JPH0685239A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0685239A JPH0685239A JP23354792A JP23354792A JPH0685239A JP H0685239 A JPH0685239 A JP H0685239A JP 23354792 A JP23354792 A JP 23354792A JP 23354792 A JP23354792 A JP 23354792A JP H0685239 A JPH0685239 A JP H0685239A
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- indium composition
- ingaas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層
の製造方法及びその方法を使用して製造されたノンアロ
イオーミックコンタクト用高濃度層を介してオーミック
コンタクトが形成されているＨＥＭＴ及びＨＢＴに関
し、界面への不純物の蓄積がなく、表面モホロジの良好
なノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形成す
る方法を提供することを目的とする。 【構成】 ＧａＡｓ基板上にインジウム組成が０から
０．５に変化する組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層をインジウム
組成の増加とともに基板温度を降下させながら形成し、
この組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層上にインジウム組成が０．
５のＩｎＧａＡｓ層を形成して、ノンアロイオーミック
コンタクト用高濃度層を形成し、このノンアロイオーミ
ックコンタクト用高濃度層上に金属電極を形成するよう
にする。
の製造方法及びその方法を使用して製造されたノンアロ
イオーミックコンタクト用高濃度層を介してオーミック
コンタクトが形成されているＨＥＭＴ及びＨＢＴに関
し、界面への不純物の蓄積がなく、表面モホロジの良好
なノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形成す
る方法を提供することを目的とする。 【構成】 ＧａＡｓ基板上にインジウム組成が０から
０．５に変化する組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層をインジウム
組成の増加とともに基板温度を降下させながら形成し、
この組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層上にインジウム組成が０．
５のＩｎＧａＡｓ層を形成して、ノンアロイオーミック
コンタクト用高濃度層を形成し、このノンアロイオーミ
ックコンタクト用高濃度層上に金属電極を形成するよう
にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高電子移動度トランジ
スタ（以下、ＨＥＭＴと言う。）、ヘテロバイポーラト
ランジスタ（以下、ＨＢＴと言う。）等の高性能化を可
能にするノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層の
製造方法及びその方法を使用して製造されたノンアロイ
オーミックコンタクト用高濃度層を介してオーミックコ
ンタクトが形成されているＨＥＭＴ及びＨＢＴに関す
る。
スタ（以下、ＨＥＭＴと言う。）、ヘテロバイポーラト
ランジスタ（以下、ＨＢＴと言う。）等の高性能化を可
能にするノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層の
製造方法及びその方法を使用して製造されたノンアロイ
オーミックコンタクト用高濃度層を介してオーミックコ
ンタクトが形成されているＨＥＭＴ及びＨＢＴに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＨＥＭＴ等の電子デバイスの高性能を実
現するオーミックコンタクトとして、抵抗が低く、再現
性・信頼性に優れているノンアロイオーミックコンタク
トが有望視されている。
現するオーミックコンタクトとして、抵抗が低く、再現
性・信頼性に優れているノンアロイオーミックコンタク
トが有望視されている。
【０００３】ノンアロイオーミックコンタクトを形成す
るには、ＨＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層上にインジ
ウム組成が０．５以上の高電子濃度のＩｎＧａＡｓ層を
形成し、その上に金属電極を形成している。
るには、ＨＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層上にインジ
ウム組成が０．５以上の高電子濃度のＩｎＧａＡｓ層を
形成し、その上に金属電極を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】インジウム組成が０．
５のＩｎＧａＡｓ層はＧａＡｓ基板と格子定数が大きく
異なる。そのため、ＨＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層
の通常の成長温度と同じ温度でこのＩｎＧａＡｓ層を成
長すると、表面モホロジが劣化する。
５のＩｎＧａＡｓ層はＧａＡｓ基板と格子定数が大きく
異なる。そのため、ＨＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層
の通常の成長温度と同じ温度でこのＩｎＧａＡｓ層を成
長すると、表面モホロジが劣化する。
【０００５】一方、格子定数が大きく異なる層でも、成
長温度が低ければ良好な表面モホロジを有するエピタキ
シャル層を成長し得ることが知られている。しかし、Ｈ
ＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層の上にノンアロイオー
ミックコンタクト用高濃度層を低温で成長する場合に
は、基板温度が下がるまで、数分間ノンアロイオーミッ
クコンタクト層の成長を待たなければならない。このよ
うな成長中断中に界面への不純物の蓄積といった新たな
問題が発生する。
長温度が低ければ良好な表面モホロジを有するエピタキ
シャル層を成長し得ることが知られている。しかし、Ｈ
ＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層の上にノンアロイオー
ミックコンタクト用高濃度層を低温で成長する場合に
は、基板温度が下がるまで、数分間ノンアロイオーミッ
クコンタクト層の成長を待たなければならない。このよ
うな成長中断中に界面への不純物の蓄積といった新たな
問題が発生する。
【０００６】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、界面への不純物の蓄積がなく、表面モホロジの
良好なノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形
成する方法にあり、特にＨＥＭＴやＨＢＴの製造に適用
しうる方法を提供することにある。
にあり、界面への不純物の蓄積がなく、表面モホロジの
良好なノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層を形
成する方法にあり、特にＨＥＭＴやＨＢＴの製造に適用
しうる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ＧａＡｓ
基板上にインジウム組成が０から０．５に変化する組成
傾斜ＩｎＧａＡｓ層をインジウム組成の増加とともに基
板温度を降下させながら形成し、この組成傾斜ＩｎＧａ
Ａｓ層上にインジウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層を
形成して、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層
を形成し、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層
上に金属電極を形成する半導体装置の製造方法によって
達成される。
基板上にインジウム組成が０から０．５に変化する組成
傾斜ＩｎＧａＡｓ層をインジウム組成の増加とともに基
板温度を降下させながら形成し、この組成傾斜ＩｎＧａ
Ａｓ層上にインジウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層を
形成して、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層
を形成し、ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層
上に金属電極を形成する半導体装置の製造方法によって
達成される。
【０００８】上記の手段を使用して製造したＨＥＭＴ
は、ＧａＡｓを主成分とする基板（１）とインジウム組
成が０〜０．２５のＩｎＧａＡｓからなる電子走行層
（３）とＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰからなる電子供
給層（５）とが積層形成され、この電子供給層（５）上
のソース・ドレイン領域に請求項１記載の製造方法を使
用して製造されたノンアロイオーミックコンタクト用組
成傾斜ＩｎＧａＡｓ層（７）とインジウム組成が０．５
のＩｎＧａＡｓ層（８）とが積層形成され、このインジ
ウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層（８）上にソース・
ドレイン電極（１０）が形成され、このソース・ドレイ
ン電極（１０）に挟まれた前記の電子供給層（５）上に
ゲート電極（９）が形成されている高電子移動度型半導
体装置となる。
は、ＧａＡｓを主成分とする基板（１）とインジウム組
成が０〜０．２５のＩｎＧａＡｓからなる電子走行層
（３）とＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰからなる電子供
給層（５）とが積層形成され、この電子供給層（５）上
のソース・ドレイン領域に請求項１記載の製造方法を使
用して製造されたノンアロイオーミックコンタクト用組
成傾斜ＩｎＧａＡｓ層（７）とインジウム組成が０．５
のＩｎＧａＡｓ層（８）とが積層形成され、このインジ
ウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層（８）上にソース・
ドレイン電極（１０）が形成され、このソース・ドレイ
ン電極（１０）に挟まれた前記の電子供給層（５）上に
ゲート電極（９）が形成されている高電子移動度型半導
体装置となる。
【０００９】また、上記の手段を使用して製造したＨＢ
Ｔは、ＧａＡｓを主成分とする基板（１１）上にＧａＡ
ｓからなるコレクタ層（１３）とＧａＡｓからなるベー
ス層（１４）とＡｌＧａＡｓからなるエミッタ層（１
５）とが形成され、このエミッタ層（１５）上に請求項
１記載の製造方法を使用して製造されたノンアロイオー
ミックコンタクト用組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層（１６）と
インジウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層（１７）とが
積層形成され、このインジウム組成が０．５のＩｎＧａ
Ａｓ層（１７）上にエミッタ電極（２２）が形成され、
前記のベース層（１４）に接続してベース電極（２１）
が形成され、前記のコレクタ層（１３）に接続してコレ
クタ電極（２０）が形成されているヘテロ接合バイポー
ラ型半導体装置となる。
Ｔは、ＧａＡｓを主成分とする基板（１１）上にＧａＡ
ｓからなるコレクタ層（１３）とＧａＡｓからなるベー
ス層（１４）とＡｌＧａＡｓからなるエミッタ層（１
５）とが形成され、このエミッタ層（１５）上に請求項
１記載の製造方法を使用して製造されたノンアロイオー
ミックコンタクト用組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層（１６）と
インジウム組成が０．５のＩｎＧａＡｓ層（１７）とが
積層形成され、このインジウム組成が０．５のＩｎＧａ
Ａｓ層（１７）上にエミッタ電極（２２）が形成され、
前記のベース層（１４）に接続してベース電極（２１）
が形成され、前記のコレクタ層（１３）に接続してコレ
クタ電極（２０）が形成されているヘテロ接合バイポー
ラ型半導体装置となる。
【００１０】
【作用】図１に原理説明図を示す。ＩｎＧａＡｓ層の表
面モホロジが劣化するのは成長温度が高くてインジウム
組成が大きい場合である。従って、図１に示すように、
組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層を成長する初期においては、成
長温度が活性層の成長温度である６５０℃という高温で
あってもインジウム組成が小さいので表面モホロジの劣
化は避けられる。インジウム組成の増加とゝもに基板温
度を降下させて、インジウム組成が０．５のところで
は、基板温度を５５０℃まで下げることによってインジ
ウム組成の大きいＩｎＧａＡｓ層でも表面モホロジの劣
化を伴うことなく成長することが可能となる。
面モホロジが劣化するのは成長温度が高くてインジウム
組成が大きい場合である。従って、図１に示すように、
組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層を成長する初期においては、成
長温度が活性層の成長温度である６５０℃という高温で
あってもインジウム組成が小さいので表面モホロジの劣
化は避けられる。インジウム組成の増加とゝもに基板温
度を降下させて、インジウム組成が０．５のところで
は、基板温度を５５０℃まで下げることによってインジ
ウム組成の大きいＩｎＧａＡｓ層でも表面モホロジの劣
化を伴うことなく成長することが可能となる。
【００１１】なお、ＨＥＭＴやＨＢＴを構成する活性層
の成長とノンアロイオーミックコンタクト層の成長との
間で成長を中断する必要がないので、成長界面への不純
物の蓄積は発生しない。
の成長とノンアロイオーミックコンタクト層の成長との
間で成長を中断する必要がないので、成長界面への不純
物の蓄積は発生しない。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の二つの実施
例に係る半導体装置の製造方法について説明する。
例に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１３】第１実施例（ＨＥＭＴの製造） 図２参照 有機金属エピタキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ）又は、分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）を使用して、６５
０℃の温度に加熱されたＧａＡｓ基板１上に、ＡｌＧａ
Ａｓバッファ層２を３００ｎｍ、ＧａＡｓ電子走行層３
を５０〜２００ｎｍ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰス
ペーサ層４を３〜５ｎｍ、電子濃度１．５×１０18ｃｍ
-3のｎ型ＡｌＧａＡｓ層またはｎ型ＩｎＧａＰ電子供給
層５を４０〜６０ｎｍ、電子濃度１．５×１０18ｃｍ-3
のｎ型ＧａＡｓキャップ層６を５０ｎｍの厚さにそれぞ
れ積層成長する。
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）を使用して、６５
０℃の温度に加熱されたＧａＡｓ基板１上に、ＡｌＧａ
Ａｓバッファ層２を３００ｎｍ、ＧａＡｓ電子走行層３
を５０〜２００ｎｍ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰス
ペーサ層４を３〜５ｎｍ、電子濃度１．５×１０18ｃｍ
-3のｎ型ＡｌＧａＡｓ層またはｎ型ＩｎＧａＰ電子供給
層５を４０〜６０ｎｍ、電子濃度１．５×１０18ｃｍ-3
のｎ型ＧａＡｓキャップ層６を５０ｎｍの厚さにそれぞ
れ積層成長する。
【００１４】次に、インジウム組成が０から０．５に変
化する組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層７を５０ｎｍ、イ
ンジウム組成が０．５で電子濃度が１×１０19ｃｍ-3で
あるｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８を５０ｎｍの厚さにそれぞ
れ積層成長する。なお、組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層
を形成する過程で、図１に示すように基板温度を６５０
℃から５５０℃に降下させる。
化する組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層７を５０ｎｍ、イ
ンジウム組成が０．５で電子濃度が１×１０19ｃｍ-3で
あるｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８を５０ｎｍの厚さにそれぞ
れ積層成長する。なお、組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層
を形成する過程で、図１に示すように基板温度を６５０
℃から５５０℃に降下させる。
【００１５】図３参照 次に、フロン系ガスを使用してドライエッチングをな
し、ゲート電極形成領域からｎ型ＧａＡｓキャップ層６
と組成傾斜ｎ+ 型ＡｌＧａＡｓ層７とインジウム組成が
０．５のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８とを除去し、露出した
ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５上にアルミニウムよりな
るゲート電極９を形成し、ゲート電極９を挟んでインジ
ウム組成０．５のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８上にチタン／
アルミニウムよりなるソース・ドレイン電極１０を形成
する。
し、ゲート電極形成領域からｎ型ＧａＡｓキャップ層６
と組成傾斜ｎ+ 型ＡｌＧａＡｓ層７とインジウム組成が
０．５のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８とを除去し、露出した
ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５上にアルミニウムよりな
るゲート電極９を形成し、ゲート電極９を挟んでインジ
ウム組成０．５のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層８上にチタン／
アルミニウムよりなるソース・ドレイン電極１０を形成
する。
【００１６】第２実施例（ＨＢＴの製造） 図４（ａ）参照 ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法を使用して６５０℃の温度
に加熱されたＧａＡｓ基板１１上に、電子濃度４×１０
18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層１２を６００ｎ
ｍ、電子濃度３×１０16ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓコレクタ
層１３を７００ｎｍ、正孔濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ型
ＧａＡｓベース層１４を１００ｎｍ、電子濃度５×１０
17ｃｍ-3のｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１５を３００ｎ
ｍの厚さにそれぞれ積層成長する。
に加熱されたＧａＡｓ基板１１上に、電子濃度４×１０
18ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層１２を６００ｎ
ｍ、電子濃度３×１０16ｃｍ-3のｎ型ＧａＡｓコレクタ
層１３を７００ｎｍ、正孔濃度３×１０18ｃｍ-3のｐ型
ＧａＡｓベース層１４を１００ｎｍ、電子濃度５×１０
17ｃｍ-3のｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層１５を３００ｎ
ｍの厚さにそれぞれ積層成長する。
【００１７】次に、図１に示すように、基板温度を６５
０℃から５５０℃に低下させながらインジウム組成を０
から０．５に変化させて組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層
１６を５０ｎｍ厚に成長し、次いで、インジウム組成が
０．５で電子濃度１×１０19ｃｍ-3のｎ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ層１７を５０ｎｍ厚に成長する。
０℃から５５０℃に低下させながらインジウム組成を０
から０．５に変化させて組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層
１６を５０ｎｍ厚に成長し、次いで、インジウム組成が
０．５で電子濃度１×１０19ｃｍ-3のｎ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ層１７を５０ｎｍ厚に成長する。
【００１８】図４（ｂ）参照 フロン系ガスを使用してドライエッチングをなし、エミ
ッタ形成領域を除く領域から組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ層１６とｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層１７とを除去し、除去
した領域のｎ型ＡｌＧａＡｓ層１５にベリリウムをイオ
ン注入した後アニールを施して活性化し、この領域のｎ
型ＡｌＧａＡｓ層１５をｐ型に転換する。
ッタ形成領域を除く領域から組成傾斜ｎ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓ層１６とｎ+ 型ＩｎＧａＡｓ層１７とを除去し、除去
した領域のｎ型ＡｌＧａＡｓ層１５にベリリウムをイオ
ン注入した後アニールを施して活性化し、この領域のｎ
型ＡｌＧａＡｓ層１５をｐ型に転換する。
【００１９】図５（ａ）参照 素子分離領域１８にボロンを選択的にイオン注入して高
抵抗化し、また、電極分離領域１９にもボロンを選択的
にイオン注入して高抵抗化する。
抵抗化し、また、電極分離領域１９にもボロンを選択的
にイオン注入して高抵抗化する。
【００２０】図５（ｂ）参照 フロン系ガスを使用してドライエッチングをなし、コレ
クタ電極形成領域のｎ型ＧａＡｓ層１２を露出する。次
いで、周知の方法を使用して金・ゲルマニウム／金より
なるコレクタ電極２０とインジウム亜鉛よりなるベース
電極２１とチタン／アルミニウムよりなるエミッタ電極
２２とをそれぞれ形成する。
クタ電極形成領域のｎ型ＧａＡｓ層１２を露出する。次
いで、周知の方法を使用して金・ゲルマニウム／金より
なるコレクタ電極２０とインジウム亜鉛よりなるベース
電極２１とチタン／アルミニウムよりなるエミッタ電極
２２とをそれぞれ形成する。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るノン
アロイオーミックコンタクト用高濃度層の形成方法にお
いては、組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層の形成過程において基
板温度を降下させているので、高温時にはインジウム組
成の小さいＩｎＧａＡｓ層が形成され、インジウム組成
が大きいＩｎＧａＡｓ層は低温時において形成されるの
で、良好な表面モホロジのノンアロイオーミックコンタ
クト用高濃度層が形成される。また、活性層の成長とノ
ンアロイオーミックコンタクト用高濃度層の成長との間
で成長を中断する必要がないので、界面に不純物が蓄積
することがなく、良好なノンアロイオーミックコンタク
トが形成される。
アロイオーミックコンタクト用高濃度層の形成方法にお
いては、組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層の形成過程において基
板温度を降下させているので、高温時にはインジウム組
成の小さいＩｎＧａＡｓ層が形成され、インジウム組成
が大きいＩｎＧａＡｓ層は低温時において形成されるの
で、良好な表面モホロジのノンアロイオーミックコンタ
クト用高濃度層が形成される。また、活性層の成長とノ
ンアロイオーミックコンタクト用高濃度層の成長との間
で成長を中断する必要がないので、界面に不純物が蓄積
することがなく、良好なノンアロイオーミックコンタク
トが形成される。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】ＨＥＭＴの製造工程図である。
【図３】ＨＥＭＴの製造工程図である。
【図４】ＨＢＴの製造工程図である。
【図５】ＨＢＴの製造工程図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ＡｌＧａＡｓバッファ層 ３ ＩｎＧａＡｓ走行層（Ｉｎ：０〜０．２５） ４ ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰスペーサ層 ５ ｎ−ＡｌＧａＡｓまたはｎ−ＩｎＧａＰ電子供給
層 ６ ｎ−ＧａＡｓキャップ層 ７ 組成傾斜ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 ８ Ｉｎ組成０．５のｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 ９ ゲート電極 １０ ソース・ドレイン電極 １１ ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＧａＡｓサブコレクタ層 １３ ｎ−ＧａＡｓコレクタ層 １４ ｐ−ＧａＡｓベース層 １５ ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層 １６ 組成傾斜ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 １７ Ｉｎ組成０．５のｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 １８ 素子分離領域 １９ 電極分離領域 ２０ コレクタ電極 ２１ ベース電極 ２２ エミッタ電極
層 ６ ｎ−ＧａＡｓキャップ層 ７ 組成傾斜ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 ８ Ｉｎ組成０．５のｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 ９ ゲート電極 １０ ソース・ドレイン電極 １１ ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＧａＡｓサブコレクタ層 １３ ｎ−ＧａＡｓコレクタ層 １４ ｐ−ＧａＡｓベース層 １５ ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層 １６ 組成傾斜ｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 １７ Ｉｎ組成０．５のｎ+ −ＩｎＧａＡｓ層 １８ 素子分離領域 １９ 電極分離領域 ２０ コレクタ電極 ２１ ベース電極 ２２ エミッタ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 29/812 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上にインジウム組成が０か
ら０．５に変化する組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層をインジウ
ム組成の増加とともに基板温度を降下させながら形成
し、 該組成傾斜ＩｎＧａＡｓ層上にインジウム組成が０．５
のＩｎＧａＡｓ層を形成して、ノンアロイオーミックコ
ンタクト用高濃度層を形成し、 該ノンアロイオーミックコンタクト用高濃度層上に金属
電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23354792A JPH0685239A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23354792A JPH0685239A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685239A true JPH0685239A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16956774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23354792A Withdrawn JPH0685239A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685239A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110152A (ja) * | 2006-12-15 | 2007-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄膜半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JP2014033080A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果型トランジスタ構造の製造方法及び電界効果型トランジスタ構造 |
| JP2015099859A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 半導体薄膜の作製方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| US11996496B2 (en) * | 2017-12-22 | 2024-05-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP23354792A patent/JPH0685239A/ja not_active Withdrawn
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