JPH0697195A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0697195A JPH0697195A JP24359492A JP24359492A JPH0697195A JP H0697195 A JPH0697195 A JP H0697195A JP 24359492 A JP24359492 A JP 24359492A JP 24359492 A JP24359492 A JP 24359492A JP H0697195 A JPH0697195 A JP H0697195A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- polysilicon
- tft
- forming
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はＴＦＴの製造工程を簡略化することを
目的とする。 【構成】従来製造工程に取り入れられていた水素プラズ
マ雰囲気で基板を処理する工程を省略して、製造上必ず
必要な配線用の金属材料等を形成する時水素を含む雰囲
気で処理する。 【効果】ＴＦＴ特性の向上だけを目的とした工程を省略
できる。
目的とする。 【構成】従来製造工程に取り入れられていた水素プラズ
マ雰囲気で基板を処理する工程を省略して、製造上必ず
必要な配線用の金属材料等を形成する時水素を含む雰囲
気で処理する。 【効果】ＴＦＴ特性の向上だけを目的とした工程を省略
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、薄膜トランジスターの特性を向上させる方法に
関する。
に係り、薄膜トランジスターの特性を向上させる方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来における薄膜トランジスター
（以下ＴＦＴと言う）の製造方法の一例を説明する断面
図である。基板１４の表面に第１のポリシリコン１５を
形成し、そのポリシリコンを熱酸化するか又はＣＶＤ法
等に依ってゲート絶縁膜１６を形成する。さらにゲート
電極材料として高濃度不純物を拡散した第２のポリシリ
コン１７を形成・パターニングし、このゲート電極１７
をマスクとしてイオン打ち込みにより第１のポリシリコ
ン１５の互いに隔たった領域にリン乃至ボロン等の不純
物を拡散して、ソース領域１８とドレイン領域１９を形
成し、さらに層間絶縁膜２０を形成する。最後にこの層
間絶縁膜２０にコンタクトホール２１、２２、２３を形
成した後配線用の金属材料を形成・パターニングして、
ソース配線２４、ドレイン配線２６とゲート配線２５と
してＴＦＴが完成する。
（以下ＴＦＴと言う）の製造方法の一例を説明する断面
図である。基板１４の表面に第１のポリシリコン１５を
形成し、そのポリシリコンを熱酸化するか又はＣＶＤ法
等に依ってゲート絶縁膜１６を形成する。さらにゲート
電極材料として高濃度不純物を拡散した第２のポリシリ
コン１７を形成・パターニングし、このゲート電極１７
をマスクとしてイオン打ち込みにより第１のポリシリコ
ン１５の互いに隔たった領域にリン乃至ボロン等の不純
物を拡散して、ソース領域１８とドレイン領域１９を形
成し、さらに層間絶縁膜２０を形成する。最後にこの層
間絶縁膜２０にコンタクトホール２１、２２、２３を形
成した後配線用の金属材料を形成・パターニングして、
ソース配線２４、ドレイン配線２６とゲート配線２５と
してＴＦＴが完成する。
【０００３】さらに従来のＴＦＴ製造方法に於いてはト
ランジスターの特性向上の為、この後絶縁膜２７の形成
をプラズマ法等にて水素雰囲気で行なうことが知られて
いた。これにより、水素が第１のポリシリコン１５に達
して、その結晶の不完全さによるダングリンボンドを減
少させ、さらにゲート絶縁膜１６と第１のポリシリコン
１５との界面のステートをも減少させてトランジスター
特性を向上させるものである。また別のトランジスター
特性の向上手段として、絶縁膜２７を形成せずに水素雰
囲気中のプラズマで基板を処理し、上記と同様にダング
リンボンド及びステートを減少させていた。
ランジスターの特性向上の為、この後絶縁膜２７の形成
をプラズマ法等にて水素雰囲気で行なうことが知られて
いた。これにより、水素が第１のポリシリコン１５に達
して、その結晶の不完全さによるダングリンボンドを減
少させ、さらにゲート絶縁膜１６と第１のポリシリコン
１５との界面のステートをも減少させてトランジスター
特性を向上させるものである。また別のトランジスター
特性の向上手段として、絶縁膜２７を形成せずに水素雰
囲気中のプラズマで基板を処理し、上記と同様にダング
リンボンド及びステートを減少させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に従来技術で
は、ＴＦＴの特性向上の為だけの工程が必要であり、そ
の分ＴＦＴの製造工程が長くなる欠点を有していた。
は、ＴＦＴの特性向上の為だけの工程が必要であり、そ
の分ＴＦＴの製造工程が長くなる欠点を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体装置の製造に於い
て必ず必要となる配線用材料を、水素を含む雰囲気で処
理し形成する事を特徴とする。
て必ず必要となる配線用材料を、水素を含む雰囲気で処
理し形成する事を特徴とする。
【０００６】
【作用】半導体装置の製造に必ず必要となる配線用の金
属材料を、水素を含む雰囲気での処理をし形成する事に
より、従来における様な絶縁膜のスパッタ工程、又は水
素プラズマ処理工程が必要なくなり、工程が簡略化でき
る。
属材料を、水素を含む雰囲気での処理をし形成する事に
より、従来における様な絶縁膜のスパッタ工程、又は水
素プラズマ処理工程が必要なくなり、工程が簡略化でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図１に依り説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例を説明する断面図
である。従来のＴＦＴの製造方法同様に、まず基板１の
表面に第１のポリシリコン２を形成し、そのポリシリコ
ンを熱酸化するか又はＣＶＤ法等に依ってゲート絶縁膜
３を形成する。さらにゲート電極材料として高濃度不純
物を拡散した第２のポリシリコン４を形成・パターニン
グし、このゲート電極４をマスクとしてイオン打ち込み
により第１のポリシリコン２の互いに隔たった領域にリ
ン乃至ボロン等の不純物を拡散して、ソース領域５とド
レイン領域６とし、さらに層間絶縁膜７を形成する。最
後にこの層間絶縁膜７にコンタクトホール８、９、１０
を形成した後配線用の金属材料を形成・パターニングし
て、ソース配線１１、ドレイン配線１３とゲート配線１
２としてＴＦＴが完成する。
である。従来のＴＦＴの製造方法同様に、まず基板１の
表面に第１のポリシリコン２を形成し、そのポリシリコ
ンを熱酸化するか又はＣＶＤ法等に依ってゲート絶縁膜
３を形成する。さらにゲート電極材料として高濃度不純
物を拡散した第２のポリシリコン４を形成・パターニン
グし、このゲート電極４をマスクとしてイオン打ち込み
により第１のポリシリコン２の互いに隔たった領域にリ
ン乃至ボロン等の不純物を拡散して、ソース領域５とド
レイン領域６とし、さらに層間絶縁膜７を形成する。最
後にこの層間絶縁膜７にコンタクトホール８、９、１０
を形成した後配線用の金属材料を形成・パターニングし
て、ソース配線１１、ドレイン配線１３とゲート配線１
２としてＴＦＴが完成する。
【０００９】この時本発明においては、前記配線用の金
属材料を水素を含む雰囲気で処理をすることで形成す
る。この処理工程中に水素が層間絶縁膜７を通過して第
１のポリシリコン２に達し、ポリシリコン中のダングリ
ンボンド及びゲート絶縁膜３との界面のステートを減少
させる。
属材料を水素を含む雰囲気で処理をすることで形成す
る。この処理工程中に水素が層間絶縁膜７を通過して第
１のポリシリコン２に達し、ポリシリコン中のダングリ
ンボンド及びゲート絶縁膜３との界面のステートを減少
させる。
【００１０】本発明における配線用の金属材料とはアル
ミニュームが最も一般的であるが、モリブデン・タング
ステン等配線に用いられている金属であればどれでも本
発明の効果は変わらない。さらに液晶表示素子ではＩＴ
Ｏ等の透明酸化金属も配線材料として用いられており、
この形成工程に応用しても良い。
ミニュームが最も一般的であるが、モリブデン・タング
ステン等配線に用いられている金属であればどれでも本
発明の効果は変わらない。さらに液晶表示素子ではＩＴ
Ｏ等の透明酸化金属も配線材料として用いられており、
この形成工程に応用しても良い。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、スパッターによる絶縁
膜形成工程、又は水素プラズマ処理の工程を追加するこ
となくＴＦＴの特性を向上させる事が可能で、従って従
来の方法より短い工程で良い特性のＴＦＴを製造する事
が可能となる。
膜形成工程、又は水素プラズマ処理の工程を追加するこ
となくＴＦＴの特性を向上させる事が可能で、従って従
来の方法より短い工程で良い特性のＴＦＴを製造する事
が可能となる。
【図１】本発明での半導体装置の製造方法の一例を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する
断面図である。
断面図である。
１，１４ 基板 ２，１５ 第１のポリシリコ
ン ３，１６ ゲート絶縁膜 ４，１７ ゲート電極 ５，１８ ソース電極 ６，１９ ドレイン電極 ７，２０ 層間絶縁膜 ８，９，１０，２１，２２，２３ コンタクトホール １１，２４ ソース配線 １２，２５ ゲート配線 １３，２６ ドレイン配線 ２７ 保護膜
ン ３，１６ ゲート絶縁膜 ４，１７ ゲート電極 ５，１８ ソース電極 ６，１９ ドレイン電極 ７，２０ 層間絶縁膜 ８，９，１０，２１，２２，２３ コンタクトホール １１，２４ ソース配線 １２，２５ ゲート配線 １３，２６ ドレイン配線 ２７ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｐ 8617−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリシリコンの形成・パターニング工程
と、ゲート絶縁膜の形成工程と、イオン打ち込みに依り
不純物を該ポリシリコン内に拡散する工程と、層間絶縁
膜の形成工程と、コンタクトホールの形成工程と、配線
用材料の形成・パターニング工程とを含む半導体装置の
製造方法に於いて、該配線用材料を水素を含む雰囲気で
処理し形成する事を特徴とする、半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24359492A JPH0697195A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24359492A JPH0697195A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697195A true JPH0697195A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17106143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24359492A Pending JPH0697195A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697195A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674759A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device for enhancing hydrogenation effect |
| CN103871836A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种处理半导体芯片的方法 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24359492A patent/JPH0697195A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674759A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device for enhancing hydrogenation effect |
| CN103871836A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种处理半导体芯片的方法 |
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