JPH0234942B2 - - Google Patents
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- JPH0234942B2 JPH0234942B2 JP56135892A JP13589281A JPH0234942B2 JP H0234942 B2 JPH0234942 B2 JP H0234942B2 JP 56135892 A JP56135892 A JP 56135892A JP 13589281 A JP13589281 A JP 13589281A JP H0234942 B2 JPH0234942 B2 JP H0234942B2
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- C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
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- C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
- C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
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- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Description
本発明は1,3―二置換イミダゾール誘導体お
よびその製造方法に関するものである。さらに詳
しく述べれば、本発明は医薬品として有用なイミ
ダゾール誘導体の重要な合成中間体である、一般
式 〔式中のAおよびBは同じでも異なつていても
よく、それぞれ炭素数1から3の直鎖状または枝
分かれ状アルキレン鎖であり、Dは炭素数2から
5の脂肪族アシル基、ベンゾイル基または炭素数
2から5のアルコキシカルボニル基であり、Qは
シアノ基または炭素数2から7のアルコキシカル
ボニル基であり、Xは酸残基であり、Zは
よびその製造方法に関するものである。さらに詳
しく述べれば、本発明は医薬品として有用なイミ
ダゾール誘導体の重要な合成中間体である、一般
式 〔式中のAおよびBは同じでも異なつていても
よく、それぞれ炭素数1から3の直鎖状または枝
分かれ状アルキレン鎖であり、Dは炭素数2から
5の脂肪族アシル基、ベンゾイル基または炭素数
2から5のアルコキシカルボニル基であり、Qは
シアノ基または炭素数2から7のアルコキシカル
ボニル基であり、Xは酸残基であり、Zは
【式】(ただし、Eは水素原子、ハロ
ゲン原子または炭素数1から3のアルコキシ基で
あり、Yは酸素原子またはイオウ原子であり、こ
の場合YはA,Bのいずれと結合してもよい)で
あり、nは0または1である。ただしYがBに結
合する場合nは0でない〕で表わされる1,3―
二置換イミダゾール誘導体およびその製造方法に
関するものである。 特開昭55−28927、特開昭55−85572、特開昭55
−100368において、一般式 (式中のRは水素原子または低級アルキル基で
あり、A,B,nおよびZは前記と同じ意味をも
つ)で表わされるイミダゾール誘導体および薬理
学的に許容される塩がトロンボキサン・シンセタ
ーゼ(Thromboxane・Synthetase)に対し強力
な阻害活性を有し、トロンボキサンA2
(Thromboxane A2)に起因する疾患の治療薬と
して有用であることが開示されている。これらの
特許出願においては前記一般式()で表わされ
る化合物の製造方法として、式 で表わされるイミダゾールと、一般式 X−A−Z−(B)o−COOR () (式中のA,B,n,R,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物とを反応さ
せる方法が開示されている。 しかしながら、上述の方法によつて前記一般式
()で表わされる化合物を製造する場合、四級
イミダゾリウム誘導体、すなわち一般式 (式中のA,B,n,R,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物が副生し、
一般式()で表わされる化合物の収量および純
度に多大な影響をおよぼしていた。この前記一般
式()で表わされるイミダゾリウム誘導体の副
生をおさえる方法として、原料の式()で表わ
されるイミダゾールを大過剰用いる方法、水素化
ナトリウムなどのような強い塩基を用いて反応を
行なう方法などが一般に行なわれているが、これ
らの方法はいずれも完全に副生をおさえるもので
はなく、しかも過剰量の原料の浪費、危険で取り
扱いにくい試薬の使用などの欠点があり、工業的
製造方法として必ずしも満足できる方法ではな
い。 本発明者らはこのような問題点を解決すべく検
討を重ねた結果、一般式()で表わされる化合
物から前記一般式()で表わされる化合物がき
わめて容易に、しかも純度よく高収率で得られる
ことを見出した。本発明はこのような知見にもと
ずくものであり、前記一般式()で表わされる
化合物の重要な製造中間体とその製造方法を提供
するものである。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
はきわめて容易に前記一般式()で表わされる
化合物に導びくことができる。すなわち、前記一
般式()で表わされる化合物を適量の水に溶解
し、室温〜120℃で10分〜3時間、酸または塩基
で処理することにより前記一般式()で表わさ
れる化合物とすることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
は、例えば一般式 (式中のDは前記と同じ意味をもつ)で表わさ
れる化合物と、一般式 X−A−Z−(B)o−Q () (式中のA,B,n,Q,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物とを反応さ
せることにより製造することができる。この反応
において原料として用いられる一般式()で表
わされるイミダゾール誘導体は公知化合物であ
り、文献〔J.Amer.Chem.Soc.74,6274(1952),
Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1,351(1962),
Chem.Ber.93,2804(1960),J.Org.Chem.45,
4038(1980)〕記載の方法により容易に製造するこ
とができ、たとえば1―アセチルイミダゾール、
1―プロピオニルイミダゾール、1―ベンゾイル
イミダゾール、1―エトキシカルボニルイミダゾ
ールなどをあげることができる。これらの化合物
の中で、その反応特性において好ましいものは1
―アシルイミダゾール誘導体であり、最も好まし
い化合物は1―アセチルイミダゾールである。 また、前記一般式()で表わされる化合物も
一般に公知の化合物であり、文献記載の方法〔J.
Chem.Soc.103(1942),J.Med.Chem.7(4),511
(1964),J.Med.Chem.8(3),356(1965),J.Med.
Chem.14(9),836(1971),Chem.Abstr.71,
p21898e(1969)〕またはこれらの類似の方法によ
り容易に製造することができる。このような例と
して、たとえば2―、3―または4―クロロメチ
ルフエノキシアセトニトリル、2―、3―または
4―ブロモメチルフエノキシアセトニトリル、2
―、3―または4―ヨードメチルフエノキシアセ
トニトリル、2―(2―、3―または4―クロロ
メチルフエノキシ)プロピオニトリル、2―(2
―、3―または4―ブロモメチルフエノキシ)プ
ロピオニトリル、2―(2―、3―または4―ヨ
ードメチルフエノキシ)プロピオニトリル、2―
(2―、3―または4―クロロメチルフエノキシ)
イソブチロニトリル、2―(2―、3―または4
―ブロモメチルフエノキシ)イソブチロニトリ
ル、2―(2―、3―または4―ヨードメチルフ
エノキシ)イソブチロニトリル、2―(2―、3
―または4―クロロメチルフエニルチオ)イソブ
チロニトリル、2―(2―、3―または4―ブロ
モメチルフエニルチオ)イソブチロニトリル、2
―(2―、3―または4―ヨードメチルフエニル
チオ)イソブチロニトリル、4――クロロ―2―
クロロメチルフエノキシアセトニトリル、4―ク
ロロ―2―ブロモメチルフエノキシアセトニトリ
ル、4―クロロ―2―ヨードメチルフエノキシア
セトニトリル、2―メトキシ―4―クロロメチル
フエノキシアセトニトリル、2―メトキシ―4―
ブロモメチルフエノキシアセトニトリル、2―メ
トキシ―4―ヨードメチルフエノキシアセトニト
リル、2―、3―または4―(2―ブロモエトキ
シ)ベンゾニトリル、2―、3―または4―(2
―ヨードエトキシ)ベンゾニトリル、2―、3―
または4―(2―p―トルエンスルホニルオキシ
エトキシ)ベンゾニトリル、3―〔4―(2―ブ
ロモエトキシ)フエニル〕プロピオニトリル、3
―〔4―(2―ヨードエトキシ)フエニル〕プロ
ピオニトリル、3―〔4―(2―p―トルエンス
ルホニルオキシエトキシ)フエニル〕プロピオニ
トリル、4―(3―ブロモプロポキシ)ベンゾニ
トリル、4―(3―ヨードプロポキシ)ベンゾニ
トリル、4―(3―p―トルエンスルホニルオキ
シプロポキシ)ベンゾニトリルなどのニトリル誘
導体および対応するカルボン酸の低級アルキルエ
ステル誘導体をあげることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
の製造方法は以下のようにして実施することがで
きる。すなわち、前記一般式()で表わされる
化合物と等モル量の前記一般式()で表わされ
る化合物とを無溶媒で、または不活性溶媒中、た
とえばクロロホルム、塩化メチレン、ベンゼン、
トルエン、アセトニトリル中、好ましくはアセト
ニトリル中で、室温〜120℃で30分〜一夜かきま
ぜる。反応終了後、必要により反応液に、あるい
は減圧下に溶媒を留去した後残留物に、適当な有
機溶媒、たとえばエチルエーテルを加え、析出す
る結晶または結晶性粉末をろ取し乾燥して目的物
を得る。 この反応においては前記一般式()に対応す
る副生成物はほとんどなく、また目的生成物が反
応系において塩の形で析出するために単離、精製
が容易で、不純物もほとんど混入しない。さらに
反応が中性条件下で行なわれ、かつ反応条件が緩
和であるため副反応がきわめて少なく、目的物が
高収率で得られる。さらにまた、本反応は等モル
の原料を使用し、いずれか一方の原料のみを過剰
量用いて浪費することがないので製造コストが廉
価である。本発明の前記一般式()で表わされ
る化合物から前記一般式()で表わされるイミ
ダゾール誘導体への変換は、前述したようにきわ
めて容易にしかもほとんど定量的に進行するた
め、目的物の前記一般式()で表わされる化合
物がきわめて高収率で、しかも非常に純度のよい
ものが得られる。 このように本発明の前記一般式()で表わさ
れる化合物から前記一般式()で表わされるイ
ミダゾール誘導体を製造する方法は、従来の方法
に比べて目的生成物の純度、収率、反応条件、反
応操作、製造コスト等多くの点できわめて優れた
方法であり、工業的製造方法として有用性の高い
製造方法である。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
としては、たとえば1―アセチル―3―〔2―
(エトキシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミ
ダゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(エトキシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミ
ダゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(シアノメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウムヨ
ージド、1―アセチル―3―〔4―(1―エトキ
シカルボニル―1―エトキシ)ベンジル〕イミダ
ゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(2―エトキシカルボニル―2―プロポキシ)ベ
ンジル〕イミダゾリウムブロミド、1―アセチル
―3―〔2―(エトキシカルボニルメトキシ)―
5―クロルベンジル〕イミダゾリウムブロミド、
1―アセチル―3―〔3―メトキシ―4―(エト
キシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリ
ウムヨージド、1―アセチル―3―〔4―(2―
エトキシカルボニル―2―プロピルチオ)ベンジ
ル〕イミダゾリウムブロミド、1―アセチル―3
―〔2―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)
エチル〕イミダゾリウムヨージド、1―アセチル
―3―〔2―(4―シアノフエノキシ)エチル〕
イミダゾリウムヨージド、1―アセチル―3―
〔3―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)プ
ロピル〕イミダゾリウムヨージド、1―ベンゾイ
ル―3―〔4―(2―エトキシカルボニル―2―
プロポキシ)ベンジル〕イミダゾリウムブロミ
ド、1―エトキシカルボニル―3―(4―エトキ
シカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウ
ムヨージドなどをあげることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
から導びかれる前記一般式()で表わされる化
合物は、トロンボキサン・シンセターゼに対し強
い阻害活性を有し、強力なトロンボキサンA2の
生合成阻害作用を示す。したがつて、前記一般式
()で表わされる化合物はトロンボキサンA2に
起因する疾患の治療薬としてきわめて有用であ
る。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
はきわめて容易に前記一般式()で表わされる
化合物に導びくことができる。本発明の前記一般
式()で表わされる化合物から前記一般式
()で表わされる化合物を製造する方法は、従
来の方法に比べ目的生成物の純度が高く収率も良
好であり、一方のみを過剰量使用することによる
原料の浪費がないので製造コストが廉価であり、
さらに反応条件が緩和で危険な試薬の使用もなく
安全であり、反応操作が簡単で製造設備の簡略化
が可能であるなど多くの点で工業的な製造方法と
してきわめて優れた製造方法である。従つて本発
明の前記一般式()で表わされる化合物は、医
薬品としてきわめて有用な化合物である前記一般
式()で表わされるイミダゾール誘導体の製造
中間体としてきわめて重要な化合物である。 以下に実施例および参考例を用いて本発明をさ
らに詳細に説明する。なお、各実施例および参考
例中にある融点はいずれも未補正である。 実施例 1 1―アセチルイミダゾール2.2gと4―ブロモ
メチルフエノキシ酢酸エチル5.46gとを乾燥アセ
トニトリル5mlに加え、60℃で2時間加熱する。
反応終了後減圧下に溶媒を留去し、残留物に乾燥
エーテルを加えてかきまぜ、析出する粉末をろ取
し、乾燥して1―アセチル―3―〔4―エトキシ
カルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウム
ブロミド7.5gを得る(98.6%)。無色、吸湿性ア
モルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1770,1745cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.20(t,3H,J=7Hz),1.92(s,
3H),4.20(q,2H,J=7Hz),4.82(s,
2H),5.45(s,2H),7.00(d,2H,J=
9Hz),7.48(d,2H,J=9Hz),7.73
(m,1H),7.85(1,1H),9.40(1,1H) 実施例 2 1―ベンゾイルイミダゾール1.7gと4―ブロ
モメチルフエノキシイソ酪酸エチル3.0gとを乾
燥アセトニトリル5mlに加え、室温で一夜かきま
ぜる。反応終了後反応液に乾燥エーテルを加えて
かきまぜ、析出する粉末をろ取し、乾燥して1―
ベンゾイル―3―〔4―(2―エトキシカルボニ
ル―2―プロポキシ)ベンジル〕イミダゾリウム
ブロミド4.7gを得る(定量的)。無色、吸湿性ア
モルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1780,1730cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.13(t,3H,J=7Hz),1.50(s,
6H),4.15(q,2H,J=7Hz),5.42(s,
2H),6.80(d,2H,J=8Hz),7.12〜
8.02(m,9H),9.29(m,1H) 実施例 3 1―アセチルイミダゾール2.2gと4―(2―
ブロモエトキシ)安息香酸エチル5.5gとヨウ化
ナトリウム3.0gとを乾燥アセトニトリル10mlに
加え、封管中窒素置換下100℃で6時間加熱する。
冷却後不溶物をろ去し、ろ液を減圧下に濃縮し、
残留物に乾燥エーテルを加えてかきまぜ、析出す
る粉末をろ取し、乾燥して1―アセチル―3―
〔2―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)エ
チル〕イミダゾリウムヨージド6.2gを得る(72
%)。無色、吸湿性アモルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1780,1705cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.30(t,3H,J=7Hz),1.90(s,
3H),4.30(q,2H,J=7Hz),4.10〜
4.76(m,4H),7.07(d,2H,J=9Hz),
7.45(m,1H),7.67(m,1H),7.92(d,
2H,J=9Hz),8.73(m,1H) 実施例 4 1―エトキシカルボニルイミダゾール1.4gと
4―クロロメチルフエノキシ酢酸エチル2.5gと
ヨウ化ナトリウム1.7gとを乾燥アセトニトリル
5mlに加え、室温で6時間かきまぜる。反応終了
後不溶物をろ去し、ろ液を減圧下に濃縮する。残
留物に乾燥エーテルを加えてかきまぜ、析出する
粉末をろ取し、乾燥して1―エトキシカルボニル
―3―〔4―(エトキシカルボニルメトキシ)ベ
ンジル〕イミダゾリウムヨージド4.6gを得る
(定量的)。無色、吸湿性アモルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1795,1750cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.13(t,3H,J=7Hz),1.35(t,
3H,J=7Hz),4.15(q,2H,J=7
Hz),4.53(q,2H,J=7Hz),4.77(s,
2H),5.48(s,2H),6.96(d,2H,J=
8Hz),7.49(d,2H,J=8Hz),7.94
(m,1H),8.10(m,1H),10.09(m,
1H) 実施例 5 実施例1〜4の方法と実質上同様の方法により
下記の化合物をそれぞれ合成することができる。
あり、Yは酸素原子またはイオウ原子であり、こ
の場合YはA,Bのいずれと結合してもよい)で
あり、nは0または1である。ただしYがBに結
合する場合nは0でない〕で表わされる1,3―
二置換イミダゾール誘導体およびその製造方法に
関するものである。 特開昭55−28927、特開昭55−85572、特開昭55
−100368において、一般式 (式中のRは水素原子または低級アルキル基で
あり、A,B,nおよびZは前記と同じ意味をも
つ)で表わされるイミダゾール誘導体および薬理
学的に許容される塩がトロンボキサン・シンセタ
ーゼ(Thromboxane・Synthetase)に対し強力
な阻害活性を有し、トロンボキサンA2
(Thromboxane A2)に起因する疾患の治療薬と
して有用であることが開示されている。これらの
特許出願においては前記一般式()で表わされ
る化合物の製造方法として、式 で表わされるイミダゾールと、一般式 X−A−Z−(B)o−COOR () (式中のA,B,n,R,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物とを反応さ
せる方法が開示されている。 しかしながら、上述の方法によつて前記一般式
()で表わされる化合物を製造する場合、四級
イミダゾリウム誘導体、すなわち一般式 (式中のA,B,n,R,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物が副生し、
一般式()で表わされる化合物の収量および純
度に多大な影響をおよぼしていた。この前記一般
式()で表わされるイミダゾリウム誘導体の副
生をおさえる方法として、原料の式()で表わ
されるイミダゾールを大過剰用いる方法、水素化
ナトリウムなどのような強い塩基を用いて反応を
行なう方法などが一般に行なわれているが、これ
らの方法はいずれも完全に副生をおさえるもので
はなく、しかも過剰量の原料の浪費、危険で取り
扱いにくい試薬の使用などの欠点があり、工業的
製造方法として必ずしも満足できる方法ではな
い。 本発明者らはこのような問題点を解決すべく検
討を重ねた結果、一般式()で表わされる化合
物から前記一般式()で表わされる化合物がき
わめて容易に、しかも純度よく高収率で得られる
ことを見出した。本発明はこのような知見にもと
ずくものであり、前記一般式()で表わされる
化合物の重要な製造中間体とその製造方法を提供
するものである。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
はきわめて容易に前記一般式()で表わされる
化合物に導びくことができる。すなわち、前記一
般式()で表わされる化合物を適量の水に溶解
し、室温〜120℃で10分〜3時間、酸または塩基
で処理することにより前記一般式()で表わさ
れる化合物とすることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
は、例えば一般式 (式中のDは前記と同じ意味をもつ)で表わさ
れる化合物と、一般式 X−A−Z−(B)o−Q () (式中のA,B,n,Q,XおよびZは前記と
同じ意味をもつ)で表わされる化合物とを反応さ
せることにより製造することができる。この反応
において原料として用いられる一般式()で表
わされるイミダゾール誘導体は公知化合物であ
り、文献〔J.Amer.Chem.Soc.74,6274(1952),
Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1,351(1962),
Chem.Ber.93,2804(1960),J.Org.Chem.45,
4038(1980)〕記載の方法により容易に製造するこ
とができ、たとえば1―アセチルイミダゾール、
1―プロピオニルイミダゾール、1―ベンゾイル
イミダゾール、1―エトキシカルボニルイミダゾ
ールなどをあげることができる。これらの化合物
の中で、その反応特性において好ましいものは1
―アシルイミダゾール誘導体であり、最も好まし
い化合物は1―アセチルイミダゾールである。 また、前記一般式()で表わされる化合物も
一般に公知の化合物であり、文献記載の方法〔J.
Chem.Soc.103(1942),J.Med.Chem.7(4),511
(1964),J.Med.Chem.8(3),356(1965),J.Med.
Chem.14(9),836(1971),Chem.Abstr.71,
p21898e(1969)〕またはこれらの類似の方法によ
り容易に製造することができる。このような例と
して、たとえば2―、3―または4―クロロメチ
ルフエノキシアセトニトリル、2―、3―または
4―ブロモメチルフエノキシアセトニトリル、2
―、3―または4―ヨードメチルフエノキシアセ
トニトリル、2―(2―、3―または4―クロロ
メチルフエノキシ)プロピオニトリル、2―(2
―、3―または4―ブロモメチルフエノキシ)プ
ロピオニトリル、2―(2―、3―または4―ヨ
ードメチルフエノキシ)プロピオニトリル、2―
(2―、3―または4―クロロメチルフエノキシ)
イソブチロニトリル、2―(2―、3―または4
―ブロモメチルフエノキシ)イソブチロニトリ
ル、2―(2―、3―または4―ヨードメチルフ
エノキシ)イソブチロニトリル、2―(2―、3
―または4―クロロメチルフエニルチオ)イソブ
チロニトリル、2―(2―、3―または4―ブロ
モメチルフエニルチオ)イソブチロニトリル、2
―(2―、3―または4―ヨードメチルフエニル
チオ)イソブチロニトリル、4――クロロ―2―
クロロメチルフエノキシアセトニトリル、4―ク
ロロ―2―ブロモメチルフエノキシアセトニトリ
ル、4―クロロ―2―ヨードメチルフエノキシア
セトニトリル、2―メトキシ―4―クロロメチル
フエノキシアセトニトリル、2―メトキシ―4―
ブロモメチルフエノキシアセトニトリル、2―メ
トキシ―4―ヨードメチルフエノキシアセトニト
リル、2―、3―または4―(2―ブロモエトキ
シ)ベンゾニトリル、2―、3―または4―(2
―ヨードエトキシ)ベンゾニトリル、2―、3―
または4―(2―p―トルエンスルホニルオキシ
エトキシ)ベンゾニトリル、3―〔4―(2―ブ
ロモエトキシ)フエニル〕プロピオニトリル、3
―〔4―(2―ヨードエトキシ)フエニル〕プロ
ピオニトリル、3―〔4―(2―p―トルエンス
ルホニルオキシエトキシ)フエニル〕プロピオニ
トリル、4―(3―ブロモプロポキシ)ベンゾニ
トリル、4―(3―ヨードプロポキシ)ベンゾニ
トリル、4―(3―p―トルエンスルホニルオキ
シプロポキシ)ベンゾニトリルなどのニトリル誘
導体および対応するカルボン酸の低級アルキルエ
ステル誘導体をあげることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
の製造方法は以下のようにして実施することがで
きる。すなわち、前記一般式()で表わされる
化合物と等モル量の前記一般式()で表わされ
る化合物とを無溶媒で、または不活性溶媒中、た
とえばクロロホルム、塩化メチレン、ベンゼン、
トルエン、アセトニトリル中、好ましくはアセト
ニトリル中で、室温〜120℃で30分〜一夜かきま
ぜる。反応終了後、必要により反応液に、あるい
は減圧下に溶媒を留去した後残留物に、適当な有
機溶媒、たとえばエチルエーテルを加え、析出す
る結晶または結晶性粉末をろ取し乾燥して目的物
を得る。 この反応においては前記一般式()に対応す
る副生成物はほとんどなく、また目的生成物が反
応系において塩の形で析出するために単離、精製
が容易で、不純物もほとんど混入しない。さらに
反応が中性条件下で行なわれ、かつ反応条件が緩
和であるため副反応がきわめて少なく、目的物が
高収率で得られる。さらにまた、本反応は等モル
の原料を使用し、いずれか一方の原料のみを過剰
量用いて浪費することがないので製造コストが廉
価である。本発明の前記一般式()で表わされ
る化合物から前記一般式()で表わされるイミ
ダゾール誘導体への変換は、前述したようにきわ
めて容易にしかもほとんど定量的に進行するた
め、目的物の前記一般式()で表わされる化合
物がきわめて高収率で、しかも非常に純度のよい
ものが得られる。 このように本発明の前記一般式()で表わさ
れる化合物から前記一般式()で表わされるイ
ミダゾール誘導体を製造する方法は、従来の方法
に比べて目的生成物の純度、収率、反応条件、反
応操作、製造コスト等多くの点できわめて優れた
方法であり、工業的製造方法として有用性の高い
製造方法である。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
としては、たとえば1―アセチル―3―〔2―
(エトキシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミ
ダゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(エトキシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミ
ダゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(シアノメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウムヨ
ージド、1―アセチル―3―〔4―(1―エトキ
シカルボニル―1―エトキシ)ベンジル〕イミダ
ゾリウムブロミド、1―アセチル―3―〔4―
(2―エトキシカルボニル―2―プロポキシ)ベ
ンジル〕イミダゾリウムブロミド、1―アセチル
―3―〔2―(エトキシカルボニルメトキシ)―
5―クロルベンジル〕イミダゾリウムブロミド、
1―アセチル―3―〔3―メトキシ―4―(エト
キシカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリ
ウムヨージド、1―アセチル―3―〔4―(2―
エトキシカルボニル―2―プロピルチオ)ベンジ
ル〕イミダゾリウムブロミド、1―アセチル―3
―〔2―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)
エチル〕イミダゾリウムヨージド、1―アセチル
―3―〔2―(4―シアノフエノキシ)エチル〕
イミダゾリウムヨージド、1―アセチル―3―
〔3―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)プ
ロピル〕イミダゾリウムヨージド、1―ベンゾイ
ル―3―〔4―(2―エトキシカルボニル―2―
プロポキシ)ベンジル〕イミダゾリウムブロミ
ド、1―エトキシカルボニル―3―(4―エトキ
シカルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウ
ムヨージドなどをあげることができる。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
から導びかれる前記一般式()で表わされる化
合物は、トロンボキサン・シンセターゼに対し強
い阻害活性を有し、強力なトロンボキサンA2の
生合成阻害作用を示す。したがつて、前記一般式
()で表わされる化合物はトロンボキサンA2に
起因する疾患の治療薬としてきわめて有用であ
る。 本発明の前記一般式()で表わされる化合物
はきわめて容易に前記一般式()で表わされる
化合物に導びくことができる。本発明の前記一般
式()で表わされる化合物から前記一般式
()で表わされる化合物を製造する方法は、従
来の方法に比べ目的生成物の純度が高く収率も良
好であり、一方のみを過剰量使用することによる
原料の浪費がないので製造コストが廉価であり、
さらに反応条件が緩和で危険な試薬の使用もなく
安全であり、反応操作が簡単で製造設備の簡略化
が可能であるなど多くの点で工業的な製造方法と
してきわめて優れた製造方法である。従つて本発
明の前記一般式()で表わされる化合物は、医
薬品としてきわめて有用な化合物である前記一般
式()で表わされるイミダゾール誘導体の製造
中間体としてきわめて重要な化合物である。 以下に実施例および参考例を用いて本発明をさ
らに詳細に説明する。なお、各実施例および参考
例中にある融点はいずれも未補正である。 実施例 1 1―アセチルイミダゾール2.2gと4―ブロモ
メチルフエノキシ酢酸エチル5.46gとを乾燥アセ
トニトリル5mlに加え、60℃で2時間加熱する。
反応終了後減圧下に溶媒を留去し、残留物に乾燥
エーテルを加えてかきまぜ、析出する粉末をろ取
し、乾燥して1―アセチル―3―〔4―エトキシ
カルボニルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウム
ブロミド7.5gを得る(98.6%)。無色、吸湿性ア
モルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1770,1745cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.20(t,3H,J=7Hz),1.92(s,
3H),4.20(q,2H,J=7Hz),4.82(s,
2H),5.45(s,2H),7.00(d,2H,J=
9Hz),7.48(d,2H,J=9Hz),7.73
(m,1H),7.85(1,1H),9.40(1,1H) 実施例 2 1―ベンゾイルイミダゾール1.7gと4―ブロ
モメチルフエノキシイソ酪酸エチル3.0gとを乾
燥アセトニトリル5mlに加え、室温で一夜かきま
ぜる。反応終了後反応液に乾燥エーテルを加えて
かきまぜ、析出する粉末をろ取し、乾燥して1―
ベンゾイル―3―〔4―(2―エトキシカルボニ
ル―2―プロポキシ)ベンジル〕イミダゾリウム
ブロミド4.7gを得る(定量的)。無色、吸湿性ア
モルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1780,1730cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.13(t,3H,J=7Hz),1.50(s,
6H),4.15(q,2H,J=7Hz),5.42(s,
2H),6.80(d,2H,J=8Hz),7.12〜
8.02(m,9H),9.29(m,1H) 実施例 3 1―アセチルイミダゾール2.2gと4―(2―
ブロモエトキシ)安息香酸エチル5.5gとヨウ化
ナトリウム3.0gとを乾燥アセトニトリル10mlに
加え、封管中窒素置換下100℃で6時間加熱する。
冷却後不溶物をろ去し、ろ液を減圧下に濃縮し、
残留物に乾燥エーテルを加えてかきまぜ、析出す
る粉末をろ取し、乾燥して1―アセチル―3―
〔2―(4―エトキシカルボニルフエノキシ)エ
チル〕イミダゾリウムヨージド6.2gを得る(72
%)。無色、吸湿性アモルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1780,1705cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.30(t,3H,J=7Hz),1.90(s,
3H),4.30(q,2H,J=7Hz),4.10〜
4.76(m,4H),7.07(d,2H,J=9Hz),
7.45(m,1H),7.67(m,1H),7.92(d,
2H,J=9Hz),8.73(m,1H) 実施例 4 1―エトキシカルボニルイミダゾール1.4gと
4―クロロメチルフエノキシ酢酸エチル2.5gと
ヨウ化ナトリウム1.7gとを乾燥アセトニトリル
5mlに加え、室温で6時間かきまぜる。反応終了
後不溶物をろ去し、ろ液を減圧下に濃縮する。残
留物に乾燥エーテルを加えてかきまぜ、析出する
粉末をろ取し、乾燥して1―エトキシカルボニル
―3―〔4―(エトキシカルボニルメトキシ)ベ
ンジル〕イミダゾリウムヨージド4.6gを得る
(定量的)。無色、吸湿性アモルフアス。 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1795,1750cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:1.13(t,3H,J=7Hz),1.35(t,
3H,J=7Hz),4.15(q,2H,J=7
Hz),4.53(q,2H,J=7Hz),4.77(s,
2H),5.48(s,2H),6.96(d,2H,J=
8Hz),7.49(d,2H,J=8Hz),7.94
(m,1H),8.10(m,1H),10.09(m,
1H) 実施例 5 実施例1〜4の方法と実質上同様の方法により
下記の化合物をそれぞれ合成することができる。
【表】
【表】
参考例 1
1―アセチル―3―〔4―(エトキシカルボニ
ルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウムブロミド
7.5gを水50mlに溶かし、これに炭素水素ナトリ
ウムを加えて弱アルカリ性にする。遊離する油状
物をクロロホルムで抽出し、水洗後無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して4―
(1―イミダゾリルメチル)フエノキシ酢酸エチ
ル4.3gを得る(83.9%)。淡黄色油状物質。 赤外線吸収スペクトル(neat) νCO:1760cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3) δ:1.30(t,3H,J=7Hz),4.25(q,
2H,J=7Hz),4.55(s,2H),5.10(s,
2H),6.77〜7.72(m,7H) 元素分析値 C14H16O3N2として C% H% N% 計算値 64.60 6.20 10.76 実測値 64.55 6.31 10.60 4―(1―イミダゾリルメチル)フエノキシ酢
酸エチル2.3gを水酸化ナトリウム0.42gと水30
mlとの溶液を加え室温で20分かきまぜる。反応終
了後反応液に希塩酸を加えて酸性とし、反応混合
物を減圧下に濃縮乾固する。残留結晶を水から再
結晶して4―(1―イミダゾリルメチル)フエノ
キシ酢酸・塩酸塩・一水和物2.4gを得る(94.9
%)。無色、針状晶。 融 点 92〜96℃ 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1755cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:4.67(s,2H),5.40(s,2H),6.88
(d,2H),7.38(d,2H),7.60(t,
1H),7.75(t,1H),9.45(m,1H) 元素分析値 C12H12O3N2・HCl・H2Oとして C% H% N% 計算値 50.27 5.27 9.73 実測値 50.16 5.22 9.85 参考例 2 1―アセチル―3―〔2―(4―エトキシカル
ボニルフエノキシ)エチル〕イミダゾリウムヨー
ジド1.3gに2N―塩酸100mlを加え、80℃で2時
間加熱する。冷却後活性炭処理をし、減圧下に溶
媒を留去する。残留物にアセトンを加え、析出す
る結晶をろ取し、乾燥して4―〔2―(1―イミ
ダゾリル)エトキシ〕安息香酸・塩酸塩0.64gを
得る(79.0%)。無色、粒状晶。 融 点 230〜235℃ 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1675cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:4.45〜4.65(m,2H),4.65〜4.85(m,
2H),7.03(d,2H,J=8Hz),7.74(m,
1H),7.91(d,2H,J=8Hz),7.93(m,
1H),9.37(m,1H) 元素分析値 C12H12O3N2・HClとして C% H% N% 計算値 53.64 4.88 10.43 実測値 53.55 4.68 10.16
ルメトキシ)ベンジル〕イミダゾリウムブロミド
7.5gを水50mlに溶かし、これに炭素水素ナトリ
ウムを加えて弱アルカリ性にする。遊離する油状
物をクロロホルムで抽出し、水洗後無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して4―
(1―イミダゾリルメチル)フエノキシ酢酸エチ
ル4.3gを得る(83.9%)。淡黄色油状物質。 赤外線吸収スペクトル(neat) νCO:1760cm-1 核磁気共鳴スペクトル(CDCl3) δ:1.30(t,3H,J=7Hz),4.25(q,
2H,J=7Hz),4.55(s,2H),5.10(s,
2H),6.77〜7.72(m,7H) 元素分析値 C14H16O3N2として C% H% N% 計算値 64.60 6.20 10.76 実測値 64.55 6.31 10.60 4―(1―イミダゾリルメチル)フエノキシ酢
酸エチル2.3gを水酸化ナトリウム0.42gと水30
mlとの溶液を加え室温で20分かきまぜる。反応終
了後反応液に希塩酸を加えて酸性とし、反応混合
物を減圧下に濃縮乾固する。残留結晶を水から再
結晶して4―(1―イミダゾリルメチル)フエノ
キシ酢酸・塩酸塩・一水和物2.4gを得る(94.9
%)。無色、針状晶。 融 点 92〜96℃ 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1755cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:4.67(s,2H),5.40(s,2H),6.88
(d,2H),7.38(d,2H),7.60(t,
1H),7.75(t,1H),9.45(m,1H) 元素分析値 C12H12O3N2・HCl・H2Oとして C% H% N% 計算値 50.27 5.27 9.73 実測値 50.16 5.22 9.85 参考例 2 1―アセチル―3―〔2―(4―エトキシカル
ボニルフエノキシ)エチル〕イミダゾリウムヨー
ジド1.3gに2N―塩酸100mlを加え、80℃で2時
間加熱する。冷却後活性炭処理をし、減圧下に溶
媒を留去する。残留物にアセトンを加え、析出す
る結晶をろ取し、乾燥して4―〔2―(1―イミ
ダゾリル)エトキシ〕安息香酸・塩酸塩0.64gを
得る(79.0%)。無色、粒状晶。 融 点 230〜235℃ 赤外線吸収スペクトル(KBr) νCO:1675cm-1 核磁気共鳴スペクトル(d6―DMSO) δ:4.45〜4.65(m,2H),4.65〜4.85(m,
2H),7.03(d,2H,J=8Hz),7.74(m,
1H),7.91(d,2H,J=8Hz),7.93(m,
1H),9.37(m,1H) 元素分析値 C12H12O3N2・HClとして C% H% N% 計算値 53.64 4.88 10.43 実測値 53.55 4.68 10.16
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中のAおよびBは同じでも異なつていても
よく、それぞれ炭素数1から3の直鎖状または枝
分かれ状アルキレン鎖であり、Dは炭素数2から
5の脂肪族アシル基、ベンゾイル基または炭素数
2から5のアルコキシカルボニル基であり、Qは
シアノ基または炭素数2から7のアルコキシカル
ボニル基であり、Xは酸残基であり、Zは
【式】(ただし、Eは水素原子、ハロ ゲン原子または炭素数1から3のアルコキシ基で
あり、Yは酸素原子またはイオウ原子であり、こ
の場合YはA,Bのいずれと結合してもよい)で
あり、nは0または1である。ただしYがBに結
合する場合nは0でない〕で表わされる1,3―
二置換イミダゾール誘導体。 2 一般式 (式中のA,B,D,E,Q,n,XおよびY
は前記と同じ意味をもつ)で表わされる特許請求
の範囲第1項記載のイミダゾール誘導体。 3 前記一般式においてDが炭素数2から5の脂
肪族アシル基またはベンゾイル基である特許請求
の範囲第2項記載のイミダゾール誘導体。 4 前記一般式においてDがアセチル基である特
許請求の範囲第3項記載のイミダゾール誘導体。 5 前記一般式においてDがベンゾイル基である
特許請求の範囲第3項記載のイミダゾール誘導
体。 6 一般式 (式中のA,B,D,E,Q,n,XおよびY
は前記と同じ意味をもつ)で表わされる特許請求
の範囲第1項記載のイミダゾール誘導体。 7 前記一般式においてDが炭素数2から5の脂
肪族アシル基またはベンゾイル基である特許請求
の範囲第6項記載のイミダゾール誘導体。 8 前記一般式においてDがアセチル基である特
許請求の範囲第7項記載のイミダゾール誘導体。 9 前記一般式においてDがベンゾイル基である
特許請求の範囲第7項記載のイミダゾール誘導
体。 10 式 で表わされる特許請求の範囲第2項記載のイミダ
ゾール誘導体。 11 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 12 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 13 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 14 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 15 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 16 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 17 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 18 式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダ
ゾール誘導体。 19 式 で表わされる特許請求の範囲第5項記載のイミダ
ゾール誘導体。 20 式 で表わされる特許請求の範囲第8項記載のイミダ
ゾール誘導体。 21 式 で表わされる特許請求の範囲第8項記載のイミダ
ゾール誘導体。 22 式 で表わされる特許請求の範囲第8項記載のイミダ
ゾール誘導体。 23 一般式 (式中のDは炭素数2から5の脂肪族アシル
基、ベンゾイル基または炭素数2から5のアルコ
キシカルボニル基である)で表わされるイミダゾ
ール誘導体と、一般式 X−A−Z−(B)o−Q 〔式中のAおよびBは同じでも異なつていても
よく、それぞれ炭素数1から3の直鎖状または枝
分かれ状アルキレン鎖であり、Qはシアノ基また
は炭素数2から7のアルコキシカルボニル基であ
り、Xは酸残基であり、Zは【式】 (ただし、Eは水素原子、ハロゲン原子または
炭素数1から3のアルコキシ基であり、Yは酸素
原子またはイオウ原子であり、この場合YはA,
Bのいずれと結合してもよい)であり、nは0ま
たは1である。ただしYがBに結合する場合nは
0でない〕で表わされる化合物とを反応させるこ
とを特徴とする一般式 (式中のA,B,D,Q,X,Zおよびnは前
記と同じ意味をもつ)で表わされる1,3―二置
換イミダゾール誘導体の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56135892A JPS5838261A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | 新規な1,3−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
DE19823231449 DE3231449A1 (de) | 1981-08-29 | 1982-08-24 | Imidazolderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
GB08224705A GB2106512B (en) | 1981-08-29 | 1982-08-27 | Imidazole derivatives and a process for their preparation |
IT8249042A IT8249042A0 (it) | 1981-08-29 | 1982-08-27 | Derivati imidazolici e procedimento per la loro preparazione |
FR8214715A FR2512020A1 (fr) | 1981-08-29 | 1982-08-27 | Derives d'imidazole et procede de preparation de ceux-ci |
US06/413,204 US4461905A (en) | 1981-08-29 | 1982-08-30 | Imidazole derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56135892A JPS5838261A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | 新規な1,3−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5838261A JPS5838261A (ja) | 1983-03-05 |
JPH0234942B2 true JPH0234942B2 (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=15162236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56135892A Granted JPS5838261A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | 新規な1,3−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (6)
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---|---|
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JP (1) | JPS5838261A (ja) |
DE (1) | DE3231449A1 (ja) |
FR (1) | FR2512020A1 (ja) |
GB (1) | GB2106512B (ja) |
IT (1) | IT8249042A0 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US6300514B1 (en) | 1997-06-25 | 2001-10-09 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Aryl (sulfide, sulfoxide and sulfone) derivatives and drugs containing the same as the active ingredient |
USD788588S1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-06 | Graham Packaging Company, L.P. | Container |
USD784817S1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-04-25 | Graham Packaging Company, L.P. | Container |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5951943B2 (ja) * | 1978-08-21 | 1984-12-17 | キツセイ薬品工業株式会社 | 新規なイミダゾ−ル誘導体 |
US4298603A (en) * | 1979-12-06 | 1981-11-03 | Industrial Technology Research Institute | O-Aminoalkylsalicylates |
US4366036A (en) * | 1981-09-08 | 1982-12-28 | Occidental Chemical Corporation | Additive and alkaline zinc electroplating bath and process using same |
-
1981
- 1981-08-29 JP JP56135892A patent/JPS5838261A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-24 DE DE19823231449 patent/DE3231449A1/de not_active Withdrawn
- 1982-08-27 FR FR8214715A patent/FR2512020A1/fr not_active Withdrawn
- 1982-08-27 IT IT8249042A patent/IT8249042A0/it unknown
- 1982-08-27 GB GB08224705A patent/GB2106512B/en not_active Expired
- 1982-08-30 US US06/413,204 patent/US4461905A/en not_active Expired - Fee Related
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DE3231449A1 (de) | 1983-03-10 |
FR2512020A1 (fr) | 1983-03-04 |
GB2106512A (en) | 1983-04-13 |
IT8249042A0 (it) | 1982-08-27 |
GB2106512B (en) | 1985-08-21 |
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