Ｉ）の化合物のうち、R2がハロ
ゲン原子である化合物、即ち一般式（Ｉ″）： ［式中R1,R3は、一般式（Ｉ）における定義と同じ;R2は
ハロゲン原子を表す。］ で表される化合物は、一般式（IV）： ［式中R1,R3は、一般式（Ｉ）における定義と同じ。］ で表される化合物にハロゲン化剤を作用させることによ
って製造することができる。
ゲン原子である化合物、即ち一般式（Ｉ″）： ［式中R1,R3は、一般式（Ｉ）における定義と同じ;R2は
ハロゲン原子を表す。］ で表される化合物は、一般式（IV）： ［式中R1,R3は、一般式（Ｉ）における定義と同じ。］ で表される化合物にハロゲン化剤を作用させることによ
って製造することができる。
原料として用いる一般式（IV）の化合物は、上記に述べ
た方法で製造することができる。
た方法で製造することができる。
ハロゲン化剤としては、N-クロロコハク酸イミド,N-ブ
ロモコハク酸イミド，塩素，臭素，ヨウ素，塩化スルフ
リル等があげられる使用する。溶媒としては、塩化メチ
レン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレ
ン，テトラクロロエタン 等の塩素化炭化水素が好適である。また、反応系中に酸
が遊離する場合には、塩基の共存下反応を行うことによ
り好結果が得られる。用いられる塩基としては、炭酸ナ
トリウム，炭酸カリウム，炭酸リチウム，炭酸水素ナト
リウム，炭酸水素カリウム，水酸化ナトリウム，水酸化
カリウム，ピリジン，トリエチルアミン等が挙げられ
る。
ロモコハク酸イミド，塩素，臭素，ヨウ素，塩化スルフ
リル等があげられる使用する。溶媒としては、塩化メチ
レン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレ
ン，テトラクロロエタン 等の塩素化炭化水素が好適である。また、反応系中に酸
が遊離する場合には、塩基の共存下反応を行うことによ
り好結果が得られる。用いられる塩基としては、炭酸ナ
トリウム，炭酸カリウム，炭酸リチウム，炭酸水素ナト
リウム，炭酸水素カリウム，水酸化ナトリウム，水酸化
カリウム，ピリジン，トリエチルアミン等が挙げられ
る。
反応は、０℃付近から用いる溶媒の沸点までで行うこと
ができるが、０℃から約30℃の範囲で行うのが好まし
い。用いるハロゲン化剤の量は、式（IV）の化合物に対
し、当量もしくは少過剰量用いるのが好ましい。過剰に
用いた場合には、副生成物のできることがあり、また経
済的に不利である。
ができるが、０℃から約30℃の範囲で行うのが好まし
い。用いるハロゲン化剤の量は、式（IV）の化合物に対
し、当量もしくは少過剰量用いるのが好ましい。過剰に
用いた場合には、副生成物のできることがあり、また経
済的に不利である。
本発明における一般式（Ｉ）の化合物のうちR1がカルボ
キシ基又はその塩である化合物、即ち一般式（Ｉ）： ［式中R1″は、カルボキシ基又はその塩;R2′,R3は一般
式（Ｉ）における定義と同じ。］ で表される化合物は、一般式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表される化合物を加水分解することによって製造する
ことができる。
キシ基又はその塩である化合物、即ち一般式（Ｉ）： ［式中R1″は、カルボキシ基又はその塩;R2′,R3は一般
式（Ｉ）における定義と同じ。］ で表される化合物は、一般式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表される化合物を加水分解することによって製造する
ことができる。
原料として用いる一般式（Ｉ′）の化合物は、先に述べ
た方法で製造することができる。
た方法で製造することができる。
加水分解は、酸，アルカリ又はその他の方法が用いられ
る。酸による加水分解は、塩酸，硫酸又は臭化水素酸等
によって行うことができる。通常、室温から150℃の範
囲の温度で実施される。アルカリによる加水分解では、
アルカリとして水酸化ナトリウム，水酸化カリウムが一
般的に使われ、水溶液，メタノール溶液，エタノール溶
液中で室温もしくは加熱して反応させる。この場合に
は、R1″がカルボキシ基の塩であるのが得られるが、こ
れを鉱酸によって遊離カルボン酸にすることができる。
その他の加水分解としては、ルチジン，コリジン，ジメ
チルホルムアミドなどを溶媒として、ヨウ化リチウム，
臭化リチウム，シアン化ナトリウム又は酢酸ナトリウム
を加熱下に作用させ、しかる後に酸で処理する方法を挙
げることができる。
る。酸による加水分解は、塩酸，硫酸又は臭化水素酸等
によって行うことができる。通常、室温から150℃の範
囲の温度で実施される。アルカリによる加水分解では、
アルカリとして水酸化ナトリウム，水酸化カリウムが一
般的に使われ、水溶液，メタノール溶液，エタノール溶
液中で室温もしくは加熱して反応させる。この場合に
は、R1″がカルボキシ基の塩であるのが得られるが、こ
れを鉱酸によって遊離カルボン酸にすることができる。
その他の加水分解としては、ルチジン，コリジン，ジメ
チルホルムアミドなどを溶媒として、ヨウ化リチウム，
臭化リチウム，シアン化ナトリウム又は酢酸ナトリウム
を加熱下に作用させ、しかる後に酸で処理する方法を挙
げることができる。
式（Ｉ）において、R1″がカルボキシ基の塩である化
合物は、R1″がカルボキシ基である化合物と対応する塩
基との反応によって得ることができる。
合物は、R1″がカルボキシ基である化合物と対応する塩
基との反応によって得ることができる。
なお、本発明の製造法によって得られる本発明の化合物
（Ｉ）から、例えば下記ルートによって、一般式（Ｖ）
で示される除草活性を有する化合物が得られる。
（Ｉ）から、例えば下記ルートによって、一般式（Ｖ）
で示される除草活性を有する化合物が得られる。
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。
（実施例） 実施例１ メチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オ
キソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキシレート メチル α‐（ヘキサヒドロ‐2-アゼピニリデン）アセ
テート20.0g及びキシレン77mlの混合物を穏やかに加熱
還元させながら、2,2,6-トリメチル‐4H-1,3-ジオキシ
ン‐4-オン41.9gのキシレン（41ml）溶液を45分間かけ
て滴下し、更に２時間加熱還流を続けた。その間副生す
るアセトンは、ディーンスターク装置により系外に除去
した。反応混合物を室温まで放冷し、生じた結晶を別
洗浄し、減圧下で乾燥すると、メチル 2,6,7,8,9,10-
ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボキシレートが21.4g（収率77％）得ら
れた。
キソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキシレート メチル α‐（ヘキサヒドロ‐2-アゼピニリデン）アセ
テート20.0g及びキシレン77mlの混合物を穏やかに加熱
還元させながら、2,2,6-トリメチル‐4H-1,3-ジオキシ
ン‐4-オン41.9gのキシレン（41ml）溶液を45分間かけ
て滴下し、更に２時間加熱還流を続けた。その間副生す
るアセトンは、ディーンスターク装置により系外に除去
した。反応混合物を室温まで放冷し、生じた結晶を別
洗浄し、減圧下で乾燥すると、メチル 2,6,7,8,9,10-
ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボキシレートが21.4g（収率77％）得ら
れた。
融点:174〜176℃ IR（KBrディスク）:1628,1722cm-1 NMR（CDCl3）δ値:1.40〜2.00（m,6H）,2.28（s,3H）,
2.47〜2.97（m,2H）,3.83（s,3H）,3.70〜4.20（m,2
H）,6.09（s,1H） 実施例２ メチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メ
チル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキ
シレート 実施例１で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-
カルボキシレート14.1g、炭酸ナトリウム38.2g、及び塩
化メチレン178mlの混合物に 臭素3.69ml及び塩化メチレン89mlの混合物を室温で30分
間かけて滴下し、更に室温で１時間20分攪拌した。反応
混合物を10％重亜硫酸ナトリウム水溶液，飽和重曹水，
水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して
得た結晶性残さを酢酸エチルとメタノールの混合物が再
結晶すると、メチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサ
ヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボキシレートが15.7g（収率83％）得られた。
2.47〜2.97（m,2H）,3.83（s,3H）,3.70〜4.20（m,2
H）,6.09（s,1H） 実施例２ メチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メ
チル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキ
シレート 実施例１で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-
カルボキシレート14.1g、炭酸ナトリウム38.2g、及び塩
化メチレン178mlの混合物に 臭素3.69ml及び塩化メチレン89mlの混合物を室温で30分
間かけて滴下し、更に室温で１時間20分攪拌した。反応
混合物を10％重亜硫酸ナトリウム水溶液，飽和重曹水，
水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して
得た結晶性残さを酢酸エチルとメタノールの混合物が再
結晶すると、メチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサ
ヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボキシレートが15.7g（収率83％）得られた。
融点:212〜213℃ IR（KBrディスク）:1580,1620,1728cm-1 NMR（CDCl3）δ値:1.43〜2.10（m,6H）,2.47〜2.97（m,
2H）,2.62（s,3H）,3.83（s,3H）,3.90〜4.30（m,2H） 実施例３ 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-
オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例２で得られたメチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-
ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボキシレート15.5g及び10％水酸化ナト
リウム水溶液98gの混合物を100℃で３時間攪拌下に加熱
した。反応混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しなが
ら濃塩酸21.6ml加えた。析出した結晶を別，洗浄し、
減圧下で乾燥すると、3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサ
ヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボン酸が14.2g（収率97％）得られた。
2H）,2.62（s,3H）,3.83（s,3H）,3.90〜4.30（m,2H） 実施例３ 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-
オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例２で得られたメチル 3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-
ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボキシレート15.5g及び10％水酸化ナト
リウム水溶液98gの混合物を100℃で３時間攪拌下に加熱
した。反応混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しなが
ら濃塩酸21.6ml加えた。析出した結晶を別，洗浄し、
減圧下で乾燥すると、3-ブロモ‐2,6,7,8,9,10-ヘキサ
ヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボン酸が14.2g（収率97％）得られた。
融点:234〜239℃ IR（KBrディスク）:1600,1700cm-1 実施例４ 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐4-メチル‐2-オキソピリ
ド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例１で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-
カルボキシレート15.64g及び10％水酸化ナトリウム水溶
液134gの混合物を60℃で３時間攪拌下に加熱した。反応
混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しながら濃塩酸2
9.5mlを加えた。析出した結晶を別，洗浄し、減圧下
で乾燥すると、題記化合物が11.71g得られた。また、
液を塩化メチレンで抽出した後、濃縮して得られた結晶
性残さをメタノールと塩化メチレンとの混合溶媒から再
結晶すると、題記化合物が1.93g得られた。合計収率93
％。
ド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例１で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐4-メチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-
カルボキシレート15.64g及び10％水酸化ナトリウム水溶
液134gの混合物を60℃で３時間攪拌下に加熱した。反応
混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しながら濃塩酸2
9.5mlを加えた。析出した結晶を別，洗浄し、減圧下
で乾燥すると、題記化合物が11.71g得られた。また、
液を塩化メチレンで抽出した後、濃縮して得られた結晶
性残さをメタノールと塩化メチレンとの混合溶媒から再
結晶すると、題記化合物が1.93g得られた。合計収率93
％。
融点:187〜188℃ IR（KBrディスク）:1625,1640,1693cm-1 NMR（CDCl3−DMSO−d6）δ値:1.50〜2.10（m,6H）,2.47
（s,3H）,3.60〜4.10（m,2H）,4.10〜4.50（m,2H）,6.4
9（s,1H） 実施例５ メチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐3,4-ジメチル‐2
-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキシレート メチル α‐（ヘキサヒドロ‐2-アゼピニリデン）アセ
テート2.87g、2,2,5,6-テトラメチル‐4H-1,3-ジオキシ
ン‐4-オン6.63g及びメシチレン16mlの混合物を160℃で
２時間加熱した。その間に副生するアセトンは、ディー
ンスターク装置により系外に除去した。反応混合物を室
温まで放冷し、生じた結晶を別洗浄し、減圧下で乾燥
すると、題記化合物が3.26g（収率77％）得られた。
（s,3H）,3.60〜4.10（m,2H）,4.10〜4.50（m,2H）,6.4
9（s,1H） 実施例５ メチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐3,4-ジメチル‐2
-オキソピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボキシレート メチル α‐（ヘキサヒドロ‐2-アゼピニリデン）アセ
テート2.87g、2,2,5,6-テトラメチル‐4H-1,3-ジオキシ
ン‐4-オン6.63g及びメシチレン16mlの混合物を160℃で
２時間加熱した。その間に副生するアセトンは、ディー
ンスターク装置により系外に除去した。反応混合物を室
温まで放冷し、生じた結晶を別洗浄し、減圧下で乾燥
すると、題記化合物が3.26g（収率77％）得られた。
融点:164〜166℃ IR（KBrディスク）:1632,1735cm-1 NMR（CDCl3）δ値:1.50〜2.00（m,6H）,2.03（s,3H）,
2.30（s,3H）,2.55〜2.95（m,2H）,3.83（s,3H）,3.80
〜4.20（m,2H） 実施例６ 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐3,4-ジメチル‐2-オキソ
ピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例５で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐3,4-ジメチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボキシレート2.63g及び10％水酸化ナトリウム
水溶液21gの混合物を60℃で2.5時間攪拌下に加熱した。
反応混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しながら濃塩
酸4.6mlを加えた。析出した結晶を別，洗浄し、減圧
下で乾燥すると、題記化合物が1.33g得られた。また、
液を塩化メチレンで抽出した後、濃縮して得られた結
晶性残さをメタノールと塩化メチレンとの混合溶媒から
再結晶すると、題記化合物が1.04g得られた。合計収率9
5％。
2.30（s,3H）,2.55〜2.95（m,2H）,3.83（s,3H）,3.80
〜4.20（m,2H） 実施例６ 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒドロ‐3,4-ジメチル‐2-オキソ
ピリド［1,2-a］アゼピン‐1-カルボン酸 実施例５で得られたメチル 2,6,7,8,9,10-ヘキサヒド
ロ‐3,4-ジメチル‐2-オキソピリド［1,2-a］アゼピン
‐1-カルボキシレート2.63g及び10％水酸化ナトリウム
水溶液21gの混合物を60℃で2.5時間攪拌下に加熱した。
反応混合物を室温まで放冷後、氷水で冷却しながら濃塩
酸4.6mlを加えた。析出した結晶を別，洗浄し、減圧
下で乾燥すると、題記化合物が1.33g得られた。また、
液を塩化メチレンで抽出した後、濃縮して得られた結
晶性残さをメタノールと塩化メチレンとの混合溶媒から
再結晶すると、題記化合物が1.04g得られた。合計収率9
5％。
融点:188〜192℃ IR（KBrディスク）:1620,1658cm-1 NMR（CDCl3）δ値:1.50〜2.00（m,5H）,2.10（s,3H）,
2.46（s,3H）,3.70〜4.10（m,2H）,4.10〜4.50（m,2
H）,17.5〜18.9（br,1H）
2.46（s,3H）,3.70〜4.10（m,2H）,4.10〜4.50（m,2
H）,17.5〜18.9（br,1H）
Claims (4)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）： ［式中R1は、カルボキシル基もしくはその塩、低級アル
コキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基;R2
は、水素原子，ハロゲン原子，低級アルキル基，低級ア
ルケニル基，低級アルキニル基、又はハロゲン化低級ア
ルキル基;R3は、水素原子，低級アルキル基，ハロゲン
化低級アルキル基，シクロアルキル基，低級アルコキシ
アルキル基，低級アルキルチオアルキル基、又はハロゲ
ン原子，低級アルキル基，低級アルコキシ基，ハロゲン
化低級アルキル基，ニトロ基、もしくはシアノ基で置換
されてもよいフェニル基、核がハロゲン原子，低級アル
キル基、もしくは低級アルコキシ基で置換されてもよい
アラルキル基；又はR2とR3は一緒に、−（CH2）ｎ−
（ｎは３もしくは４）をそれぞれ意味する。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体。 - 【請求項２】一般式（II）又は（II′）： ［式（II）又は（II′）中R1′は、低級アルコキシカル
ボニル基、又はフェノキシカルボニル基を表す。］ で表される化合物と、一般式（III）： ［式中R2は、水素原子，ハロゲン原子，低級アルキル
基，低級アルケニル基，低級アルキニル基、又はハロゲ
ン化低級アルキル基;R3は、水素原子，低級アルキル
基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロアルキル基，低
級アルコキシアルキル基，低級アルキルチオアルキル
基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低級アルコキ
シ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ基、もしくは
シアノ基で置換されてもよいフェニル基、核がハロゲン
原子，低級アルキル基、もしくは低級アルコキシ基で置
換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3は一緒に、−
（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれぞれ意味す
る。R4,R5は、水素原子，アルキル基，フェニル基、又
はR4及びR5が、R4とR5の結合する炭素原子と共にシクロ
アルキル基を形成してもよい。］ で表される化合物とを反応させることを特徴とする一般
式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体の製造法。 - 【請求項３】一般式（IV）： ［式中R1は、カルボキシル基もしくはその塩、低級アル
コキシカルボニル基、又はフェノキシカルボニル基;R3
は、水素原子，低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキ
ル基，シクロアルキル基，低級アルコキシアルキル基，
低級アルキルチオアルキル基、又はハロゲン原子，低級
アルキル基，低級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキ
ル基，ニトロ基、もしくはシアノ基で置換されてもよい
フェニル基、核がハロゲン原子，低級アルキル基、もし
くは低級アルコキシ基で置換されてもよいアラルキル基
を意味する。］ で表される化合物にハロゲン化剤を作用させることを特
徴とする一般式一般式（Ｉ″）： ［式中R1,R3は、上記と同じ;R2′はハロゲン原子を表
す。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体の製造法。 - 【請求項４】一般式（Ｉ′）： ［式中R1′は、低級アルコキシカルボニル基、又はフェ
ノキシカルボニル基;R2は、水素原子，ハロゲン原子，
低級アルキル基，低級アルケニル基，低級アルキニル
基、又はハロゲン化低級アルキル基;R3は、水素原子，
低級アルキル基，ハロゲン化低級アルキル基，シクロア
ルキル基，低級アルコキシアルキル基，低級アルキルチ
オアルキル基、又はハロゲン原子，低級アルキル基，低
級アルコキシ基，ハロゲン化低級アルキル基，ニトロ
基、もしくはシアノ基で置換されてもよいフェニル基、
核がハロゲン原子，低級アルキル基、もしくは低級アル
コキシ基で置換されてもよいアラルキル基；又はR2とR3
は一緒に、−（CH2）ｎ−（ｎは３もしくは４）をそれ
ぞれ意味する。］ で表される化合物を加水分解することを特徴とする一般
式（Ｉ）： ［式中R1″は、カルボキシ基、又はその塩;R2,R3は上記
と同じ。］ で表されるヘキサヒドロ‐2-オキソピリド［1,2-a］ア
ゼピン‐1-カルボン酸誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28090188A JPH0710866B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ヘキサヒドロ‐２‐オキソピリド［１，２‐ａアゼピン‐１‐カルボン酸誘導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28090188A JPH0710866B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ヘキサヒドロ‐２‐オキソピリド［１，２‐ａアゼピン‐１‐カルボン酸誘導体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129185A JPH02129185A (ja) | 1990-05-17 |
| JPH0710866B2 true JPH0710866B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=17631524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28090188A Expired - Lifetime JPH0710866B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | ヘキサヒドロ‐２‐オキソピリド［１，２‐ａアゼピン‐１‐カルボン酸誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0710866B2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP28090188A patent/JPH0710866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02129185A (ja) | 1990-05-17 |
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