JPH0696685B2 - 導電性ペ−スト組成物 - Google Patents
導電性ペ−スト組成物Info
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- JPH0696685B2 JPH0696685B2 JP61261353A JP26135386A JPH0696685B2 JP H0696685 B2 JPH0696685 B2 JP H0696685B2 JP 61261353 A JP61261353 A JP 61261353A JP 26135386 A JP26135386 A JP 26135386A JP H0696685 B2 JPH0696685 B2 JP H0696685B2
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- Japan
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- same
- aromatic
- different
- lower alkyl
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は耐熱性熱可塑性樹脂を用いた導電性ペースト組
成物に関する。
成物に関する。
（従来の技術） 近時，電子機器では素子を導電性ペーストを介してはん
だ接合することにより，工程簡略化及び小型化の試みが
種々なされている。例えば，タンタル固体電解コンデン
サーにおいて，カーボン層に導電性ペーストを塗布しこ
の塗布層にはんだ付けして回路に組み込む方法が試みら
れている。
だ接合することにより，工程簡略化及び小型化の試みが
種々なされている。例えば，タンタル固体電解コンデン
サーにおいて，カーボン層に導電性ペーストを塗布しこ
の塗布層にはんだ付けして回路に組み込む方法が試みら
れている。
タンタル固体電解コンデンサーには，デイツプ型コンデ
ンサーおよびチツプ型コンデンサーの二種類がある。第
１図はデイツプ型タンタル固体電解コンデンサーの構造
を示す模式図を示し，第２図はチツプ型タンタル固体電
解コンデンサーの構造を示す模式図を示す。
ンサーおよびチツプ型コンデンサーの二種類がある。第
１図はデイツプ型タンタル固体電解コンデンサーの構造
を示す模式図を示し，第２図はチツプ型タンタル固体電
解コンデンサーの構造を示す模式図を示す。
タンタル固体電解コンデンサーとは次のようなものであ
る。すなわちタンタル金属粉末を陽極リード線１となる
タンタル線と一体に粉末成型したあと，高真空中で高温
（1650〜2000℃）で焼結したペレツトがあり，このよう
にして形成された陽極ペレツト２には，燐酸などの電解
質溶液中で溶極酸化され，誘電体皮膜３が形成されてい
る。タンタル線は非磁性陽極金属端子と電気溶接され
る。さらに，このペレツトを硝酸マンガン溶液などに浸
漬したのち,200〜400℃の空気浴炉で熱分解して二酸化
マンガン半導体４が誘電体被膜３上に形成されている。
この二酸化マンガン半導体作成の作業は通常，数回繰り
返される。次に，さらに，該半導体４上に導電性カーボ
ンを，上記二酸化マンガン半導体上に懸濁溶液などから
析出させ乾燥し，カーボン層５が形成されている。さら
にこのカーボン層５の上に導電性銀ペーストを塗布，ま
たは浸漬によりカーボン上に該ペーストの層を形成させ
乾燥固着させて，導電層６が形成されている。これに，
陰極リード線７がはんだ８で固定されている。このよう
なタンタル固体電解コンデンサーは樹脂モールドして使
用に供されることが多い。このようなものが第１図で示
すデイツプ型である。また，リード線の代わりに金属キ
ヤツプ9,10を用いたものがチツプ型である。
る。すなわちタンタル金属粉末を陽極リード線１となる
タンタル線と一体に粉末成型したあと，高真空中で高温
（1650〜2000℃）で焼結したペレツトがあり，このよう
にして形成された陽極ペレツト２には，燐酸などの電解
質溶液中で溶極酸化され，誘電体皮膜３が形成されてい
る。タンタル線は非磁性陽極金属端子と電気溶接され
る。さらに，このペレツトを硝酸マンガン溶液などに浸
漬したのち,200〜400℃の空気浴炉で熱分解して二酸化
マンガン半導体４が誘電体被膜３上に形成されている。
この二酸化マンガン半導体作成の作業は通常，数回繰り
返される。次に，さらに，該半導体４上に導電性カーボ
ンを，上記二酸化マンガン半導体上に懸濁溶液などから
析出させ乾燥し，カーボン層５が形成されている。さら
にこのカーボン層５の上に導電性銀ペーストを塗布，ま
たは浸漬によりカーボン上に該ペーストの層を形成させ
乾燥固着させて，導電層６が形成されている。これに，
陰極リード線７がはんだ８で固定されている。このよう
なタンタル固体電解コンデンサーは樹脂モールドして使
用に供されることが多い。このようなものが第１図で示
すデイツプ型である。また，リード線の代わりに金属キ
ヤツプ9,10を用いたものがチツプ型である。
また，半導体装置等にも導電性ペーストが用いられてい
る。
る。
導電性ペーストとしては，エポキシ樹脂をバインダーと
して用いたエポキシ樹脂系銀ペースト或いは熱硬化型ポ
リイミドをバインダー材として用いたポリイミド樹脂系
銀ペーストが挙げられるが，いずれも高温，長時間の硬
化工程を必要とするため，生産性が悪い。又，バインダ
ー樹脂がもろいため，銀含有量を高くできないため，下
地基材層及び銀粉相互間の電気的接続が悪く，電気的特
性が損なわれると共に，はんだ付け性にも劣る。
して用いたエポキシ樹脂系銀ペースト或いは熱硬化型ポ
リイミドをバインダー材として用いたポリイミド樹脂系
銀ペーストが挙げられるが，いずれも高温，長時間の硬
化工程を必要とするため，生産性が悪い。又，バインダ
ー樹脂がもろいため，銀含有量を高くできないため，下
地基材層及び銀粉相互間の電気的接続が悪く，電気的特
性が損なわれると共に，はんだ付け性にも劣る。
また，セルロース系或いは，アクリル系樹脂等の熱可塑
性樹脂をバインダー材とした銀ペーストを用いる試みも
なされているが，いずれも耐熱性と機械強度が低く，は
んだ付け時に樹脂が劣化したり，銀含有量が上げられな
い為，電気特性が劣るなど信頼性に問題があつた。
性樹脂をバインダー材とした銀ペーストを用いる試みも
なされているが，いずれも耐熱性と機械強度が低く，は
んだ付け時に樹脂が劣化したり，銀含有量が上げられな
い為，電気特性が劣るなど信頼性に問題があつた。
これらに対し，耐熱性熱可塑性樹脂をバインダー材とし
て用いた導電性ペースト組成物に関する提案もなされて
いる（特開昭60−44533号公報）。
て用いた導電性ペースト組成物に関する提案もなされて
いる（特開昭60−44533号公報）。
（発明が解決しようとする問題点） 特開昭60−44533号公報に開示される導電性ペースト組
成物には，有機溶剤としてN,N−ジメチルアセトアミド,
N−メチルピロリドンなどの高沸点の含窒素系極性溶媒
を用いているため，高温，長時間の乾燥工程を必要とす
る。又，例えば，タンタル固体電解コンデンサーにおい
ては，カーボン層中のバインダーがこれら含窒素系極性
溶媒に侵されて，カーボンの接着不良，素子の電気特性
の低下の原因となる。
成物には，有機溶剤としてN,N−ジメチルアセトアミド,
N−メチルピロリドンなどの高沸点の含窒素系極性溶媒
を用いているため，高温，長時間の乾燥工程を必要とす
る。又，例えば，タンタル固体電解コンデンサーにおい
ては，カーボン層中のバインダーがこれら含窒素系極性
溶媒に侵されて，カーボンの接着不良，素子の電気特性
の低下の原因となる。
本発明は，このような問題点を解決するものであり，低
温での乾燥性にすぐれ，ハンダ付け性のすぐれた導電性
ペースト組成物を提供するものである。
温での乾燥性にすぐれ，ハンダ付け性のすぐれた導電性
ペースト組成物を提供するものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は，沸点180℃未満のエーテル化合物300〜3500重
量部，該エーテル化合物に可溶な耐熱性熱可塑性樹脂10
0重量部及び導電性充填剤300〜3500重量部を含有してな
る導電性ペースト組成物に関する。
量部，該エーテル化合物に可溶な耐熱性熱可塑性樹脂10
0重量部及び導電性充填剤300〜3500重量部を含有してな
る導電性ペースト組成物に関する。
本発明において用いられる沸点180℃未満のエーテル化
合物としては，例えばテトラヒドロフラン，ジオキサ
ン,1,2−ジメトキシエタン，ジエチレングリコールジメ
チルエーテルなどが用いられる。これらは単独又は混合
して用いられる。沸点，溶解性，及びコスト面を考慮す
るとテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレング
リコールジメチルエーテルが好ましく用いられる。
合物としては，例えばテトラヒドロフラン，ジオキサ
ン,1,2−ジメトキシエタン，ジエチレングリコールジメ
チルエーテルなどが用いられる。これらは単独又は混合
して用いられる。沸点，溶解性，及びコスト面を考慮す
るとテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレング
リコールジメチルエーテルが好ましく用いられる。
沸点が180℃以上であると，本発明の目的とする低温で
の成膜性が損われる。
の成膜性が損われる。
又,N,N−ジメチルアセトアミドやＮ−メチルピロリドン
に代表される含窒素系極性溶媒は，本発明の耐熱性熱可
塑性樹脂の良溶媒であるが，極性が強すぎて導電性ペー
ストの塗布基剤，例えばカーボン層のバインダーを侵す
ため，素子の信頼性を損う。
に代表される含窒素系極性溶媒は，本発明の耐熱性熱可
塑性樹脂の良溶媒であるが，極性が強すぎて導電性ペー
ストの塗布基剤，例えばカーボン層のバインダーを侵す
ため，素子の信頼性を損う。
本発明に用いられる耐熱性熱可塑性樹脂は，前記エーテ
ル化合物に可溶のものである。また，該樹脂は，ガラス
転移点が150℃以上である。ガラス転移点が低すぎると
ハンダ付時に樹脂が溶融したり，熱変化しやすくなる。
ガラス転移点は180℃以上であるのが，特に好ましい。
ル化合物に可溶のものである。また，該樹脂は，ガラス
転移点が150℃以上である。ガラス転移点が低すぎると
ハンダ付時に樹脂が溶融したり，熱変化しやすくなる。
ガラス転移点は180℃以上であるのが，特に好ましい。
本発明において，前記エーテル化合物に可溶とは，該化
合物95重量％と樹脂５重量％を混合したときに，室温で
樹脂が完全に溶解することをいう。
合物95重量％と樹脂５重量％を混合したときに，室温で
樹脂が完全に溶解することをいう。
本発明に用いられる耐熱性熱可塑性樹脂としては，芳香
族ポリアミド，芳香族ポリアミドイミド，芳香族ポリエ
ステルイミド，ポリイミド，芳香族ポリエステルおよび
芳香族ポリエーテルがあり，これらのうち少なくとも一
種が使用される。
族ポリアミド，芳香族ポリアミドイミド，芳香族ポリエ
ステルイミド，ポリイミド，芳香族ポリエステルおよび
芳香族ポリエーテルがあり，これらのうち少なくとも一
種が使用される。
上記耐熱性熱可塑性樹脂の具体例を示すと次のとおりで
ある。
ある。
（ａ）一般式 （ただし，式中，R1，R2，R3およびR4は水素を表わし,X
は−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は水素又は低級アルキル
基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は，その70モル％以上がｍ−フエニレン基であり,30モ
ル％以下がｐ−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基
又はジフエニレンスルホン基である第１の組み合わせか
又は，R1，R2，R3およびR4は低級アルキル基，低級アル
コキシ基又はハロゲン基を表わし，これらは同一でも異
なつていてもよく，−Ｘ−は−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，水素又は低級アルキ
ル基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエニレンエ
ーテル基又はジフエニレンスルホン基である第２の組み
合わせか又は，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アルキ
ル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし，これら
は同一でも異なつていてもよく−Ｘ−は を表わし，ここでR5およびR6はトリフルオロメチル基又
はフエニル基を示し，これらは同一でも異なつていても
よく,Arは,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエ
ニレンエーテル基又はジフエニレンスルホン基である第
３の組み合わせ）で表わされる繰り返し単位を有し，芳
香族ポリアミド樹脂の一種である芳香族ポリエーテルア
ミド樹脂。
は−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は水素又は低級アルキル
基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は，その70モル％以上がｍ−フエニレン基であり,30モ
ル％以下がｐ−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基
又はジフエニレンスルホン基である第１の組み合わせか
又は，R1，R2，R3およびR4は低級アルキル基，低級アル
コキシ基又はハロゲン基を表わし，これらは同一でも異
なつていてもよく，−Ｘ−は−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，水素又は低級アルキ
ル基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエニレンエ
ーテル基又はジフエニレンスルホン基である第２の組み
合わせか又は，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アルキ
ル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし，これら
は同一でも異なつていてもよく−Ｘ−は を表わし，ここでR5およびR6はトリフルオロメチル基又
はフエニル基を示し，これらは同一でも異なつていても
よく,Arは,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエ
ニレンエーテル基又はジフエニレンスルホン基である第
３の組み合わせ）で表わされる繰り返し単位を有し，芳
香族ポリアミド樹脂の一種である芳香族ポリエーテルア
ミド樹脂。
ここで，上記Arは第１番目の組み合わせの時はその70モ
ル％以上がｍ−フエニレン基であることが必須である。
ｍ−フエニレン基の割合が70モル％未満では，前記エー
テル化合物に不溶性になりやすい。Arはその90モル％以
上がｍ−フエニレン基であるのが好ましく，特に100モ
ル％がｍ−フエニレン基であるのが好ましい。
ル％以上がｍ−フエニレン基であることが必須である。
ｍ−フエニレン基の割合が70モル％未満では，前記エー
テル化合物に不溶性になりやすい。Arはその90モル％以
上がｍ−フエニレン基であるのが好ましく，特に100モ
ル％がｍ−フエニレン基であるのが好ましい。
上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂は，一般式（Ａ） （ただし，式中，R1，R2、R3，R4およびＸは，一般式
（Ｉ）の場合と同様である）で表わされる芳香族ジアミ
ンと芳香族ジカルボン酸又はその誘導体を溶液重合法，
特開昭52−23198号公報に開示される方法により反応さ
せることにより得られる。
（Ｉ）の場合と同様である）で表わされる芳香族ジアミ
ンと芳香族ジカルボン酸又はその誘導体を溶液重合法，
特開昭52−23198号公報に開示される方法により反応さ
せることにより得られる。
上記の芳香族ジアミンとしては，例えば2,2−ビス〔４
−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン，ビス
〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕メタン,2,2
−ビス〔3,5−ジメチル−４−（４−アミノフエノキ
シ）フエニル〕プロパン,2,2−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2−ビ
ス〔3,5−ジブロモ−４−（４−アミノフエノキシ）フ
エニルプロパン,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノキ
シ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ンなどがあり，これらの一種以上が用いられる。
−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン，ビス
〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕メタン,2,2
−ビス〔3,5−ジメチル−４−（４−アミノフエノキ
シ）フエニル〕プロパン,2,2−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2−ビ
ス〔3,5−ジブロモ−４−（４−アミノフエノキシ）フ
エニルプロパン,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノキ
シ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ンなどがあり，これらの一種以上が用いられる。
又，芳香族ジカルボン酸又はその誘導体としては，テレ
フタル酸，イソフタル酸，ジフエニレンエーテルカルボ
ン酸，ジフエニルスルホンジカルボン酸又はこれらのジ
ハライドがある。
フタル酸，イソフタル酸，ジフエニレンエーテルカルボ
ン酸，ジフエニルスルホンジカルボン酸又はこれらのジ
ハライドがある。
ただし，前記一般式（Ｉ）においてただし書中，第１の
組み合わせの場合は，芳香族ジカルボン酸又はその誘導
体としては，イソフタル酸および／又はイソフタル酸の
ジハライドを70モル％，好ましくは90モル％，更に好ま
しくは実質上100モル％用いる。他の芳香族ジカルボン
酸あるいはその誘導体としてはテレフタル酸，ジフエニ
ルエーテルジカルボン酸，ジフエニルスルホンジカルボ
ン酸あるいはこれらのジハライドが用いられる。
組み合わせの場合は，芳香族ジカルボン酸又はその誘導
体としては，イソフタル酸および／又はイソフタル酸の
ジハライドを70モル％，好ましくは90モル％，更に好ま
しくは実質上100モル％用いる。他の芳香族ジカルボン
酸あるいはその誘導体としてはテレフタル酸，ジフエニ
ルエーテルジカルボン酸，ジフエニルスルホンジカルボ
ン酸あるいはこれらのジハライドが用いられる。
また，上記芳香族ポリエーテルアミド樹脂の合成に当
り，ジアミン成分として，上記した芳香族ジアミン以外
に,m−フエニレンジアミン,p−フエニレンジアミン等の
他の芳香族ジアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂肪
族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的を阻外し
ない程度に使用してもよい。
り，ジアミン成分として，上記した芳香族ジアミン以外
に,m−フエニレンジアミン,p−フエニレンジアミン等の
他の芳香族ジアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂肪
族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的を阻外し
ない程度に使用してもよい。
上記シリコンジアミンとしては，例えば一般式 （Ｒは二価の炭化水素基でありR1及びR2は一価の炭化水
素基でそれぞれ同一でも異なつていてもよく,pは１以上
の整数である）で表わされる化合物である。Ｒは好まし
くは炭素数１〜５のアルキレン基，フエニレン基又はア
ルキル置換フエニレン基でありR1及びR2は好ましくは炭
素数１〜５のアルキル基，フエニル基又はアルキル置換
フエニル基である。具体的には， などの化合物があげられる。
素基でそれぞれ同一でも異なつていてもよく,pは１以上
の整数である）で表わされる化合物である。Ｒは好まし
くは炭素数１〜５のアルキレン基，フエニレン基又はア
ルキル置換フエニレン基でありR1及びR2は好ましくは炭
素数１〜５のアルキル基，フエニル基又はアルキル置換
フエニル基である。具体的には， などの化合物があげられる。
（ｂ）一般式（II） （ただし，式中，R1，R2、R3，R4およびＸは，一般式
（Ｉ）の場合と同じであるが各々，第１乃至第３の組み
合せに示されるいずれかの基であり得る）で示される繰
り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミドイミド樹
脂。
（Ｉ）の場合と同じであるが各々，第１乃至第３の組み
合せに示されるいずれかの基であり得る）で示される繰
り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミドイミド樹
脂。
この樹脂は，前記一般式（Ａ）で表わされる芳香族ジア
ミン等の芳香族ジアミンと無水トリメリツト酸又はその
モノクロライド等の誘導体を，例えば，特公昭42−1563
7号公報，特公昭49−4077号公報，特公昭40−8910号公
報に示される溶液重縮合法は，酸クロ法，直接重縮合
法，溶融重縮合法等により合成することができる。ジア
ミン成分としては，一般式（Ａ）で表わされるものなど
以外,m−フエニレンジアミン,p−フエニレンジアミン等
の他の芳香族ジアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂
肪族ジアミン，前記と同様のシリコンジアミンを本発明
の目的を阻外しない程度に使用してもよい。
ミン等の芳香族ジアミンと無水トリメリツト酸又はその
モノクロライド等の誘導体を，例えば，特公昭42−1563
7号公報，特公昭49−4077号公報，特公昭40−8910号公
報に示される溶液重縮合法は，酸クロ法，直接重縮合
法，溶融重縮合法等により合成することができる。ジア
ミン成分としては，一般式（Ａ）で表わされるものなど
以外,m−フエニレンジアミン,p−フエニレンジアミン等
の他の芳香族ジアミン，ヘキサメチレンジアミン等の脂
肪族ジアミン，前記と同様のシリコンジアミンを本発明
の目的を阻外しない程度に使用してもよい。
（ｃ）一般式（III） （ただし，式中,R′1及びＲ′3は低級アルキル基であ
り，これらは同一でも異なつていてもよく,R′2は低級
アルキル基又はハロゲンを示し,m,m′及びｍ″はそれぞ
れ,R′1,R′2及びＲ′3の置換基数を示し,0又は１〜４
の整数であつてm,m′及びｍ″がそれぞれ２以上である
場合，複数個のＲ′1,R′2及びＲ′3はそれぞれ同一で
も異なつていてもよく，−Ｘ′−は−Ｏ−又は を表わし，二個のＸ′は同一でも異なつていてもよく，
ここでＲ′4およびＲ′5は水素，低級アルキル基，トリ
フルオロメチル基，又はフエニル基を示し，これらは同
一であつても，異なつていてもよい。）で表わされる繰
り返し単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂。
り，これらは同一でも異なつていてもよく,R′2は低級
アルキル基又はハロゲンを示し,m,m′及びｍ″はそれぞ
れ,R′1,R′2及びＲ′3の置換基数を示し,0又は１〜４
の整数であつてm,m′及びｍ″がそれぞれ２以上である
場合，複数個のＲ′1,R′2及びＲ′3はそれぞれ同一で
も異なつていてもよく，−Ｘ′−は−Ｏ−又は を表わし，二個のＸ′は同一でも異なつていてもよく，
ここでＲ′4およびＲ′5は水素，低級アルキル基，トリ
フルオロメチル基，又はフエニル基を示し，これらは同
一であつても，異なつていてもよい。）で表わされる繰
り返し単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂。
この樹脂は一般式（Ｂ） （ただし,m,m′,m″,R′1,R′2,R′3およびＸ′は上記
に同じ）で表わされる芳香族ジアミンと無水トリメリツ
ト酸又はそのモノクロリド等の誘導体を前記ｂの合成法
と同様な方法で合成することができる。
に同じ）で表わされる芳香族ジアミンと無水トリメリツ
ト酸又はそのモノクロリド等の誘導体を前記ｂの合成法
と同様な方法で合成することができる。
上記一般式（Ｂ）で表わされる芳香族ジアミンとして
は,1,3−ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,3−
ビス（４−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,4−ビス（４
−アミノフエノキシ）ベンゼン,4,4′−〔1,3−フエニ
レンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスアニリン,4,
4′−〔1,4−フエニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）〕ビスアニリン,3,3′−〔1,3−フエニレンビス
（１−メチルエチリデン）〕ビスアニリンなどがある。
また前記（ｂ）と同様に他の芳香族ジアミン及び／又は
脂肪族ジアミン，シリコンジアミンをジアミン成分とし
て本発明の目的を阻外しない範囲で併用することができ
る。
は,1,3−ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,3−
ビス（４−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,4−ビス（４
−アミノフエノキシ）ベンゼン,4,4′−〔1,3−フエニ
レンビス（１−メチルエチリデン）〕ビスアニリン,4,
4′−〔1,4−フエニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）〕ビスアニリン,3,3′−〔1,3−フエニレンビス
（１−メチルエチリデン）〕ビスアニリンなどがある。
また前記（ｂ）と同様に他の芳香族ジアミン及び／又は
脂肪族ジアミン，シリコンジアミンをジアミン成分とし
て本発明の目的を阻外しない範囲で併用することができ
る。
（ｄ）一般式（IV） （ただし，式中,R″1,R″2、Ｒ″3およびＲ″4は低級ア
ルキル基，低級アルコキシ基またはハロゲンを示し，こ
れらは同一でも異なつていてもよく,Xは一般式（II）に
同じである）で表わされる繰り返し単位を有する芳香族
ポリアミドイミド樹脂。
ルキル基，低級アルコキシ基またはハロゲンを示し，こ
れらは同一でも異なつていてもよく,Xは一般式（II）に
同じである）で表わされる繰り返し単位を有する芳香族
ポリアミドイミド樹脂。
この樹脂は一般式（Ｃ） （ただし,R″1,R″2、Ｒ″3,R″4およびＸは上記に同
じ）で表わされる芳香族ジアミンと無水トリメリツト酸
又はそのモノクロリド等の誘導体を前記（ｂ）の合成法
と同様な方法で合成することができる。
じ）で表わされる芳香族ジアミンと無水トリメリツト酸
又はそのモノクロリド等の誘導体を前記（ｂ）の合成法
と同様な方法で合成することができる。
上記一般式（Ｃ）で表わされる芳香族ジアミンとして
は,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフ
エニルメタン,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラ
エチルジフエニルメタン,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,
5′−テトラメチルジフエニルエーテル,4,4′−ジアミ
ノ−3,3′,5,5′−テトラエチルジフエニルエーテル,2,
2−〔4,4−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフ
エニル〕プロパンなどがある。また、前記（ｂ）と同様
に他の芳香族ジアミン及び／又は脂肪族ジアミン，シリ
コンジアミンを本発明の目的を阻外しない範囲でジアミ
ン成分として併用することができる。
は,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフ
エニルメタン,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラ
エチルジフエニルメタン,4,4′−ジアミノ−3,3′,5,
5′−テトラメチルジフエニルエーテル,4,4′−ジアミ
ノ−3,3′,5,5′−テトラエチルジフエニルエーテル,2,
2−〔4,4−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフ
エニル〕プロパンなどがある。また、前記（ｂ）と同様
に他の芳香族ジアミン及び／又は脂肪族ジアミン，シリ
コンジアミンを本発明の目的を阻外しない範囲でジアミ
ン成分として併用することができる。
（ｅ）一般式（Ｖ） （ただし、式中，R1，R2、R3，R4およびＸは，一般式
（II）と同様であり,R1,R2,R3及びＲ4は，R1，
R2，R3およびR4と同様の基であり,X″はＸと同様の基で
あつて，R1，R2，R3，R4,R1,R2,R3およびＲ4は
同一でも異なつていてもよく,XおよびＸ″は同一でも異
なつていてもよい）で表わされる繰り返し単位を有する
芳香族ポリエーテルエステルイミド樹脂。
（II）と同様であり,R1,R2,R3及びＲ4は，R1，
R2，R3およびR4と同様の基であり,X″はＸと同様の基で
あつて，R1，R2，R3，R4,R1,R2,R3およびＲ4は
同一でも異なつていてもよく,XおよびＸ″は同一でも異
なつていてもよい）で表わされる繰り返し単位を有する
芳香族ポリエーテルエステルイミド樹脂。
この樹脂は，一般式（Ａ）で表わされる芳香族ジアミン
等の芳香族ジアミンと一般式（Ｄ） （ただし、式中,R1,R2,R3,R4およびＸ″は上記
に同じ）で表わされる芳香族テトラカルボン酸二無水物
を特開昭60−49030号公報に示される溶液重縮合法によ
り合成することができる。一般式（Ｄ）で表わされる芳
香族テトラカルボン酸二無水物としては,2,2−ビス（ｐ
−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物,2,2−
ビス（ｐ−トリメリツトキシ−3,5−ジメチルフエニ
ル）プロパン二無水物，ビス（ｐ−トリメリツトキシフ
エニル）ケトン二無水物，ビス（ｐ−トリメリツトキシ
フエニル）ケトン二無水物などがある。なお，ジアミン
成分としては，前記（ａ）に記載した他の芳香族ジアミ
ン，脂肪族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的
を阻外しない程度に併用することができる。
等の芳香族ジアミンと一般式（Ｄ） （ただし、式中,R1,R2,R3,R4およびＸ″は上記
に同じ）で表わされる芳香族テトラカルボン酸二無水物
を特開昭60−49030号公報に示される溶液重縮合法によ
り合成することができる。一般式（Ｄ）で表わされる芳
香族テトラカルボン酸二無水物としては,2,2−ビス（ｐ
−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物,2,2−
ビス（ｐ−トリメリツトキシ−3,5−ジメチルフエニ
ル）プロパン二無水物，ビス（ｐ−トリメリツトキシフ
エニル）ケトン二無水物，ビス（ｐ−トリメリツトキシ
フエニル）ケトン二無水物などがある。なお，ジアミン
成分としては，前記（ａ）に記載した他の芳香族ジアミ
ン，脂肪族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的
を阻外しない程度に併用することができる。
（ｆ）一般式（VI） （ただし，式中,Xは芳香族ジアミンのアミノ基を除い
た２価の残基を示し,Yは脂肪族または脂環式テトラカル
ボン酸のカルボキシル基を除いた４価の残基を示す）で
表わされる繰り返し単位を有するポリイミド樹脂であつ
て，前記エーテル化合物に可溶なものが選択使用され
る。
た２価の残基を示し,Yは脂肪族または脂環式テトラカル
ボン酸のカルボキシル基を除いた４価の残基を示す）で
表わされる繰り返し単位を有するポリイミド樹脂であつ
て，前記エーテル化合物に可溶なものが選択使用され
る。
このポリイミドは脂肪族テトラカルボン酸二無水物又は
脂環式テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミを特開
昭60−49030号公報に示される溶液重縮合法により合成
することができる。
脂環式テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミを特開
昭60−49030号公報に示される溶液重縮合法により合成
することができる。
脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては，ブタンテト
ラカルボン酸二無水物をあげることができる。脂環式テ
トラカルボン酸二無水物としては，シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物，シクロペンテンテトラカルボン酸
二無水物,5,5′−チオビス（ノルボルナン−2,3−ジカ
ルボン酸無水物）,5,5′−メチレンジチオビス（ノルボ
ルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−エチレン
ジチオビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水
物）,5,5′−プロピレンジチオビス（ノルボルナン−2,
3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−スルホニルビス（ノ
ルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−メチ
レンジスルホニルビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物）,5,5′−エチレンジスルホニルビス（ノル
ボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−プロピ
レンジスルホニルビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物）,3,5,6−トリカルボキシ−２−カルボキシ
メチルノルボルナン2:3,5:6二無水物,2,3,5−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸無水物などがある。芳香族ジ
アミンとしては，ジアミノジフエニルエーテル，ジアミ
ノジフエニルメタン，ジアミノジフエニルスルホン,2,2
−ジアミノジフエニルプロパン，ジアミノベンゾフエノ
ン,1,3−ビス（４−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,3−
ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,4−ビス（４
−アミノフエノキシ）ベンゼン,4,4′−ジ（４−アミノ
フエノキシ）ジフエニルスルホン,2,2′−ビス〔４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2′−
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンなどがある。なお，
ジアミン成分としては，前記（ａ）に記載した他の脂肪
族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的を阻外し
ない程度に併用することができる。
ラカルボン酸二無水物をあげることができる。脂環式テ
トラカルボン酸二無水物としては，シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物，シクロペンテンテトラカルボン酸
二無水物,5,5′−チオビス（ノルボルナン−2,3−ジカ
ルボン酸無水物）,5,5′−メチレンジチオビス（ノルボ
ルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−エチレン
ジチオビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水
物）,5,5′−プロピレンジチオビス（ノルボルナン−2,
3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−スルホニルビス（ノ
ルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−メチ
レンジスルホニルビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物）,5,5′−エチレンジスルホニルビス（ノル
ボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）,5,5′−プロピ
レンジスルホニルビス（ノルボルナン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物）,3,5,6−トリカルボキシ−２−カルボキシ
メチルノルボルナン2:3,5:6二無水物,2,3,5−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸無水物などがある。芳香族ジ
アミンとしては，ジアミノジフエニルエーテル，ジアミ
ノジフエニルメタン，ジアミノジフエニルスルホン,2,2
−ジアミノジフエニルプロパン，ジアミノベンゾフエノ
ン,1,3−ビス（４−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,3−
ビス（３−アミノフエノキシ）ベンゼン,1,4−ビス（４
−アミノフエノキシ）ベンゼン,4,4′−ジ（４−アミノ
フエノキシ）ジフエニルスルホン,2,2′−ビス〔４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン,2,2′−
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンなどがある。なお，
ジアミン成分としては，前記（ａ）に記載した他の脂肪
族ジアミン，シリコンジアミンを本発明の目的を阻外し
ない程度に併用することができる。
（ｇ）一般式（VII） （ただし，式中，R1，R2，R3，R4およびＸは，一般式
（II）の場合に同じであり,A′ｒはｐ−フエニレン基,m
−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基またはジフエ
ニレンスルホン基を示す）で表わされる繰り返し単位を
有する芳香族ポリエステル樹脂であつて，前記エーテル
化合物に可溶なものが選択使用される。
（II）の場合に同じであり,A′ｒはｐ−フエニレン基,m
−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基またはジフエ
ニレンスルホン基を示す）で表わされる繰り返し単位を
有する芳香族ポリエステル樹脂であつて，前記エーテル
化合物に可溶なものが選択使用される。
この芳香族ポリエステルは一般式（Ｅ） （式中，R1，R2，R3，R4およびＸは上記に同じ）で示さ
れる芳香族ジオールと芳香族ジカルボン酸ジハライドを
例えば特開昭48−51094号公報，特開昭59−187022号公
報等に示される界面重縮合法や相間移動触媒を用いる方
法によつて合成される。
れる芳香族ジオールと芳香族ジカルボン酸ジハライドを
例えば特開昭48−51094号公報，特開昭59−187022号公
報等に示される界面重縮合法や相間移動触媒を用いる方
法によつて合成される。
ここで，一般式（Ｅ）で示される芳香族ジオールとして
は,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチル
ジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−ジヒドロキシ−3,
3′,5,5′−テトラメチルジフエニルメタン,4,4′−ジ
ヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチルベンゾフエノ
ンなどがある。芳香族ジカルボン酸ジハライドとして
は，テレフタル酸ジクロライド，イソフタル酸ジクロラ
イド，ジフエニルエーテルカルボン酸ジクロライド，ジ
フエニルスルホンジカルボン酸クロライドなどがある。
は,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチル
ジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−ジヒドロキシ−3,
3′,5,5′−テトラメチルジフエニルメタン,4,4′−ジ
ヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチルベンゾフエノ
ンなどがある。芳香族ジカルボン酸ジハライドとして
は，テレフタル酸ジクロライド，イソフタル酸ジクロラ
イド，ジフエニルエーテルカルボン酸ジクロライド，ジ
フエニルスルホンジカルボン酸クロライドなどがある。
（ｈ）一般式（VIII） （ただし，式中，R1，R2，R3，R4,R″1,R″2,R″3,
R″4,XおよびＸ″は一般式（Ｖ）に同じである）で表わ
される繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテル樹脂で
あつて前記エーテル化合物に可溶なものが選択使用され
る。
R″4,XおよびＸ″は一般式（Ｖ）に同じである）で表わ
される繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテル樹脂で
あつて前記エーテル化合物に可溶なものが選択使用され
る。
この樹脂は，一般式（Ｆ） （ただし，式中,Xは上記に同じ,X′は塩素，臭素，フ
ツ素等のハロゲンを示す）で表わされる芳香族ジハライ
ドと一般式（Ｇ） （ただし，式中,R″1,R″2,R″3,R″4およびＸ″は，上
記に同じ）で表わされる芳香族ジオールのアルカリ金属
塩を，例えば，アール・エヌ・ジヨンソン（R.N.Johons
on）らによるジヤーナル・オブ・ポリマーサイエンス
（J.Polym.Sci.）パートＡ−１（Part A−１）第５巻第
2375頁（1967年）に示される溶液重縮合法により反応さ
せて得られる。ここに，上記一般式（Ｅ）で示される芳
香族ジハライドとしては，例えば4,4′−ジクロルジフ
エニルスルホン,4,4′−ジフルオロジフエニルスルホ
ン,4,4′−ジクロルジフエニルスルフイン,4,4′−ジフ
ルオロジフエニルスルフイン,4,4′−ジクロルジフエニ
ルケトン,4,4′−ジフルオロジフエニルケトンなどがあ
り，これらの一種以上が用いられ，特に4,4′−ジクロ
ルジフエニルスルホンが好ましく用いられる。一般式
（Ｆ）で表わされる芳香族ジオールとしては，例えば4,
4′−ジヒドロキシジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−
ジヒドロキシジフエニルメタン,4,4′−ジヒドロキシジ
フエニルスルホン,4,4′−ジヒドロキシベンゾフエノ
ン,4,4′−ジヒドロキシジフエニルエタン,4,4′−ジヒ
ドロキシジフエニルシクロヘキサン,4,4′−ジヒドロキ
シジフエニル−2,2′−ブタン,4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′,5,5′−テトラメチルビフエニル,4,4′−ジヒド
ロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフエニル−2,2−
プロパン,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−5,5′−テトラ
メチルジフエニルメタン,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,
5,5′−テトラメチルジフエニルスルホンなどがあげら
れ，これらの１種以上が用いられ，特に,4,4′−ジヒド
ロキシジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−ジヒドロキ
シ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフエニル−2,2−プロ
パンが好ましく用いられる。アルカリ金属塩のアルカリ
金属としてはNa,K等が用いられる。
ツ素等のハロゲンを示す）で表わされる芳香族ジハライ
ドと一般式（Ｇ） （ただし，式中,R″1,R″2,R″3,R″4およびＸ″は，上
記に同じ）で表わされる芳香族ジオールのアルカリ金属
塩を，例えば，アール・エヌ・ジヨンソン（R.N.Johons
on）らによるジヤーナル・オブ・ポリマーサイエンス
（J.Polym.Sci.）パートＡ−１（Part A−１）第５巻第
2375頁（1967年）に示される溶液重縮合法により反応さ
せて得られる。ここに，上記一般式（Ｅ）で示される芳
香族ジハライドとしては，例えば4,4′−ジクロルジフ
エニルスルホン,4,4′−ジフルオロジフエニルスルホ
ン,4,4′−ジクロルジフエニルスルフイン,4,4′−ジフ
ルオロジフエニルスルフイン,4,4′−ジクロルジフエニ
ルケトン,4,4′−ジフルオロジフエニルケトンなどがあ
り，これらの一種以上が用いられ，特に4,4′−ジクロ
ルジフエニルスルホンが好ましく用いられる。一般式
（Ｆ）で表わされる芳香族ジオールとしては，例えば4,
4′−ジヒドロキシジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−
ジヒドロキシジフエニルメタン,4,4′−ジヒドロキシジ
フエニルスルホン,4,4′−ジヒドロキシベンゾフエノ
ン,4,4′−ジヒドロキシジフエニルエタン,4,4′−ジヒ
ドロキシジフエニルシクロヘキサン,4,4′−ジヒドロキ
シジフエニル−2,2′−ブタン,4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′,5,5′−テトラメチルビフエニル,4,4′−ジヒド
ロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフエニル−2,2−
プロパン,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−5,5′−テトラ
メチルジフエニルメタン,4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,
5,5′−テトラメチルジフエニルスルホンなどがあげら
れ，これらの１種以上が用いられ，特に,4,4′−ジヒド
ロキシジフエニル−2,2−プロパン,4,4′−ジヒドロキ
シ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフエニル−2,2−プロ
パンが好ましく用いられる。アルカリ金属塩のアルカリ
金属としてはNa,K等が用いられる。
以上で例示される樹脂の他，前記一般式（Ｉ）乃至（VI
II）の繰り返し単位を分子中に二種以上有する樹脂を使
用することができる。
II）の繰り返し単位を分子中に二種以上有する樹脂を使
用することができる。
以上に例示される耐熱性熱可塑性樹脂は，還元粘度（0.
2g/dl ジメチルホルムアミド溶液,30℃）が,0.2〜4.0d
l/gのものが好ましく，特に0.2〜3.0dl/gのものが好ま
しく,0.2〜2dl/gのものが最も好ましい。
2g/dl ジメチルホルムアミド溶液,30℃）が,0.2〜4.0d
l/gのものが好ましく，特に0.2〜3.0dl/gのものが好ま
しく,0.2〜2dl/gのものが最も好ましい。
本発明において用いられる導電性充填剤としては,Ag,C
u,Ni等の高導電性を有する金属粉が使用可能であるが，
特にAg粉が好ましく用いられる。
u,Ni等の高導電性を有する金属粉が使用可能であるが，
特にAg粉が好ましく用いられる。
以上述べた各材料は，耐熱熱可塑性樹脂100重量部に対
し，溶剤300〜3500重量部，導電性充填剤300〜3500重量
部の範囲で配合して用いられる。溶剤が300重量部未満
では固形分の比率が高いため，塗布面を均一の厚みに保
つことが難しくなり，また3500重量部を越えると粘度が
低いため導電性充填剤の分散が困難になる。導電性充填
剤が300重量部未満では導電性が低下し,3500重量部を越
えると塗布が困難になる。これらの配合比は，使用する
耐熱性熱可塑性樹脂の種類に応じて，適宜最適な配合を
選択できるが，好ましくは，耐熱性熱可塑性樹脂100重
量部に対し溶剤600〜3400重量部，導電性充填剤400〜34
00重量部使用される。又，導電性充填剤の分散性を向上
させたり，基材との密着性を向上させる為に，シラン
系，チタネート系，アルミキレート系などのカツプリン
グ剤を添加することもできる。
し，溶剤300〜3500重量部，導電性充填剤300〜3500重量
部の範囲で配合して用いられる。溶剤が300重量部未満
では固形分の比率が高いため，塗布面を均一の厚みに保
つことが難しくなり，また3500重量部を越えると粘度が
低いため導電性充填剤の分散が困難になる。導電性充填
剤が300重量部未満では導電性が低下し,3500重量部を越
えると塗布が困難になる。これらの配合比は，使用する
耐熱性熱可塑性樹脂の種類に応じて，適宜最適な配合を
選択できるが，好ましくは，耐熱性熱可塑性樹脂100重
量部に対し溶剤600〜3400重量部，導電性充填剤400〜34
00重量部使用される。又，導電性充填剤の分散性を向上
させたり，基材との密着性を向上させる為に，シラン
系，チタネート系，アルミキレート系などのカツプリン
グ剤を添加することもできる。
（作用） 本発明の導電性ペースト組成物は，電子部品の導電性接
着剤，電極材等として有用である。
着剤，電極材等として有用である。
本発明の導電性ペーストは，基材に塗布した後単に溶媒
を揮散させるだけで成膜されるため，被膜の形成が低温
かつ短時間で行われる。又，溶剤の極性が高くないため
基材を侵すこともなく，バインダー材の耐熱性にすぐれ
るため，はんだ付け性にすぐれ良好な素子を得ることが
できる。又，バインダー材が耐熱熱可塑性樹脂であり，
耐熱性，機械強度が優れている為，銀含有量を高くする
ことができる。この為，下地基材層及び銀粉相互間の電
気的接続が良く電気的特性が損なわれない。
を揮散させるだけで成膜されるため，被膜の形成が低温
かつ短時間で行われる。又，溶剤の極性が高くないため
基材を侵すこともなく，バインダー材の耐熱性にすぐれ
るため，はんだ付け性にすぐれ良好な素子を得ることが
できる。又，バインダー材が耐熱熱可塑性樹脂であり，
耐熱性，機械強度が優れている為，銀含有量を高くする
ことができる。この為，下地基材層及び銀粉相互間の電
気的接続が良く電気的特性が損なわれない。
（実施例） 次に，本発明を実施例により説明するが，本発明は，こ
れらによりなんら制限されるものではない。
れらによりなんら制限されるものではない。
実施例１ （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ａ
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに、窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエ
チルアミン4.44g（0.044モル）,N−メチルピロリドン40
mlを加え，溶解する。系内を−10℃に保ち，イソフタロ
イルクロライド4.06g（0.02モル）を溶解したシクロヘ
キサン溶液10mlを滴下する。このとき系内の温度は−10
〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなるので，所
望の粘度になつたら攪拌を停止し，反応液を大量のメタ
ノールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。
還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30
℃）を測定したところ0.82dl/gであつた。Tgは203℃で
あつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン及びジエ
チレングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに、窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエ
チルアミン4.44g（0.044モル）,N−メチルピロリドン40
mlを加え，溶解する。系内を−10℃に保ち，イソフタロ
イルクロライド4.06g（0.02モル）を溶解したシクロヘ
キサン溶液10mlを滴下する。このとき系内の温度は−10
〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなるので，所
望の粘度になつたら攪拌を停止し，反応液を大量のメタ
ノールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。
還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30
℃）を測定したところ0.82dl/gであつた。Tgは203℃で
あつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン及びジエ
チレングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 ジエチレングリコールジメチルエーテル2500重量部に溶
解させ，これに平均粒径2.9μの鱗片状Ag粉2900重量部
を加えて，らいかい機中で２時間混練して銀ペーストを
作製した。
解させ，これに平均粒径2.9μの鱗片状Ag粉2900重量部
を加えて，らいかい機中で２時間混練して銀ペーストを
作製した。
実施例２ （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｂ
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに，窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエ
チルアミン2.22g（0.022モル）,N−メチルピロリドン50
mlを加え溶解する。系内を−10℃に保ち無水トリメリツ
ト酸クロライド4.21g（0.02モル）を加える。系内の温
度は−10〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなる
ので所望の粘度になつたら無水酢酸10.0g,ピリジン5gを
加え60℃で１昼夜攪拌を続けた。反応液を大量のメタノ
ールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。こ
の重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミ
ド溶液,30℃）は0.73dl/gであつた。
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに，窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエ
チルアミン2.22g（0.022モル）,N−メチルピロリドン50
mlを加え溶解する。系内を−10℃に保ち無水トリメリツ
ト酸クロライド4.21g（0.02モル）を加える。系内の温
度は−10〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなる
ので所望の粘度になつたら無水酢酸10.0g,ピリジン5gを
加え60℃で１昼夜攪拌を続けた。反応液を大量のメタノ
ールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。こ
の重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミ
ド溶液,30℃）は0.73dl/gであつた。
Tgは240℃であつた。又，この樹脂はテトラヒドロフラ
ン，ジオキサン及びジエチレングリコールジメチルエー
テルに可溶であつた。
ン，ジオキサン及びジエチレングリコールジメチルエー
テルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂B100重量部をジオキサ
ン1500重量部に溶解させ，これにAg粉1200重量部を加え
て，らいかい機中で２時間混練して銀ペーストを作製し
た。
ン1500重量部に溶解させ，これにAg粉1200重量部を加え
て，らいかい機中で２時間混練して銀ペーストを作製し
た。
実施例３ （１）下記二種の繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性
樹脂Ｃの合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエチ
ルアミン4.44g（0.044モル）,N−メチルピロリドン50ml
を加え溶解する。系内を−10℃に保ち，イソフタロイル
クロライド2.03g（0.01モル）および無水トリメリツト
酸クロライド2.11g（0.01モル）を加える。系内の温度
は−10〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなるの
で所望の粘度になつたら無水酢酸5.0g,ピリジン2.5gを
加え60℃で１昼夜攪拌を続けた。反応液を大量のメタノ
ールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。こ
の重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミ
ド,30℃）は1.2dl/gであつた。Tgは220℃であつた。又
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
樹脂Ｃの合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル），トリエチ
ルアミン4.44g（0.044モル）,N−メチルピロリドン50ml
を加え溶解する。系内を−10℃に保ち，イソフタロイル
クロライド2.03g（0.01モル）および無水トリメリツト
酸クロライド2.11g（0.01モル）を加える。系内の温度
は−10〜−５℃に制御する。反応系の粘度が高くなるの
で所望の粘度になつたら無水酢酸5.0g,ピリジン2.5gを
加え60℃で１昼夜攪拌を続けた。反応液を大量のメタノ
ールに注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。こ
の重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミ
ド,30℃）は1.2dl/gであつた。Tgは220℃であつた。又
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂C100重量部をテトラヒ
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
4/6（重量比）の混合溶剤1500重量部を溶解させ，これ
にAg粉1200重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
4/6（重量比）の混合溶剤1500重量部を溶解させ，これ
にAg粉1200重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
実施例４ （１）下記繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｄ
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，分留頭を備えた３つ口フラスコ
に，ビスフエノールA5.044g（0.022モル）、50％水酸化
ナトリウム水溶液3.74g及びトルエン10mlを加え,160℃
に昇温する。水とトルエンの共沸物を系外に留去する。
ジクロルジフエニルスルホン6.318g（0.022モル）とジ
メチルスルホキシド17gを加える。160℃で１時間反応さ
せた後，反応液を大量のメタノール中に注ぎポリマーを
単離し180℃で減圧乾燥した。得られたポリマーの還元
粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は
0.61dl/gであつた。Tgは190℃であつた。又，この樹脂
はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリ
コールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 攪拌装置，窒素導入管，分留頭を備えた３つ口フラスコ
に，ビスフエノールA5.044g（0.022モル）、50％水酸化
ナトリウム水溶液3.74g及びトルエン10mlを加え,160℃
に昇温する。水とトルエンの共沸物を系外に留去する。
ジクロルジフエニルスルホン6.318g（0.022モル）とジ
メチルスルホキシド17gを加える。160℃で１時間反応さ
せた後，反応液を大量のメタノール中に注ぎポリマーを
単離し180℃で減圧乾燥した。得られたポリマーの還元
粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は
0.61dl/gであつた。Tgは190℃であつた。又，この樹脂
はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリ
コールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂D100重量部をジオキサ
ン／ジエチレングリコールジメチルエーテルが4/6（重
量比）の混合溶剤1700重量部に溶解させ，これにAg粉15
00重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分散を10時
間行ない銀ペーストを作製した。
ン／ジエチレングリコールジメチルエーテルが4/6（重
量比）の混合溶剤1700重量部に溶解させ，これにAg粉15
00重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分散を10時
間行ない銀ペーストを作製した。
実施例５ （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｅ
の合成例 実施例２の耐熱性熱可塑性樹脂Ｂの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりに1,3−ビス（３−アミ
ノフエノキシ）ベンゼン5.84g（0.02モル）を用いる以
外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元粘度
（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は0.59
dl/gであつた。Tgは192℃であつた。又、この樹脂は，
テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリコ
ールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例２の耐熱性熱可塑性樹脂Ｂの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりに1,3−ビス（３−アミ
ノフエノキシ）ベンゼン5.84g（0.02モル）を用いる以
外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元粘度
（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は0.59
dl/gであつた。Tgは192℃であつた。又、この樹脂は，
テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリコ
ールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂E100重量部をジオキサ
ン1700重量部に溶解させ，これにAg粉1500重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行ない銀ペー
ストを作製した。
ン1700重量部に溶解させ，これにAg粉1500重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行ない銀ペー
ストを作製した。
実施例６ （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｆ
の合成例 実施例２の耐熱性熱可塑性樹脂Ｂの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりに4,4′−ジアミノ−3,
3′,5,5′−テトラエチルジフエニルメタン6.2g（0.02
モル）を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重
合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶
液,30℃）は0.80dl/gであつた。Tgは280℃であつた。
又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及び
ジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶であつ
た。
の合成例 実施例２の耐熱性熱可塑性樹脂Ｂの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりに4,4′−ジアミノ−3,
3′,5,5′−テトラエチルジフエニルメタン6.2g（0.02
モル）を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重
合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶
液,30℃）は0.80dl/gであつた。Tgは280℃であつた。
又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及び
ジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶であつ
た。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂F100重量部をテトラヒ
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶媒1700重量部に溶解させ，これ
にAg粉1500重量部を加えて，らいかい機中で２時間混練
して銀ペーストを作製した。
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶媒1700重量部に溶解させ，これ
にAg粉1500重量部を加えて，らいかい機中で２時間混練
して銀ペーストを作製した。
実施例７ （１）下記の繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂
Ｇの合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル）,N−メチル
ピロリドン50mlを加え，溶解する。室温で2,2−ビス
（ｐ−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物1
1.52g（0.02モル）を添加する。室温で３時間反応さ
せ，更に190℃で６時間反応させる。反応液を大量のメ
タノールに注ぎポリマーを単離し180℃で減圧乾燥す
る。還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）を測定したところ0.69dl/gであつた。Tgは214℃
であつた。又この樹脂はテトラヒドロフラン，及びジエ
チレングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
Ｇの合成例 攪拌装置，窒素導入管，温度計，還流管を備えた４つ口
フラスコに窒素下,2,2−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン8.2g（0.02モル）,N−メチル
ピロリドン50mlを加え，溶解する。室温で2,2−ビス
（ｐ−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物1
1.52g（0.02モル）を添加する。室温で３時間反応さ
せ，更に190℃で６時間反応させる。反応液を大量のメ
タノールに注ぎポリマーを単離し180℃で減圧乾燥す
る。還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）を測定したところ0.69dl/gであつた。Tgは214℃
であつた。又この樹脂はテトラヒドロフラン，及びジエ
チレングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂G100重量部をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル1500重量部に溶解させ，
これにAg粉1200重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
ングリコールジメチルエーテル1500重量部に溶解させ，
これにAg粉1200重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
実施例８ （１）下記繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｈ
の合成例 実施例７の耐熱性熱可塑性樹脂Ｇの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりにビス〔４−（４−アミ
ノフエノキシ）フエニル〕スルホン8.64g（0.02モル）
にする以外，同様の方法で重合体を得た。この重合体の
還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30
℃）は0.88dl/gであつた。Tgは235℃であつた。又，こ
の樹脂はテトラヒドロフラン及びジエチレングリコール
ジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例７の耐熱性熱可塑性樹脂Ｇの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）の代わりにビス〔４−（４−アミ
ノフエノキシ）フエニル〕スルホン8.64g（0.02モル）
にする以外，同様の方法で重合体を得た。この重合体の
還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30
℃）は0.88dl/gであつた。Tgは235℃であつた。又，こ
の樹脂はテトラヒドロフラン及びジエチレングリコール
ジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂H100重量部をテトラヒ
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶剤1700重量部に溶解させ，これ
にAg粉1500重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶剤1700重量部に溶解させ，これ
にAg粉1500重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
実施例９ （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｉ
の合成例 攪拌装置，還流管を備えた３つ口フラスコに4,4′−ジ
ヒドロキシジフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05モ
ル），相関移動触媒としてテトラブチルアンモニウムク
ロライド0.3gを入れ,5％水酸化ナトリウム水溶液100gを
加え溶解する。次に，テレフタロイルクロライド5.08g
（0.025モル）とイソフタロイルクロライド5.08g（0.02
5モル）を溶解した塩化メチレン溶液100ccを強力に攪拌
した系内に加える。室温で更に１時間反応させ，水相を
捨てる。大量の水で洗浄後，大量のメタノール中に反応
液を注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。
の合成例 攪拌装置，還流管を備えた３つ口フラスコに4,4′−ジ
ヒドロキシジフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05モ
ル），相関移動触媒としてテトラブチルアンモニウムク
ロライド0.3gを入れ,5％水酸化ナトリウム水溶液100gを
加え溶解する。次に，テレフタロイルクロライド5.08g
（0.025モル）とイソフタロイルクロライド5.08g（0.02
5モル）を溶解した塩化メチレン溶液100ccを強力に攪拌
した系内に加える。室温で更に１時間反応させ，水相を
捨てる。大量の水で洗浄後，大量のメタノール中に反応
液を注ぎポリマーを単離し,180℃で減圧乾燥する。
還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30
℃）を測定したところ0.95dl/gであつた。Tgは203℃で
あつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキ
サン及びジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶
であつた。
℃）を測定したところ0.95dl/gであつた。Tgは203℃で
あつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキ
サン及びジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶
であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂I100重量部をジオキサ
ン1700重量部に溶解させ，これにAg粉1500重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行ない銀ペー
ストを作製した。
ン1700重量部に溶解させ，これにAg粉1500重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行ない銀ペー
ストを作製した。
実施例10 （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｊ
の合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）−ヘキサフルオロプロパン16.8g（0.05モル）を用
いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元
粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は
0.77dl/gであつた。Tgは190℃であつた。又，この樹脂
は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレング
リコールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに2,2−ビス（４−ヒドロキシフエニ
ル）−ヘキサフルオロプロパン16.8g（0.05モル）を用
いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元
粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は
0.77dl/gであつた。Tgは190℃であつた。又，この樹脂
は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレング
リコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂J100重量部をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル1000重量部に溶解させ，
これにAg粉1000重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
ングリコールジメチルエーテル1000重量部に溶解させ，
これにAg粉1000重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行ない銀ペーストを作製した。
実施例11 （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｋ
の合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−
テトラメチルジフエニル−2,2−プロパン14.2g（0.05モ
ル）を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合
体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）は1.1dl/gであつた。Tgは230℃であつた。又，こ
の樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−
テトラメチルジフエニル−2,2−プロパン14.2g（0.05モ
ル）を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合
体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）は1.1dl/gであつた。Tgは230℃であつた。又，こ
の樹脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂K100重量部をジオキサ
ン1000重量部に溶解させ，これにAg粉1000重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行い銀ペース
トを作製した。
ン1000重量部に溶解させ，これにAg粉1000重量部を加え
て，振とうを10時間，超音波分散を10時間行い銀ペース
トを作製した。
実施例12 （１）下記二種のくり返し単位を有する耐熱性熱可塑性
樹脂Ｌの合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−
テトラメチルジフエニル−2,2−プロパン7.1g（0.025モ
ル）と4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチ
ルジフエニルスルホン7.65g（0.025モル）を用いる以外
同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元粘度（樹
脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は0.59dl/g
であつた。Tgは259℃であつた。又，この樹脂は，テト
ラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリコール
ジメチルエーテルに可溶であつた。
樹脂Ｌの合成例 実施例９の耐熱性熱可塑性樹脂Ｉの合成例において,4,
4′−ジヒドロキシフエニル−2,2−ブタン12.1g（0.05
モル）の代わりに4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−
テトラメチルジフエニル−2,2−プロパン7.1g（0.025モ
ル）と4,4′−ジヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラメチ
ルジフエニルスルホン7.65g（0.025モル）を用いる以外
同様の方法で重合体を得た。この重合体の還元粘度（樹
脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）は0.59dl/g
であつた。Tgは259℃であつた。又，この樹脂は，テト
ラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレングリコール
ジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂L100重量部をテトラヒ
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶剤1000重量部に溶解させ，これ
にAg粉1000重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行い銀ペーストを作製した。
ドロフラン／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝
6/4（重量比）の混合溶剤1000重量部に溶解させ，これ
にAg粉1000重量部を加えて，振とうを10時間，超音波分
散を10時間行い銀ペーストを作製した。
実施例13 （１）下記くり返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｍ
の合成例 実施例４の耐熱性熱可塑性樹脂Ｄの合成例において，ビ
スフエノールA5.044gの代わりに4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′,5,5′−テトラメチルフエニル−2,2−プロパン6.
248gを用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合
体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）は,0.66dl/gであつた。Tgは217℃であつた。又，
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例４の耐熱性熱可塑性樹脂Ｄの合成例において，ビ
スフエノールA5.044gの代わりに4,4′−ジヒドロキシ−
3,3′,5,5′−テトラメチルフエニル−2,2−プロパン6.
248gを用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合
体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,
30℃）は,0.66dl/gであつた。Tgは217℃であつた。又，
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂M100重量部をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル1700重量部に溶解させ，
これにAg粉1500重量部を加えて振とうを10時間，超音波
分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
ングリコールジメチルエーテル1700重量部に溶解させ，
これにAg粉1500重量部を加えて振とうを10時間，超音波
分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
実施例14 （１）下記繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｎ
の合成例 実施例１の耐熱性熱可塑性樹脂Ａの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）を2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン10.36g（0.02モル）に，イソフタロイルクロ
ライド4.06g（0.02モル）をイソフタロイルクロライド
2.03g（0.01モル）とテレフタロイルクロライド2.03g
（0.01モル）の混合物にする以外同様の方法で重合体を
得た。この重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホ
ルムアミド溶液,30℃）は1.0dl/gであつた。Tgは240℃
であつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，及び
ジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶であつ
た。
の合成例 実施例１の耐熱性熱可塑性樹脂Ａの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）を2,2−ビス〔４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロプロパン10.36g（0.02モル）に，イソフタロイルクロ
ライド4.06g（0.02モル）をイソフタロイルクロライド
2.03g（0.01モル）とテレフタロイルクロライド2.03g
（0.01モル）の混合物にする以外同様の方法で重合体を
得た。この重合体の還元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホ
ルムアミド溶液,30℃）は1.0dl/gであつた。Tgは240℃
であつた。又，この樹脂は，テトラヒドロフラン，及び
ジエチレングリコールジメチルエーテルに可溶であつ
た。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂N100重量部をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル1700重量部に溶解させ，
これにAg粉1500重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
ングリコールジメチルエーテル1700重量部に溶解させ，
これにAg粉1500重量部を加えて，振とうを10時間，超音
波分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
実施例15 （１）下記繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｏ
の合成例 実施例７の耐熱性熱可塑性樹脂Ｇの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）に代えて,2,2−ビス〔４−（４−
アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロプロパン10.36g（0.02モル）を,2,2−ビス（ｐ
−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物11.52g
（0.02モル）に代えて,5,5′−スルホニルビス（ノルボ
ルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）7.88g（0.02モル）
を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の
還元粘度は0.71dl/gであつた。Tgは310℃であつた。
又，この樹脂はテトラヒドロフラン及びジエチレングリ
コールジメチルエーテルに可溶であつた。
の合成例 実施例７の耐熱性熱可塑性樹脂Ｇの合成例において,2,2
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕プロ
パン8.2g（0.02モル）に代えて,2,2−ビス〔４−（４−
アミノフエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロプロパン10.36g（0.02モル）を,2,2−ビス（ｐ
−トリメリツトキシフエニル）プロパン二無水物11.52g
（0.02モル）に代えて,5,5′−スルホニルビス（ノルボ
ルナン−2,3−ジカルボン酸無水物）7.88g（0.02モル）
を用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の
還元粘度は0.71dl/gであつた。Tgは310℃であつた。
又，この樹脂はテトラヒドロフラン及びジエチレングリ
コールジメチルエーテルに可溶であつた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂O100重量部をジエチレ
ングリコールジメチルエーテル1500重量部に溶解させ，
これにAg粉1200重量部を加えて振とうを10時間，超音波
分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
ングリコールジメチルエーテル1500重量部に溶解させ，
これにAg粉1200重量部を加えて振とうを10時間，超音波
分散を10時間行い銀ペーストを作製した。
比較例１ （１）下記繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂Ｐ
の合成例 実施例１において，イソフタロイルクロライドの代わり
にテレフタロイルクロライドを用いる以外，同じ方法で
合成した。還元粘度は0.80dl/g（0.2g/dlN−メチルピロ
リドン溶液,30℃）であつた。Tgは247℃であつた。又，
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルのいずれにも不溶であ
つた。
の合成例 実施例１において，イソフタロイルクロライドの代わり
にテレフタロイルクロライドを用いる以外，同じ方法で
合成した。還元粘度は0.80dl/g（0.2g/dlN−メチルピロ
リドン溶液,30℃）であつた。Tgは247℃であつた。又，
この樹脂はテトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチ
レングリコールジメチルエーテルのいずれにも不溶であ
つた。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂P100重量部をＮ−メチ
ルピロリドン1500重量部に溶解させ，これにAg粉1200重
量部を加えてらいかい機中で２時間混練して銀ペースト
を作製した。
ルピロリドン1500重量部に溶解させ，これにAg粉1200重
量部を加えてらいかい機中で２時間混練して銀ペースト
を作製した。
比較例２ （１）下記の繰り返し単位を有する耐熱性熱可塑性樹脂
Ｑの合成例 実施例１の耐熱性熱可塑性樹脂Ａの合成例において，イ
ソフタロイルクロライド4.06g（0.02モル）の代わり
に，テレフタロイルクロライド2.03g（0.01モル）とイ
ソフタロイルクロライド2.03g（0.01モル）の混合物を
用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還
元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）
は0.80dl/gであつた。Tgは230℃であつた。又，この樹
脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレン
グリコールジメチルエーテルのいずれにも不溶であつ
た。
Ｑの合成例 実施例１の耐熱性熱可塑性樹脂Ａの合成例において，イ
ソフタロイルクロライド4.06g（0.02モル）の代わり
に，テレフタロイルクロライド2.03g（0.01モル）とイ
ソフタロイルクロライド2.03g（0.01モル）の混合物を
用いる以外同様の方法で重合体を得た。この重合体の還
元粘度（樹脂0.2g/dlジメチルホルムアミド溶液,30℃）
は0.80dl/gであつた。Tgは230℃であつた。又，この樹
脂は，テトラヒドロフラン，ジオキサン及びジエチレン
グリコールジメチルエーテルのいずれにも不溶であつ
た。
（２）導電性ペースト組成物の作製 （１）で得た耐熱性熱可塑性樹脂Q100重量部をＮ−メチ
ル−２−ピロリドン／ブチルセロソルブアセテート＝4/
6（重量比）の混合溶液2500重量部に溶解させ，これにA
g粉2900重量部を加えて，らいかい機中で２時間混練し
て銀ペーストを作製した。
ル−２−ピロリドン／ブチルセロソルブアセテート＝4/
6（重量比）の混合溶液2500重量部に溶解させ，これにA
g粉2900重量部を加えて，らいかい機中で２時間混練し
て銀ペーストを作製した。
比較例３ 実施例１で得られた耐熱性熱可塑性樹脂A100重量部をＮ
−メチルピロリドン2500重量部に溶解させ，平均粒径2.
9μの鱗片状Ag粉2900重量部を加えて，らいかい機中で
２時間混練して銀ペーストを作成した。
−メチルピロリドン2500重量部に溶解させ，平均粒径2.
9μの鱗片状Ag粉2900重量部を加えて，らいかい機中で
２時間混練して銀ペーストを作成した。
比較例４ 実施例２で得られた耐熱性熱可塑性樹脂Ｂ 100重量部
をN,N−ジメチルホルムアミド1500重量部に溶解させ，
平均粒径2.9μの鱗片状Ag粉1200重量部を加えて，らい
かい機中で２時間混練して銀ペーストを作成した。
をN,N−ジメチルホルムアミド1500重量部に溶解させ，
平均粒径2.9μの鱗片状Ag粉1200重量部を加えて，らい
かい機中で２時間混練して銀ペーストを作成した。
比較例５ 実施例４で得られた耐熱性熱可塑性樹脂Ｄ 100重量部
をＮ−メチルピロリドン1700重量部に溶解させ，平均粒
径2.9μの鱗片状Ag粉1500重量部を加えて，振とうを10
時間，超音波分散10時間行い銀ペーストを作成した。
をＮ−メチルピロリドン1700重量部に溶解させ，平均粒
径2.9μの鱗片状Ag粉1500重量部を加えて，振とうを10
時間，超音波分散10時間行い銀ペーストを作成した。
比較例６ 実施例７で得られた耐熱性熱可塑性樹脂Ｇ 100重量部
をＮ−メチルピロリドン1500重量部に溶解させ，平均粒
径2.9μの鱗片状Ag粉1200重量部を加えて，振とうを10
時間，超音波分散10時間行い銀ペーストを作成した。
をＮ−メチルピロリドン1500重量部に溶解させ，平均粒
径2.9μの鱗片状Ag粉1200重量部を加えて，振とうを10
時間，超音波分散10時間行い銀ペーストを作成した。
実施例および比較例で得られた導電性ペースト組成物を
硬化物の被膜から50μｍになるようガラス板に塗布し13
0℃で乾燥したとき，残存溶剤が１重量％対硬化物にな
るまでの時間（乾燥時間）を測定した結果を表１に示
す。
硬化物の被膜から50μｍになるようガラス板に塗布し13
0℃で乾燥したとき，残存溶剤が１重量％対硬化物にな
るまでの時間（乾燥時間）を測定した結果を表１に示
す。
又，電極層を設けていないチツプ型タンタル固体電解コ
ンデンサーを上記銀ペーストに浸漬し，ひき上げた後，
回転させつつ乾燥し，被膜を形成した。乾燥温度は70℃
で30分予備乾燥後実施例は130℃で30分，比較例は160℃
で30分で行い塗布層の厚みは50μｍであつた。ついで，
これをAgを２％含有し，共晶点183℃であるハンダの溶
融物（温度260℃）に10秒間浸漬してはんだ層を設け，
その付着状態を調べ，さらにセロハン粘着テープによる
はがれ試験を行つた。これらの結果を表２に示す。
ンデンサーを上記銀ペーストに浸漬し，ひき上げた後，
回転させつつ乾燥し，被膜を形成した。乾燥温度は70℃
で30分予備乾燥後実施例は130℃で30分，比較例は160℃
で30分で行い塗布層の厚みは50μｍであつた。ついで，
これをAgを２％含有し，共晶点183℃であるハンダの溶
融物（温度260℃）に10秒間浸漬してはんだ層を設け，
その付着状態を調べ，さらにセロハン粘着テープによる
はがれ試験を行つた。これらの結果を表２に示す。
実施例で得られた耐熱性熱可塑性樹脂Ａ〜Ｏの各々は、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテルのそれぞれに不溶であっ
た。
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテルのそれぞれに不溶であっ
た。
（発明の効果） 本発明に係る導電性ペースト組成物は，はんだ付け性が
良好で，低沸点の溶剤を用いるため，低温・短時間で被
膜形成でき，接着性にもすぐれる。
良好で，低沸点の溶剤を用いるため，低温・短時間で被
膜形成でき，接着性にもすぐれる。
第１図はデイツプ型のタンタル固体電解コンデンサーの
構造を示す模式図であり，第２図はチツプ型のタンタル
固体電解コンデンサーの構造を示す模式図である。 符号の説明 １…陽極リード線、２…陽極ペレツト ３…誘電体皮膜、４…二酸化マンガン半導体 ５…カーボン、６…導電層 ７…陽極リード線、８…ハンダ
構造を示す模式図であり，第２図はチツプ型のタンタル
固体電解コンデンサーの構造を示す模式図である。 符号の説明 １…陽極リード線、２…陽極ペレツト ３…誘電体皮膜、４…二酸化マンガン半導体 ５…カーボン、６…導電層 ７…陽極リード線、８…ハンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 1/22 Ａ 7244−5Ｇ (72)発明者 南沢 寛 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内 (72)発明者 福島 利明 千葉県市原市五井南海岸14番地 日立化成 工業株式会社五井工場内 (72)発明者 大島 外代次 東京都新宿区西新宿２丁目１番１号 日立 化成工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−57660（ＪＰ，Ａ) 特開 昭48−16190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−78491（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】沸点180℃未満のエーテル化合物300〜3500
重量部，該エーテル化合物に可溶で、ガラス転移点150
℃以上で、しかも、芳香族ポリアミド，芳香族ポリアミ
ドイミド，芳香族ポリエステルイミド，ポリイミド，芳
香族ポリエステル及び芳香族ポリエーテルからなる群か
ら選ばれる少なくとも一種の耐熱性熱可塑性樹脂100重
量部及び導電性充填剤300〜3500重量部を含有してなる
導電性ペースト組成物。 - 【請求項２】芳香族ポリアミドが一般式（Ｉ） （ただし，式中，R1，R2，R3およびR4は水素を表わし,X
は−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は水素又は低級アルキル
基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は，その70モル％以上がｍ−フエニレン基であり,30モ
ル％以下がｐ−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基
又はジフエニレンスルホン基である組み合わせか又は
R1，R2，R3およびR4は低級アルキル基，低級アルコキシ
基又はハロゲンを表わし，これらは同一でも異なつてい
てもよく,Xは−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，水素又は低級アルキ
ル基を示し，これらは同一でも異なつていてもよく,Ar
は,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエニレンエ
ーテル基又はジフエニレンスルホン基である組み合わせ
か又はR1，R2，R3およびR4は水素，低級アルキル基，低
級アルコキシ基又はハロゲンを表わし，これらは同一で
も異なつていてもよく，−Ｘ−は を表わし，ここでR5およびR6はトリフルオロメチル基又
はフエニル基を示し，これらは同一でも異なつていても
よく,Arは,m−フエニレン基,p−フエニレン基，ジフエ
ニレンエーテル基又はジフエニレンスルホン基である組
み合わせ）で表わされる繰り返し単位を有する芳香族ポ
リエーテルアミド樹脂である特許請求の範囲第１項記載
の導電性ペースト組成物。 - 【請求項３】芳香族ポリアミドイミドが一般式（II） （ただし，式中，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アル
キル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし，これ
らは同一でも異なつていてもよく,Xは−Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，水素，低級アルキル
基，トリフルオロメチル基又はフエニル基を示し，これ
らは同一でも異なつていてもよい）で表わされる繰り返
し単位を有する芳香族ポリエーテルアミドイミド樹脂で
ある特許請求の範囲第１項記載の導電性ペースト組成
物。 - 【請求項４】芳香族ポリアミドイミドが一般式（III） （ただし，式中,R′1及びＲ′3は低級アルキル基であ
り，これらは同一でも異なつていてもよく,R′2は低級
アルキル基又はハロゲンを示し,m,m′及びｍ″はそれぞ
れ,R′1、Ｒ′2及びＲ′3の置換基数を示し,0又は１〜
４の整数であってm,m′及びｍ″はそれぞれ２以上であ
る場合，複数個のＲ′1、Ｒ′2及びＲ′3はそれぞれ同
一でも異なつていてもよく，−Ｘ′−は−Ｏ−又は を表わし，二個のＸ′は同一でも異なつていてもよく，
ここで、Ｒ′4及びＲ′5は，水素，低級アルキル基，ト
リフルオロメチル基又はフエニル基を示し，これらは同
一であつても，異なつていてもよい）で表わされる繰り
返し単位を有する芳香族ポリアミドイミド樹脂である特
許請求の範囲第１項記載の導電性ペースト組成物。 - 【請求項５】芳香族ポリアミドイミドが一般式（IV） （ただし，式中,R″1,R″2,R″3およびＲ″4は低級アル
キル基，低級アルコキシ基またはハロゲンを示し，これ
らは同一でも異なつていてもよく,Xは−Ｏ−，−Ｓ−， を示し，ここで、Ｒ″5及びＲ″6は水素，低級アルキル
基，トリフルオロメチル基またはフエニル基を示す）で
表わされる繰り返し単位を有する芳香族ポリアミドイミ
ド樹脂である特許請求の範囲第１項記載の導電性ペース
ト組成物。 - 【請求項６】芳香族ポリエステルイミドが一般式（Ｖ） （ただし，式中，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アル
キル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし,Xは−
Ｏ−．−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，各々，独立して水
素，低級アルキル基，トリフルオロメチル基又はフエニ
ル基を示し,R1,R2,R3およびＲ4は，R1，R2，R3
およびR4と同様の基であり,X″はＸと同様の基であつて
R1，R2，R3，R4,R1,R2,R3およびＲ4は同一でも
異なつていてもよく,XおよびＸ″は同一でも異なつてい
てもよい）で表わされる繰り返し単位を有する芳香族ポ
リエーテルエステルイミド樹脂である特許請求の範囲第
１項記載の導電性ペースト組成物。 - 【請求項７】ポリイミドが一般式（VI） （ただし，式中,Xは芳香族ジアミンのアミノ基を除い
た２価の残基を示し,Yは脂肪族または脂環式テトラカル
ボン酸のカルボキシル基を除いた４価の残基を示す）で
表わされる繰り返し単位を有するポリイミドから選ばれ
る樹脂である特許請求の範囲第１項記載の導電性ペース
ト組成物。 - 【請求項８】芳香族ポリエステルが一一般式（VII） （ただし，式中，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アル
キル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし，これ
らは同一でも異なつていてもよく,Xは−Ｏ−，−Ｓ−． を表わし，ここでR5およびR6は，水素，低級アルキル
基，トリフルオロメチル基又はフエニル基を示し，これ
らは同一でも異なつていてもよく,Ar′はｐ−フエニレ
ン基,m−フエニレン基，ジフエニレンエーテル基または
ジフエニレンスルホン基を示す）で表わされる繰り返し
単位を有する芳香族ポリエステル樹脂から選択される樹
脂である特許請求の範囲第１項記載の導電性ペースト組
成物。 - 【請求項９】芳香族ポリエーテルが一般式（VIII） （ただし．式中，R1，R2，R3およびR4は水素，低級アル
キル基，低級アルコキシ基又はハロゲンを表わし,Xは−
Ｏ−，−Ｓ−， を表わし，ここで，R5およびR6は，水素，低級アルキル
基，トリフルオロメチル基又はフエニル基を示し，これ
らは同一でも異なつていてもよく,R″1,R″2,R″3およ
びＲ″4はR1，R2，R3およびR4と同様の基であり,X″は
Ｘと同様の基であつて，R1，R2，R3，R4,R″1,R″2,R″
3およびＲ″4は同一でも異なつていてもよく,X及びＸ″
は同一でも異なつていてもよい）で表わされる繰り返し
単位を有する芳香族ポリエーテル樹脂から選択される樹
脂である特許請求の範囲第１項記載の導電性ペースト組
成物。 - 【請求項１０】沸点が180℃未満のエーテル化合物がテ
トラヒドフラン，ジオキサン又はジエチレングリコール
ジメチルエーテルの単独又は混合物である特許請求の範
囲第１項記載の導電性ペースト組成物。 - 【請求項１１】導電性充填剤がAgである特許請求の範囲
第１項記載の導電性ペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261353A JPH0696685B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 導電性ペ−スト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61261353A JPH0696685B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 導電性ペ−スト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117075A JPS63117075A (ja) | 1988-05-21 |
| JPH0696685B2 true JPH0696685B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=17360665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61261353A Expired - Lifetime JPH0696685B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 導電性ペ−スト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696685B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693162B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-02-17 | Kaneka Japan Corporation | Polyimide resin and resin composition, adhesive solution, film-state joining component,and adhesive laminate film improved in moisture resistance using it, and production methods therefor |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797471B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1998-09-17 | 日立化成工業株式会社 | 導電性ペースト組成物 |
| JP3451401B2 (ja) * | 1992-12-16 | 2003-09-29 | 鐘淵化学工業株式会社 | 超電導線材被覆用熱融着性積層フィルム |
| EP0805616A1 (en) * | 1996-05-03 | 1997-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrically conductive compositions |
| US9006350B2 (en) * | 2006-12-22 | 2015-04-14 | Axalta Coating Systems Ip Co., Llc | Selfbonding enamels based on new polyester amide imides and polyester amides |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5478491A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-22 | Murata Manufacturing Co | Conductive paste |
| JPS6157660A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 帯電防止用透明塗料 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61261353A patent/JPH0696685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693162B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-02-17 | Kaneka Japan Corporation | Polyimide resin and resin composition, adhesive solution, film-state joining component,and adhesive laminate film improved in moisture resistance using it, and production methods therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63117075A (ja) | 1988-05-21 |
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