JPH0682860B2 - 光記憶装置 - Google Patents
光記憶装置Info
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- JPH0682860B2 JPH0682860B2 JP15157885A JP15157885A JPH0682860B2 JP H0682860 B2 JPH0682860 B2 JP H0682860B2 JP 15157885 A JP15157885 A JP 15157885A JP 15157885 A JP15157885 A JP 15157885A JP H0682860 B2 JPH0682860 B2 JP H0682860B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光によって情報を書込み、読出し、消去する光
記憶装置に関するものである。
記憶装置に関するものである。
従来の技術 従来、半導体光記憶装置としては、半導体レーザの光双
安定動作を用いるものや、発光ダイオード（あるいは半
導体レーザ）とフォト・ダイオードの組合せによる光双
安定動作を用いるものが提案されている。これら従来の
技術においては、情報を光によって書込み、光出力とし
て読出すことはできるが、光によって情報を消去するこ
とは困難であった。この点を改良した従来例としては例
えば、特開昭60−79774号公報に示されている光集積回
路がある。この従来例を等価回路で示すと第４図のよう
になる。第４図において、第１の発光ダイオード１とフ
ォト・トランジスタ２が電気的に直列接続されると同時
に光学的に結合されて光双安定素子を構成している。こ
の光双安定素子は、第５図に示すような入力光−出力光
特性を有している。すなわち、バイアス入力光Pbが与え
られている場合には２つの出力光状態A,Bのいずれかを
選択できる。従って、第４図に示す第２の発光ダイオー
ド３によってフォト・トランジスタ２へバイアス入力光
を与えるようにすれば、光記憶装置を構成することがで
きる。この場合、パルス信号光をフォト・トランジスタ
へ入力すれば出力状態はＡからＢへ遷移して情報が書込
まれる。また、書込まれた情報を消去するためには、第
２の発光ダイオードからの発光を一時的に停止すれば、
出力状態をＢからＡにもどすことができる。すなわち、
第２の発光ダイオード３からのバイアス入力光Pbは記憶
を保持するためのホールド信号として作用する。
安定動作を用いるものや、発光ダイオード（あるいは半
導体レーザ）とフォト・ダイオードの組合せによる光双
安定動作を用いるものが提案されている。これら従来の
技術においては、情報を光によって書込み、光出力とし
て読出すことはできるが、光によって情報を消去するこ
とは困難であった。この点を改良した従来例としては例
えば、特開昭60−79774号公報に示されている光集積回
路がある。この従来例を等価回路で示すと第４図のよう
になる。第４図において、第１の発光ダイオード１とフ
ォト・トランジスタ２が電気的に直列接続されると同時
に光学的に結合されて光双安定素子を構成している。こ
の光双安定素子は、第５図に示すような入力光−出力光
特性を有している。すなわち、バイアス入力光Pbが与え
られている場合には２つの出力光状態A,Bのいずれかを
選択できる。従って、第４図に示す第２の発光ダイオー
ド３によってフォト・トランジスタ２へバイアス入力光
を与えるようにすれば、光記憶装置を構成することがで
きる。この場合、パルス信号光をフォト・トランジスタ
へ入力すれば出力状態はＡからＢへ遷移して情報が書込
まれる。また、書込まれた情報を消去するためには、第
２の発光ダイオードからの発光を一時的に停止すれば、
出力状態をＢからＡにもどすことができる。すなわち、
第２の発光ダイオード３からのバイアス入力光Pbは記憶
を保持するためのホールド信号として作用する。
発明が解決しようとする問題点 第４図に示した従来例においては、光によって情報の書
込み、消去ができるという利点を有している。しかし、
これを光記憶装置として用いるためには、情報を消去す
る時以外は常にバイアス入力光を与えておく必要があ
る。このため、光によって情報を消去すると言っても実
際には第２の発光ダイオードへの印加電流をオフするこ
とによって情報を消去しているに過ぎず、その用途は限
定されたものになっている。すなわち、光記憶装置が有
効に機能するためには、定常状態では光の照射を行う必
要がなく、情報を書込みあるいは消去する時のみに光を
入力するという形のものが望ましい。本発明はこのよう
な光記憶装置を実現しようとするものである。
込み、消去ができるという利点を有している。しかし、
これを光記憶装置として用いるためには、情報を消去す
る時以外は常にバイアス入力光を与えておく必要があ
る。このため、光によって情報を消去すると言っても実
際には第２の発光ダイオードへの印加電流をオフするこ
とによって情報を消去しているに過ぎず、その用途は限
定されたものになっている。すなわち、光記憶装置が有
効に機能するためには、定常状態では光の照射を行う必
要がなく、情報を書込みあるいは消去する時のみに光を
入力するという形のものが望ましい。本発明はこのよう
な光記憶装置を実現しようとするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために、発光素子と第１
のフォト・トランジスタを電気的に直列接続し、前記直
列接続構成と第２のフォト・トランジスタを電気的に並
列接続した回路を含み、前記発光素子からの発光を前記
第１のフォト・トランジスタは受光し、前記第２のフォ
ト・トランジスタは受光しないという構成で光記憶装置
を実現するというものである。この際、発光素子からの
発光波長λ１と、第１のフォト・トランジスタの受光可
能な最長波長λ２と、第２のフォト・トランジスタの受
光可能な最長波長λ３の間に、λ３＜λ１≦λ２なる関
係が成立つようにしている。また発光素子と第１のフォ
ト・トランジスタと第２のフォト・トランジスタが積層
構造となっていてもよい。
のフォト・トランジスタを電気的に直列接続し、前記直
列接続構成と第２のフォト・トランジスタを電気的に並
列接続した回路を含み、前記発光素子からの発光を前記
第１のフォト・トランジスタは受光し、前記第２のフォ
ト・トランジスタは受光しないという構成で光記憶装置
を実現するというものである。この際、発光素子からの
発光波長λ１と、第１のフォト・トランジスタの受光可
能な最長波長λ２と、第２のフォト・トランジスタの受
光可能な最長波長λ３の間に、λ３＜λ１≦λ２なる関
係が成立つようにしている。また発光素子と第１のフォ
ト・トランジスタと第２のフォト・トランジスタが積層
構造となっていてもよい。
作用 本発明の光記憶装置においては、発光ダイオードと第１
のフォト・トランジスタの直列接続が光双安定素子を構
成している。ここで、発光ダイオードから第１のフォト
・トランジスタへの光学的結合を十分大きくしておけ
ば、入力光が０になっても出力光が出力される状態を保
持できる。すなわち、従来例で必要とされたバイアス入
力光は不要となる。次に、出力光をオン（ON）状態から
オフ（OFF）状態にもどすためには、光双安定素子と並
列に接続された第２のフォト・トランジスタへ消去信号
光を入力する。これによって、光双安定素子の両端の電
圧が低下するので、光双安定素子はオフ状態にもどる。
すなわち、入力光が０の場合に出力がオン，オフの２状
態となる光双安定素子とこれを光によってオフするため
のフォト・トランジスタを並列接続することによって、
書込み信号によってオンし、消去信号光によってオフさ
れ、定常時には光を照射しなくても記憶が保持される光
記憶装置が実現される。
のフォト・トランジスタの直列接続が光双安定素子を構
成している。ここで、発光ダイオードから第１のフォト
・トランジスタへの光学的結合を十分大きくしておけ
ば、入力光が０になっても出力光が出力される状態を保
持できる。すなわち、従来例で必要とされたバイアス入
力光は不要となる。次に、出力光をオン（ON）状態から
オフ（OFF）状態にもどすためには、光双安定素子と並
列に接続された第２のフォト・トランジスタへ消去信号
光を入力する。これによって、光双安定素子の両端の電
圧が低下するので、光双安定素子はオフ状態にもどる。
すなわち、入力光が０の場合に出力がオン，オフの２状
態となる光双安定素子とこれを光によってオフするため
のフォト・トランジスタを並列接続することによって、
書込み信号によってオンし、消去信号光によってオフさ
れ、定常時には光を照射しなくても記憶が保持される光
記憶装置が実現される。
実施例 第１図は本発明の光記憶装置の一実施例を示す断面図で
ある。本実施例では、ｎ型InP基板４上にn-InP第２エミ
ッタ５、Ｐ型InGaAsP（バンド・ギャップ波長λｇ＝1.1
μｍ）第２ベース６、ｎ型InGaAsP（λｇ＝1.1μｍ）第
１エミッタ兼第２コレクタ７、ｐ型InGaAsP（λｇ＝1.3
μｍ）第１ベース８、ｎ型InPnクラッド兼第１コレクタ
９、ｎ型InGaAsP（λｇ＝1.3μｍ）活性層10、Ｐ型InPp
クラッド11が積層されている。このうち、ｐクラッド1
1、活性層10、ｎクラッド９が発光素子（ダブル・ヘテ
ロ接合発光ダイオード）12を構成しており、その発光波
長はλ１＝1.3μｍである。さらに、第１コレクタ９、
第１ベース８、第１エミッタ７が第１のフォト・トラン
ジスタ13を構成し、第２コレクタ７、第２ベース６、第
２エミッタ５が第２のフォト・トランジスタ14を構成し
ている。第１、第２のフォト・トランジスタは、ともに
ワイド・バンド・ギャップ・エミッタ・フォト・トラン
ジスタであり、その受光可能な最長波長λ２、λ３はベ
ースのバンド・ギャップによって決まる。従って、この
場合はλ２＝1.3μｍ、λ３＝1.1μｍである。また、ｐ
クラッド11上に第１の電極15、第１エミッタ兼第２コレ
クタ上に第２の電極16、基板４の裏面に第３の電極17が
それぞれ形成されており、外部回路と接続されている。
ある。本実施例では、ｎ型InP基板４上にn-InP第２エミ
ッタ５、Ｐ型InGaAsP（バンド・ギャップ波長λｇ＝1.1
μｍ）第２ベース６、ｎ型InGaAsP（λｇ＝1.1μｍ）第
１エミッタ兼第２コレクタ７、ｐ型InGaAsP（λｇ＝1.3
μｍ）第１ベース８、ｎ型InPnクラッド兼第１コレクタ
９、ｎ型InGaAsP（λｇ＝1.3μｍ）活性層10、Ｐ型InPp
クラッド11が積層されている。このうち、ｐクラッド1
1、活性層10、ｎクラッド９が発光素子（ダブル・ヘテ
ロ接合発光ダイオード）12を構成しており、その発光波
長はλ１＝1.3μｍである。さらに、第１コレクタ９、
第１ベース８、第１エミッタ７が第１のフォト・トラン
ジスタ13を構成し、第２コレクタ７、第２ベース６、第
２エミッタ５が第２のフォト・トランジスタ14を構成し
ている。第１、第２のフォト・トランジスタは、ともに
ワイド・バンド・ギャップ・エミッタ・フォト・トラン
ジスタであり、その受光可能な最長波長λ２、λ３はベ
ースのバンド・ギャップによって決まる。従って、この
場合はλ２＝1.3μｍ、λ３＝1.1μｍである。また、ｐ
クラッド11上に第１の電極15、第１エミッタ兼第２コレ
クタ上に第２の電極16、基板４の裏面に第３の電極17が
それぞれ形成されており、外部回路と接続されている。
本実施例を等価回路で示すと第２図のようになる。すな
わち、発光素子12と第１のフォト・トランジスタ13が直
列に接続されており、これらと第２のフォト・トランジ
スタ14が並列に接続されている。ここで、第１図の第
１、第２、第３の電極15、16、17が等価回路の第１、第
２、第３の端子18、19、20に対応している。外部回路と
しては、第１、第３の端子18、20が結線され、外部抵抗
21を介して電源に接続されており、第２の端子19は接地
されている。また、光学的には第１のフォト・トランジ
スタ13に波長λＷ（λ３＜λＷ≦λ２）の書込み信号光
が入力され、第２のフォト・トランジスタ14に波長λＥ
（λ４＜λＥ≦λ３）の消去信号光が入力される。ここ
で、λ４はInPのバンド・ギャップ波長である。第１の
フォト・トランジスタ13では、書込み信号光の他に発光
素子12からの波長λ１の出力光も受光されるが、第２の
フォト・トランジスタ14ではこの出力光は受光されな
い。出力光の一部は、外部へ出力される。
わち、発光素子12と第１のフォト・トランジスタ13が直
列に接続されており、これらと第２のフォト・トランジ
スタ14が並列に接続されている。ここで、第１図の第
１、第２、第３の電極15、16、17が等価回路の第１、第
２、第３の端子18、19、20に対応している。外部回路と
しては、第１、第３の端子18、20が結線され、外部抵抗
21を介して電源に接続されており、第２の端子19は接地
されている。また、光学的には第１のフォト・トランジ
スタ13に波長λＷ（λ３＜λＷ≦λ２）の書込み信号光
が入力され、第２のフォト・トランジスタ14に波長λＥ
（λ４＜λＥ≦λ３）の消去信号光が入力される。ここ
で、λ４はInPのバンド・ギャップ波長である。第１の
フォト・トランジスタ13では、書込み信号光の他に発光
素子12からの波長λ１の出力光も受光されるが、第２の
フォト・トランジスタ14ではこの出力光は受光されな
い。出力光の一部は、外部へ出力される。
これらの信号光、出力光の実際の経路は第１図に示され
ている。まず、波長λＷの書込み信号光は、基板裏面か
ら入射されるが、λＷ＞λ３であるために第２のフォト
・トランジスタ14では受光されず、λＷ≦λ２より第１
のフォト・トランジスタ13で受光されることになる。一
方、波長λＥの消去信号光は、やはり基板裏面より入射
されるが、λＥ＜λ３より第２のフォト・トランジスタ
14で受光されてしまい、第１のフォト・トランジスタ13
では受光されない。この際、λＥ＞λ４なので消去信号
光が基板４で吸収されてしまうことはない。次に、発光
素子12の活性層10は波長λ１で発光し、その一部はｐク
ラッド11の表面から外部へ出力される。また、他の一部
は第１のフォト・トランジスタ13の方向へ出力され、λ
１≦λ２より第１のフォト・トランジスタで受光される
ことになる。この際、λ１＞λ３であるから、発光素子
12の発光を第２のフォト・トランジスタ14が受光するこ
とはない。
ている。まず、波長λＷの書込み信号光は、基板裏面か
ら入射されるが、λＷ＞λ３であるために第２のフォト
・トランジスタ14では受光されず、λＷ≦λ２より第１
のフォト・トランジスタ13で受光されることになる。一
方、波長λＥの消去信号光は、やはり基板裏面より入射
されるが、λＥ＜λ３より第２のフォト・トランジスタ
14で受光されてしまい、第１のフォト・トランジスタ13
では受光されない。この際、λＥ＞λ４なので消去信号
光が基板４で吸収されてしまうことはない。次に、発光
素子12の活性層10は波長λ１で発光し、その一部はｐク
ラッド11の表面から外部へ出力される。また、他の一部
は第１のフォト・トランジスタ13の方向へ出力され、λ
１≦λ２より第１のフォト・トランジスタで受光される
ことになる。この際、λ１＞λ３であるから、発光素子
12の発光を第２のフォト・トランジスタ14が受光するこ
とはない。
このように等価回路で説明した光学的結合は構造と光の
波長によって決定されているので、書込み信号光と消去
信号光を同じ方向から入射することが可能であり、また
発光素子と第１のフォト・トランジスタを光学的に結合
し、発光素子と第２のフォト・トランジスタは結合しな
いということが可能になる。
波長によって決定されているので、書込み信号光と消去
信号光を同じ方向から入射することが可能であり、また
発光素子と第１のフォト・トランジスタを光学的に結合
し、発光素子と第２のフォト・トランジスタは結合しな
いということが可能になる。
次に、本実施例の動作を第２図の等価回路と第３図の電
圧−電流特性図を用いて説明する。第３図の電圧は、第
２図の第１の端子18と第２の端子19間の電圧であり、電
流は各素子を流れる電流である。このうち、外部抵抗21
を流れる電流が負荷線22で示され、発光素子12と第１の
フォト・トランジスタ13で構成される光双安定素子を流
れる電流がオフ時にはオフ特性23となり、オン時にはオ
ン特性24となる。また、消去信号光入力時に第２のフォ
ト・トランジスタ14を流れる電流が消去時特性25とな
る。まず、消去信号光が入力されていない場合を考え
る。この場合、光双安定素子は、書込み信号光が入力さ
れなくてもオン、オフの２状態が選択可能である。オフ
状態では、発光素子が発光しておらず、このため第１の
フォト・トランジスタには全く光が入力されず、このた
め第１のフォト・トランジスタおよびこれと直列に接続
された発光素子には電流が流れない（従って発光素子は
発光しない）。一方、オン状態では、発光素子が発光し
ており、このため第１のフォト・トランジスタはその光
を受光し、この結果光双安定素子に電流が流れる（従っ
て発光素子が発光する）。この２状態の電圧−電流特性
が、前述のオフ特性23およびオン特性24である。通常、
光双安定素子に電圧を印加していった場合には、オフ状
態となるが、これに書込み信号光を入力すると光双安定
素子に電流が流れ始めてオン状態となり、この状態は書
込み信号光が入力あれなくなっても維持される。この状
態変化は、第３図の特性図において動作点がＡからＢに
移動することに対応している。動作点Ａでは出力光は出
力されず、動作点Ｂでは出力されるから、書込み信号光
によって情報が書込まれ記憶されたことになる。
圧−電流特性図を用いて説明する。第３図の電圧は、第
２図の第１の端子18と第２の端子19間の電圧であり、電
流は各素子を流れる電流である。このうち、外部抵抗21
を流れる電流が負荷線22で示され、発光素子12と第１の
フォト・トランジスタ13で構成される光双安定素子を流
れる電流がオフ時にはオフ特性23となり、オン時にはオ
ン特性24となる。また、消去信号光入力時に第２のフォ
ト・トランジスタ14を流れる電流が消去時特性25とな
る。まず、消去信号光が入力されていない場合を考え
る。この場合、光双安定素子は、書込み信号光が入力さ
れなくてもオン、オフの２状態が選択可能である。オフ
状態では、発光素子が発光しておらず、このため第１の
フォト・トランジスタには全く光が入力されず、このた
め第１のフォト・トランジスタおよびこれと直列に接続
された発光素子には電流が流れない（従って発光素子は
発光しない）。一方、オン状態では、発光素子が発光し
ており、このため第１のフォト・トランジスタはその光
を受光し、この結果光双安定素子に電流が流れる（従っ
て発光素子が発光する）。この２状態の電圧−電流特性
が、前述のオフ特性23およびオン特性24である。通常、
光双安定素子に電圧を印加していった場合には、オフ状
態となるが、これに書込み信号光を入力すると光双安定
素子に電流が流れ始めてオン状態となり、この状態は書
込み信号光が入力あれなくなっても維持される。この状
態変化は、第３図の特性図において動作点がＡからＢに
移動することに対応している。動作点Ａでは出力光は出
力されず、動作点Ｂでは出力されるから、書込み信号光
によって情報が書込まれ記憶されたことになる。
続いて、光双安定素子がオン状態の場合に、消去信号光
が入力された場合を考える。この場合、第３図に消去時
特性25として示す電流が第２のフォト・トランジスタに
流れる。従って動作点はC,C′に移動する。すなわち、
第２のフォト・トランジスタを流れる電流によって電圧
降下が生じ（動作点Ｃ）、光双安定素子には電流が流れ
なくなる（動作点Ｃ′）。ここで、消去信号光をオフす
ると動作点はＡにもどり、消角信号光によって記憶され
た情報が消去されたことになる。
が入力された場合を考える。この場合、第３図に消去時
特性25として示す電流が第２のフォト・トランジスタに
流れる。従って動作点はC,C′に移動する。すなわち、
第２のフォト・トランジスタを流れる電流によって電圧
降下が生じ（動作点Ｃ）、光双安定素子には電流が流れ
なくなる（動作点Ｃ′）。ここで、消去信号光をオフす
ると動作点はＡにもどり、消角信号光によって記憶され
た情報が消去されたことになる。
以上説明してきたように、本実施例は書込み信号光によ
ってオンし、消去信号光によってオフされ、オン時には
出力光を出力する光記憶装置となっている。このような
光記憶装置を実現するための構造は第１図に示した構造
に限定されるものではなく、基本的には等価回路が第２
図のようになるものであればどのような構成をとっても
よい。しかし、第１図の例のように、構造と光の波長に
よって光学的結合を確定すれば、その動作は確実なもの
とできる。すなわち、一般的に言うと発光素子からの発
光波長λ１と、第１のフォト・トランジスタの受光可能
な最長波長λ２と、第２のフォト・トランジスタの受光
可能な最長波長λ３の間にλ３＜λ１≦λ２なる関係が
成立し、λＥ≦λ３＜λＷ≦λ２なる波長λW,λＥの光
をそれぞれ書込み信号光および消去信号光として用いる
ことが望ましい。このような条件を満せば、第１図のよ
うな発光素子、第１のフォト・トランジスタ、第２のフ
ォト・トランジスタを積層した構造で光記憶装置を実現
できる。そして、光の入出力は基板の表裏面のみから行
うことができるので、多数の光記憶装置を同一基板上に
二次元的に配置することが可能となる。
ってオンし、消去信号光によってオフされ、オン時には
出力光を出力する光記憶装置となっている。このような
光記憶装置を実現するための構造は第１図に示した構造
に限定されるものではなく、基本的には等価回路が第２
図のようになるものであればどのような構成をとっても
よい。しかし、第１図の例のように、構造と光の波長に
よって光学的結合を確定すれば、その動作は確実なもの
とできる。すなわち、一般的に言うと発光素子からの発
光波長λ１と、第１のフォト・トランジスタの受光可能
な最長波長λ２と、第２のフォト・トランジスタの受光
可能な最長波長λ３の間にλ３＜λ１≦λ２なる関係が
成立し、λＥ≦λ３＜λＷ≦λ２なる波長λW,λＥの光
をそれぞれ書込み信号光および消去信号光として用いる
ことが望ましい。このような条件を満せば、第１図のよ
うな発光素子、第１のフォト・トランジスタ、第２のフ
ォト・トランジスタを積層した構造で光記憶装置を実現
できる。そして、光の入出力は基板の表裏面のみから行
うことができるので、多数の光記憶装置を同一基板上に
二次元的に配置することが可能となる。
なお、本実施例の説明においては発光素子を発光ダイオ
ードとしたが、半導体レーザであってもよい。また、光
記憶装置を構成する材料に関しても、InGaAsP/InP系に
限定されるものではなく、AlGaAs/GaAs系等の他の半導
体材料を用いてもよいことは言うまでもない。
ードとしたが、半導体レーザであってもよい。また、光
記憶装置を構成する材料に関しても、InGaAsP/InP系に
限定されるものではなく、AlGaAs/GaAs系等の他の半導
体材料を用いてもよいことは言うまでもない。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば定常状態では光
の照射を行う必要がなく、情報を書込む場合には書込み
信号光を入力し、消去する場合には消去信号光を入力
し、情報が書込まれている場合には常に出力光が出力さ
れる光記憶装置を実現できる。
の照射を行う必要がなく、情報を書込む場合には書込み
信号光を入力し、消去する場合には消去信号光を入力
し、情報が書込まれている場合には常に出力光が出力さ
れる光記憶装置を実現できる。
第１図は本発明の一実施例における光記憶装置の断面
図、第２図は同装置の等価回路図、第３図は同装置の動
作を説明するための特性図、第４図は従来の光記憶装置
の等価回路図、第５図は同装置の動作を説明するための
特性図である。 12……発光素子、13……第１のフォト・トランジスタ、
14……第２のフォト・トランジスタ。
図、第２図は同装置の等価回路図、第３図は同装置の動
作を説明するための特性図、第４図は従来の光記憶装置
の等価回路図、第５図は同装置の動作を説明するための
特性図である。 12……発光素子、13……第１のフォト・トランジスタ、
14……第２のフォト・トランジスタ。
Claims (2)
- 【請求項１】発光素子と第１のフォト・トランジスタを
電気的に直列接続し、前記直列接続構成と第２のフォト
・トランジスタを電気的に並列接続した回路を含み、前
記発光素子からの発光波長λ１と、前記第１のフォト・
トランジスタの受光可能な最長波長λ２と、前記第２の
フォト・トランジスタの受光可能な最長波長λ３の間
に、λ３＜λ１≦λ２なる関係が成立つ光記憶装置。 - 【請求項２】半導体基板と、前記半導体基板上に順次積
層された第２のフォト・トランジスタ、第１のフォト・
トランジスタおよび発光素子を有し、前記発光素子の上
部に第１の電極が形成され、前記第１のフォト・トラン
ジスタと前記第２のフォト・トランジスタの間に第２の
電極が形成され、前記半導体基板に第３の電極が形成さ
れ、前記第１の電極と前記第２の電極の間に外部抵抗を
介して電源が接続され、前記第１の電極と前記第３の電
極が短絡結線されており、前記発光素子からの発光波長
λ１と、前記第１のフォト・トランジスタの受光可能な
最長波長λ２と、前記第２のフォト・トランジスタの受
光可能な最長波長λ３の間に、λ３＜λ１≦λ２なる関
係が成立つ光記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157885A JPH0682860B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157885A JPH0682860B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213086A JPS6213086A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0682860B2 true JPH0682860B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=15521579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15157885A Expired - Lifetime JPH0682860B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 光記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682860B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03215836A (ja) * | 1990-01-19 | 1991-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電子記憶装置 |
| US5233556A (en) * | 1991-01-31 | 1993-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic memory and logic device |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15157885A patent/JPH0682860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6213086A (ja) | 1987-01-21 |
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