JPH0676260B2 - 窒化珪素焼結体およびその製造法 - Google Patents
窒化珪素焼結体およびその製造法Info
- Publication number
- JPH0676260B2 JPH0676260B2 JP3080632A JP8063291A JPH0676260B2 JP H0676260 B2 JPH0676260 B2 JP H0676260B2 JP 3080632 A JP3080632 A JP 3080632A JP 8063291 A JP8063291 A JP 8063291A JP H0676260 B2 JPH0676260 B2 JP H0676260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- grain boundary
- silicon nitride
- phase
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
酸化がともに少なく高強度の窒化珪素焼結体およびその
製造法に関するものである。
み、粒界結晶相がアパタイト構造の結晶(以下、H相と
記す)と希土類のダイシリケート(以下、S相と記す)
に、ウォラストナイト構造の結晶(以下、K相と記す)
またはカスピディン構造の結晶(以下、J相と記す)
に、およびメリライト(以下、M相と記す)に結晶化し
た高温高強度の窒化珪素焼結体が、それぞれ特開平1-56
368 号公報、特開平1-61357号公報および特開平1-61358
号公報において開示されている。
体では、それぞれ高温での強度は高いものの低温での強
度が低下する場合があると考えられる。これは、我々の
研究によれば、高温高強度化には窒化珪素の粒界主結晶
がM、J、H相のような希土類酸化物のSiO2に対する比
が大きくかつ窒素を含む結晶相であるのが望ましいが、
上述した技術に示されたこれらの結晶を粒界相に有する
と、大気中800 〜1000℃で粒界相の選択酸化(以下、低
温酸化と記す)がおこり、その際他の結晶の析出により
体積膨張し、クラックを生じ機械的特性を損なう。最も
酸化が激しい温度は、粒界相の組成や結晶の種類により
多少異なるが900 ℃前後である。
般的に粒界の主結晶相がRe2SiO5 (以下、L相と記す)
やRe2Si2O7であると低温酸化しないが、Re2SiO5 は安定
して粒界主結晶として生成させるのが難しく、Re2Si2O7
が主結晶として生成する粒界相組成では高温強度が発現
できない問題があった。さらに、大気中、1200℃以上の
高温下で熱処理し焼結体表面全体を酸化膜で覆う方法も
知られているが、焼結体の表面が荒れる等の問題があっ
た。
高温での高強度は維持したまま低温酸化を防止して低温
での強度をも発現させることのできる窒化珪素焼結体お
よびその製造法を提供しようとするものである。
は、粒界相が希土類元素化合物からなる窒化珪素焼結体
であって、焼結体表面の粒界相がJCPDS カードNo.21-14
58と同一のX線回折パターンの結晶に結晶化しており、
焼結体内部は希土類元素(Re)-Si-O-N からなる粒界相か
らなることを特徴とするものである。
は、希土類元素(Re)-Si-O-N からなる粒界相を有する窒
化珪素焼結体を、酸化性雰囲気中700 〜1000℃で熱処理
した後、窒素以外の不活性雰囲気中900 〜1350℃で熱処
理することにより、焼結体表面の粒界相をJCPDS カード
No.21-1458と同一のX線回折パターンの結晶に結晶化す
ることを特徴とするものである。
体内部は従来から高温高強度であるとして知られている
希土類元素(Re)-Si-O-N からなる粒界相を有する焼結体
のままとし、焼結体の表面の粒界相のみを改質してJCPD
S カードNo.21-1458と同一のX線回折パターンの結晶に
結晶化させているため、低温酸化の生じない高温高強度
の窒化珪素焼結体を得ることができる。ここで「JCPDS
カードNo.21-1458と同一のX線回折パターンの化合物」
とは、これと同一の結晶構造を有するという意味であ
る。よって構成される希土類元素の種類により回折位置
および強度が若干異なることもあり得る。また、JCPDS
カードNo.21-1458と同一のX線回折パターンの結晶の一
例としては、Re2SiO5からなるL相の結晶がある。
おいて、所定の窒化珪素焼結体を先ず酸化性雰囲気中70
0 〜1000℃で熱処理するのは、表面の粒界相に酸素を供
給するためである。酸素を供給していく過程で粒界結晶
は非晶質化し、その後酸化反応が進行しつつL相(Re2S
iO5 )の結晶化がはじまる。さらに酸化を続けると粒界
相が体積膨張しクラックを生じるため、酸素の供給は粒
界結晶が非晶質化する程度で止めておくのが良い。次
に、窒素以外の不活性雰囲気中900 〜1350℃で熱処理す
るのは、焼結体の表面にL相(Re2SiO5 )の結晶を生成
させるためである。窒素以外の不活性雰囲気中で熱処理
するのは、窒素中で熱処理すると窒素が焼結体に供給さ
れ低温酸化する結晶が生成してしまうためである。ま
た、熱処理温度を900 〜1350℃と限定するのは、900 ℃
未満であると結晶化に長時間を要し、1350℃を超えると
窒化珪素の分解が激しくなるためである。
e)-Si-O-N からなる種々の粒界結晶相を有する窒化珪素
焼結体を準備し、表1に示す条件の大気中の熱処理およ
び不活性雰囲気中の熱処理を行い、本発明範囲内の試験
No.1-7と本発明範囲外の試験No.8-9の焼結体を得た。得
られた焼結体の粒界相の結晶相および大気中900 ℃×10
0hrsの酸化増量を測定するとともに、熱処理前の焼結体
の一部についても比較のため同様の条件下での酸化増量
を測定した。結果を表1に示す。
線回折の結果からもとめたものであり、表1記載のJは
カスピディン構造の結晶、Hはアパタイト構造の結晶、
LはRe2SiO5 (Re:希土類元素でJCPDS カードNo.21-14
58と同一のX線回折パターンの化合物)の結晶、Mはメ
リライト構造の結晶である。粒界結晶相の割合は、β-
Si2N4 を除く粒界の各結晶の最強のピークであるJ相:
(131)面、H相:(211) 面、L相:(204) 面、M相:(12
1) 面の積分強度の合計値に対する割合とした。
-7は、いずれ化の点で本発明を満たさない比較例試験N
o.8-9と比べて、酸化増量がなく低温酸化を起こしてい
ないことがわかる。また、本発明試験No.1-7の熱処理前
の結晶相と熱処理後の焼結体表面の結晶相とは異なり、
本発明における大気中での熱処理および不活性雰囲気中
での熱処理が表面のみにL相が形成できることがわか
る。
によれば、焼結体内部は従来から高温高強度であるとし
て知られている希土類元素(Re)-Si-O-N からなる粒界相
を有する焼結体のままとし、焼結体の表面の粒界相のみ
を改質してJCPDS カードNo.21-1458と同一のX線回折パ
ターンの結晶に結晶化させているため、低温酸化の生じ
ない高温高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 粒界相が希土類元素化合物からなる窒化
珪素焼結体であって、焼結体表面の粒界相がJCPDS カー
ドNo.21-1458と同一のX線回折パターンの結晶に結晶化
しており、焼結体内部は希土類元素(Re)-Si-O-N からな
る粒界相からなることを特徴とする窒化珪素焼結体。 - 【請求項2】 希土類元素(Re)-Si-O-N からなる粒界相
を有する窒化珪素焼結体を、酸化性雰囲気中700 〜1000
℃で熱処理した後、窒素以外の不活性雰囲気中900 〜13
50℃で熱処理することにより、焼結体表面の粒界相をJC
PDS カードNo.21-1458と同一のX線回折パターンの結晶
に結晶化することを特徴とする窒化珪素焼結体の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3080632A JPH0676260B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3080632A JPH0676260B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292465A JPH04292465A (ja) | 1992-10-16 |
JPH0676260B2 true JPH0676260B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=13723742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3080632A Expired - Lifetime JPH0676260B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0676260B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0848565A (ja) * | 1994-04-05 | 1996-02-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 窒化ケイ素焼結体及びその製造法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3080632A patent/JPH0676260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04292465A (ja) | 1992-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Taub et al. | Ductility in boron-doped, nickel-base L12 alloys processed by rapid solidification | |
JPH0676260B2 (ja) | 窒化珪素焼結体およびその製造法 | |
JPS62223066A (ja) | 高温強度が優れた窒化ケイ素焼結体の製造法 | |
JPH0672054B2 (ja) | 窒化珪素焼結体およびその製造法 | |
JP3034106B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
JP3140122B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
JPS5888175A (ja) | 高強度窒化珪素セラミツクスの製造方法 | |
JP3124863B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製法 | |
JPS63301424A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
JP2579680B2 (ja) | シリコンウェハの熱処理方法 | |
JP2783720B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製法 | |
JP2539451B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JP2652936B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
JP2724768B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 | |
JPH01203257A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
JP2883248B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体およびその製法 | |
JP2694369B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
JP2691285B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
KR910004320B1 (ko) | 고온 초전도체 단결정 육성방법 | |
JP3538620B2 (ja) | 結晶配向性の高いタリウム系超伝導銀系シース線材の製造方法及びその方法により得られたタリウム系超伝導銀系シース線材 | |
JPH0585827A (ja) | 窒化ケイ素−混合酸化物系焼結体およびその製造方法 | |
JP2847769B2 (ja) | Bi系超伝導体薄膜の製造方法 | |
JP3764497B2 (ja) | サイアロン焼結体 | |
JPH02124719A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
Tsukamoto et al. | Effect of oxidizing activity on the low‐temperature growth of HoBa2Cu3Ox thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070928 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 17 |