JPH0670275B2 - 選択する面への化学気相蒸着 - Google Patents

選択する面への化学気相蒸着

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JPH0670275B2 JP2318207A JP31820790A JPH0670275B2 JP H0670275 B2 JPH0670275 B2 JP H0670275B2 JP 2318207 A JP2318207 A JP 2318207A JP 31820790 A JP31820790 A JP 31820790A JP H0670275 B2 JPH0670275 B2 JP H0670275B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化学気相蒸着法における限られた面への材料の
選択蒸着に関する。
〔従来の技術〕
セラミック材料の化学気相蒸着において、ガスを高温の
炉に導入し、炉の壁やあるいは炉内に置いた基板やマン
ドレルの表面上で反応させて、固体蒸着層又コーティン
グを形成する。炭化珪素（SiC）、メチルトリクロロシ
ラン(CH3SiCl3)、水素(H2)、及びアルゴン（Ar）のよう
なセラミック材料のコーティングを形成するために、ガ
スをステンレス鋼インジェクターを通して反応室内に導
入する。メチルトリクロロシラン（以下MTSで表す）は
室温で液体であるから、アルゴンでMTSを泡立てて液体
上のMTS蒸気をインジェクターに運ぶ。未反応ガスを炉
から排気しガススクラバー内で洗じょうする。Siの厚い
蒸着層が形成できる。代表的なSiC蒸着条件は、 基板温度 1300℃ 炉又は反応室圧力 200torr ガスの分圧−Ar 68torr −H2 102torr −MTS 30torr 気相蒸着によって耐火物材料から軽量構造物を製作する
方法が米国特許第389,248号に開示されている。この特
許に開示されている方法及び軽量構造物は、それぞれの
構造物の形状とサイズを規定するコアを含む。このコア
は、構造物に強度と剛性を与えるため炭化珪素（SiC）
又は珪素（Si）のような適当な蒸着層でコーティングさ
れ、そしてそれによって別の表面、例えば製作すべき鏡
の面板を含んでなる支持体の表面に結合される。
鏡の製作において、SiC面板を複製するためのマンドレ
ルを作るのに黒鉛が使われる。マンドレルの一面は光学
的に平面にあるいは凸球面状に製作される。マンドレル
の他面は平面にラップされる。マンドレルのこのラップ
された面は、蒸着室内で柱及び黒鉛セメントでじゃま板
に結合される。次いでこのマンドレルは溶剤中の炭素懸
濁液を塗布して多層被膜とし、そしてマンドレルの表面
はバフ磨き又はポリッシングされて、その形状を著しく
変えることなくできるだけぴかぴかにされる。次にマン
ドレル上にSiCの蒸着層が形成される。黒鉛のSiCとの結
合を改善するために、マンドレルからこの面板を分離せ
ずに蒸着したSiC表面を熱炭酸カリウム（KOH）でエッチ
ングすることができる。上述の特許に開示されているよ
うに、次に平らな又は曲った黒鉛リブから軽量構造物コ
アが製作される。黒鉛セメントでリブを互に結合してか
ら、この軽量構造物コアはマンドレルのエッチングした
SiC表面に黒鉛セメントで結合される。次いで軽量構造
物コアを包むようにSiCが蒸着され、そしてじゃま板が
柱から取りはずされる。余分なSiC蒸着を除くためにコ
ントロールした縁取りがおこなわれる。次いでブレード
を用いて黒鉛マンドレルとSiC面板間の界面を開けて、S
iC被覆した鏡面板が回収される。
鏡面の製作において、SiC被覆した面板の前面だけにSi
の生長を限定する選択蒸着はきわめて重要である。これ
は亀裂が炉の壁から鏡面板や他の基板に伝わる傾向があ
ること及び面板等の背面上への生長は不利となるからで
ある。いずれにせよ前面上の蒸着層の亀裂は化学気相蒸
着法で鏡面を複製することを困難にし、その上蒸着ジグ
から基板蒸着物を取りはずすのに蒸着後の機械加工が必
要となる。
炉の壁から鏡面板又は他の基板に伝わるこの亀裂の問題
を解決するために、先行技術では予め定めた面を隔離す
るためにその面の蒸着量を減らしてしまい、その努力は
不満足なものであった。
気相蒸着法で鏡を製作する際に、面板の背面上の生長を
防ぐためのフレキシブルな黒鉛で作った中空体を包むマ
スキング法が米国特許第403,957号に開示されている。
本発明の目的は、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で予
め定めた蒸着面を隔離するための装置の改良方法を提供
することである。
本発明の別の目的は、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内
で、鏡面板又は別の基板を蒸着室の壁から隔離した基板
と一緒に応力のかからない状態に保持するための装置の
改良方法を提供することである。
本発明の別の目的は、（ａ）Hot Wall方式の化学気相蒸
着室内に据え、化学気相蒸着材料の被膜を蒸着する基板
の表面を含んでなる面を適当に支持したリングで囲み、
該リングはその内壁を該面の境界から離す狭い環状スペ
ースがあるだけであとは該面の形状に適合する内壁を有
し、そして（ｂ）該蒸着室内で該蒸着材料が流れる方向
とは実質的に逆の方向に該環状スペースを通す非反応性
ガスの流れを設定し、該環状スペース内のガスと該蒸着
室内のガスとの間にわずかな圧力差を保つような該非反
応性ガスの流量とする 工程を含んでなる、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で
予め定めた面を隔離する方法を提供することである。
本発明の別の目的は、（ｉ）Hot Wall方式の化学気相蒸
着室内で境界を有する予め定めた蒸着面を設定する第１
の手段、 （ii）実質的に均一な環状スペースをとって該蒸着面を
囲むリングが、該蒸着面の境界を該リングの内壁から離
すリング、 （iii）該蒸着室内で化学気相蒸着材料の流れを設定す
る第２の手段、そして （iv）該蒸着室内で、該蒸着材料の流れを実質的に反対
の方向に該環状スペースを通す非反応性ガスの流れを設
定する第３の手段 を含んでなる、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で予め
定めた蒸着面を隔離する装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段、作用及び発明の効果〕
本発明のこれらの目的及び他の目的を達成するために、
任意の形状（六角形、四角形、三角形、円形等）とサイ
ズである適当な鏡面板又は別の基板を用いて、化学気相
蒸着する間にこの基板にかかる応力を最小とするように
設計されている、 （１）黒鉛又は別の適当な材料で作った十分な数の支持
柱又はポスト、あるいは（２）黒鉛フェルト又は別の適
当な多孔質材料の上に鏡面板又は基板を据える。この基
板に適合する形状のリングで基板を囲む。このリングを
黒鉛又は別の適当な材料で作ることができる。基板の外
縁又は境界とリング内壁間の環状スペースは狭く、数ミ
リメートル、すなわち１〜２ミリメートルの範囲であ
る。アルゴンのような不活性ガスを基板の下方から流
す。このガス流は基板と炉又は蒸着室の他の部位とを隔
離し、そして基板とリング間の生長を抑制する。リング
内のガスと炉内のガス間のわずかな圧力差を１〜10torr
の範囲に保つようなガス量を用いる。基板を炉の他の部
位と隔離することによって、炉の壁から基板に伝わる亀
裂を除くことができる。しばしば蒸着層の亀裂をおこす
基板の背面上の生長も防ぐことができる。
本発明の方法と装置によって、鏡の製作における良好を
形状の複製を達成することが可能となる。このような結
果を得るためには、SiCマンドレル又は基板とリプリカ
の両方を応力がかからない状態に保持して、そして化学
気相蒸着室の内部黒鉛製装置（蒸着ゾーン）から隔離す
る必要がある。
この発明の特徴を表す数多くの新規の点は、この明細書
に添えた明細書の一部を成す特許請求の範囲に詳しく指
摘してある。この発明と、その作動上の利益と、実施す
ることによって達成される目的とを十分に理解するため
には、この発明の好ましい実施態様に例示してある添付
図面ならびに記事を参照すべきである。
〔実施例〕
第１、２図は、黒鉛又は別の適当な材料で作ることがで
きる支柱12の、スペースをとった複数個の上に載せた円
形基板10を示す。支柱12を適当な結合剤を用いて基板10
と結合し、そしてじゃま板上に載せてじゃま板で支え
る。第１、２図にはじゃま板を示してないが、第５図の
ような化学気相蒸着設備の蒸着室には備わっている。
製作すべき鏡の面板を含んでなる基板10を外部リング14
で囲む。このリング14を適当な方法（図に示してない）
で支持し、そして基板10の外縁18をリング14の内壁20か
ら１〜２ミリメートルの巾をおいて離す、狭くて実質的
に均一な環状スペース16となるよう基板の形状に適合さ
せる。リング14を黒鉛又は別の適当な材料で作ることが
できる。
上方に向けた矢印22で示すように、アルゴンのような不
活性又は非反応性ガスを適当なガス源（図に示してな
い）よりリング14の下から上方へ流路24を通して流す。
このアルゴンの上昇流は基板10の底面にぶつかる。アル
ゴンの上昇流は引続き基板10とリング14の間の環状スペ
ース16を通って流れるので、基板10とリング14の間で化
学気相蒸着する材料の生長を防止する。化学気相蒸着す
る材料の流れを下方に向けた矢印26で示してある。環状
スペース16の圧力PRと化学気相蒸着装置の蒸着室のガス
圧力PFとのわずかな差を保つようなアルゴンの流量を用
いる。この結果化学気相蒸着する材料は基板10とリング
14の間の環状スペース16には流れ込まないので、基板10
を蒸着室の残りの部分から効果的に隔離できる。基板10
を蒸着室の残りの部分から隔離することによって、蒸着
室の壁から基板10に伝わる亀裂を除去する。また基板10
の背面上の生長も防止する。この背面生長はしばしば基
板10の反対の面すなわち前面28上の所望な蒸着層の亀裂
をまねく。
第３図に、反応性ガスを導入するためのインジェクター
32を上端に、また未反応ガスを排気するための開口部又
はポート34を下端に含む化学気相蒸着室30の略図を示
す。蒸着室30内に適当な方法（図に示してない）でポー
ト34に隣接して支持するじゃま板36は、基板38の表面上
に化学気相蒸着する材料の選択蒸着を可能にする改良し
た構造である。適当な支持ポスト40で基板38をじゃま板
36の上に据え、そして外部リング42で基板を囲う。リン
グ42を基板38の形状に適合させる。１〜2mmの巾である
狭くて実質的に均一な環状スペース44は基板38の外縁を
リング42の内壁46から離す。リング42を黒鉛で作ること
ができ、そして図に示すようにじゃま板36で支持する。
流路48と50は、アルゴンのような不活性な又は非反応性
ガスのガス源（図に示してない）から蒸着室30とじゃま
板36を貫いて延び、環状スペース44を通って矢印52と54
で示したようなガスに上昇流を与える。環状スペース44
を通るガスの上昇流は、矢印56,58,60で示す化学気相蒸
着する材料の基板38とリング42の間での蒸着を防止する
ので、基板38を化学気相蒸着室30の残りの部分から隔離
して、第１、２図で説明したと同じ有利な結果をもたら
す。環状リングの圧力PRと蒸着室30内の圧力PFとのわず
かな差を保つようなアルゴンの流量を用いる。
第４図は鏡面板又は別の基板を応力がかからない様に支
持するための第３図に示した構造の改良を示す部分断面
図である。第４図では基板62とじゃま板66の間に位置す
る支持ポスト64上に据えた基板62を示す。第４図には１
個の支持ポスト64しか示してないが、複数の支持ポスト
を特に大きな径（0.5m以上）の鏡を製作する場合に使う
ことができる。
支持ポスト64は、断面積を減らした向かい合っている端
面部68,70を含みそれぞれ端面部と組合わさる肩部72,73
を設ける。ポスト64の端面部68を基板62に設けた個々に
組合わさるキャビティ74内に収める。同様に端面部70は
じゃま板66に設けた個々に組合わさるキャビティ76内に
収める。キャビティ76を基板62のキャビティ74と実質一
直線に配置する。端面部68,70とキャビティ74,76の相対
的なデメンジョンは、ポスト64を基板62及びじゃま板66
の両方との関連において数ミリメートル横方向に動かす
ことができようにする。
図に示すように、ポスト64の端面部68の長さは端面部70
よりも長い。その上基板62のキャビティ74の深さはじゃ
ま板66のキャビティ76の深さより短かい。この配置によ
って、ポスト64の端面部68はキャビティ74の奥の端面で
基板62と直接接触する関係にあり、そしてポスト64の肩
部73はじゃま板66と直接接触する関係にある。その結
果、蒸着室内の温度変化特に化学気相蒸着に必要な高温
から基板62を冷却する際の基板に生じる応力を大いに減
らすことができる。それ故、このように基板62を据える
と実質的に応力の残留がない。
同じく図に示すように、基板をリング80で囲う。リング
80を基板62の形状に適合させ、１〜2mmの範囲にある巾
の実質的に均一な環状スペース82によってリング80を基
板の外縁63から離す。リング80を黒鉛で作ることがで
き、そしてじゃま板66の上に載せて支持する。更に詳し
くは、とりわけリング80の底へりである第１端面部に隣
接して設けた肩部84をじゃま板66上に載せ、リングの第
１端面の端面部86をじゃま板66に設けた環状溝88内に延
ばす。環状溝88の巾はリング80の端面部86の巾より実質
的に広く、リングはじゃま板66との関係において数ミリ
メートル横方向に動かすことができる。
基板62の外縁63とリング80の内壁との環状スペース82を
実質的に均一な巾に保つために、適当なスペーサーリン
グ90を基板62の外縁63とリングの内壁の間に設ける。こ
のスペーサーリング90を多孔質黒鉛又は別の適当な多孔
質材料で作ることができ、そして図に示すようにリング
80の壁に設けた環状溝92内に埋封するのが好ましい。
流路94はアルゴンのような不活性な又は非反応性ガスの
ガス源（図に示してない）からじゃま板66を貫いて延
び、多孔質スペーサーリング90及び基板62とリング80の
間の環状スペース82を通って矢印96で示したようなガス
の上昇流を与える。流路94と同様な流路（図に示してな
い）を支持ポスト64のいま一方の側にあるじゃま板を貫
いて設けるのが好ましい。
基板62の表面に外縁63に化学気相蒸着材料の蒸着を容易
にするために、リング80の内側上面又は第２端面を図に
示すように切り取って面取りした表面98を設ける。この
面取りした面98のため、化学気相蒸着材料が環状スペー
ス82をブリッジングするのを防ぐ。このブリッジングは
基板62を化学気相蒸着室から隔離できなくなるという点
で好ましくない。このようにして基板62の外縁63に蒸着
する被膜の継足しが可能となる。環状スペース82を通る
ガスの上昇流の運動量は小さく、ガスは外向きに広がら
ない。
第５図は、第１〜４図の基板10,38,62上にSiC及びSiを
選択蒸着するために用いることができる化学気相蒸着装
置100の略図である。第５図に示すように、アルゴンは
適当なガス源（図に示してない）からバルブ104及び流
路106を通って気泡室102に入る。気泡室102にMTS又はト
リクロロシラン（SiHCl3、以下TSで表す）を入れること
ができる。SiC被膜にMTSが好ましい。
これら両方の被膜を蒸着温度と反応室圧力の広い範囲に
わたって形成してきた。
反応体MTS又はTSを運ぶアルゴン気泡はバルブ110の制御
に従って流路108に入る。水素ガスは適当なガス源（図
に示してない）からバルブ114の制御に従って流路112を
経て流路108に入る。第３図に示したインジェクター32
と同一のインジェクター118を通して化学気相蒸着装置1
00の反応室116に反応体を導入することができる。
反応室116を従来のセラミック蒸着室としてよいし、反
応ゾーン管120内に収める。適当な発熱体（図に示して
ない）を用いて、約830〜1350℃の範囲の温度に反応室1
16を加熱することができる。
適当なアルゴン源（図に示してない）から流路122を経
てアルゴンを反応室116に導くが、このアルゴン源を気
泡室102に流すアルゴン源と同じにしてよい。この流路
アルゴン流れをバルブ124で制御する。このアルゴン流
れは、第１〜４図との関連で説明したように、基板126
の表面に位置付けした予め定めた蒸着面を反応室116の
残りの部分から隔離するために作用する。
ガス状生成物をフィルター128及び流路130を経て反応室
116を真空ポンプ132に送る。真空ポンプから流路134を
経てスクラバー136へこのガスを運ぶ。次いで洗じょう
したガスを大気に排気する。
このように本発明に従って、Hot Wall方式の化学気相蒸
着室内で予め定めた蒸着面を隔離して化学気相蒸着をこ
の面に限定し、そしてこの隔離した予め定めた蒸着面に
応力の残留していない状態に鏡面板又は別の基板を保持
するための改良した方法及び装置を提供した。
この発明の詳細な説明をもって、この発明の精神に反す
ることなしにこの発明の変更を実施できることを当業者
は理解しよう。それ故この発明の範囲を、説明した特定
な実施態様に限定するものではない。この発明は特許請
求の範囲において限定される。
【図面の簡単な説明】
第１図は化学気相蒸着装置内にある鏡面板又は別の基板
の表面のような、予め定めた面を隔離しそれによってセ
ラミック材料の選択的被覆を可能にする、ガスシュラウ
ドを備える構造の平面図、第２図は第１図の線２−２に
ついての構造の断面図、第３図は反応ガスを導入するイ
ンジェクターを上部端に又は未反応ガスを排気する開口
部を上部端に有し、予め定めた面上にセラミック材料の
選択的な蒸着を可能にする第１、２図に示した改良構造
を載せたじゃま板がある化学気相蒸着室の略図、第４図
はじゃま板に載せる鏡面板又は別の基板を応力のかから
ないように支持することができる第３図に示した改良構
造を示す部分断面図、第５図は化学気相蒸着室と第３、
４図の構造を組合せることができる化学気相蒸着装置の
略図を示す。 10…基板、12…支柱、 14…リング、32…インジェクター、 34…開口部、36…じゃま板、 38…基板、42…リング、 62…基板、64…ポスト、 66…じゃま板、80…リング、 90…スペーサーリング、 100…化学気相蒸着装置、 102…気泡室、116…反応室、 126…基板、128…フィルター、 132…真空ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エー．ピカリング アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01826，ドラカット，ウィラード ストリ ート 246 (72)発明者 レイモンド エル．テイラー アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01906，ソーガス，シェフフイールド ウ ェイ 1413

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）Hot Wall方式の化学気相蒸着室内に
    据え、化学気相蒸着材料の被膜を蒸着する基板の表面を
    含んでなる面を適当に支持したリングで囲み、該リング
    はその内壁を該面の境界から離す狭い環状スペースがあ
    るだけであとは該面の形状、そしてそれによって該基板
    の表面の形状に適合する内壁を有し、そして （ｂ）該蒸着室内で該蒸着材料が流れる方向とは実質的
    に逆の方向に該環状スペースを通す非反応性ガスの流れ
    を設定し、該環状スペース内のガスと該蒸着室内のガス
    との間にわずかな圧力差を保つような該非反応性ガスの
    流量とする工程を含んでなる、Hot Wall方式の化学気相
    蒸着室内で予め定めた面を隔離する方法。
  2. 【請求項２】該基板の表面の境界が円形であり、そして
    該リングが円筒の形状である請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】該環状スペースの巾が該予め定めた面の境
    界を取り巻いて実質的に均一である請求項１記載の方
    法。
  4. 【請求項４】該環状スペースの巾が数ミリメートルであ
    る請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】該環状スペースの巾が１〜２ミリメートル
    の範囲にある請求項３記載の方法。
  6. 【請求項６】該非反応性ガスがアルゴンである請求項１
    記載の方法。
  7. 【請求項７】該基板の表面の該境界が円形であり且つ該
    リングが円筒の形状であり、 該リングの内壁を予め定めた面の境界から離す該環状ス
    ペースの巾が実質的に均一であり且つ１〜２ミリメート
    ルの範囲にあり、そして該非反応性ガスがアルゴンであ
    る 請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】（ｉ）Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で
    境界を有する予め定めた蒸着面を設定する第１の手段、 （ii）実質的に均一な環状スペースをとって該蒸着面を
    囲むリングが、該蒸着面の境界を該リングの内壁から離
    すリング、 （iii）該蒸着室内で化学気相蒸着材料の流れを設定す
    る第２の手段、そして （iv）該蒸着室内で、該蒸着材料の流れと実質的に反対
    の方向に該環状スペースを通す非反応性ガスの流れを設
    定する第３の手段 を含んでなる、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で予め
    定めた蒸着面を隔離する装置。
  9. 【請求項９】該第１の手段が、外縁を定めた表面を有し
    該表面上に化学気相蒸着材料の被膜を蒸着する基板を含
    み、該基板が向かい合う面を有する請求項８記載の装
    置。
  10. 【請求項１０】該第１の手段がさらに複数の支柱を含
    み、該蒸着室内で該基板を該支柱の上に載せる請求項８
    記載の装置。
  11. 【請求項１１】該複数の支柱を黒鉛で作る請求項10記載
    の装置。
  12. 【請求項１２】該第３の手段が少なくとも１つの流路を
    含み、該流路からの非反応性ガスを化学気相蒸着材料の
    被膜を蒸着すべき表面とは反対の該基板の面にぶつける
    請求項９記載の装置。
  13. 【請求項１３】該第１の手段が、化学気相蒸着材料の被
    膜を蒸着すべき表面とそして向かい合う面とをもつ基板
    を含み、 該第１の手段がさらに複数の支柱を含み、該蒸着室内で
    該基板を該支柱に載せ、 第支柱を黒鉛で作り、 該リングを黒鉛で作り、そして 該第３の手段が少なくとも１つの流路を含み、該流路か
    らの非反応性ガスを化学気相蒸着材料の被膜を蒸着すべ
    き表面とは反対の該基板の面にぶつける 請求項８記載の装置。
  14. 【請求項１４】該第１の手段が、蒸着室内で適当に支持
    するじゃま板とそして基板とじゃま板の間に据えて該基
    板をその上に載せる少なくとも１つの支持ポストとをさ
    らに含み、 該支持ポストが断面積を減らした向かい合っている端面
    部とそれぞれの端面部と組合わさる肩部を含み、 該じゃま板と該基板の反対側の面は一列にそろったキャ
    ビティを含み、該支持ポストの向かい合った端面部をそ
    れぞれと組合わさるキャビティ内に収め、該じゃま板の
    キャビティの深さを基板のキャビティより深くし、且つ
    該基板と組合わさる該ポストの端面部の長さは該じゃま
    板と組合わさる端面部より長くし、これによって該基板
    はそのキャビティ内の奥の端面で組合わさる該ポストの
    端面と直接接触し、そして該じゃま板はそのキャビティ
    内に収める該ポストの端面部と組合わさる肩部と直接接
    触し、 該ポストの向かい合う端面部とそれぞれに組合わさるキ
    ャビティの相対デイメンジョンは、基板とじゃま板に対
    して該ポストを横方向に数ミリメートル動かすことがで
    きるものであり、 予め定めた蒸着面を囲む該リングは肩部を設ける第１端
    面に壁の厚さを減らした部分を有し、そして該基板の外
    縁を該リングの内壁から離す実質的に均一な巾をもつ環
    状スペースで該基板を囲み、さらに、該リングの内壁を
    取り巻く溝と該環状スペースの巾を均一に保つために該
    溝に据えたスペーサーを含み、 該じゃま板がリングの断面と一致する形状の溝を有し、
    該溝の巾が該リングの壁の厚さより狭く、そして 該リングを該第１端面で該厚さを減らした部分を該じゃ
    ま板の該溝内に延ばし、そしてリングの肩部をじゃま板
    と接触させて該じゃま板上に該リングを保持し、該リン
    グの該巾を減らした部分の巾と該じゃま板の該溝の巾と
    の相対的な巾を、該じゃま板に対して該リングを数ミリ
    メートル横方向に移動できるようにし、 それによって該蒸着室内の温度変化、特に化学気相蒸着
    に必要な高温から冷却する際に該基板に生じる応力を実
    質的に最小にする 請求項９記載の装置。
  15. 【請求項１５】該リングの第２端面でその内側を切り取
    り面取りした表面を設けて、化学気相蒸着材料で該環状
    スペースのブリッジングを防ぎそして基板の表面に蒸着
    すべき化学気相蒸着材料を基板の外縁に蒸着させる請求
    項14記載の装置。
  16. 【請求項１６】（ｉ）外縁を有する基板の表面を、化学
    気相蒸着材料の被膜を蒸着するための予め定めた蒸着面
    に保持する第１の手段、 （ii）実質的に均一な環状スペースをとって該蒸着面を
    囲むリングが、該基板の外縁を該リングの内壁から離す
    リング、 （iii）該蒸着室内で、該蒸着材料の流れを設定する第
    ２の手段、そして （iv）該蒸着室内で、該蒸着材料の流れと反対方向に該
    環状スペースを通る非反応性ガスの流れを設定する第３
    の手段 を含んでなる、Hot Wall方式の化学気相蒸着室内で予め
    定めた蒸着面を隔離する装置。
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