JPH06820Y2 - アクテイブマトリクス基板 - Google Patents

アクテイブマトリクス基板

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JPH06820Y2
JPH06820Y2 JP1986006616U JP661686U JPH06820Y2 JP H06820 Y2 JPH06820 Y2 JP H06820Y2 JP 1986006616 U JP1986006616 U JP 1986006616U JP 661686 U JP661686 U JP 661686U JP H06820 Y2 JPH06820 Y2 JP H06820Y2
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信武 小西
義和 細川
誉也 鈴木
秋男 三村
青山　　隆
洋 金子
隆 鈴木
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2624797B2 (ja) * 1988-09-20 1997-06-25 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH07122718B2 (ja) * 1989-03-20 1995-12-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2618034B2 (ja) * 1989-04-13 1997-06-11 松下電器産業株式会社 マトリクス基板及びその製造方法
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6057704B2 (ja) * 1979-05-25 1985-12-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPS57192047A (en) * 1981-05-20 1982-11-26 Mitsubishi Electric Corp Wiring layer in semiconductor device and manufacture thereof
EP0085777A3 (en) * 1982-02-01 1985-01-23 Texas Instruments Incorporated Fabrication of devices including selective formation of titanium disilicide by direct reaction
JPS59149045A (ja) * 1983-02-16 1984-08-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法

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