JPH0671232A - 流体処理装置と方法 - Google Patents
流体処理装置と方法Info
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- JPH0671232A JPH0671232A JP5128828A JP12882893A JPH0671232A JP H0671232 A JPH0671232 A JP H0671232A JP 5128828 A JP5128828 A JP 5128828A JP 12882893 A JP12882893 A JP 12882893A JP H0671232 A JPH0671232 A JP H0671232A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/36—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/227—Drying of printed circuits
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板を流体噴流で処理する装置とその方法を
提供する。 【構成】 流体噴射器の少なくとも１列６０、７０が装
置の表面５２を貫通する。処理される基板１００は、装
置表面の入口端５４、１５４と出口端５６、１５６に置
かれたローラ８０、９０を介して装置表面を搬送され
る。基板は装置表面と関連する入口端５４、１５４から
出口端５６、１５６に伸びた軸に事実上、平行な方向に
搬送され、流体噴射器の列６０、７０はこの軸に対して
垂直に整列する。基板は搬送時に流体噴射器から出た噴
流が表面を覆う消費流体の層に沈み、よって噴射された
噴流が浸漬噴流を成すように、装置表面に充分近接して
位置付けられる。
提供する。 【構成】 流体噴射器の少なくとも１列６０、７０が装
置の表面５２を貫通する。処理される基板１００は、装
置表面の入口端５４、１５４と出口端５６、１５６に置
かれたローラ８０、９０を介して装置表面を搬送され
る。基板は装置表面と関連する入口端５４、１５４から
出口端５６、１５６に伸びた軸に事実上、平行な方向に
搬送され、流体噴射器の列６０、７０はこの軸に対して
垂直に整列する。基板は搬送時に流体噴射器から出た噴
流が表面を覆う消費流体の層に沈み、よって噴射された
噴流が浸漬噴流を成すように、装置表面に充分近接して
位置付けられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には基板を流体
すなわち気体や液体で処理する装置及び方法に関する。
すなわち気体や液体で処理する装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板など、さまざまなデバ
イスを製造する際には、リンス、乾燥、化学的エッチン
グ、電解など、対応する基板にさまざまな流体処理が行
なわれる。流体処理は浸漬タンクや、スプレー・ノズル
と流体噴射器をさまざまに組合わせて行なわれている。
イスを製造する際には、リンス、乾燥、化学的エッチン
グ、電解など、対応する基板にさまざまな流体処理が行
なわれる。流体処理は浸漬タンクや、スプレー・ノズル
と流体噴射器をさまざまに組合わせて行なわれている。
【０００３】浸漬タンクは有用ではあるが、浸漬タンク
内に浸されるラックやバスケットに基板を出し入れする
のにかなりの時間がかかる。また浸漬タンク内の物質移
動は通常、拡散を介して行なわれ、このプロセスはしば
しば極めて緩慢に進むので経済的ではない。たとえば基
板のリンスに用いられる場合、浸漬タンクはすぐに基板
から取除かれる物質の大きな負荷を受け、これが浸漬タ
ンク内の拡散率を下げる結果、リンスに時間がかかる。
実際、浸漬タンクは取除かれた物質で大きな負荷を受け
ることが多く、そのためリンスはさらに不可能になる。
内に浸されるラックやバスケットに基板を出し入れする
のにかなりの時間がかかる。また浸漬タンク内の物質移
動は通常、拡散を介して行なわれ、このプロセスはしば
しば極めて緩慢に進むので経済的ではない。たとえば基
板のリンスに用いられる場合、浸漬タンクはすぐに基板
から取除かれる物質の大きな負荷を受け、これが浸漬タ
ンク内の拡散率を下げる結果、リンスに時間がかかる。
実際、浸漬タンクは取除かれた物質で大きな負荷を受け
ることが多く、そのためリンスはさらに不可能になる。
【０００４】スプレー・ノズルにも欠点がある。特にス
プレー・ノズルは流体を微粒化するように働き、これが
流体の蒸発につながる。その結果、不要な化学的放出が
促進され、流体の再利用ができなくなる。これらはいず
れも不経済である。さらに通常、スプレー・ノズルによ
って作られるスプレーは、処理されている基板上で流体
担持作用を達成できないので、基板はスプレーに対して
スプレー・ノズルと基板の間に位置するローラやガイド
によって移動させなければならない。ただし、こうした
ローラやガイドが存在することは望ましいことではな
い。その理由はいくつかあるが、なかでもスプレー作用
に不均一性をもたらし、その結果、たとえばリンスやエ
ッチングの均一性がなくなるからである。その上、スプ
レーはすぐに運動量を失うので、特定の基板領域の流体
処理を効率よく行なえなくなることが多い。これは処理
率及びスループットを制限することになる。たとえばス
プレーはしばしば、基板内の穴の内部など特定の基板領
域を効率よく効果的にリンス或いは乾燥できない。これ
は、そのような領域に届く流体がその上または内部に保
持されるからであり（この現象をドラグアウトと呼
ぶ）、その領域に届く新鮮な流体が比較的微量だからで
ある。さらに、スプレーは基板上の異物を、取除くので
はなく、再被着或いは再配置することが多く、その場合
にはスプレーを追加しなければならない。そのためスプ
レーを使用することでしばしば、不要な大きな処理面積
が必要になり、これも不経済である。スプレーに方向性
を持たせることによって、上述の欠点をいくつかなくそ
うとする試みが成されているが、こうした試行は普通、
方向づけられたスプレーによって基板にかかるトルクを
伴う。そのため、基板の動きに安定性がなくなり、しば
しば処理機器の中で基板が詰まり、基板または機器が破
損するという、意に反する結果になる。
プレー・ノズルは流体を微粒化するように働き、これが
流体の蒸発につながる。その結果、不要な化学的放出が
促進され、流体の再利用ができなくなる。これらはいず
れも不経済である。さらに通常、スプレー・ノズルによ
って作られるスプレーは、処理されている基板上で流体
担持作用を達成できないので、基板はスプレーに対して
スプレー・ノズルと基板の間に位置するローラやガイド
によって移動させなければならない。ただし、こうした
ローラやガイドが存在することは望ましいことではな
い。その理由はいくつかあるが、なかでもスプレー作用
に不均一性をもたらし、その結果、たとえばリンスやエ
ッチングの均一性がなくなるからである。その上、スプ
レーはすぐに運動量を失うので、特定の基板領域の流体
処理を効率よく行なえなくなることが多い。これは処理
率及びスループットを制限することになる。たとえばス
プレーはしばしば、基板内の穴の内部など特定の基板領
域を効率よく効果的にリンス或いは乾燥できない。これ
は、そのような領域に届く流体がその上または内部に保
持されるからであり（この現象をドラグアウトと呼
ぶ）、その領域に届く新鮮な流体が比較的微量だからで
ある。さらに、スプレーは基板上の異物を、取除くので
はなく、再被着或いは再配置することが多く、その場合
にはスプレーを追加しなければならない。そのためスプ
レーを使用することでしばしば、不要な大きな処理面積
が必要になり、これも不経済である。スプレーに方向性
を持たせることによって、上述の欠点をいくつかなくそ
うとする試みが成されているが、こうした試行は普通、
方向づけられたスプレーによって基板にかかるトルクを
伴う。そのため、基板の動きに安定性がなくなり、しば
しば処理機器の中で基板が詰まり、基板または機器が破
損するという、意に反する結果になる。
【０００５】基板の流体処理で流体噴射を用いた場合、
流体噴射に方向性があり、したがって原理的にはスプレ
ーの欠点を克服できるという利点が考えられる。ただ
し、これまでの流体噴射構造は、特に基板に穴がある場
合にはドラグアウトの問題を克服できていない。またこ
のような流体噴射構造も基板にトルクをかけるため、基
板の動きが不安定になる。
流体噴射に方向性があり、したがって原理的にはスプレ
ーの欠点を克服できるという利点が考えられる。ただ
し、これまでの流体噴射構造は、特に基板に穴がある場
合にはドラグアウトの問題を克服できていない。またこ
のような流体噴射構造も基板にトルクをかけるため、基
板の動きが不安定になる。
【０００６】このように、流体処理装置とその方法の開
発に携わってきた当業者が長く追い求めてきた流体噴射
装置は（今までのところ成功していないが）、（１）特
に基板に穴がある場合にドラグアウトの問題を克服す
る、（２）基板にトルクがかからないようにする、
（３）基板の移動にローラやガイドを可能な限り使わず
にすむようにし、ローラやガイドによる干渉を大幅に少
なくするものである。
発に携わってきた当業者が長く追い求めてきた流体噴射
装置は（今までのところ成功していないが）、（１）特
に基板に穴がある場合にドラグアウトの問題を克服す
る、（２）基板にトルクがかからないようにする、
（３）基板の移動にローラやガイドを可能な限り使わず
にすむようにし、ローラやガイドによる干渉を大幅に少
なくするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による流体処理装
置及びその方法は、ドラグアウトの問題を実質上克服
し、基板にトルクをかけることなく、基板を移動させる
ためのローラやガイドの必要性が大幅に減少する。本発
明の装置の１実施例では、流体噴射器の少なくとも１列
が装置の表面を貫通し、処理される基板が装置表面の入
口端と出口端に設けられたローラを介して運ばれる。基
板が運ばれる方向は装置表面に伴う、入口端から出口端
に伸びた軸に実質上平行であり、流体噴射器の列はこの
軸に垂直に位置づけられる。基板は搬送時、装置表面に
近接するように位置づけられる。これにより流体噴射器
から出た噴流は、表面を覆う消費された流体の層に沈
み、よって噴射された噴流は浸漬噴流を成す。要点は流
体噴射器の列が装置表面の出口端よりも入口端により近
接して位置づけられることである。その結果、出口端の
方向への流体フローに対する抵抗は、消費された流体層
の比較的長い部分にわたり、消費された流体層の比較的
短い部分にわたる入口端の方向への流体フローに対する
抵抗よりも大きい。そのため、流体噴射器から出た噴流
が基板に衝突した後、噴流に伴う流体の半分以上は、逆
流として入口端の方へ流れ、入口端において、たとえば
装置表面の排出口を介して排出される。すなわち、基板
に衝突した流体は、衝突の後で比較的容易に取除かれ、
新鮮な流体が基板に届くので、実質上ドラグアウトがな
くなる。また逆流により、取除かれた異物が再び、噴流
が衝突した基板の部分に被着或いは定着することが防止
される。さらに、消費された流体の層と浸漬した噴流に
より、基板上に流体ベアリング作用が生じ、装置表面の
入口端と出口端のローラのほかは、ローラやガイドの必
要性が少なくなる。
置及びその方法は、ドラグアウトの問題を実質上克服
し、基板にトルクをかけることなく、基板を移動させる
ためのローラやガイドの必要性が大幅に減少する。本発
明の装置の１実施例では、流体噴射器の少なくとも１列
が装置の表面を貫通し、処理される基板が装置表面の入
口端と出口端に設けられたローラを介して運ばれる。基
板が運ばれる方向は装置表面に伴う、入口端から出口端
に伸びた軸に実質上平行であり、流体噴射器の列はこの
軸に垂直に位置づけられる。基板は搬送時、装置表面に
近接するように位置づけられる。これにより流体噴射器
から出た噴流は、表面を覆う消費された流体の層に沈
み、よって噴射された噴流は浸漬噴流を成す。要点は流
体噴射器の列が装置表面の出口端よりも入口端により近
接して位置づけられることである。その結果、出口端の
方向への流体フローに対する抵抗は、消費された流体層
の比較的長い部分にわたり、消費された流体層の比較的
短い部分にわたる入口端の方向への流体フローに対する
抵抗よりも大きい。そのため、流体噴射器から出た噴流
が基板に衝突した後、噴流に伴う流体の半分以上は、逆
流として入口端の方へ流れ、入口端において、たとえば
装置表面の排出口を介して排出される。すなわち、基板
に衝突した流体は、衝突の後で比較的容易に取除かれ、
新鮮な流体が基板に届くので、実質上ドラグアウトがな
くなる。また逆流により、取除かれた異物が再び、噴流
が衝突した基板の部分に被着或いは定着することが防止
される。さらに、消費された流体の層と浸漬した噴流に
より、基板上に流体ベアリング作用が生じ、装置表面の
入口端と出口端のローラのほかは、ローラやガイドの必
要性が少なくなる。
【０００８】ここで特筆すべきは、本発明によるドラグ
アウトの実質上の消失により、本発明の流体処理装置が
これまで以上に効率的に基板を流体処理できることであ
る。したがって、たとえば本発明の装置の長さは、これ
までよりも短くすることができる。これは大きな利点で
ある。
アウトの実質上の消失により、本発明の流体処理装置が
これまで以上に効率的に基板を流体処理できることであ
る。したがって、たとえば本発明の装置の長さは、これ
までよりも短くすることができる。これは大きな利点で
ある。
【０００９】１列の噴流を用いることによって基板にか
かるトルクを避けるため、本発明の装置は好適には２つ
の表面を含み、各々が流体噴射器の列を含む。流体噴射
器の列の間で、処理対象の基板が運ばれる。基板の下表
面と上表面に衝突する噴流は互いにバランスし、よって
実質上トルクがなくなる。
かるトルクを避けるため、本発明の装置は好適には２つ
の表面を含み、各々が流体噴射器の列を含む。流体噴射
器の列の間で、処理対象の基板が運ばれる。基板の下表
面と上表面に衝突する噴流は互いにバランスし、よって
実質上トルクがなくなる。
【００１０】本発明の別の実施例では、穴を持つ基板の
ドラグアウトをさらに完全になくすことを目的に、本発
明の装置がここでも２つの表面を有し、各々が流体噴射
器の列を含み、列の間を基板が搬送される。基板上の流
体噴射器の列はそれぞれ、もう１つの表面の対応する流
体噴射器列と整列する。ただし、１表面の列の流体噴射
器は、別の表面の対応する列の流体噴射器に対してオフ
セットされ、前者の流体噴射器を後者の表面に向ける場
合は、前者の流体噴射器は後者の流体噴射器と互い違い
に配置される。流体噴射器のこの配置により、基板内の
穴に入る噴流は逆方向に作用する噴流と対向しない。
ドラグアウトをさらに完全になくすことを目的に、本発
明の装置がここでも２つの表面を有し、各々が流体噴射
器の列を含み、列の間を基板が搬送される。基板上の流
体噴射器の列はそれぞれ、もう１つの表面の対応する流
体噴射器列と整列する。ただし、１表面の列の流体噴射
器は、別の表面の対応する列の流体噴射器に対してオフ
セットされ、前者の流体噴射器を後者の表面に向ける場
合は、前者の流体噴射器は後者の流体噴射器と互い違い
に配置される。流体噴射器のこの配置により、基板内の
穴に入る噴流は逆方向に作用する噴流と対向しない。
【００１１】本発明の別の実施例では、上述の逆流が基
板が搬送される装置表面に流体噴射器列を少なくとも２
つ設けることによって得られる。ここで重要なことは、
流体噴射器の少なくとも第２列は、表面の入口端の方へ
傾けられることである。その結果、流体噴射器の第２列
から出た噴流は基板に衝突した後、流体噴射器の第１列
から出た噴流に伴う流体の半分以上を、装置表面の入口
端の方向へ導く。
板が搬送される装置表面に流体噴射器列を少なくとも２
つ設けることによって得られる。ここで重要なことは、
流体噴射器の少なくとも第２列は、表面の入口端の方へ
傾けられることである。その結果、流体噴射器の第２列
から出た噴流は基板に衝突した後、流体噴射器の第１列
から出た噴流に伴う流体の半分以上を、装置表面の入口
端の方向へ導く。
【００１２】
【実施例】本発明はドラグアウトの問題を実質上克服
し、基板にトルクをかけることを回避し、基板を搬送す
るローラやガイドの必要性を大幅に低減する流体処理装
置及び流体処理方法に関係する。この目標は本発明の装
置に新しい構造の流体噴射器を採用し、流体処理を受け
る基板に衝突する噴流の構造を新しくすることによって
達成される。
し、基板にトルクをかけることを回避し、基板を搬送す
るローラやガイドの必要性を大幅に低減する流体処理装
置及び流体処理方法に関係する。この目標は本発明の装
置に新しい構造の流体噴射器を採用し、流体処理を受け
る基板に衝突する噴流の構造を新しくすることによって
達成される。
【００１３】図１、図２を参照する。本発明の流体処理
装置１０の第１実施例は、ステンレス鋼などから作られ
るプレナム・ハウジング２０を少なくとも１つ含む。ハ
ウジング２０は、流体がフィード・チューブ４０を介し
て圧力によって送られるプレナム・チャンバ３０を収容
する。プレナム・ハウジング２０の上部は、アルミニウ
ムなどで作られる接続噴射器プレート５０から成る。こ
こで重要なことは、離隔したドリル穴の少なくとも２列
のうち少なくとも１列６０は、プレナム・チャンバ３０
からプレート５０の表面５２に伸び、その穴が流体噴射
器として機能するという点である。
装置１０の第１実施例は、ステンレス鋼などから作られ
るプレナム・ハウジング２０を少なくとも１つ含む。ハ
ウジング２０は、流体がフィード・チューブ４０を介し
て圧力によって送られるプレナム・チャンバ３０を収容
する。プレナム・ハウジング２０の上部は、アルミニウ
ムなどで作られる接続噴射器プレート５０から成る。こ
こで重要なことは、離隔したドリル穴の少なくとも２列
のうち少なくとも１列６０は、プレナム・チャンバ３０
からプレート５０の表面５２に伸び、その穴が流体噴射
器として機能するという点である。
【００１４】図１により明確に示すとおり、本発明の装
置１０はプリント回路基板などの基板１００を、表面５
２から距離Ｈのところで、表面５２の入口端５４から出
口端５６へ運ぶためのローラ８０、９０を含む。基板１
００のこの搬送は表面５２に伴う仮想軸１１０と事実上
平行な方向に生じる。軸１１０は入口端５４と出口端５
６に対して垂直に向けられ、入口端５４から出口端５６
の方向に伸びる。
置１０はプリント回路基板などの基板１００を、表面５
２から距離Ｈのところで、表面５２の入口端５４から出
口端５６へ運ぶためのローラ８０、９０を含む。基板１
００のこの搬送は表面５２に伴う仮想軸１１０と事実上
平行な方向に生じる。軸１１０は入口端５４と出口端５
６に対して垂直に向けられ、入口端５４から出口端５６
の方向に伸びる。
【００１５】図１、図２には示していないが、本発明の
装置１０は好適にはプレナム・ハウジング２０の平らな
端面と平面接触する側壁を含む。側壁は流体噴射器から
出た流体を閉じ込める働きをする。
装置１０は好適にはプレナム・ハウジング２０の平らな
端面と平面接触する側壁を含む。側壁は流体噴射器から
出た流体を閉じ込める働きをする。
【００１６】図３を参照する。流体噴射器の少なくとも
１列６０は、流体噴射器６０−１、６０−２、６０−３
などを含み、列６０は仮想軸１１０を横切るように配向
される。流体噴射器の各々は、好適には同一の直径Ｄを
もち、Ｄは約５ミル（０．１２７ｍｍ）乃至約２５０ミ
ル（６．３５ｍｍ）である。直径が約５ミル（０．１２
７ｍｍ）未満の流体噴射器は製造が難しいので不適当で
ある。一方、直径が約２５０ミル（６．３５ｍｍ）を超
える流体噴射器も、噴流を生成するのに不当に大きいポ
ンプ圧を要するので不適当である。
１列６０は、流体噴射器６０−１、６０−２、６０−３
などを含み、列６０は仮想軸１１０を横切るように配向
される。流体噴射器の各々は、好適には同一の直径Ｄを
もち、Ｄは約５ミル（０．１２７ｍｍ）乃至約２５０ミ
ル（６．３５ｍｍ）である。直径が約５ミル（０．１２
７ｍｍ）未満の流体噴射器は製造が難しいので不適当で
ある。一方、直径が約２５０ミル（６．３５ｍｍ）を超
える流体噴射器も、噴流を生成するのに不当に大きいポ
ンプ圧を要するので不適当である。
【００１７】図２を参照する。流体噴射器を成すドリル
穴は好適にはすべて同一の長さＬである。その場合、Ｌ
／Ｄ比は約０．５乃至約４０の範囲が望ましい。約０．
５未満の比率は、適切な噴流が生成されないので不適当
である。約４０を超える比率も対応する噴流は製造が難
しく、有効なフロー率を得るために不当に大きなポンプ
・エネルギを要するので不適当である。
穴は好適にはすべて同一の長さＬである。その場合、Ｌ
／Ｄ比は約０．５乃至約４０の範囲が望ましい。約０．
５未満の比率は、適切な噴流が生成されないので不適当
である。約４０を超える比率も対応する噴流は製造が難
しく、有効なフロー率を得るために不当に大きなポンプ
・エネルギを要するので不適当である。
【００１８】再び図３を参照する。流体噴射器は好適に
は等間隔に離隔され、隣接する流体噴射器の中心間距離
はＳである。Ｓ／Ｄ比は１よりも大きくする必要がある
が（Ｓ／Ｄ比＝１は、流体噴射器相互の接触を意味す
る）、好適には約２０以下である。約２０を超える比率
は対応する噴流が基板１００に衝突した後に、流体フロ
ーが基板１００の表面から離れ、流体が再循環する領域
を形成し、不要な異物や消費された流体の再被着につな
がることが確認されているので不適当である。
は等間隔に離隔され、隣接する流体噴射器の中心間距離
はＳである。Ｓ／Ｄ比は１よりも大きくする必要がある
が（Ｓ／Ｄ比＝１は、流体噴射器相互の接触を意味す
る）、好適には約２０以下である。約２０を超える比率
は対応する噴流が基板１００に衝突した後に、流体フロ
ーが基板１００の表面から離れ、流体が再循環する領域
を形成し、不要な異物や消費された流体の再被着につな
がることが確認されているので不適当である。
【００１９】図１を参照する。上述のように流体噴射器
から出た噴流は、浸漬噴流になる。すなわち噴流は表面
５２を覆う消費された流体の層へ噴射され、表面５２と
基板１００のスペースをほぼ埋め尽くす。かかる浸漬噴
流は本発明に従って、Ｈ／Ｄ比が約０．２乃至約１５に
なるように基板１００を表面５２に近接させることによ
って得られる。約０．２よりも小さい比率は基板１００
が表面５２に近づきすぎ、基板が表面５２にぶつかる可
能性があるので不適当である。一方、約１５よりも大き
い比率も、基板が流体噴射器から離れすぎ、対応する噴
流が基板１００に衝突する前に不当に大きな運動量を失
うので不適当である。
から出た噴流は、浸漬噴流になる。すなわち噴流は表面
５２を覆う消費された流体の層へ噴射され、表面５２と
基板１００のスペースをほぼ埋め尽くす。かかる浸漬噴
流は本発明に従って、Ｈ／Ｄ比が約０．２乃至約１５に
なるように基板１００を表面５２に近接させることによ
って得られる。約０．２よりも小さい比率は基板１００
が表面５２に近づきすぎ、基板が表面５２にぶつかる可
能性があるので不適当である。一方、約１５よりも大き
い比率も、基板が流体噴射器から離れすぎ、対応する噴
流が基板１００に衝突する前に不当に大きな運動量を失
うので不適当である。
【００２０】消費された流体の層と噴流は基板１００上
に流体ベアリング作用をもたらす。その結果、入口端５
４と出口端５６の間に基板１００を運ぶためのローラと
ガイドは必要でなくなる。
に流体ベアリング作用をもたらす。その結果、入口端５
４と出口端５６の間に基板１００を運ぶためのローラと
ガイドは必要でなくなる。
【００２１】流体噴射器は好適にはすべて同じ直径Ｄで
あり、すべて同じプレナム・チャンバ３０に接続される
ので、流体噴射器の各々に供給される流体は必然的に同
じものになり、流体噴射器から噴射される噴流の速度も
必然的に同一になる。供給された流体の動粘度をｎｕ、
流体噴射器における噴流の速度をＶで表わすと、各噴流
に伴うレイノルズ数はＶ*Ｄ ／ｎｕ比と定義され、好適
には約５０乃至約３０，０００の範囲である。約５０よ
り小さいレイノルズ数は対応する噴流の運動量が不当に
小さいので不適当である。一方、約３０，０００より大
きいレイノルズ数は、このように大きいレイノルズ数で
は不当に大きいプレナム圧が必要なので不適当である。
あり、すべて同じプレナム・チャンバ３０に接続される
ので、流体噴射器の各々に供給される流体は必然的に同
じものになり、流体噴射器から噴射される噴流の速度も
必然的に同一になる。供給された流体の動粘度をｎｕ、
流体噴射器における噴流の速度をＶで表わすと、各噴流
に伴うレイノルズ数はＶ*Ｄ ／ｎｕ比と定義され、好適
には約５０乃至約３０，０００の範囲である。約５０よ
り小さいレイノルズ数は対応する噴流の運動量が不当に
小さいので不適当である。一方、約３０，０００より大
きいレイノルズ数は、このように大きいレイノルズ数で
は不当に大きいプレナム圧が必要なので不適当である。
【００２２】流体噴射器の列６０は、本発明に従って、
上述のように表面５２の出口端５６よりも入口端５４
（図３）に近づけて設けられる。その結果、装置１０の
動作時に列６０から出口端５６への流体フローの抵抗
は、表面５２を覆う消費された流体の層の比較的長い部
分に及び、比較的大きい。逆に列６０から入口端５４へ
の流体フローの抵抗は、表面５２を覆う消費された流体
の層の比較的短い部分に及び、比較的小さい。そのた
め、流体噴射器の列６０から出た噴流が基板１００に衝
突した後、噴流に伴う流体の半分以上は、逆流として入
口端５４の方へ流れる。したがって、不要なドラグアウ
トと異物の再付着が事実上減少するか、またはなくな
る。
上述のように表面５２の出口端５６よりも入口端５４
（図３）に近づけて設けられる。その結果、装置１０の
動作時に列６０から出口端５６への流体フローの抵抗
は、表面５２を覆う消費された流体の層の比較的長い部
分に及び、比較的大きい。逆に列６０から入口端５４へ
の流体フローの抵抗は、表面５２を覆う消費された流体
の層の比較的短い部分に及び、比較的小さい。そのた
め、流体噴射器の列６０から出た噴流が基板１００に衝
突した後、噴流に伴う流体の半分以上は、逆流として入
口端５４の方へ流れる。したがって、不要なドラグアウ
トと異物の再付着が事実上減少するか、またはなくな
る。
【００２３】図には示していないが、噴射器プレート５
０は好適には入口端５４に隣接し、仮想軸１１０に対し
て垂直に整列した排出口の列を含む。これらの排出口に
より、上述の逆流する流体が容易に排除される。さら
に、排出口から流体を流すためにポンプを用いる場合
は、逆流が促進される。
０は好適には入口端５４に隣接し、仮想軸１１０に対し
て垂直に整列した排出口の列を含む。これらの排出口に
より、上述の逆流する流体が容易に排除される。さら
に、排出口から流体を流すためにポンプを用いる場合
は、逆流が促進される。
【００２４】プレート５０は図示していないが、出口端
５６に隣接し、仮想軸１１０に対して垂直に整列した排
出口の列をも含むのが望ましい。これらの排出口は出口
端に流れる比較的少量の流体の排出に役立つ。
５６に隣接し、仮想軸１１０に対して垂直に整列した排
出口の列をも含むのが望ましい。これらの排出口は出口
端に流れる比較的少量の流体の排出に役立つ。
【００２５】本発明の装置１０の第１実施例は、図２、
図３に示すとおり、好適には表面５２を貫通し、仮想軸
１１０に垂直に整列した流体噴射器の第２列７０を含
む。ここで重要なことは、流体噴射器のこの第２列７０
が、流体噴射器７０−１、７０−２、７０−３などを含
み、流体噴射器の列６０と出口端５６の間に位置づけら
れることであり、好適には入口端５４と出口端５６の間
に、両者まで等距離になるように位置づけられる。第２
列７０から出る噴流によって、第１列６０から出る流体
に伴う上述の逆流が促進される。
図３に示すとおり、好適には表面５２を貫通し、仮想軸
１１０に垂直に整列した流体噴射器の第２列７０を含
む。ここで重要なことは、流体噴射器のこの第２列７０
が、流体噴射器７０−１、７０−２、７０−３などを含
み、流体噴射器の列６０と出口端５６の間に位置づけら
れることであり、好適には入口端５４と出口端５６の間
に、両者まで等距離になるように位置づけられる。第２
列７０から出る噴流によって、第１列６０から出る流体
に伴う上述の逆流が促進される。
【００２６】基板１００にトルクをかけないようにする
ためには、図１、図２に示すとおり、本発明の装置１０
の第１実施例に、流体がフィード・チューブ１４０を介
して圧力によって送られるプレナム・チャンバ１３０を
含む第２プレナム・ハウジング１２０を追加するのが望
ましい。プレナム・ハウジング１２０にはプレート１５
０が装着され、流体噴射器の列１６０、１７０がプレナ
ム・チャンバ１３０からプレート１５０の表面１５２に
伸びる。列１６０、１７０から出た噴流は基板１００の
上表面に衝突し、列６０、７０から出て基板１００の下
表面に衝突する噴流の力を打ち消す。その結果、基板１
００上の不要なトルクが回避される。
ためには、図１、図２に示すとおり、本発明の装置１０
の第１実施例に、流体がフィード・チューブ１４０を介
して圧力によって送られるプレナム・チャンバ１３０を
含む第２プレナム・ハウジング１２０を追加するのが望
ましい。プレナム・ハウジング１２０にはプレート１５
０が装着され、流体噴射器の列１６０、１７０がプレナ
ム・チャンバ１３０からプレート１５０の表面１５２に
伸びる。列１６０、１７０から出た噴流は基板１００の
上表面に衝突し、列６０、７０から出て基板１００の下
表面に衝突する噴流の力を打ち消す。その結果、基板１
００上の不要なトルクが回避される。
【００２７】図１、図４、図５を参照する。本発明の装
置１０の第２実施例は、全般的には第１実施例と同様で
ある。第２実施例はプレナム・ハウジング２０と１２０
の両方を含み、表面５２、１５２は、入口端５４、１５
４に隣接した入口及び、出口端５６、１５６に隣接した
出口とを持つチャネルを画成する。このチャネルは入口
端５４、１５４及び出口端５６、１５６と直交しチャネ
ルの入口からチャネルの出口に伸びる軸によって特徴づ
けられる。
置１０の第２実施例は、全般的には第１実施例と同様で
ある。第２実施例はプレナム・ハウジング２０と１２０
の両方を含み、表面５２、１５２は、入口端５４、１５
４に隣接した入口及び、出口端５６、１５６に隣接した
出口とを持つチャネルを画成する。このチャネルは入口
端５４、１５４及び出口端５６、１５６と直交しチャネ
ルの入口からチャネルの出口に伸びる軸によって特徴づ
けられる。
【００２８】第２実施例に関連して、基板１００はロー
ラ８０、９０を介して上述のチャネルを、チャネル軸に
ほぼ平行な方向に搬送される。この搬送は表面５２の上
側の距離Ｈ１及び表面１５２の下側の距離Ｈ２のところ
において生じる。距離Ｈ１、Ｈ２は同一にする必要はな
い。
ラ８０、９０を介して上述のチャネルを、チャネル軸に
ほぼ平行な方向に搬送される。この搬送は表面５２の上
側の距離Ｈ１及び表面１５２の下側の距離Ｈ２のところ
において生じる。距離Ｈ１、Ｈ２は同一にする必要はな
い。
【００２９】図４、図５に示すように、第２実施例は表
面５２を貫通する流体噴射器の少なくとも１つの列６
０、好適には２つの列６０、７０を含む、列６０、７０
の流体噴射器は直径Ｄ１が等しく、それらから出る噴流
は流体噴射器において流体速度Ｖ１である。これらの噴
流の流体は動粘度ｎｕ１によって特徴づけられる。好適
には、列６０は上述の理由から、出口端５６よりも入口
端５４の方に近づけられる。
面５２を貫通する流体噴射器の少なくとも１つの列６
０、好適には２つの列６０、７０を含む、列６０、７０
の流体噴射器は直径Ｄ１が等しく、それらから出る噴流
は流体噴射器において流体速度Ｖ１である。これらの噴
流の流体は動粘度ｎｕ１によって特徴づけられる。好適
には、列６０は上述の理由から、出口端５６よりも入口
端５４の方に近づけられる。
【００３０】第２実施例はまた、表面１５２を貫通する
流体噴射器の少なくとも１つの列１６０、好適には２つ
の列１６０、１７０を含む。列１６０、１７０の流体噴
射器は直径Ｄ２が等しく、それらから出る噴流は流体速
度Ｖ２である。これらの噴流の流体は動粘度ｎｕ２によ
って特徴づけられる。直径Ｄ２は必ずしも直径Ｄ１と等
しくする必要はなく、動粘度ｎｕ２も必ずしも動粘度ｎ
ｕ１と等しくする必要はなく、流体速度Ｖ２も同じく、
流体速度Ｖ１と必ずしも等しくする必要はない。
流体噴射器の少なくとも１つの列１６０、好適には２つ
の列１６０、１７０を含む。列１６０、１７０の流体噴
射器は直径Ｄ２が等しく、それらから出る噴流は流体速
度Ｖ２である。これらの噴流の流体は動粘度ｎｕ２によ
って特徴づけられる。直径Ｄ２は必ずしも直径Ｄ１と等
しくする必要はなく、動粘度ｎｕ２も必ずしも動粘度ｎ
ｕ１と等しくする必要はなく、流体速度Ｖ２も同じく、
流体速度Ｖ１と必ずしも等しくする必要はない。
【００３１】第２実施例では第１実施例と同様に、Ｈ１
／Ｄ１、Ｈ２／Ｄ２、Ｖ１* Ｄ１／ｎｕ１、及びＶ２*
／Ｄ２／ｎｕ２の各比率は上述の理由から上述の範囲内
である。
／Ｄ１、Ｈ２／Ｄ２、Ｖ１* Ｄ１／ｎｕ１、及びＶ２*
／Ｄ２／ｎｕ２の各比率は上述の理由から上述の範囲内
である。
【００３２】図４に、より明確に示すように、第２実施
例は列１６０が表面５２に投影された場合に（図４）、
列１６０の流体噴射器が列６０の流体噴射器と互い違い
になるように、列１６０が列６０に対してずらされる点
が第１実施例とは異なる。列１７０も同様に列７０に対
してずらされる。このようなオフセットの目的は、基板
１００内の穴に浸入する噴流が、逆方向に作用する噴流
と対向しないようにすることである。これにより穴のド
ラグアウトが事実上なくなる。
例は列１６０が表面５２に投影された場合に（図４）、
列１６０の流体噴射器が列６０の流体噴射器と互い違い
になるように、列１６０が列６０に対してずらされる点
が第１実施例とは異なる。列１７０も同様に列７０に対
してずらされる。このようなオフセットの目的は、基板
１００内の穴に浸入する噴流が、逆方向に作用する噴流
と対向しないようにすることである。これにより穴のド
ラグアウトが事実上なくなる。
【００３３】上記のオフセットＳｙは、Ｓｙ／Ｓ比が０
よりも大きく１よりも小さくなるように選ばれる。０、
１に等しい比率は互い違いの配置がないことを示す。
よりも大きく１よりも小さくなるように選ばれる。０、
１に等しい比率は互い違いの配置がないことを示す。
【００３４】第２実施例は、特に穴を持つ基板のリンス
に有益であることが確認されている。
に有益であることが確認されている。
【００３５】図６乃至図９を参照する。本発明の装置の
第３実施例は、全般的には第１及び第２実施例と同様で
あるが、図６に示すように座標系ｘ、ｙ、ｚによって特
徴づけられる。ｘ軸は表面５２に伴う軸１１０と平行で
あり、ここでは搬送軸と呼ばれる。ｙ軸は表面５２に対
して最小２乗あてはめ平面近似値（least-squares-fit
planar approximation）内にあり、ｘ軸に対して垂直で
ある。ｚ軸はｘ軸とｙ軸の両方に対して垂直である。
第３実施例は、全般的には第１及び第２実施例と同様で
あるが、図６に示すように座標系ｘ、ｙ、ｚによって特
徴づけられる。ｘ軸は表面５２に伴う軸１１０と平行で
あり、ここでは搬送軸と呼ばれる。ｙ軸は表面５２に対
して最小２乗あてはめ平面近似値（least-squares-fit
planar approximation）内にあり、ｘ軸に対して垂直で
ある。ｚ軸はｘ軸とｙ軸の両方に対して垂直である。
【００３６】第３実施例が第２実施例と異なるのは、列
７０の流体噴射器が入口端に向けられる点である。さら
に、これら流体噴射器の各々は、ｚ軸とｘ軸によって定
義される平面で反時計回りに測定すると、ｚ軸と０度よ
りも大きく９０度よりも小さい角度シータを成し、この
ような傾斜及び角度シータの範囲により、上述のよう
に、列６０の流体噴射器から出る流体に伴う逆流が促進
される。
７０の流体噴射器が入口端に向けられる点である。さら
に、これら流体噴射器の各々は、ｚ軸とｘ軸によって定
義される平面で反時計回りに測定すると、ｚ軸と０度よ
りも大きく９０度よりも小さい角度シータを成し、この
ような傾斜及び角度シータの範囲により、上述のよう
に、列６０の流体噴射器から出る流体に伴う逆流が促進
される。
【００３７】好適には列７０の流体噴射器もｙ軸の方向
に傾けられる。さらに、傾斜した流体噴射器は、ｚ軸と
ｙ軸によって定義される平面で時計回りに測定すると、
ｚ軸と０度よりも大きく９０度よりも小さい角度ファイ
を成す。このｙ軸の方向への傾斜は有益である。ｙ軸の
方向への傾斜により列６０の流体噴射器から出た流体
が、基板１００に衝突した後、横方向すなわちｙ軸の方
向に流れ、これもドラグアウトをなくすのに役立つから
である。
に傾けられる。さらに、傾斜した流体噴射器は、ｚ軸と
ｙ軸によって定義される平面で時計回りに測定すると、
ｚ軸と０度よりも大きく９０度よりも小さい角度ファイ
を成す。このｙ軸の方向への傾斜は有益である。ｙ軸の
方向への傾斜により列６０の流体噴射器から出た流体
が、基板１００に衝突した後、横方向すなわちｙ軸の方
向に流れ、これもドラグアウトをなくすのに役立つから
である。
【００３８】図７、図８に示すとおり、第３実施例は表
面５２を貫通する流体噴射器の列７２を含む。この第３
列の利点は、対応する噴流が基板、特に薄い基板の運動
を安定にするよう働くことである。
面５２を貫通する流体噴射器の列７２を含む。この第３
列の利点は、対応する噴流が基板、特に薄い基板の運動
を安定にするよう働くことである。
【００３９】表面１５４は図７、図８に示すとおり、流
体噴射器の列１６０、１７０、１７２が貫通し、それら
は表面５２を貫通する列６０、７０、７２と写像関係に
ある。
体噴射器の列１６０、１７０、１７２が貫通し、それら
は表面５２を貫通する列６０、７０、７２と写像関係に
ある。
【００４０】第３実施例は、特に穴を持つ基板の乾燥に
有益であることが確認されている。
有益であることが確認されている。
【００４１】実験例１ 標準スプレー・リンスと本発明の装置について回路基板
のリンスを比較した。比較では、リンスに用いられるコ
ンベア長、消費電力、使用したリンス水の流速、及び回
路基板に生じたイオン汚染物を調べた。
のリンスを比較した。比較では、リンスに用いられるコ
ンベア長、消費電力、使用したリンス水の流速、及び回
路基板に生じたイオン汚染物を調べた。
【００４２】この実験ではペンシルベニア州立大学のCh
emcut によって製作された、水平搬送型湿式処理機器、
ＤＳＭ（ダブル・スプレー・モジュール）を、逆流リン
ス構成で用いた。標準スプレー・リンス・テストでは、
２つのモジュールを直列に用い、第２モジュールの消費
水が第１モジュールになだれ落ちて排水処理されるよう
にした。各モジュールは、入口と出口に"押し型"の中実
円筒ローラを持ち、内蔵ポンプによりスプレーを供給す
る。本発明の装置のリンス・テストでは、図４、図５に
示すリンス実施例の装置４対に１つのモジュールを装着
した。
emcut によって製作された、水平搬送型湿式処理機器、
ＤＳＭ（ダブル・スプレー・モジュール）を、逆流リン
ス構成で用いた。標準スプレー・リンス・テストでは、
２つのモジュールを直列に用い、第２モジュールの消費
水が第１モジュールになだれ落ちて排水処理されるよう
にした。各モジュールは、入口と出口に"押し型"の中実
円筒ローラを持ち、内蔵ポンプによりスプレーを供給す
る。本発明の装置のリンス・テストでは、図４、図５に
示すリンス実施例の装置４対に１つのモジュールを装着
した。
【００４３】リンス実施例の装置の各対の特徴は、入口
から出口までの距離が１．１３" （２８．７０２ｍｍ）
の表面が２つあることである。直径が０．０３０"
（０．７６２ｍｍ）の噴射器が３２７個の列２列を、装
置の入口端から各々、０．４２５" （１０．７９５ｍ
ｍ）、０．６９２" （１７．５７６８ｍｍ）の距離のと
ころで上表面と下表面の両方に配置した。噴射器は０．
５" （１２．７ｍｍ）厚のポリカーボネート・プラスチ
ックに穴を開けて作製した。０．０３０" （０．７６２
ｍｍ）の噴射器の穴の中心間距離は、４列それぞれの中
で０．０９０" （２．２８６ｍｍ）であった。上表面の
第１列と第２列の噴射器は、下表面へのそれらの投影
が、各々、下表面の第１列と第２列の噴射器の中央にく
るように位置づけた。各表面の第２列の噴射器のｙ位置
は、対応する第１列の噴射器のｙ位置から０．０６８"
（１．７２７２ｍｍ）ずらした。上表面と下表面の端か
ら０．１６"（４．０６４ｍｍ）までの１０度の傾斜は
基板のガイドとした。直径を０．１４３"（３．６３２
２ｍｍ）、列内の中心間距離を０．１９２"（４．８７
６８ｍｍ）とした２列の排出穴は、列の中心を入口端、
出口端から各々、０．２２０" （５．５８８ｍｍ）、
０．２２１" （５．６１３４ｍｍ）として配置した。基
板の底部から下表面までの距離Ｈ１は０．１０" （２．
５４ｍｍ）、基板の上部から装置の下表面までの距離Ｈ
２は０．２５" （６．３５ｍｍ）である。粘度ｎｕが
０．０１ｃｍ**２／秒のリンス流体である水は、速度Ｖ
を３０２ｃｍ／秒、レイノルズ数Ｒｅを約２３００とし
て各噴射器に流した。
から出口までの距離が１．１３" （２８．７０２ｍｍ）
の表面が２つあることである。直径が０．０３０"
（０．７６２ｍｍ）の噴射器が３２７個の列２列を、装
置の入口端から各々、０．４２５" （１０．７９５ｍ
ｍ）、０．６９２" （１７．５７６８ｍｍ）の距離のと
ころで上表面と下表面の両方に配置した。噴射器は０．
５" （１２．７ｍｍ）厚のポリカーボネート・プラスチ
ックに穴を開けて作製した。０．０３０" （０．７６２
ｍｍ）の噴射器の穴の中心間距離は、４列それぞれの中
で０．０９０" （２．２８６ｍｍ）であった。上表面の
第１列と第２列の噴射器は、下表面へのそれらの投影
が、各々、下表面の第１列と第２列の噴射器の中央にく
るように位置づけた。各表面の第２列の噴射器のｙ位置
は、対応する第１列の噴射器のｙ位置から０．０６８"
（１．７２７２ｍｍ）ずらした。上表面と下表面の端か
ら０．１６"（４．０６４ｍｍ）までの１０度の傾斜は
基板のガイドとした。直径を０．１４３"（３．６３２
２ｍｍ）、列内の中心間距離を０．１９２"（４．８７
６８ｍｍ）とした２列の排出穴は、列の中心を入口端、
出口端から各々、０．２２０" （５．５８８ｍｍ）、
０．２２１" （５．６１３４ｍｍ）として配置した。基
板の底部から下表面までの距離Ｈ１は０．１０" （２．
５４ｍｍ）、基板の上部から装置の下表面までの距離Ｈ
２は０．２５" （６．３５ｍｍ）である。粘度ｎｕが
０．０１ｃｍ**２／秒のリンス流体である水は、速度Ｖ
を３０２ｃｍ／秒、レイノルズ数Ｒｅを約２３００とし
て各噴射器に流した。
【００４４】装置の各対の入口側と出口側には、対にな
った"押し型"中実円筒ローラと、ポンプ、及びサンプ
（水だめ）を設けた。水は各サンプから各装置に再循環
させ、その後サンプに戻した。同時に注入する水によ
り、サンプの水が連続的に前段になだれ落ち、最後に排
水処理された。"前段"とは現在のステージの直前の回路
基板が移動するステージをいう。水は回路基板の移動の
方向とは逆の方向にステージからステージへなだれ落ち
た。製品の移動方向に対するこの流水の方向づけを、従
来技術では"逆流リンス"といい、水の全体的な使用率と
最終リンスの洗浄度の両方について最も効率的であり、
スプレー・テストと本発明の装置によるテストの両方に
用いた。
った"押し型"中実円筒ローラと、ポンプ、及びサンプ
（水だめ）を設けた。水は各サンプから各装置に再循環
させ、その後サンプに戻した。同時に注入する水によ
り、サンプの水が連続的に前段になだれ落ち、最後に排
水処理された。"前段"とは現在のステージの直前の回路
基板が移動するステージをいう。水は回路基板の移動の
方向とは逆の方向にステージからステージへなだれ落ち
た。製品の移動方向に対するこの流水の方向づけを、従
来技術では"逆流リンス"といい、水の全体的な使用率と
最終リンスの洗浄度の両方について最も効率的であり、
スプレー・テストと本発明の装置によるテストの両方に
用いた。
【００４５】実験は各々、寸法１０ｘ１５ｘ０．６０イ
ンチ（２５４ｘ３８１ｘ１５．２４ｍｍ）、直径は０．
５０インチ（１２．７ｍｍ）と０．０１８インチ（０．
４５７２ｍｍ）を組合わせた穴を持つ回路基板１０枚を
使用した。表面のエポキシ誘電体には銅トレースがあっ
た。回路基板はマイクロエッチング・チャンバ内を毎分
１２０インチ（３０４８ｍｍ）で移動させ、リンスと空
気乾燥を行なった。マイクロエッチング液は、約４０ｇ
／ｌの過硫酸ナトリウムと４０ｇ／ｌの硫酸の水溶液で
ある。発生した汚染物はＯｍｅｇａイオノグラフ・メー
タを用いて測定した。メータは回路基板のマイクログラ
ム／平方インチ当たりの同等のＮａＣｌ汚染物について
伝導率が読取れるように校正したものである。
ンチ（２５４ｘ３８１ｘ１５．２４ｍｍ）、直径は０．
５０インチ（１２．７ｍｍ）と０．０１８インチ（０．
４５７２ｍｍ）を組合わせた穴を持つ回路基板１０枚を
使用した。表面のエポキシ誘電体には銅トレースがあっ
た。回路基板はマイクロエッチング・チャンバ内を毎分
１２０インチ（３０４８ｍｍ）で移動させ、リンスと空
気乾燥を行なった。マイクロエッチング液は、約４０ｇ
／ｌの過硫酸ナトリウムと４０ｇ／ｌの硫酸の水溶液で
ある。発生した汚染物はＯｍｅｇａイオノグラフ・メー
タを用いて測定した。メータは回路基板のマイクログラ
ム／平方インチ当たりの同等のＮａＣｌ汚染物について
伝導率が読取れるように校正したものである。
【００４６】使用水量は浮き型透明流量計で測定し、消
費電力は携帯型電力計で測定した。結果は下記のとおり
である。 （１）流体供給装置 スプレー（２ステージ） 使用水量：５ｇａｌ／分（１８．９２５リットル／分） 製品上のイオン汚染物（ＮａＣｌ相当）：１．４μｇ／
平方インチ コンベア長：４フィート（１２１．９２ｃｍ） 消費電力：２．７キロワット （２）流体供給装置 本発明の装置（４ステージ） 使用水量：１ｇａｌ／分（３．７８５リットル／分） 製品上のイオン汚染物（ＮａＣｌ相当）：１．７μｇ／
平方インチ コンベア長：２フィート（６０．９６ｃｍ） 消費電力：１．６キロワット
費電力は携帯型電力計で測定した。結果は下記のとおり
である。 （１）流体供給装置 スプレー（２ステージ） 使用水量：５ｇａｌ／分（１８．９２５リットル／分） 製品上のイオン汚染物（ＮａＣｌ相当）：１．４μｇ／
平方インチ コンベア長：４フィート（１２１．９２ｃｍ） 消費電力：２．７キロワット （２）流体供給装置 本発明の装置（４ステージ） 使用水量：１ｇａｌ／分（３．７８５リットル／分） 製品上のイオン汚染物（ＮａＣｌ相当）：１．７μｇ／
平方インチ コンベア長：２フィート（６０．９６ｃｍ） 消費電力：１．６キロワット
【００４７】データから分かるとおり、本発明は消費電
力が４０％少ないながら（本発明の装置に用いた４つの
小型ポンプの消費電力は、スプレーに用いた２つの大型
ポンプよりも少なかった）、汚染レベルはほぼ同じであ
り、排水量は体積で８０％少なく、コンベア・スペース
全体は標準スプレー・システムより５０％小さい。使用
水量に関して、４ステージのスプレー・リンスでは、理
論的には本発明の装置を用いた４ステージ・リンスと同
程度の少量の水しか用いられない。ただし、このような
４ステージ・スプレー・リンスは、コンベア・スペース
が４倍にもなり、本発明の装置の約３．３倍の電力を消
費することになる。
力が４０％少ないながら（本発明の装置に用いた４つの
小型ポンプの消費電力は、スプレーに用いた２つの大型
ポンプよりも少なかった）、汚染レベルはほぼ同じであ
り、排水量は体積で８０％少なく、コンベア・スペース
全体は標準スプレー・システムより５０％小さい。使用
水量に関して、４ステージのスプレー・リンスでは、理
論的には本発明の装置を用いた４ステージ・リンスと同
程度の少量の水しか用いられない。ただし、このような
４ステージ・スプレー・リンスは、コンベア・スペース
が４倍にもなり、本発明の装置の約３．３倍の電力を消
費することになる。
【００４８】実験例２ 回路基板の乾燥は、本発明の装置と２つの最新型の乾燥
器を用いて比較した。比較結果は、標準アスペクト比と
高アスペクト比のスルー・ホールを用い、消費電力とコ
ンベア長について測定した。
器を用いて比較した。比較結果は、標準アスペクト比と
高アスペクト比のスルー・ホールを用い、消費電力とコ
ンベア長について測定した。
【００４９】高アスペクト比のスルー・ホールの比較基
準として用いた最新型乾燥器は、イタリアのInternatio
nal Supplies of Parmaが製作したＳＨＤ（"スモール・
ホール・ドライヤ" ）である。このマシンに通した回路
基板は、厚さ約０．３００インチ（７．６２ｍｍ）、幅
と高さ２４ｘ２８インチ（６０９．６ｘ７１１．２ｍ
ｍ）で、直径約０．０１５インチ（０．３８１ｍｍ）の
スルー・ホールが数千個設けられている。この乾燥器に
タービン・ブロワで駆動される４つの"プッシュ・プル"
型スロット付マニフォルドを使用した。タービン・ブロ
ワは加圧空気を回路基板のある側面と吸入管に吹きつけ
て回路基板の反対側に送る。プッシュ・プルは、加圧側
が交互にアップ、ダウン、アップ及びダウンを繰返すよ
うに切替えた。流入空気のスロット付ブロワの後部に、
高温空気を再循環させる２つの加熱ファン・ブロワがあ
る。回路基板がこの装置内を１ｍ／分で搬送される時、
スルー・ホールの多くは湿ったままで、これにより、後
工程に影響する不要な汚れが生じた。図６乃至図９に示
した乾燥実施例に従った本発明による１対の装置は、タ
ービン・ブロワが各側面に対して働くように設置した。
準として用いた最新型乾燥器は、イタリアのInternatio
nal Supplies of Parmaが製作したＳＨＤ（"スモール・
ホール・ドライヤ" ）である。このマシンに通した回路
基板は、厚さ約０．３００インチ（７．６２ｍｍ）、幅
と高さ２４ｘ２８インチ（６０９．６ｘ７１１．２ｍ
ｍ）で、直径約０．０１５インチ（０．３８１ｍｍ）の
スルー・ホールが数千個設けられている。この乾燥器に
タービン・ブロワで駆動される４つの"プッシュ・プル"
型スロット付マニフォルドを使用した。タービン・ブロ
ワは加圧空気を回路基板のある側面と吸入管に吹きつけ
て回路基板の反対側に送る。プッシュ・プルは、加圧側
が交互にアップ、ダウン、アップ及びダウンを繰返すよ
うに切替えた。流入空気のスロット付ブロワの後部に、
高温空気を再循環させる２つの加熱ファン・ブロワがあ
る。回路基板がこの装置内を１ｍ／分で搬送される時、
スルー・ホールの多くは湿ったままで、これにより、後
工程に影響する不要な汚れが生じた。図６乃至図９に示
した乾燥実施例に従った本発明による１対の装置は、タ
ービン・ブロワが各側面に対して働くように設置した。
【００５０】乾燥実施例の装置対は入口から出口までの
長さが、２．２５" （５７．１５ｍｍ）の２つの表面を
特徴とする。各々直径が０．０４３" （１．０９２２ｍ
ｍ）の噴射器１７１個を持つ３つの列を、装置の入口端
から各々０．５００" （１２．７ｍｍ）、０．６５０"
（１６．５１ｍｍ）、１．１２５"（２８．５７５ｍ
ｍ）の距離のところで上表面と下表面の両方に配置し
た。上表面と下表面の噴射器は各々、厚みが０．３"
（７．６２ｍｍ）、０．５"（１２．７ｍｍ）のアルミ
ニウム金属に穴を開けて形成した。直径が０．０４３"
（１．０９２２ｍｍ）の噴射器の穴の中心間距離は、４
つの列それぞれの中で０．１５０" （３．８１ｍｍ）で
ある。上表面の第１、第２、及び第３の列の噴射器は、
下表面へのそれらの垂直投影が各々、下表面の第１、第
２、及び第３の列の噴射器の中央にくるように配置し
た。各面の第２及び第３列の噴射器のｙ位置は、隣接す
る第１列の噴射器のｙ位置から各々０．０５０"（１．
２７ｍｍ）、０．１００"（２．５４ｍｍ）ずらした。
上表面と下表面の端から０．３７５" （９．５２５ｍ
ｍ）までの１８度の傾きを基板のガイドとした。上表面
と下表面の噴射器は、それらから出る噴流が装置の入口
の方を向くように、１５度の角度で穴を開けた。基板の
下部から下表面までの距離Ｈ１は０．０５０" （１．２
７ｍｍ）、基板の上部から装置の下表面までの距離Ｈ２
は０．２５０" （６．３５ｍｍ）である。乾燥用流体
は、粘度ｎｕが０．１７ｃｍ**２／秒の空気で、速度Ｖ
を９０００ｃｍ／秒、レイノルズ数Ｒｅを約５８００と
して各噴射器に通した。
長さが、２．２５" （５７．１５ｍｍ）の２つの表面を
特徴とする。各々直径が０．０４３" （１．０９２２ｍ
ｍ）の噴射器１７１個を持つ３つの列を、装置の入口端
から各々０．５００" （１２．７ｍｍ）、０．６５０"
（１６．５１ｍｍ）、１．１２５"（２８．５７５ｍ
ｍ）の距離のところで上表面と下表面の両方に配置し
た。上表面と下表面の噴射器は各々、厚みが０．３"
（７．６２ｍｍ）、０．５"（１２．７ｍｍ）のアルミ
ニウム金属に穴を開けて形成した。直径が０．０４３"
（１．０９２２ｍｍ）の噴射器の穴の中心間距離は、４
つの列それぞれの中で０．１５０" （３．８１ｍｍ）で
ある。上表面の第１、第２、及び第３の列の噴射器は、
下表面へのそれらの垂直投影が各々、下表面の第１、第
２、及び第３の列の噴射器の中央にくるように配置し
た。各面の第２及び第３列の噴射器のｙ位置は、隣接す
る第１列の噴射器のｙ位置から各々０．０５０"（１．
２７ｍｍ）、０．１００"（２．５４ｍｍ）ずらした。
上表面と下表面の端から０．３７５" （９．５２５ｍ
ｍ）までの１８度の傾きを基板のガイドとした。上表面
と下表面の噴射器は、それらから出る噴流が装置の入口
の方を向くように、１５度の角度で穴を開けた。基板の
下部から下表面までの距離Ｈ１は０．０５０" （１．２
７ｍｍ）、基板の上部から装置の下表面までの距離Ｈ２
は０．２５０" （６．３５ｍｍ）である。乾燥用流体
は、粘度ｎｕが０．１７ｃｍ**２／秒の空気で、速度Ｖ
を９０００ｃｍ／秒、レイノルズ数Ｒｅを約５８００と
して各噴射器に通した。
【００５１】本発明を適用し、コンベア速度を１ｍ／
分、２つの加熱ブロワをオフとした時、スルー・ホール
はすべて乾燥した。
分、２つの加熱ブロワをオフとした時、スルー・ホール
はすべて乾燥した。
【００５２】標準アスペクト比のスルー・ホールについ
て比較基準として用いた最新型乾燥器は、ペンシルベニ
ア州立大学のChemcut によって製作された"ＴＭＤＭ"乾
燥器である。このマシンに通した回路基板は、厚み約
０．０６０インチ（１．５２４ｍｍ）、幅と高さ１０ｘ
１５インチ（２５４ｘ３８１ｍｍ）である。乾燥器には
異なるブロワ、マニフォルド数個を用い、またパネルに
付いた水をさらに急速に乾燥できるように加熱リンスを
用いた。パネルは２ｍ／分でこのマシンに送られた時、
充分に乾燥したが、３ｍ／分で送られた時は未乾燥のス
ポットが残った。比較では上記の高アスペクト比テスト
と同じ乾燥装置の対により、３ｍ／分のコンベア速度で
パネルが完全に乾燥した。
て比較基準として用いた最新型乾燥器は、ペンシルベニ
ア州立大学のChemcut によって製作された"ＴＭＤＭ"乾
燥器である。このマシンに通した回路基板は、厚み約
０．０６０インチ（１．５２４ｍｍ）、幅と高さ１０ｘ
１５インチ（２５４ｘ３８１ｍｍ）である。乾燥器には
異なるブロワ、マニフォルド数個を用い、またパネルに
付いた水をさらに急速に乾燥できるように加熱リンスを
用いた。パネルは２ｍ／分でこのマシンに送られた時、
充分に乾燥したが、３ｍ／分で送られた時は未乾燥のス
ポットが残った。比較では上記の高アスペクト比テスト
と同じ乾燥装置の対により、３ｍ／分のコンベア速度で
パネルが完全に乾燥した。
【００５３】装置の入口と出口から排気される空気の量
を定性的に調べるために、装置の直前と直後に１枚の紙
を垂直に保った。この方法で装置入口からの空気流は、
正の強力な流れだったが、装置の出口からわずかに負の
空気流が出ていない場合は中立だった。いいかえると、
空気は実際に装置の出口側に吸い込まれるように見え
た。これは、おそらくベルヌーイ効果によるものだろ
う。これらの観測から明らかなように、本発明では移動
する基板に対して極めて良好な逆流が生じる。これは効
率的な乾燥にも有益である。
を定性的に調べるために、装置の直前と直後に１枚の紙
を垂直に保った。この方法で装置入口からの空気流は、
正の強力な流れだったが、装置の出口からわずかに負の
空気流が出ていない場合は中立だった。いいかえると、
空気は実際に装置の出口側に吸い込まれるように見え
た。これは、おそらくベルヌーイ効果によるものだろ
う。これらの観測から明らかなように、本発明では移動
する基板に対して極めて良好な逆流が生じる。これは効
率的な乾燥にも有益である。
【００５４】以下に乾燥結果の比較をまとめる。 （１）コンベア長（フィート、括弧内はｃｍ） 低アスペクト比 最新型 ４（１２１．９２） 本発明の装置 ０．５
（１５．２４） 高アスペクト比 最新型 ５．５（１６７．６４） 本発明の装置 ５
（１５２．４） （２）消費電力（キロワット） 低アスペクト比 最新型 １０ 本発明の装置 ４ 高アスペクト比 最新型 ＞１５ 本発明の装置 ４
（１５．２４） 高アスペクト比 最新型 ５．５（１６７．６４） 本発明の装置 ５
（１５２．４） （２）消費電力（キロワット） 低アスペクト比 最新型 １０ 本発明の装置 ４ 高アスペクト比 最新型 ＞１５ 本発明の装置 ４
【００５５】本発明は上述のように他の点は同じである
が、コンベア速度と消費電力の両方で極めて経済的であ
る。加熱空気が不要であることも、回路基板上の銅トレ
ースが酸化する恐れが少なくなるので有益である。
が、コンベア速度と消費電力の両方で極めて経済的であ
る。加熱空気が不要であることも、回路基板上の銅トレ
ースが酸化する恐れが少なくなるので有益である。
【００５６】
【発明の効果】本発明による流体処理装置及びその方法
は、特に基板に穴がある場合にドラグアウトの問題を克
服し、基板にトルクがかからないようにし、基板の移動
にローラやガイドを可能な限り使わずにすむようにする
ほか、ローラやガイドによる干渉を大幅に少なくするも
のである。
は、特に基板に穴がある場合にドラグアウトの問題を克
服し、基板にトルクがかからないようにし、基板の移動
にローラやガイドを可能な限り使わずにすむようにする
ほか、ローラやガイドによる干渉を大幅に少なくするも
のである。
【図１】本発明の装置の第１実施例の斜視図である。
【図２】図１の実施例の端面図である。
【図３】図１の実施例の平面図である。
【図４】本発明の装置の第２実施例の平面図である。
【図５】図４の第２実施例の正面図である。
【図６】本発明の装置の第３実施例の斜視図である。
【図７】図６の実施例の端面図である。
【図８】図６の実施例の平面図である。
【図９】図６の実施例の正面図である。
１０ 流体処理装置 ２０、１２０ プレナム・ハウジング ４０、１４０ フィード・チューブ ３０、１３０ プレナム・チャンバ ５０、１５０ 接続噴射器プレート ５４、１５４ 入口端 ５６、１５６ 出口端 ８０、９０ ローラ １１０ 仮想軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェフリー・ドナルド・ジョーンズ アメリカ合衆国13811、ニューヨーク州ニ ューアーク・バレー、ボックス 137、レ イル・ロード ３ (72)発明者 ロバート・ヘンリー・カティル アメリカ合衆国13850、ニューヨーク州ベ スタル、ウッドローン・ドライブ 317 (72)発明者 ロナルド・ジェームス・ムーア アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州ビ ンガムトン、ベイトーベン・ストリート 35 (72)発明者 オスカー・オレオ・モレノ アメリカ合衆国13850、ニューヨーク州ベ スタル、フォード・ロード 1117
Claims (9)
- 【請求項１】入口端と出口端を含み、上記入口端から上
記出口端に伸びた軸を特徴とする、寸法が有限な少なく
とも第１の表面と、 基板を上記表面から距離Ｈのところで上記入口端から上
記出口端に、上記軸に事実上平行な方向に搬送する手段
とを含み、 さらに、少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第１の
列を含み、上記少なくとも２つの流体噴射器が上記表面
を貫通し、上記基板に衝突する少なくとも２つの噴流の
第１列を作るように機能し、上記流体噴射器の各々が直
径Ｄによって特徴づけられ、Ｈ／Ｄ比が約０．２乃至約
１５の範囲であり、上記流体噴射器の上記第１列が、上
記出口端よりも上記入口端に近接し、よって上記噴流の
第１列が基板に衝突した後に、上記噴流の第１列に伴う
流体の半分を超える量が、上記基板の搬送方向と事実上
逆の方向に流れる、 ことを特徴とする流体処理装置。 - 【請求項２】少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第
２の列を含み、上記第２列が、上記軸に対して垂直に整
列し、上記第２列の流体噴射器も上記表面を貫通して、
上記基板に衝突する少なくとも２つの噴流の第２列を作
るように機能し、上記第２列が上記第１列と上記出口端
の間に位置づけられる請求項１記載の流体処理装置。 - 【請求項３】上記基板を貫通する少なくとも２つの離隔
した排出穴の第１の列を含み、上記排出穴の第１列が上
記軸に対して垂直に整列し、上記入口端と上記流体噴射
器の第１列との間に位置づけられる請求項１記載の流体
処理装置。 - 【請求項４】各々の寸法が有限であり、入口、出口、及
び上記入口から上記出口へ伸びる軸を有するチャネルを
画成する離隔した第１及び第２の表面と、 上記第１及び第２の表面の間の上記チャネル上で基板を
上記軸に事実上、平行な方向に上記入口から上記出口へ
搬送する手段とを含み、 少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第１の列が含ま
れ、上記第１列が上記軸に対して垂直に整列し、上記第
１列の流体噴射器が上記第１の表面を貫通し、上記基板
の下表面に衝突する少なくとも２つの離隔した噴流の第
１列を作るように機能することと、 少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第２の列が含ま
れ、上記第２列が上記軸に対して垂直に整列し、上記第
２列の流体噴射器が上記第２表面を貫通して、上記基板
の下表面に衝突する少なくとも２つの離隔した噴流の第
２列を作るように機能し、上記流体噴射器の第２列が上
記第１表面に投影された場合に、上記第２列の流体噴射
器が上記第１列の流体噴射器と事実上、互い違いになる
ように、上記流体噴射器の第２列が上記流体噴射器の第
１列に対して位置づけられること、 とを特徴とする流体処理装置。 - 【請求項５】入口端と出口端を含み、上記入口端から上
記出口端に伸びた搬送軸と、上記搬送軸に平行なｘ軸、
上記ｘ軸に垂直なｙ軸、及び上記ｘ軸と上記ｙ軸の両方
に垂直なｚ軸を含む座標系とによって特徴づけられる、
寸法が有限な少なくとも第１の表面と、 基板を上記表面から一定距離のところにおいて、上記入
口端から上記出口端に上記搬送軸と事実上平行な方向に
搬送する手段とを含み、 少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第１の列と、少
なくとも２つの離隔した流体噴射器の第２の列とを含
み、上記第１列が上記搬送軸に対して垂直に整列し、上
記第１列の流体噴射器が上記第１表面を貫通して、上記
基板に衝突する少なくとも２つの噴流の第１列を作るよ
うに機能し、上記第２列が上記軸に対して垂直に整列
し、上記第２列の流体噴射器が上記第１表面を貫通し
て、上記基板に衝突する少なくとも２つの噴流の第２列
を作るように機能し、上記流体噴射器の第２列が上記流
体噴射器の第１列よりも大きいｘ座標位置に置かれ、少
なくとも上記第２列の流体噴射器の各々が上記入口端の
方に傾き、各々、上記ｚ軸と上記ｘ軸によって定義され
る平面で反時計回りに測定した場合に上記ｚ軸と０度よ
りも大きく９０度よりも小さい角度を成すことによっ
て、上記噴流の第１列が上記基板に衝突した後に、上記
噴流の第１列に伴う流体の半分を超える量が、上記基板
の搬送方向とは事実上逆の方向に流れる、 ことを特徴とする流体処理装置。 - 【請求項６】上記流体噴射器の第２列の各流体噴射器が
上記ｙ軸の方にも傾き、上記ｚ軸とｙ軸によって定義さ
れる平面で時計回りに測定した場合に、傾いた流体噴射
器の各々が上記ｚ軸と０度よりも大きく９０度よりも小
さい角度を成す請求項１１記載の流体処理装置。 - 【請求項７】入口端と出口端を含み、上記入口端から上
記出口端に伸びた軸によって特徴づけられる、寸法が有
限な表面から距離Ｈのところにおいて上記入口端から上
記出口端へ上記軸と事実上、平行な方向に基板を搬送す
るステップと、 少なくとも２つの離隔した流体噴射器の第１列から出る
少なくとも２つの噴流の第１の列を上記基板に衝突させ
るステップとを含み、 上記流体噴射器の第１列が上記軸に対して垂直に整列
し、上記表面を貫通することによって、上記流体噴射器
の列が上記軸に対して垂直に整列し、上記流体噴射器の
各々が直径Ｄによって特徴づけられ、Ｈ／Ｄ比が約０．
２乃至約１５の範囲であり、上記流体噴射器の第１列が
上記出口端よりも上記入口端に近接することによって、
上記衝突ステップの後、上記噴流の第１列に伴う流体の
半分を超える量が上記基板の搬送方向とは事実上、逆の
方向に流れる基板の流体処理方法。 - 【請求項８】寸法が有限であって、入口、出口、及び上
記入口から上記出口に伸びた軸を有するチャネルを画成
する、第１及び第２の離隔した表面の間で上記軸に事実
上、平行な方向に上記入口から上記出口へ基板を搬送す
るステップと、 上記第１表面を貫通する少なくとも２つの流体噴射器の
第１列から出る２つの噴流の少なくとも第１の列を上記
基板の下表面に衝突させ、上記第２表面を貫通する少な
くとも２つの流体噴射器の第２列から出る少なくとも２
つの噴流の第２の列を上記基板の上表面に衝突させるス
テップとを含み、 上記噴流の第２列を上記第１面に投影した場合に、上記
噴流の第２列が上記噴流の第１列と事実上、互い違いに
なるように上記第１面に対して位置づけられた、基板の
流体処理方法。 - 【請求項９】寸法が有限であり、入口端と出口端を含
み、上記入口端から上記出口端に伸びた搬送軸と、上記
搬送軸に平行なｘ軸、上記ｘ軸に垂直なｙ軸、及び上記
ｘ軸と上記ｙ軸の両方に垂直なｚ軸を含む座標系とによ
って特徴づけられる上記表面から、ある距離のところに
おいて上記入口端から上記出口端へ上記搬送軸と事実
上、平行な方向に基板を搬送するステップと、 上記表面を貫通する少なくとも２つの離隔した流体噴射
器の第１列から出る２つの噴流の少なくとも第１の列
と、上記表面を貫通する少なくとも２つの離隔した流体
噴射器の第２列から出る２つの噴流の第２列とを上記基
板に衝突させるステップとを含み、 少なくとも上記噴流の第２列がそれぞれ上記入口端の方
に傾き、上記ｚ軸と上記ｘ軸によって画成される平面で
反時計回りに測定した場合に上記ｚ軸と０度よりも大き
く９０度よりも小さい角度を成すことによって、上記衝
突ステップの後、上記噴流の第１列に伴う流体の半分を
超える量が、上記基板の搬送方向とは事実上、逆の方向
に流れる基板の流体処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US911610 | 1992-07-10 | ||
| US07/911,610 US5289639A (en) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Fluid treatment apparatus and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671232A true JPH0671232A (ja) | 1994-03-15 |
| JP2677752B2 JP2677752B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=25430560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128828A Expired - Fee Related JP2677752B2 (ja) | 1992-07-10 | 1993-05-31 | 流体処理装置 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5289639A (ja) |
| EP (1) | EP0578040B1 (ja) |
| JP (1) | JP2677752B2 (ja) |
| KR (1) | KR0124515B1 (ja) |
| AT (1) | ATE164722T1 (ja) |
| BR (1) | BR9302803A (ja) |
| CA (1) | CA2091909C (ja) |
| DE (1) | DE69317703T2 (ja) |
| ES (1) | ES2114973T3 (ja) |
| MY (1) | MY108835A (ja) |
| SG (1) | SG44399A1 (ja) |
| TW (1) | TW243581B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007318156A (ja) * | 2007-06-20 | 2007-12-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの搬送装置および電子部品実装用フィルムキャリアテープの搬送方法 |
| JP2012195385A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
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