JPS59129481A - 発光受光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は５発光受元トランジスタを利用し。

内部記憶セルおよび外部との情報信号の交換や制御をも
行わせる発光受光装置に関する。

（従来技術） 従来１元学的記憶装置は光デイスク装置に見られるごと
く機械的操作が入るため、情報の書き込み、読み出し速
度が遅い欠点を有していた。

また、半導体レーザを用いたメモリの提案があり、超高
速のメモリ装置が可能と考えられてｒるが、その装置構
成において製作上極めて精密な加工を必要とし、また、
その使用上の制御性も極めて困難を伴うことが予想され
ているなどの欠点を有していた。

さらに＊　Ｉ）ｎｐｎ型負性抵抗発元発光素子を用いた
ものが考えられたが、その特性の制御使用法の困難性な
どに幾つかの欠点を有してｒた。

（発明の目的） この発明は、これら従来の欠点を除去するためになされ
たもので、簡易に構成でき、制御性に優れ、使用条件範
囲が広く、安定な動作を有し、外部電気信号により容易
に制御できかつ内部的に光学的信号と操作を利用できる
発光受光装置を提供することを目的とする。

（発明の構成） この発明の発光受光装置は、外部電気制御信号および受
光光線により第１の１対の発光受光トランジスタをオン
、オフさせて２値の状態で記憶。

読み出し操作を行なう記憶セルを楊成し、この第１の１
対の発光受光トランジスタの発光光線および相対的バイ
アス電位の変ｆヒに応じて第２の１対の発光受光トラン
ジスタをオン、オフさせて記憶セルの読み出し、書き込
み操作を行なう各発光受光トランジスタの発光光線を導
光路により伝達するようにしたものである。

（実施例） 以下、この発明の発光受光装置の実施例について図面に
基づき説明する。第１図はその第１の実施例の模式図で
ある。その構成は電気的要素と光学的要素を共に含んで
いる。図中Ｑ１〜Ｑ４　は発光受光トランジスタであり
、化合物半導体たとえばＧａＡｓ、　ＡｌＧａＡｓ、　
ＩｎＰ、　ＩｎＧａＡｓＰ　　などｍ−ｖ族化合物半導
体で作られており、電気的には通常の／＜イボーラトラ
ンジスタと同様な電流増巾作用を有しており５元学的に
は広い波長範囲に亘る受光感度をもつ充電変換機能を有
し、かつ比較的狭い波長範囲の発光をする電流光変換機
能を有するトランジスタである。また大電流を通電する
とベース領域付近でレーザ発光をする場合もある。

この第１図の電気回路はフリップフロップ回路を記憶セ
ルとして構成しである。したがってこの回路は電気的に
は通常行われている変形もある。

また＊　Ａｌ　＊　Ａｓ　＊　Ａｓはコレクタ側バイア
ス端子、Ａ２　＊　Ａ４　＋　Ａｓはエミッタ側バイア
ス端子ｂ　Ｂｌ　＋　Ｂ２はベース側バイアス端子であ
る。

コレクタ側バイアス端子Ａ＋　＋　Ａｔ　Ｉ　Ａｓ　Ｉ
　Ａ８　　はそれぞれ横力向の他のセルとの共通線Ｗ＋
　、　Ｗｚ　＋Ｗｓ　、　Ｗ４　（語選択線）で接続結
線されている。この共通ｆＲＷ＋　、　％　　け伺れか
一方か両方を同時に用いてよく、−！た。共通線Ｗｓ　
＋　Ｗ４　　は共通としてもよく、さらに共通線画とも
共通としてもよい。

エミッタ側バイアス端子Ａ４　＊　Ａｓ　は読み出しお
よび書き込み用のデジットａ（ビット線）　Ｄ＋　、Ｄ
＋に接続されていて縦方向の他のセルと共通に連結され
ている。

ベース側バイアスＲ１、Ｂ２　　端子は縦方向の共通線
Ｄ２　、１）、　　ＩＬ接続されているが、横方向の共
通線と接続してもよい。

Ｒ１−八　け電気抵抗であって、それぞれ発光受光トラ
ンジスタＱ＋　−Ｑ４の電気的および光学的動作条件を
決定するためのものである。さらに他の抵抗やダイオー
ドやトランジスタを付加した回路変形は簡易化のため省
略する。

ペース側バイアス端子Ｂ１は抵抗ＲＩｋ介して発光受光
トランジスタＱ３のベースに接続されている。

この発光受光トランジスタＱ３のコレクタは抵抗Ｒ３を
介してコレクタ側バイアス端ｌ子Ａ３に接続されている
。また、エミッタはエミッタ側／櫂イアス端子Ａ４に接
続されている。

同様にして、ベース側バイアス端子１１ｈは抵抗島を通
して発光受光トランジスタＱ４のベースに接続されてい
る。この発光受光トランジスタＱ４のコレクタは抵抗Ｒ
４を介してコレクタ側バイアス端子Ａｓに接続され、そ
のエミッタは工ずツタ側バイアス端子んに接続されてい
る。

また、発光受光トランジスタＱ＋　、　Ｑ２　はフリツ
ブフロ７１回路の主体をなすものである。発光受光トラ
ンジスタＱ＋のベースは発光受光トランジスタＱ２のコ
レクタに接続され５発光受元トランジスタＱ！のベース
は発光受光トランジスタＱ１のコレクタに接続されてい
る。

両発光受元トランジスタＱ＋、（ｂ　　のコレクタはそ
れぞれ抵抗Ｒ１，＆を通してコレクタ側バイアス端子Ａ
Ｉに接続されている。両発光受光トランジスタＱ＋　、
　Ｑ雪　　の工ばツタはエミッタ側／（イアス端子んに
接続されている。

一方、　Ｆ＋　、Ｆａ　、Ｆｓ　、Ｆａ　は導光路（フ
ァイノく）で、たとえば５光学ガラスや透明樹脂などで
構戊される。

導光路Ｆ１は発光受光トランジスタＱ１とＧ３の尤の導
入捷たけ射出部３２．３４（ともに第３図参照）に対向
じている。

害元路ド２は発光受光トランジスタＱｔ　、　Ｇ４の元
の導入丑たは射出部３３　、３５　（ともに第３図参照
）に対向している。

導光路）３の一端は出力出射元口Ｉ＋に対向しており、
他端は発光受光トランジスタＱ３の尤の導入または射出
部３４に対向している。

さらに、４４元路Ｆ３の一端は出力出射元口■２に対向
している。この導光路Ｆ’ａの他端は発光受光トランジ
スタＱ４の元の導入または射出部３５に対向している。

導光路Ｆ３とＦ２にはそれぞれ光学フィルタＧ１゜缶が
設けられている。この光学フィルタＧ１．　Ｇ２はある
波長領域のみ低減衰量で通過させ、他の波′長領域では
高減衰量で通過を阻止するものであり。

干渉フィルタや回折格子や光学ガラスフィルタなどで実
現可能のものである。

なお、Ｃは発光受光トランジスタＱ１．　Ｇ２．Ｑｓ。

９４間を互に光学的に絶縁分離させるための遮光部で、
たとえば光学的吸収材、たとえば黒色樹脂や液体、粉末
、黒色固体などの絶縁体で構成し得るものである。また
、光学フィルタＧ＋　、　Ｇｚ　は不可欠なものではな
い。

次に、以上のように構成されたこの発明の発光受光装置
の動作について説明する。発光受光トランジスタＱ＋、
（ｈから発光した元はそれぞれ導光路Ｆ１．Ｆ２から発
光受光　トランジスタＱｓ、Ｑ４へ入射し、デジット線
Ｄ＋　、Ｄｔを通る受光電流として検出される。

また、同時にその受光電流にしたがって発光受光トラン
ジスターＩ　Ｇ４が発光もするので、導光路Ｆｇ　＊　
Ｆ４　ｂ光学フィルタＧｓ　、　Ｇｓ　’ｅ通って出力
出射元口Ｌ　、　ｈ　より出射光としても検出可能であ
る。

発光受光トランジスタＱ１〜Ｑ４からの発光する波長は
必ずしも同一の波長である必要はなく、異なる波長であ
ることを利用する場合もある。

第２図は第１図の回路動作を時系列的に示したものの一
例である。この例では共通線Ｗ＋　、Ｗｓ　。

Ｗ４はほぼ同一の正電位に固定されているものとし、ベ
ース側バイアス端子Ｂ１．Ｂ２もｔ１ホ同一の正電位に
あるものと仮定している。

したがって、この回路動作は共通線Ｗ２．書き込み用デ
ジット線Ｄ１．Ｄ、が接続されている工ずツタ側バイア
ス端子Ａ２　、　Ａ４　＊　Ａａ　　の電位によってほ
ぼ決定する。

定常状態の記憶状態ではエミッタ側バイアス端子Ａ２の
電位をコレクタ側バイアス端子へ１の電位より僅かに低
くしておく。そのとき、これらの端子に接続されている
発光受光トランジスタＱ１．Ｑ２けクリップフロップ回
路を構成しているので、その何れか一方がオン、他方が
オフの状態になる。

いま、発光受光トランジスタＱ１がオン（発光状態）５
発光受元トランジスタＱ２がオフ（消光状態）にあるも
のとする。第２図中の横軸は時刻を示し。

１ｏ−１，の時間中ｔ！〜ｔ１は記憶状態の読み出しｈ
　　ｔ３〜ｔ４の時間帯に書き込み動作を行なうものと
する。

縦軸はそれぞれの端子の相対電位を示している。

第２図（ａｌ〜第２図（ｃｌは読み出し操作を行なうた
めの相対電位の時系列、第２図（ｄｌ〜第２図ｔｅｌは
書き込みの相対電位の時系列を示している。

読み出し時（１＞〜ｔ！間）は工ずツタ側バイアス端子
Ａ２の電位をコレクタ側バイアス端子Ａ１の電位より充
分低くして、発光受光トランジスタＱ１に大きな電流を
流し発光強度を大とし、同時にエミッタ側バイアス端子
Ａ４１Ａ１１の電位をベース側バイアス端子ｎ１．山の
電位より僅かに下げた状態にして。

発光受光トランジスタＱｓ、Ｑａ′ｔｌ−遮断にやや近
い状態にしておく。

これによって５発光受元トランジスタＱ１より発した元
を導光路Ｆ＋を通して発光受光トランジスタＱ３で受光
し書き込み用デジット線Ｄ１に受光電流として増巾検出
する。

同時に、発光受光トラ・ンジスタｑはこの受光電流に応
じた発光音するので、導光路Ｆｆｉ、光学フィルタＧ１
ヲ通して出力出射元口１１より光検出を行うこともでき
る。

一方５発光受光トランジスタＱ鵞は消光状態にあるので
、導光路Ｆ！を通しての元はない。したがって１発光受
光トランジスタＱ４の受光電流、書き込ミ用ティジット
線ｂＩの検出電流はないので、オフ状態の検出ができた
ことになる。

書き込み時（ｔｓ〜ｔ４間）は工ばツタ側バイアス端子
へ鵞は記憶時同様、コレクタ側バイアス端子Ａｌより僅
かに低い電位としておく、工ずツタ側バイアス端子Ａ４
＋Ａ＋１の電位はオン状態にしたい何れか一方の電位を
ベース側バイアス端子Ｂｒまたはベース側バイアス端子
Ｂ２より充分低くすることによって記憶状態を作れる。

この例では１発光受元トランジスタ（ｈをオフ状態に換
えるため、エミッタ側バイアス端子ムをベース側バイア
ス端子Ｂ２より充分低くして発光受光トランジスタＱ４
を発光させ、導光路Ｆ１を通して発光受光トランジスタ
Ｑ２に入射させ、この発光受光トランジスタＱ２にオン
状態とさせ１発光受元トランジスタＱ１がオフ状態とな
る。

発光受光トランジスタＱ重がオン、発光受光トランジス
タＱ２がオフの状態を論理の［月状態とし。

１ 発光受光トランジスタＱ１がオフ、発光受光トランジス
タＱ２がオン状態のときを「０」状態に対応させれば、
前述の操作や状態は２値論理の機能状態を記憶し、読み
出し、書き込みの記憶と操作ができたことになる。第２
図（ａｔ〜第２図げ）はそれぞれこの状態を示している
ものであり％ＡＩ　ｓＡｓ　＠Ａ４　ｓＡｓ　＋Ｂ＋、
ｆｈはそれぞれ第１図の符号と対応し、その位置の電位
を示す。

以上の説明でわかるごとく、記憶状態やその読み出し、
書き込みはすべて端子間の相対電位によってきまるので
、たとえば工ばツタ側バイアス端子Ａ！を固定し、コレ
クタ側バイアス端子ＡＩを可変とすることや、同時に両
者を可変とすることや、あるいはまたエミッタ側バイア
ス端子Ａ４１Ａ１．を固定としてベース側バイアス端子
８１１Ｂ２を可変とすることによって読み出し、書き込
み操作を行うこともできる。

ただし、ベース側バイアス端子Ｂｔ、Ｉｈを変える場合
でも検出電流は書き込み用ディジット線ＤＩ　。

Ｄ＋で行なう力が電流を多くとることができる。

２ これらの幾つかの組合せについては簡単化のために省略
する。

第３図は第１図の模式図に対応する具体的構成法の一実
施例の横断面図を示している。この構成例では抵抗Ｒ１
〜Ｒ４は外部接続として丞されていないが１本図中に示
されている絶縁性ｆヒ合物半嘴体基ｔｌｌｉｊ１９の内
部または上部の化合物半導体層１１〜３１中に不純物拡
散やイオン注入法などを用いて単一基板内に栴成し得る
。

また、純抵抗以外に等測的に抵抗であればよいのでトラ
ンジスタやダイオードなどを用いて代替えすることも可
能であるが１本質的要件ではないのでその具体例は簡略
化のため詳述を省いた。

図中の化合物半導体層１１〜３１は発光受光トランジス
タＱｌ〜□Ｑ４を構成している。絶縁性化合物半導体基
板１９はたとえばＧａＡｓやＩｎＰで作成されて、その
上に発光受光トランジスタＱｔ　−Ｑ４　を同時に単一
基板上に構成している。

絶縁性化合物半導体基板１９の上に各発光受光トランジ
スタＱ＋　−Ｑ４のコレクタ部を構成する化合物半４体
層１４．１８．２３．２７．さらにその上にベース部と
なる化合物半導体層１３　、１７　。

２２．２６．工ぐツタ部をなすｆヒ合物半導体層１２゜
１６．２１，２５．エミッタ電極を良好なオーミック接
続できるようにするためのコンタクト層としての化合物
半導体層１１．１５，２０．２４をエピタキシャルに成
長させている。

次に、ベース電極を上部より覗り出すためのベース層と
同じｐ　（ｐｎｐ　）ランジスタの場合はｎ）形の不純
物を拡散法あるいはイオン注入法などを用いて変質させ
た層としての化合物半導体層２８゜２９．３０．３１を
ベース層としての化合物半導体層１３．１７．２２．２
６まで形成させる。

その後、ニオツタ部の一部の化学的または物理的メサエ
ッチングにより取り除くか、あるいはイオン注入法など
を用いた絶縁化によりエミッタベース間の一部絶縁化と
ベース層への元の導入または射出部３２．３３．３４．
３５を形成する。

また、３６．３７の部分も発光受光トランジスタＱｒと
Ｑｓ、Ｑｓと９４間の元結合部を示す。したがつて、こ
の部分は単に真９や気体であってもよいが、望ましくけ
各入出力光の波長において透明であってかつでき得る限
り半導体や導光路に近い屈折率を有する樹脂や液体や固
体で構成されることである。

その後５発光受元トランジスタＱ１〜Ｑ４のコレクタ電
極を設けるためのエツチング、および発光受光トランジ
スタＱ１〜Ｑ４を互に電気的絶縁を行なうためのエツチ
ングを行なう。

その後、各層のオーぐツク電極を蒸着法、メッキ法、ン
ンタ法などを用いて付加する。

一般には、工ばツタ層としての化合物半導体層１２．１
６．２１．２５はベース層としての化合物半導体層１３
．１？、２２．２６より大きなエネルギギャップを有す
ることが望ましく、これによって工ばツタからの小数キ
ャリアの注入効率を向上させ得る。

たとえＩ−ｉ、ベース層としてのｆに合物牛導体層１３
゜１７．２２．２６がＧａＡｓまたはＩｎＰで作られた
場合、エミツタ層としての化合物半導体層１２゜１６．
２１．２５にはそれぞれＡ／ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡ
ｓＰ　　などが用いられるなどである。

また、同時にこのように行なうと、ベース層で吸収され
るべき尤の波長に対してエミツタ層は光学的に透明にな
し得て、より充電変換効率を高めることが可能となる。

エミッタコンタクト層としての化合物半導体層１１．１
５．２０．２４は本質的には不要であるが、エミツタ層
としての化合物半導体層１２．１６゜２１．２５に直接
オーミック電極がとり難い場合の補助的な層として用い
られるものである。

ベース層としての化合物半導体層１３．１７゜２２．２
６の組成は一般には同一組成で同時に作成されるのが通
例であるが、入出゛刃元に対する波長特性を種々変更し
たい場合には異なるものとするよう罠作成させる。

これは、たとえば、選択エピタキシャル成長法を用いて
母材結晶の組成を変える方法や同一組成結晶を成長後不
純物を選択的に拡散あるいはイオン注入法を用いて変質
させることによって達成可５ 能である。

また、このベース層は発光受光トランジスタＱ！〜Ｑ４
の電気的および・光学的特性に特に重要な作用を行なう
層であり、ｌ１ｌ−Ｖ族化合物半４体に対しては特に■
族元素を不純物として用いると特に望ましい特性が鷹々
得られる。

すなわち、少数キャリア拡散長が長く１発光あるｌＡは
受光の変換効率が高い特性が得られる。

さらに１図中Ｃの部分は発光受光トランジスタＱｌ　＝
　Ｑ４　　および導光路Ｆ＋−Ｆ’４間相互の光学的お
よび電極的絶縁を行なうための物質で、前述の材料によ
って構成されるものであＶ、第１図で述べた遮光部であ
る。これによって入出力間の分離と同時に各発光受光ト
ランジスタの誤動作を避けることが可能となる。

また５図中には導光路ＦＩ〜Ｆ４はすべて上部より取り
出す構造を示してρるが、絶縁性化合物半導体基板１９
の下刃部に取り付けることも可能であること、あるいは
特にレーザ発光させる場合には横方向に出力取り出し用
の合尤路Ｆ１〜Ｆ４を取り付６ けることが望捷しい。

また、趣尤部Ｃけ半導体部の上部のみ付加しているが、
より完全な光学的遮蔽を行なうために下方部および横方
向部にも付加する方が望ましい。

なお５光学フィルタＧｌ　、Ｇｘは簡略化のため外部接
続として省略した。

第４図は第１図の構成例に対する部分的変形実施例の模
式図である。第４図（ａ）は第１図における発光受光ト
ランジスタＱ１〜Ｑ４の一部または全部をダーリントン
接続させることによって、より大なる増巾率と入力イン
ピーダンスを得る形式（Ｑｌ。

Ｑｉ）に変えた場合の実施例である。

オた、第４図（ｂｌは第１図における発光受光トランジ
スタのペースコレクタ間にダイオードＤｌヲ付加した場
合の他の実施例である。

このダイオードＤ１はショットキーバリアダイオードあ
るいけトランジスタのベースコレクタ間の順方向電圧降
下より小さい順方向電圧降下を有する通常のｐｎ接合ダ
イオード、たとえばペースコレクタの構成材料より、よ
り小ざなエネルギギャッブを有する半導体材料を用いた
ダイオードで構成される。

これによって５発元受光トランジスタの過大なベース駆
動電流の流入がなくなり、過大な少数キャリア注入が減
少し、蓄積効果によるスイッチング時間遅れが著しく短
かぐなる利点を生ずる。

第４図（ａｔと第４図（ｂｌとは互に独立の考え方を有
するものであり、したがって、これらは組み合わせて用
いてもよい。具体的な構成のための構造図は簡易化のた
めに省略する。

第５図および第６図は、第１図の実施例を変形した他の
実施例の模式図である。この実施例では。

第１図における発光受光トランジスタＱ１．０．２で構
成されたフリップフロップ形記憶セル部のみ変形し、抵
抗Ｒ３をコレクタ部（第５図の場合）またけエミッタ部
（第６図の場合）に付加しただけのものである。他の部
分は第１図と同じものであるから簡略化して図示しであ
る。

このようにすることによって、高抵抗の抵抗Ｒ３を入れ
ると発光受光トランジスタＱ＋、（ｈが非飽和動作が可
能となり、第１図の場合の飽和形動作の場合より、より
高速化動作が可能となる。記憶動作および構成例は第１
図の場合と同様であるから省略する。

以上説明したように、上記各実施例においては発光受光
トランジスタの能動素子が電気的光学的に多機能な特性
を有するので、比較的簡単な回路で単純な構成により同
一基板上に多数個構成可能である。

また、電気的制御性も容易に得られる利点をも有すると
ともに、記憶セルと駆動回路とが光学的な入出力信号で
あるため電気的には他の回路と全く絶縁した状態で動作
可能であり、その独立性および制御性に大きな利点を有
する。

したがって、これらの装置は並列的および直列的接続も
可能であり、かつ同一平面上に多数個集積化できる。

また、前記各実施例はｎｐｎ形発元発光トランジスタを
用いた例のみが示されているがｐ’ｎｐ形でも同様に構
成実施できることは容易に考えられるの９ で省略した。

（発明の効果） 以上のように、この発明の発光受光装置によれば、外部
電気制御信号および受光光線により第１の１対の発光受
光トランジスタをオン、オフさせて２値の状態で記憶、
読み出し操作を行なう記憶セルを構成し、この第１の１
対の発光受光トランジスタの発光光線および相対的バイ
アス電位の変化に応じて第２の１対の発光受光トランジ
スタをオン、オフさせて記憶セルの読み出し、書き込み
操作を行なうようにしたので、簡易にして多機能性かつ
制御性を有する光学釣元記憶回路装置としての機能を呈
することができる。これにともない他の光学的比較器や
遅延回路、ｆｔＳ掃引回路、尤センサ、ディスプレイ回
路、混合、増巾、発振回路などの諸装置へ広範囲に応用
可能である。

【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明の発光受光装置の一実施例の構成を示
す模式図、第２図（ａｔないし第２図（ｆｌはそれぞれ
第１図の発光受光装置の動作を時系列的に０ 示した図、第３図は第１図の発光受光装置の構造を示す
要部の横断面図、第４図（ａｌはこの発明の発光受光装
置における発光受光トランジスタをダーリントン接続し
た場合の回路図、第４図（ｂｌはこの発明０発光受元装
置における発光受光トランジスタＫ（−のペースコレク
タ間にダイオードをクランプ接続した場合の回路図、第
５図および第６図はそれぞれこの発明の発光受光トラン
ジスタの他の実施例を示す模式図である。 Ｑ１〜Ｑ４．Ｑｉ−Ｑｉ・・・発光受光トランジスタ。 Ｒ１〜＆・・・抵抗、Ｃ・・・遮元部、Ｆ１〜Ｆ４・・
・導光路。 Ｇ１．Ｇ２・・・光学フィルタ、Ｄｉ・・・ダイオード
。 １１〜３１・・・化合物半導体層、１９・・・絶縁性化
合物半導体基板、３２〜３５・・・尤の導入または射光
部、３６．３７・・・完結合部。 特許出願人　沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和悶年１Ｑ月１９日 特許庁長官若　杉　和　夫殿 １、事件の表示 昭和５８年　特　許　願第４０８５　　　号２、発明の
名称 発光受光装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特　許　　出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和　　年　　月　　日　（自
発）６、補正の対象 明却ｊ碧の発明の詳細な説明および図面の簡単な説明の
各欄 ７、補正の内容 別紙の通り ７　補正の内容 １）明細書５頁１６行ｒＲＩＪを「Ｒ５」と訂正する。 ２）同７頁１１行「Ｆ３」を「Ｆ４」と訂正する。 ３）同７頁１５行「Ｆ２」を「Ｆ４」と訂正する。 ４）同１０頁２行ｒ　（ｅ）　Ｊをｒ　（ｆ）　Ｊと訂
正する。 ５）同２２頁８行「トランジスタ」を「装置」と訂正す
る。 ６）同２２頁１４行「射光」を「射出」と訂正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外部電気制御信号および受元元線によりオン、オフして
   オン時に発光しかつオフ時に消光して２値の状態で記憶
   および読み出し機能を呈する記憶セルを構成する第１の
   １対の発光受光トランジスタと、この第１の１対の発光
   受光トランジスタの発光光線を伝達する第１の１対の導
   光路と、この第１の１対の導光路を通して伝達される上
   記発光ｙｔ、線によりそれぞれ個別に発光してこの発光
   ５１ｅ線を受光電流として検出するとともにバイアス電
   位を相対的に変えてオン、オフさせて上記記憶セルへの
   読み出し書き込み操作を行なう第２の１対の発光受光ト
   ランジスタと、この第２の１対の発光受光トランジスタ
   の発光光線を外部に伝達する第２の１対の導光路と、上
   記各発光受光トランジスタとと本に一体的に形成されて
   各発光受光トランジスタを光学的に遮へいする遮光部と
   よりなる発光受光装置。