JPH0695350B2 - Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 - Google Patents
Ｉｃメモリカード用バッテリ回路Info
- Publication number
- JPH0695350B2 JPH0695350B2 JP63199995A JP19999588A JPH0695350B2 JP H0695350 B2 JPH0695350 B2 JP H0695350B2 JP 63199995 A JP63199995 A JP 63199995A JP 19999588 A JP19999588 A JP 19999588A JP H0695350 B2 JPH0695350 B2 JP H0695350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- battery
- card
- power supply
- external power
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/141—Battery and back-up supplies
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ICメモリカードのうちの特にバッテリを内
蔵したRAMカードのバッテリ回路に関するものである。
蔵したRAMカードのバッテリ回路に関するものである。
［従来の技術］ 第４図は、例えば社団法人、日本電子工業振興協会、パ
ーソナルコンピュータ業務委員会作成の「ICメモリカー
ド・ガイドライン」（昭和61年９月発行）に記載されて
いる、従来のRAMカードの構成を示すブロック図であ
る。図において、RAMチップ部分（２）は通常、複数個
のスタティックRAM（図示せず）からなる。インターフ
ェース・コネクタ（１）は、ICカードターミナル（図示
せず）との接続を行うコネクタであり、このインターフ
ェイス・コネクタ（１）からRAMチップ部分（２）に、R
AMチップ部分（２）中の指定されたスタティックRAMを
選択するチップセレクト制御回路（３）を介して制御線
（４）、アドレス線（５）が接続され、さらにデータ線
（６）がインターフェイス・コネクタ（１）から直接、
RAMチップ部分（２）に接続されている。また、電源制
御回路（10）には、インターフェイス・コネクタ（１）
を介してRAMカード外部からの外部電源線（11）および
グランド線（12）が、またRAMカードが例えばICカード
ターミナル（図示せず）から外されて外部から電力を受
けられない間、RAMチップ部分（２）の記憶データを保
持するための、RAMカードに内蔵されたデータ・バック
アップ用バッテリ（９）（以下バッテリとする）からの
電源線（9a）が接続されている。そしてこの電源制御回
路（10）は電源線（13）によって、RAMチップ部分
（２）およびチップセレクト制御回路（３）に、外部電
源線（11）もしくはバッテリ（９）からの電力を供給す
る。一般にバッテリ（９）の電圧Vbbは約3Vであり、ま
た外部電源線（11）の電圧Vccは、RAMカードが外部電源
から電力供給を受けているときに5Vとなる。ここでRAM
カードにはバッテリ（９）の使用可能期間の長短によ
り、バッテリ（９）が完全にRAMカード内に埋め込まれ
てバッテリ交換ができない使い捨てのものと、容易に新
しいバッテリと交換できるものとがあり、一般的には小
容量のRAMカードはバッテリの消耗が少ないので前者の
埋め込みタイプ、大容量のRAMカードはバッテリの消耗
が多いので後者の交換可能なタイプが多い。
ーソナルコンピュータ業務委員会作成の「ICメモリカー
ド・ガイドライン」（昭和61年９月発行）に記載されて
いる、従来のRAMカードの構成を示すブロック図であ
る。図において、RAMチップ部分（２）は通常、複数個
のスタティックRAM（図示せず）からなる。インターフ
ェース・コネクタ（１）は、ICカードターミナル（図示
せず）との接続を行うコネクタであり、このインターフ
ェイス・コネクタ（１）からRAMチップ部分（２）に、R
AMチップ部分（２）中の指定されたスタティックRAMを
選択するチップセレクト制御回路（３）を介して制御線
（４）、アドレス線（５）が接続され、さらにデータ線
（６）がインターフェイス・コネクタ（１）から直接、
RAMチップ部分（２）に接続されている。また、電源制
御回路（10）には、インターフェイス・コネクタ（１）
を介してRAMカード外部からの外部電源線（11）および
グランド線（12）が、またRAMカードが例えばICカード
ターミナル（図示せず）から外されて外部から電力を受
けられない間、RAMチップ部分（２）の記憶データを保
持するための、RAMカードに内蔵されたデータ・バック
アップ用バッテリ（９）（以下バッテリとする）からの
電源線（9a）が接続されている。そしてこの電源制御回
路（10）は電源線（13）によって、RAMチップ部分
（２）およびチップセレクト制御回路（３）に、外部電
源線（11）もしくはバッテリ（９）からの電力を供給す
る。一般にバッテリ（９）の電圧Vbbは約3Vであり、ま
た外部電源線（11）の電圧Vccは、RAMカードが外部電源
から電力供給を受けているときに5Vとなる。ここでRAM
カードにはバッテリ（９）の使用可能期間の長短によ
り、バッテリ（９）が完全にRAMカード内に埋め込まれ
てバッテリ交換ができない使い捨てのものと、容易に新
しいバッテリと交換できるものとがあり、一般的には小
容量のRAMカードはバッテリの消耗が少ないので前者の
埋め込みタイプ、大容量のRAMカードはバッテリの消耗
が多いので後者の交換可能なタイプが多い。
第５図は第４図のRAMカードのバッテリ回路の部分につ
いて、基本的な機能を説明するために、最も簡単な例で
具体化したものの回路図である。第５図において第４図
と同一の部分は同一の符号で示されている。バッテリ回
路（20）において、ダイオード（14）はバッテリ（９）
からのバッテリ電流がRAMカードの外部へ流れ出るのを
防止するためのものであり、ダイオード（15）は逆に外
部電源線（11）からの電流によってバッテリ（９）が充
電されるのを防止するためのものであり、これらの２つ
のダイオード（14）（15）によって、外部電源線（11）
の電圧Vccとバッテリ（９）の電圧Vbbのより高い電圧の
方を内部電圧Vddとする最も簡単な電源制御回路（10）
を構成している。上述のように大容量RAMカードはRAMチ
ップ部分（２）が多数のスタティックRAMで構成されて
おり、バックアップに必要なバッテリ（９）のバックア
ップ電流も大きく、バッテリ（９）の寿命を短縮させ
る。従ってバッテリ交換型のものが多い。第６図はバッ
テリ（９）をRAMカード本体（21）（ここではバッテリ
回路で示されている）と別々の梱包に入れて出荷する模
様を回路図で表現したものであり、第７図はRAMカード
本体（20）とバッテリ（９）を共に梱包から取り出して
使用し始める時に、バッテリ（９）をRAMカード本体（2
1）に装着する模様を回路図で表現したものである。そ
してRAMカードを使用していないので、内部に記憶され
ているデータが無くなってもよい時には、バッテリ
（９）の寿命を延ばすために、バッテリ（９）はRAMカ
ード本体（21）から取り外ずされる。
いて、基本的な機能を説明するために、最も簡単な例で
具体化したものの回路図である。第５図において第４図
と同一の部分は同一の符号で示されている。バッテリ回
路（20）において、ダイオード（14）はバッテリ（９）
からのバッテリ電流がRAMカードの外部へ流れ出るのを
防止するためのものであり、ダイオード（15）は逆に外
部電源線（11）からの電流によってバッテリ（９）が充
電されるのを防止するためのものであり、これらの２つ
のダイオード（14）（15）によって、外部電源線（11）
の電圧Vccとバッテリ（９）の電圧Vbbのより高い電圧の
方を内部電圧Vddとする最も簡単な電源制御回路（10）
を構成している。上述のように大容量RAMカードはRAMチ
ップ部分（２）が多数のスタティックRAMで構成されて
おり、バックアップに必要なバッテリ（９）のバックア
ップ電流も大きく、バッテリ（９）の寿命を短縮させ
る。従ってバッテリ交換型のものが多い。第６図はバッ
テリ（９）をRAMカード本体（21）（ここではバッテリ
回路で示されている）と別々の梱包に入れて出荷する模
様を回路図で表現したものであり、第７図はRAMカード
本体（20）とバッテリ（９）を共に梱包から取り出して
使用し始める時に、バッテリ（９）をRAMカード本体（2
1）に装着する模様を回路図で表現したものである。そ
してRAMカードを使用していないので、内部に記憶され
ているデータが無くなってもよい時には、バッテリ
（９）の寿命を延ばすために、バッテリ（９）はRAMカ
ード本体（21）から取り外ずされる。
［発明が解決しようとする課題］ 以上のように構成されている従来のバッテリ回路を備え
たRAMカードの場合には、出荷時にはバッテリをRAMカー
ド本体と別に梱包しなければならず、またRAMカードに
記憶されているデータを残しておく必要がなく、また長
期に渡って使用することがない場合には、バッテリをRA
Mカード本体から取り外しておかなければならない等、
手間が懸かるという課題があった。
たRAMカードの場合には、出荷時にはバッテリをRAMカー
ド本体と別に梱包しなければならず、またRAMカードに
記憶されているデータを残しておく必要がなく、また長
期に渡って使用することがない場合には、バッテリをRA
Mカード本体から取り外しておかなければならない等、
手間が懸かるという課題があった。
この発明は上記の課題を解消するためになされたもの
で、出荷時にバッテリをRAMカード本体から取り外して
別々に梱包する必要がなく、バッテリをRAMカード本体
に予め接続した状態でも無駄にバッテリを消耗すること
はなく出荷することができ、またRAMカードを長い間使
用しない時には、バッテリをわざわざ取り外さなくても
カード外部から外部電源線を介して所定の電気信号を与
えることによって、容易にバッテリ回路からバッテリを
電気的に切り離すことができ、バッテリをRAMカードか
らわざわざ取り外さなくても容易にバッテリの寿命を長
くすることのできるICメモリカード用のバッテリ回路を
得ることを目的とする。
で、出荷時にバッテリをRAMカード本体から取り外して
別々に梱包する必要がなく、バッテリをRAMカード本体
に予め接続した状態でも無駄にバッテリを消耗すること
はなく出荷することができ、またRAMカードを長い間使
用しない時には、バッテリをわざわざ取り外さなくても
カード外部から外部電源線を介して所定の電気信号を与
えることによって、容易にバッテリ回路からバッテリを
電気的に切り離すことができ、バッテリをRAMカードか
らわざわざ取り外さなくても容易にバッテリの寿命を長
くすることのできるICメモリカード用のバッテリ回路を
得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的に鑑み、この発明は、内部電源を必要とする
ICメモリカードに内蔵されているICメモリカード用バッ
テリ回路であって、データ記憶用のメモリチップ部分の
両端に接続されてカード外部からの電力を供給するため
の外部電源線およびグランド線と、これらの外部電源線
とグランド線間に接続されたデータ・バックアップ用バ
ッテリと、外部電源線からの電流がデータ・バックアッ
プ用バッテリに流れ込むのを防止すると共に、外部電源
線の電圧がバッテリの電圧より低いことを条件に、カー
ド外部から外部電源線へ送られる電気信号に従って、バ
ッテリの外部電源線に対する電気的接続および切り離し
を行う能動スイッチ手段とを備え、バッテリによるバッ
テリ・バックアップ機能をカード外部から制御可能にし
たことを特徴とするICメモリカード用バッテリ回路にあ
る。
ICメモリカードに内蔵されているICメモリカード用バッ
テリ回路であって、データ記憶用のメモリチップ部分の
両端に接続されてカード外部からの電力を供給するため
の外部電源線およびグランド線と、これらの外部電源線
とグランド線間に接続されたデータ・バックアップ用バ
ッテリと、外部電源線からの電流がデータ・バックアッ
プ用バッテリに流れ込むのを防止すると共に、外部電源
線の電圧がバッテリの電圧より低いことを条件に、カー
ド外部から外部電源線へ送られる電気信号に従って、バ
ッテリの外部電源線に対する電気的接続および切り離し
を行う能動スイッチ手段とを備え、バッテリによるバッ
テリ・バックアップ機能をカード外部から制御可能にし
たことを特徴とするICメモリカード用バッテリ回路にあ
る。
［作用］ この発明におけるICメモリカード用バッテリ回路の能動
スイッチ手段としては、特にサイリスタのうちの、ゲー
ト電圧で容易にオン／オフ制御ができるゲートターンオ
フ（GTO）型のサイリスタが好ましく、このGTOサイリス
タはあるレベル以上の正のゲート電圧でサイリスタのア
ノード−カソード間がオン状態（導通状態）になり、ま
た所定レベル以上の負のゲート電圧でサイリスタのアノ
ード−カソード間がオフ状態（不導通状態）になる。こ
のGTOサイリスタのゲート端子への電気信号は、カード
外部から外部電源線を介して印加されるようになってお
り、バッテリによるバッテリ・バックアップ機能をカー
ド外部から制御することができる。
スイッチ手段としては、特にサイリスタのうちの、ゲー
ト電圧で容易にオン／オフ制御ができるゲートターンオ
フ（GTO）型のサイリスタが好ましく、このGTOサイリス
タはあるレベル以上の正のゲート電圧でサイリスタのア
ノード−カソード間がオン状態（導通状態）になり、ま
た所定レベル以上の負のゲート電圧でサイリスタのアノ
ード−カソード間がオフ状態（不導通状態）になる。こ
のGTOサイリスタのゲート端子への電気信号は、カード
外部から外部電源線を介して印加されるようになってお
り、バッテリによるバッテリ・バックアップ機能をカー
ド外部から制御することができる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明によるICメモリカード用バッテリ回路の一
実施例を示す回路図であり、第５図と同一の部分は同一
の符号で示されている。第１図のバッテリ回路（200）
において、電源制御回路（100）は、バッテリ電流がRAM
カードの外部に流れ出るのを防止するためのダイオード
（14）、バッテリ（９）が外部電源からの電流によって
充電されるのを防止し、さらにバッテリ電流を制御する
ための能動スイッチ素子であるGTOサイリスタ（16）、G
TOサイリスタ（16）のゲート端子（Ｇ）に外部から電流
を流さなくても、リーク電流などの内部的な要因で、ひ
とりでにオン（導通状態）になってしまう現象、すなわ
ち自己点弧による誤動作を防止するためのゲート抵抗
（17）、RAMカードの外部の例えばICカードターミナル
から、後述するように外部電源線（11）に負電圧パルス
を引加してGTOサイリスタ（16）を強制的にオフ（不導
通状態）にさせるための、負電圧を調整するための分割
抵抗（18）、およびRAMカードのICカードターミナルへ
の接続／切り離しの際に、外部電源線（11）の電圧Vcc
が急激に変化するのを防止するためのコンデンサ（19）
からなる。周知のように、GTOのサイリスタ（16）に
は、 （１） ゲート端子（Ｇ）に電流を流さない場合は、ど
ちら向きに電圧がかかっても常にオフ状態のままであ
る。
図はこの発明によるICメモリカード用バッテリ回路の一
実施例を示す回路図であり、第５図と同一の部分は同一
の符号で示されている。第１図のバッテリ回路（200）
において、電源制御回路（100）は、バッテリ電流がRAM
カードの外部に流れ出るのを防止するためのダイオード
（14）、バッテリ（９）が外部電源からの電流によって
充電されるのを防止し、さらにバッテリ電流を制御する
ための能動スイッチ素子であるGTOサイリスタ（16）、G
TOサイリスタ（16）のゲート端子（Ｇ）に外部から電流
を流さなくても、リーク電流などの内部的な要因で、ひ
とりでにオン（導通状態）になってしまう現象、すなわ
ち自己点弧による誤動作を防止するためのゲート抵抗
（17）、RAMカードの外部の例えばICカードターミナル
から、後述するように外部電源線（11）に負電圧パルス
を引加してGTOサイリスタ（16）を強制的にオフ（不導
通状態）にさせるための、負電圧を調整するための分割
抵抗（18）、およびRAMカードのICカードターミナルへ
の接続／切り離しの際に、外部電源線（11）の電圧Vcc
が急激に変化するのを防止するためのコンデンサ（19）
からなる。周知のように、GTOのサイリスタ（16）に
は、 （１） ゲート端子（Ｇ）に電流を流さない場合は、ど
ちら向きに電圧がかかっても常にオフ状態のままであ
る。
（２） アノード端子（Ａ）側がカソード端子（Ｋ）側
より高電圧になっている時に、ゲート端子（Ｇ）に電流
を流し込む、すなわち電気的にあるレベル以上の正の電
圧（パルス）を印加するとオン（導通状態）となる。
より高電圧になっている時に、ゲート端子（Ｇ）に電流
を流し込む、すなわち電気的にあるレベル以上の正の電
圧（パルス）を印加するとオン（導通状態）となる。
（３） この導通状態は、電流を止めるか逆流させるま
で続く （４） ゲート端子（Ｇ）に一定電圧以上の負電圧（パ
ルス）を印加したときには強制的にオフ状態にさせられ
る。
で続く （４） ゲート端子（Ｇ）に一定電圧以上の負電圧（パ
ルス）を印加したときには強制的にオフ状態にさせられ
る。
という性格がある。
また、第２図および第３図には外部電源線（11）の電圧
VccおよびGTOサイリスタ（16）の動作状態の経時的変化
が示されており、第２図にはRAMカードが初めて例えばI
Cカードターミナルに接続されて外部電源線（11）に電
圧が印加され、バッテリ・バックアップ機能が開始され
た時、第３図はバッテリ・バックアップが不要な時にバ
ッテリ・バックアップ機能を終了させる時、の状態を示
すものである。
VccおよびGTOサイリスタ（16）の動作状態の経時的変化
が示されており、第２図にはRAMカードが初めて例えばI
Cカードターミナルに接続されて外部電源線（11）に電
圧が印加され、バッテリ・バックアップ機能が開始され
た時、第３図はバッテリ・バックアップが不要な時にバ
ッテリ・バックアップ機能を終了させる時、の状態を示
すものである。
次に第１図ないし第３図に従って動作を説明する。始め
に第２図において、RAMカードがICカードターミナルに
接続されて、その後、例えばICカードタミーナルのキー
ボード（共に図示せず）の操作に従って外部電源線（1
1）に、入荷後、始めて電圧が印加されると、電圧Vccが
0VからRAMカードのリードライト可能な5Vまで上昇し、R
AMカードが実際に使用されることになる。RAMカードが
実際に使用されている期間を期間［Ｉ］で示す。ここま
での間GTOサイリスタ（16）はオフ状態であり、バッテ
リ・バックアップ機能は働かない。なお、図示していな
いが実際には、電圧Vccが0Vから上昇して3Vに達する直
前で短時間の間GTOサイリスタ（16）がオンすることが
あるが、実質的なバッテリ・バックアップ機能は動作し
ない。すなわち、GTOサイリスタ（16）がオンしていな
ければ、内部電圧Vddの電位も電圧Vccの電圧の上昇と殆
ど同じ値で上昇する。分割抵抗（18）の抵抗値は、電圧
Vccが3V付近にならないとGTOサイリスタ（16）がオンし
ないように設定されている。
に第２図において、RAMカードがICカードターミナルに
接続されて、その後、例えばICカードタミーナルのキー
ボード（共に図示せず）の操作に従って外部電源線（1
1）に、入荷後、始めて電圧が印加されると、電圧Vccが
0VからRAMカードのリードライト可能な5Vまで上昇し、R
AMカードが実際に使用されることになる。RAMカードが
実際に使用されている期間を期間［Ｉ］で示す。ここま
での間GTOサイリスタ（16）はオフ状態であり、バッテ
リ・バックアップ機能は働かない。なお、図示していな
いが実際には、電圧Vccが0Vから上昇して3Vに達する直
前で短時間の間GTOサイリスタ（16）がオンすることが
あるが、実質的なバッテリ・バックアップ機能は動作し
ない。すなわち、GTOサイリスタ（16）がオンしていな
ければ、内部電圧Vddの電位も電圧Vccの電圧の上昇と殆
ど同じ値で上昇する。分割抵抗（18）の抵抗値は、電圧
Vccが3V付近にならないとGTOサイリスタ（16）がオンし
ないように設定されている。
RAMカードの使用が終了して外部電源からの外部電源線
（11）への電力供給が無くなると、電圧Vccが5Vから0V
に向って低下するが、この途中、電圧Vccがバッテリ電
圧Vbb（約3V）より低下した時点でGTOサイリスタ（16）
はオン状態になり、バッテリ・バックアップ機能は働く
ようになる。なぜなら、GTOサイリスタ（16）のアノー
ド端子（Ａ）側のバッテリ電圧Vbbがカソード端子
（ｋ）側の外部電源線電圧Vcc高電圧になり、かつ分割
抵抗（18）を介して外部電源線（11）からGTOサイリス
タ（16）のゲート端子（Ｇ）にゲート電流を流し込んだ
ことにより、GTOサイリスタ（16）がオン状態になる条
件を満足したためである。外部電源線（11）の電圧Vcc
が0Vの期間［II］は、いわゆるRAMカードを携帯してい
る時であり、GTOサイリスタ（16）がオン状態を継続す
ることから、バッテリ・バックアップ機能は働いてい
る。再び、RAMカードがICカードターミナル等に接続さ
れて外部電源線（11）に電圧が印加されて電圧Vccがバ
ッテリ電圧Vbbの約3V以上になると、GTOサイリスタ（1
6）がオフし、以下、上述した動作が繰り返されること
になる。なお、ダイオード（14）とGTOサイリスタ（1
6）による給電切り替え時のほんのわずかな空白の時間
は、外部電源線（11）とグランド線（12）の間に挿入さ
れたコンデンサ（19）によってRAMチップ部分（２）の
両端間の電圧が保持されており、RAMリップ部分（２）
中にホールドされたデータがバックアップされないとい
う問題は発生しない。
（11）への電力供給が無くなると、電圧Vccが5Vから0V
に向って低下するが、この途中、電圧Vccがバッテリ電
圧Vbb（約3V）より低下した時点でGTOサイリスタ（16）
はオン状態になり、バッテリ・バックアップ機能は働く
ようになる。なぜなら、GTOサイリスタ（16）のアノー
ド端子（Ａ）側のバッテリ電圧Vbbがカソード端子
（ｋ）側の外部電源線電圧Vcc高電圧になり、かつ分割
抵抗（18）を介して外部電源線（11）からGTOサイリス
タ（16）のゲート端子（Ｇ）にゲート電流を流し込んだ
ことにより、GTOサイリスタ（16）がオン状態になる条
件を満足したためである。外部電源線（11）の電圧Vcc
が0Vの期間［II］は、いわゆるRAMカードを携帯してい
る時であり、GTOサイリスタ（16）がオン状態を継続す
ることから、バッテリ・バックアップ機能は働いてい
る。再び、RAMカードがICカードターミナル等に接続さ
れて外部電源線（11）に電圧が印加されて電圧Vccがバ
ッテリ電圧Vbbの約3V以上になると、GTOサイリスタ（1
6）がオフし、以下、上述した動作が繰り返されること
になる。なお、ダイオード（14）とGTOサイリスタ（1
6）による給電切り替え時のほんのわずかな空白の時間
は、外部電源線（11）とグランド線（12）の間に挿入さ
れたコンデンサ（19）によってRAMチップ部分（２）の
両端間の電圧が保持されており、RAMリップ部分（２）
中にホールドされたデータがバックアップされないとい
う問題は発生しない。
次に、第３図においてRAMカードの使用が終了して、外
部電源からの外部電源線（11）への給電がなくなると
（この時RAMカードはまだICカードターミナルに接続さ
れている）、電圧Vccが5Vから降下し始める。そして途
中、バッテリ電圧3V以下になった時にGTOサイリスタ（1
6）がオン状態になって、さらに電圧Vccが降下して0Vま
で達する。その後、バックアップ機能が働いているRAM
カードに対してICカードターミナルのキーボードの操作
等により、外部電源線（11）に負電圧パルス（Ｐ）を印
加し、これが分割抵抗（18）を介してGTOサイリスタ（1
6）のゲート端子（Ｇ）に入力されると負のゲート電流
が流れるため、GTOサイリスタ（16）は強制的にオフ状
態にされてバッテリ・バックアップ機能が中断する。こ
の期間を期間［III］とする。これは製造者がRAMカード
の最終的な機能チェック等を行った後の出荷する直前、
あるいはRAMカードに記憶されたデータを保持しておく
必要がなく、かつRAMカードを長期に渡って使用しない
時に、バッテリ（９）の無駄な消耗を防ぐ目的で行われ
る。
部電源からの外部電源線（11）への給電がなくなると
（この時RAMカードはまだICカードターミナルに接続さ
れている）、電圧Vccが5Vから降下し始める。そして途
中、バッテリ電圧3V以下になった時にGTOサイリスタ（1
6）がオン状態になって、さらに電圧Vccが降下して0Vま
で達する。その後、バックアップ機能が働いているRAM
カードに対してICカードターミナルのキーボードの操作
等により、外部電源線（11）に負電圧パルス（Ｐ）を印
加し、これが分割抵抗（18）を介してGTOサイリスタ（1
6）のゲート端子（Ｇ）に入力されると負のゲート電流
が流れるため、GTOサイリスタ（16）は強制的にオフ状
態にされてバッテリ・バックアップ機能が中断する。こ
の期間を期間［III］とする。これは製造者がRAMカード
の最終的な機能チェック等を行った後の出荷する直前、
あるいはRAMカードに記憶されたデータを保持しておく
必要がなく、かつRAMカードを長期に渡って使用しない
時に、バッテリ（９）の無駄な消耗を防ぐ目的で行われ
る。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、ICメモリカードのバッ
テリ回路において、バッテリに外部電源線からの電流が
流れ込むのを阻止すると共に、バッテリのバッテリ回路
への接続および切り離しをカード外部からの制御信号に
従って制御する能動スイッチ素子およびその制御部分か
らなる能動スイッチ手段を設けたことにより、出荷時に
バッテリをICカード中に内蔵させたままでも、無駄なバ
ッテリの消耗がなく、また、カードを長い間使用しない
時なども、バッテリをカードから取り出さなくてもバッ
テリをバッテリ回路から電気的に切り離すことができ、
無駄なバッテリ電力の消耗が防止できるICメモリカード
用バッテリ回路が供給できるという効果が得られる。
テリ回路において、バッテリに外部電源線からの電流が
流れ込むのを阻止すると共に、バッテリのバッテリ回路
への接続および切り離しをカード外部からの制御信号に
従って制御する能動スイッチ素子およびその制御部分か
らなる能動スイッチ手段を設けたことにより、出荷時に
バッテリをICカード中に内蔵させたままでも、無駄なバ
ッテリの消耗がなく、また、カードを長い間使用しない
時なども、バッテリをカードから取り出さなくてもバッ
テリをバッテリ回路から電気的に切り離すことができ、
無駄なバッテリ電力の消耗が防止できるICメモリカード
用バッテリ回路が供給できるという効果が得られる。
第１図はこの発明のICメモリカード用バッテリ回路の一
実施例を示す回路図、第２図はカードに初めて外部電源
から電力が与えられてバッテリ・バックアップ機能が働
き始める時の回路動作を説明するための図、第３図はバ
ッテリ・バックアップが不要な時にバッテリ・バックア
ップ機能を停止させておく時の回路動作を説明するため
の図、第４図は従来のRAMカードの内部構成を示すブロ
ック図、第５図は第４図のバッテリ回路の部分の回路
図、第６図は出荷時のRAMカードとバッテリの状態を示
す回路図、および第７図はRAMカードにバッテリを接続
した状態を示す回路図である。 各図において、（２）はRAMチップ部分、（９）はバッ
テリ、（11）は外部電源線、（12）はグランド線、（1
4）はダイオード、（16）はGTOサイリスタ、（Ｇ）はゲ
ート端子、（Ａ）はアノード端子、（Ｋ）はカソード端
子、（17）はゲート抵抗、（18）は分割抵抗、（19）は
コンデンサ、（100）は電源制御回路、（200）はバッテ
リ回路である。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
実施例を示す回路図、第２図はカードに初めて外部電源
から電力が与えられてバッテリ・バックアップ機能が働
き始める時の回路動作を説明するための図、第３図はバ
ッテリ・バックアップが不要な時にバッテリ・バックア
ップ機能を停止させておく時の回路動作を説明するため
の図、第４図は従来のRAMカードの内部構成を示すブロ
ック図、第５図は第４図のバッテリ回路の部分の回路
図、第６図は出荷時のRAMカードとバッテリの状態を示
す回路図、および第７図はRAMカードにバッテリを接続
した状態を示す回路図である。 各図において、（２）はRAMチップ部分、（９）はバッ
テリ、（11）は外部電源線、（12）はグランド線、（1
4）はダイオード、（16）はGTOサイリスタ、（Ｇ）はゲ
ート端子、（Ａ）はアノード端子、（Ｋ）はカソード端
子、（17）はゲート抵抗、（18）は分割抵抗、（19）は
コンデンサ、（100）は電源制御回路、（200）はバッテ
リ回路である。 尚、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】内部電源を必要とするICメモリカードに内
蔵されているICメモリカード用バッテリ回路であって、
データ記憶用のメモリチップ部分の両端に接続されてカ
ード外部からの電力を供給するための外部電源線および
グランド線と、これらの外部電源線とグランド線間に接
続されたデータ・バックアップ用バッテリと、上記外部
電源線からの電流がデータ・バックアップ用バッテリに
流れ込むのを防止すると共に、上記外部電源線の電圧が
上記バッテリの電圧より低いことを条件に、カード外部
から上記外部電源線へ送られる電気信号に従って、上記
データ・バックアップ用バッテリの外部電源線に対する
電気的接続および切り離しを行う能動スイッチ手段とを
備え、上記データ・バックアップ用バッテリによるバッ
テリ・バックアップ機能をカード外部から制御可能にし
たことを特徴とするICメモリカード用バッテリ回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199995A JPH0695350B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 |
| US07/280,423 US5058075A (en) | 1988-08-12 | 1988-12-06 | Battery circuit for an integrated circuit (IC) memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199995A JPH0695350B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250285A JPH0250285A (ja) | 1990-02-20 |
| JPH0695350B2 true JPH0695350B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=16417048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63199995A Expired - Lifetime JPH0695350B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5058075A (ja) |
| JP (1) | JPH0695350B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537584A (en) * | 1989-06-13 | 1996-07-16 | Hitachi Maxell, Ltd. | Power instability control of a memory card and a data processing device therefor |
| EP0440204B1 (en) * | 1990-01-30 | 1996-04-03 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit device having main power terminal and backup power terminal independently of each other |
| WO1992003298A1 (en) * | 1990-08-23 | 1992-03-05 | Seiko Epson Corporation | Memory card and electronic apparatus utilizing thereof |
| US5168206A (en) * | 1990-12-21 | 1992-12-01 | Dallas Semiconductor Corp. | Battery manager chip with connections for redundant backup battery |
| JP2937546B2 (ja) * | 1991-05-30 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 外部電源端子を備える小型電子機器のメモリ保護装置 |
| CA2077068C (en) * | 1991-10-03 | 1997-03-25 | Ken Ogawa | Control system for internal combustion engines |
| US5261370A (en) * | 1992-01-09 | 1993-11-16 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Control system for internal combustion engines |
| US5451933A (en) * | 1992-10-19 | 1995-09-19 | Motorola, Inc. | Computer card having power switching capability |
| US5457414A (en) * | 1992-12-22 | 1995-10-10 | At&T Ipm Corp. | Power supply loss sensor |
| US6204573B1 (en) * | 1994-01-05 | 2001-03-20 | Motorola, Inc. | Method and circuit for maintaining charge in a backup battery |
| KR0147199B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-09-15 | 문정환 | Ic 메모리 카드의 메모리 ic 전원공급 방법 및 회로 |
| US5852720A (en) * | 1996-08-16 | 1998-12-22 | Compaq Computer Corp. | System for storing display data during first time period prior to failure of computer and during second time period after reset of the computer |
| US5796566A (en) * | 1996-08-16 | 1998-08-18 | Compaq Computer Corporation | Printed circuit board having conductors which can be decoupled for isolating inactive integrated circuits connected thereto |
| US5857074A (en) * | 1996-08-16 | 1999-01-05 | Compaq Computer Corp. | Server controller responsive to various communication protocols for allowing remote communication to a host computer connected thereto |
| US6233634B1 (en) | 1996-08-17 | 2001-05-15 | Compaq Computer Corporation | Server controller configured to snoop and receive a duplicative copy of display data presented to a video controller |
| US5724298A (en) * | 1996-10-30 | 1998-03-03 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Low leakage data retention power supply circuit |
| US6060789A (en) * | 1997-01-14 | 2000-05-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Power supply switching circuit for portable equipment |
| US6137192A (en) * | 1998-05-15 | 2000-10-24 | Energenius, Inc. | Embedded backup energy storage unit |
| JP3822170B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2006-09-13 | 株式会社東芝 | Ｉｃカードの利用期間設定方法、ｉｃカード、および、ｉｃカードケース |
| JP4549711B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体回路装置 |
| US9177133B1 (en) * | 2014-07-14 | 2015-11-03 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Army | Multi-function smart communication card |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4223395A (en) * | 1978-10-16 | 1980-09-16 | Omron Tateisi Electronics Co. | Volatile memory hold device |
| SE419015B (sv) * | 1979-11-01 | 1981-07-06 | Jungner Ab Nife | Forfarande for drift av en avbrottsfri stromforsorjningsanleggning samt avbrottsfri stromforsorjningsanleggning for genomforande av forfarandet |
| JPS59186361A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体装置 |
| GB2142488B (en) * | 1983-06-30 | 1986-10-08 | Schlumberger Electronics | Non-volatile data stores |
| JPS61150088A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | メモリカ−ド |
| JPS61269292A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Nec Corp | Ｍｏｓランダムアクセスメモリ装置 |
| JPS63228205A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Sharp Corp | 電源制御方式 |
| US4908790A (en) * | 1988-03-10 | 1990-03-13 | Dallas Semiconductor Corporation | Backup battery switching circuitry for a microcomputer or a microprocessor |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63199995A patent/JPH0695350B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-06 US US07/280,423 patent/US5058075A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250285A (ja) | 1990-02-20 |
| US5058075A (en) | 1991-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0695350B2 (ja) | Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 | |
| US3859638A (en) | Non-volatile memory unit with automatic standby power supply | |
| US5519663A (en) | Preservation system for volatile memory with nonvolatile backup memory | |
| US4288865A (en) | Low-power battery backup circuit for semiconductor memory | |
| JPS61163655A (ja) | 相補型半導体集積回路 | |
| JPS61285025A (ja) | 半導体電力回路 | |
| JPH0693253B2 (ja) | Ｉｃメモリカード用バッテリ回路 | |
| JPS6128319Y2 (ja) | ||
| KR910007128A (ko) | 프로그램가능 논리 집적회로소자와 이를 위한 전원장치 및 전원공급 방법 | |
| TW202213108A (zh) | 記憶體系統及電源電路 | |
| JPH022165B2 (ja) | ||
| JPH01128110A (ja) | メモリカード | |
| CN215987227U (zh) | 电脑及其主板和唤醒电路 | |
| JPS60140412A (ja) | メモリバツクアツプ回路 | |
| JPS62282389A (ja) | 携帯可能記録媒体の読取・書込装置 | |
| JPH01152521A (ja) | Ｉｃカードのメモリバックアップ電源回路 | |
| JPS63244289A (ja) | メモリ−カ−ド | |
| JPH01157239A (ja) | 電源バックアップ装置 | |
| JPS6215920Y2 (ja) | ||
| KR0127560Y1 (ko) | 메모리 백업장치 | |
| JPH059812B2 (ja) | ||
| JPS60245012A (ja) | Ｃｐｕおよびメモリのバツクアツプ電源回路 | |
| JPH10312228A (ja) | バックアップ回路 | |
| JPS60229129A (ja) | 停電補償回路 | |
| JPH01259734A (ja) | バツクアツプ電源回路 |