JPS59112615A - 気相反応装置 - Google Patents
気相反応装置Info
- Publication number
- JPS59112615A JPS59112615A JP22238482A JP22238482A JPS59112615A JP S59112615 A JPS59112615 A JP S59112615A JP 22238482 A JP22238482 A JP 22238482A JP 22238482 A JP22238482 A JP 22238482A JP S59112615 A JPS59112615 A JP S59112615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- nonreaction
- supply port
- reactive gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造における気相反応装置に関するも
のである。
のである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の気相反応装置としては、第１図に示すよ
うに、透明石英からなる一体製作されたペルジャー１で
反応容器を構成し、この反応容器内部に、半導体基板２
を支持するだめのサセプタ−３と、ガス導入ノズル４と
、基台５に設けられたガス排出孔６を有し、上記サセプ
ター３に半導体基板２を載置し、これを石英ペルジャー
１上面に設けられた赤外線ランプ７で加熱しながら、ガ
ス導入ノズル４より反応ガスを流入して半導体基板上に
気相成長させるものがあった。
うに、透明石英からなる一体製作されたペルジャー１で
反応容器を構成し、この反応容器内部に、半導体基板２
を支持するだめのサセプタ−３と、ガス導入ノズル４と
、基台５に設けられたガス排出孔６を有し、上記サセプ
ター３に半導体基板２を載置し、これを石英ペルジャー
１上面に設けられた赤外線ランプ７で加熱しながら、ガ
ス導入ノズル４より反応ガスを流入して半導体基板上に
気相成長させるものがあった。
しかし、このような気相反応装置においては、石英ペル
ジャー１が赤外線ランプ７の加熱を受け、蓄熱される結
果、高温加熱状態で石英ペルジャー１に熱応力によるク
ランクを生じること、また石英ペルジャー１の内壁に反
応生成物が付着し易く、−塵付着が始まると、その部分
が不透明になり、加熱さ牙［易くなるため、壕す捷す付
着速度か早められ、たち捷ち石英ペルジャー１の内壁は
付着物で蓋われてし甘う。特にジクロールシラン（Ｓ
Ｉ Ｈ２Ｃβ２）を反応ガスとして用いた場合、ガス温
度が６００℃以上で、壁面の温度が３５０℃以上になる
と、壁面に反応生成物の付着が開始される。
ジャー１が赤外線ランプ７の加熱を受け、蓄熱される結
果、高温加熱状態で石英ペルジャー１に熱応力によるク
ランクを生じること、また石英ペルジャー１の内壁に反
応生成物が付着し易く、−塵付着が始まると、その部分
が不透明になり、加熱さ牙［易くなるため、壕す捷す付
着速度か早められ、たち捷ち石英ペルジャー１の内壁は
付着物で蓋われてし甘う。特にジクロールシラン（Ｓ
Ｉ Ｈ２Ｃβ２）を反応ガスとして用いた場合、ガス温
度が６００℃以上で、壁面の温度が３５０℃以上になる
と、壁面に反応生成物の付着が開始される。
またモノシラン（Ｓ ｉＨ２）を反応ガスとして用いた
場合には、ガスの分解温度が４００ ’Ｃ以下と低いた
め、壁面への付着は著るしいものがあった。以上の反応
生成物の壁面への付着のため、半導体基板の諦度分布が
不均一になり、気相成長層の厚みのバラツキが生じ易い
、また壁面に付着した反応生成物が半導体基板上−２飛
散する結果、気相成長層の異常突起等の結晶欠陥が生じ
やすい、またガス導入ノズルから流出される反応ガス流
れか石英ペルジャーの形状により仄められるため、均一
なガス流れを得るのが困難で、気相成長層の厚さに大き
なバラツキを生じていたという欠点を有していた。
場合には、ガスの分解温度が４００ ’Ｃ以下と低いた
め、壁面への付着は著るしいものがあった。以上の反応
生成物の壁面への付着のため、半導体基板の諦度分布が
不均一になり、気相成長層の厚みのバラツキが生じ易い
、また壁面に付着した反応生成物が半導体基板上−２飛
散する結果、気相成長層の異常突起等の結晶欠陥が生じ
やすい、またガス導入ノズルから流出される反応ガス流
れか石英ペルジャーの形状により仄められるため、均一
なガス流れを得るのが困難で、気相成長層の厚さに大き
なバラツキを生じていたという欠点を有していた。
発明の目的
本発明は一ヒ記従来の欠点を解消するもので、反応容器
の強度をもたせ、かつ反応生成物の付着をなくし、ガス
流れを均一にし、気相成長層の厚さのバラツキの少ない
、また結晶欠陥の少ない気相反応装置を提供することを
目的とする。
の強度をもたせ、かつ反応生成物の付着をなくし、ガス
流れを均一にし、気相成長層の厚さのバラツキの少ない
、また結晶欠陥の少ない気相反応装置を提供することを
目的とする。
発明の構成
本発明は、反応ガス供給口と排出口を備えた基台と、こ
の基台上に固着され内部に冷却流体の循環孔を有し、少
くとも２つ以上の非反応ガス供給口と、非反応ガス排出
口を具備した筐体と、この筐体上部の開口部に固着され
た透明石英からなるトッププレートとで反応室を構成し
、この反応室内部に、半導体基板支持のだめのサセプタ
ーと、サセプターの下に設けられた石英からなる熱遮蔽
板と、この熱遮蔽板上に石英からなる矩形状の反応ガス
ガイド板を載置し、前記基台に設けられた反応ガス供給
口と連結したガス導入ノズル及びガス排出口と連結した
排気パイプに排気ガスをガイドする排気ガイド板とで主
反応室を構成し、サセプター上に半導体基板を載置し、
反応室外部にあってサセプターと対面するよう設置され
た赤外線ランプで半導体基板を加熱しながらガス導入ノ
ズルから反応ガスを流し、かつ筐体に設けた少くとも２
つ以」二の非反応ガス供給口より、それぞれ非反応ガス
を流し、−力はトッププレート（て非反応ガスを当てる
ように流し、もう−力は、反応室内の主反応ガス室を除
いた部分の）く−ジに非反応ガスを流し、それぞれ排気
口より排気させることにより、筐体及び基台は温度上昇
を避け、かつ透明石英からなるトッププレートには反応
ガスの接触を避けるようにし、反応生成物の付着をなく
し、均一なガス流れでかつ、容器の強度をもたせるとい
う効果を有する。
の基台上に固着され内部に冷却流体の循環孔を有し、少
くとも２つ以上の非反応ガス供給口と、非反応ガス排出
口を具備した筐体と、この筐体上部の開口部に固着され
た透明石英からなるトッププレートとで反応室を構成し
、この反応室内部に、半導体基板支持のだめのサセプタ
ーと、サセプターの下に設けられた石英からなる熱遮蔽
板と、この熱遮蔽板上に石英からなる矩形状の反応ガス
ガイド板を載置し、前記基台に設けられた反応ガス供給
口と連結したガス導入ノズル及びガス排出口と連結した
排気パイプに排気ガスをガイドする排気ガイド板とで主
反応室を構成し、サセプター上に半導体基板を載置し、
反応室外部にあってサセプターと対面するよう設置され
た赤外線ランプで半導体基板を加熱しながらガス導入ノ
ズルから反応ガスを流し、かつ筐体に設けた少くとも２
つ以」二の非反応ガス供給口より、それぞれ非反応ガス
を流し、−力はトッププレート（て非反応ガスを当てる
ように流し、もう−力は、反応室内の主反応ガス室を除
いた部分の）く−ジに非反応ガスを流し、それぞれ排気
口より排気させることにより、筐体及び基台は温度上昇
を避け、かつ透明石英からなるトッププレートには反応
ガスの接触を避けるようにし、反応生成物の付着をなく
し、均一なガス流れでかつ、容器の強度をもたせるとい
う効果を有する。
実施例の説明
以下に、本発明の一実施例を第２図と第３図にもとづい
て説明する。第２図及び第３図において、８はステンレ
スからなる基台、その基台上に非反応ガス供給口９ａ、
９ｂ及び排出口１０を備え、かつ内部に冷却流体の循環
孔１１を有するステンレスからなる筐体１２及びこの筐
体１２の上方開口部に透明石英からなる平板形状のトッ
プグレート１３で反応室を構成している。トッププレー
ト１３は冷却流体の循環孔１１を有し、ステンレスから
なる押えリング１４で筐体１２に固着されている。また
反応室内部には、半導体基板１５を支持するサセプター
１６と、サセプター１６の下に石英からなる熱遮蔽板１
７が基台８上に置かれた支持リング１８上に置かれ、熱
遮蔽板１７の上に石英からなる矩形状の反応ガスガイド
板１９と、基台８の反応ガス供給口２０と連結されたガ
ス導入ノズル２１と、基台８のガス排気口２２と連結さ
れた排気パイプ２３に排気ガスをガイドするよう設けら
れた排気ガイド２４とで主反応ガス室を構成しているｏ
２６は非反応ガス供給口９ａより流入した非反応ガスか
トッププレート１３面に沿って流れるよう設置された非
反応ガスガイドである。また反応室外部にあってトップ
プレート１３の上方に、ザセフリ−１６と対面するよう
に赤外線ランプ２６が配置されている。
て説明する。第２図及び第３図において、８はステンレ
スからなる基台、その基台上に非反応ガス供給口９ａ、
９ｂ及び排出口１０を備え、かつ内部に冷却流体の循環
孔１１を有するステンレスからなる筐体１２及びこの筐
体１２の上方開口部に透明石英からなる平板形状のトッ
プグレート１３で反応室を構成している。トッププレー
ト１３は冷却流体の循環孔１１を有し、ステンレスから
なる押えリング１４で筐体１２に固着されている。また
反応室内部には、半導体基板１５を支持するサセプター
１６と、サセプター１６の下に石英からなる熱遮蔽板１
７が基台８上に置かれた支持リング１８上に置かれ、熱
遮蔽板１７の上に石英からなる矩形状の反応ガスガイド
板１９と、基台８の反応ガス供給口２０と連結されたガ
ス導入ノズル２１と、基台８のガス排気口２２と連結さ
れた排気パイプ２３に排気ガスをガイドするよう設けら
れた排気ガイド２４とで主反応ガス室を構成しているｏ
２６は非反応ガス供給口９ａより流入した非反応ガスか
トッププレート１３面に沿って流れるよう設置された非
反応ガスガイドである。また反応室外部にあってトップ
プレート１３の上方に、ザセフリ−１６と対面するよう
に赤外線ランプ２６が配置されている。
以」二のように構成した気相反応装置において、ンリコ
ンカーバイド（ＳｉＣ）をコートしたグラファイト製の
サセプター１６の上に半導体基板１６を載置し、反応室
外部に設けた赤外線ランプ２６でサセプタ−１６及び半
導体基板１１を加熱する。
ンカーバイド（ＳｉＣ）をコートしたグラファイト製の
サセプター１６の上に半導体基板１６を載置し、反応室
外部に設けた赤外線ランプ２６でサセプタ−１６及び半
導体基板１１を加熱する。
この時、函体１２及び押えリング１４に設けた冷却流体
の循環孔１１に冷却水を流し、かつトッププレート１３
と赤外線加熱ランプ２６との間は図示していない強制空
冷装置で十分冷却を行なう○そして、ガス導入ノズル２
１よりＨｅ又はＨ２などのキャリアガスを流しながら、
同時に筐体１２に設けた非反応供給口９ａ及び９ｂより
Ｈｅ又はＨ２などの非反応ガスを流す。この状態の時に
ガス導入ノズル２１のキャリアガスの中にジクロールシ
ラン（Ｓ ｘＨ２ｃｕ ２ ） ガスなどを所定量導
入する。この際Ｈｅ又は弓と５ｉＨ２Ｃ℃２ ガスを混
合した反応ガスの流速に応じてトップブレー）、１３に
反応生成物が堆積しないように、かつ半導体基板１５上
の反応ガスの流れが実質的に乱れないように、非反応ガ
ス供給口９ａから導入する非反応ガスの流速及び非反応
ガスガイド２５の取付位置と形状及び非反応ガスガイド
２６とトッププレート１３との隙間及び、排気ガイド２
４の取付位置と形状等を決め、反応ガスは排気ガイド２
４に沿って排気パイプ２３へ、また非反応ガスは筐体１
２に設けた非反応ガス排気口１０にそれぞれ排出される
ようにする。またサセプタ−１６及び半導体基板１５の
加熱温度は、気相成長層の目的、反応ガスによって異な
るが、約４００℃乃至１２００’Ｃの範囲の一定温度に
保つ。以上のような条件でもって反応ガスを反応させ、
半導体基板１５の上に気相成長層を形成する。以上のよ
うに構成した気相反応装置において、筐体１２は循環冷
却水て十分に冷却され、また非反応ガスがトッププレー
ト１３面に沿って流れることでガス導入ノズル２１から
流入された反応ガスかトップグレー）１３（／こ接触す
ることなく、反応ガスガイド１９に沿って均一に流れ、
半導体基板１６上で気相成長した後、排気ガイド２４に
沿って排気パイプ２３より排気されることにより、反り
し生成物の壁面への付着がない。
の循環孔１１に冷却水を流し、かつトッププレート１３
と赤外線加熱ランプ２６との間は図示していない強制空
冷装置で十分冷却を行なう○そして、ガス導入ノズル２
１よりＨｅ又はＨ２などのキャリアガスを流しながら、
同時に筐体１２に設けた非反応供給口９ａ及び９ｂより
Ｈｅ又はＨ２などの非反応ガスを流す。この状態の時に
ガス導入ノズル２１のキャリアガスの中にジクロールシ
ラン（Ｓ ｘＨ２ｃｕ ２ ） ガスなどを所定量導
入する。この際Ｈｅ又は弓と５ｉＨ２Ｃ℃２ ガスを混
合した反応ガスの流速に応じてトップブレー）、１３に
反応生成物が堆積しないように、かつ半導体基板１５上
の反応ガスの流れが実質的に乱れないように、非反応ガ
ス供給口９ａから導入する非反応ガスの流速及び非反応
ガスガイド２５の取付位置と形状及び非反応ガスガイド
２６とトッププレート１３との隙間及び、排気ガイド２
４の取付位置と形状等を決め、反応ガスは排気ガイド２
４に沿って排気パイプ２３へ、また非反応ガスは筐体１
２に設けた非反応ガス排気口１０にそれぞれ排出される
ようにする。またサセプタ−１６及び半導体基板１５の
加熱温度は、気相成長層の目的、反応ガスによって異な
るが、約４００℃乃至１２００’Ｃの範囲の一定温度に
保つ。以上のような条件でもって反応ガスを反応させ、
半導体基板１５の上に気相成長層を形成する。以上のよ
うに構成した気相反応装置において、筐体１２は循環冷
却水て十分に冷却され、また非反応ガスがトッププレー
ト１３面に沿って流れることでガス導入ノズル２１から
流入された反応ガスかトップグレー）１３（／こ接触す
ることなく、反応ガスガイド１９に沿って均一に流れ、
半導体基板１６上で気相成長した後、排気ガイド２４に
沿って排気パイプ２３より排気されることにより、反り
し生成物の壁面への付着がない。
なお、気相成長層はＳｉ だけでなく、反応ガスの組成
を変えることにより、５１３Ｎ４．ＳｉＯ２，Ａ℃２０
３等の絶縁物でも良く、ＧａＡｓ 、ＧａＰのような化
合物半導体層の成長でもよい。また基台８は冷却流体の
循環孔を設けてもよいことは言うまでもない。
を変えることにより、５１３Ｎ４．ＳｉＯ２，Ａ℃２０
３等の絶縁物でも良く、ＧａＡｓ 、ＧａＰのような化
合物半導体層の成長でもよい。また基台８は冷却流体の
循環孔を設けてもよいことは言うまでもない。
壕だサセプタ−１６は図示していない回転機構に接続し
、気相成長中に回転することも可能である。
、気相成長中に回転することも可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、十分に冷却された金属部材より
なる筐体と透明石英よりなる平板形状のトッププレート
とで反応室を構成し、この反応室内において、気相成長
中に、ガス導入ノズルより反応ガスを、筐体の非反応カ
ス供給口より非反応ガスを流すことにより、ｌ・ノブプ
レートに非反応ガスの膜をつくり、反応ガスの接触を避
け、反応ガスは、石英より囲まれた主反応ガス室内で均
一よく流れ、排気ガイドで排気パイプに排出されること
により、壁面への反応生成物の付着がなく、均一なガス
流れを得ることができ、気相成長層の厚みのバラツキの
少ない、寸だ結晶欠陥の少なくかつ反応容器の強度も十
分な気相反応装置を得ることかできるという効果を発揮
するものである。
なる筐体と透明石英よりなる平板形状のトッププレート
とで反応室を構成し、この反応室内において、気相成長
中に、ガス導入ノズルより反応ガスを、筐体の非反応カ
ス供給口より非反応ガスを流すことにより、ｌ・ノブプ
レートに非反応ガスの膜をつくり、反応ガスの接触を避
け、反応ガスは、石英より囲まれた主反応ガス室内で均
一よく流れ、排気ガイドで排気パイプに排出されること
により、壁面への反応生成物の付着がなく、均一なガス
流れを得ることができ、気相成長層の厚みのバラツキの
少ない、寸だ結晶欠陥の少なくかつ反応容器の強度も十
分な気相反応装置を得ることかできるという効果を発揮
するものである。
第１図は従来の気相反応装置の断面図、第２図は本発明
の一実施例における気相反応装置の断面図、第３図は第
２図における八−Ａ線の断面図である。 ２．１６・ 半導体基板、３，１６・ サセプター、４
，２１ ・ガス尋人ノズル、５，８ ・基台、７，２
６ ・・・赤外線ランプ、１２・・・・筐体、１３・・
・・ トッププレート、１７・・熱遮蔽板、１９・・・
・・・ガスガイド板、２３・・・・・・排気パイプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 ６
の一実施例における気相反応装置の断面図、第３図は第
２図における八−Ａ線の断面図である。 ２．１６・ 半導体基板、３，１６・ サセプター、４
，２１ ・ガス尋人ノズル、５，８ ・基台、７，２
６ ・・・赤外線ランプ、１２・・・・筐体、１３・・
・・ トッププレート、１７・・熱遮蔽板、１９・・・
・・・ガスガイド板、２３・・・・・・排気パイプ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 ６
Claims (1)
- 反応ガス供給口と排出口を備えた基台と、この基台上に
固着された内部に冷却流体の循環孔を有し、少くとも２
つ以上設けられた非反応ガス供給口と、この非反応ガス
供給口と反対側に排出口を具備した筐体と、前記筐体の
上部開口部孔固着され、反応室を構成するよう設けられ
た透明石英からなるトッププレートと、前記反応室内部
に、前記トッププレー１・と対向して設けられた半導体
基板支持のす、セプターと、サセプターからの輻射熱を
基台に阻止するよう前記サセプターの下に設けらｈた石
英からなる熱遮蔽板と、この熱遮蔽板の上に設けられた
石英からなる矩形状の反応ガスガイド板と、前記反応ガ
ス供給口と連結されたガス導入ノズル及び前記反応ガス
排出口と連結された排気パイプに排気ガスをガイドする
排気ガイド板とで構成された主反応ガス室と、前記反応
室外部に設けられ、サセプターと対向するよう取付けら
ｆ′した加熱用赤外線ランプとからなり、前記ガス導入
ノズルから反応ガスを流し、前記筐体に設けられた非反
応ガス供給口より非反応ガスを流入するよう構成した気
相反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22238482A JPS59112615A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22238482A JPS59112615A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112615A true JPS59112615A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16781508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22238482A Pending JPS59112615A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717126A2 (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-19 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP22238482A patent/JPS59112615A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717126A2 (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-19 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| EP0717126A3 (en) * | 1994-12-16 | 1996-12-18 | Hwang Chul Ju | Low pressure chemical vapor deposition apparatus |
| US5928427A (en) * | 1994-12-16 | 1999-07-27 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US6009831A (en) * | 1994-12-16 | 2000-01-04 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US6026764A (en) * | 1994-12-16 | 2000-02-22 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| US6190460B1 (en) | 1994-12-16 | 2001-02-20 | Chul-Ju Hwang | Apparatus for low pressure chemical vapor depostion |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3796182A (en) | Susceptor structure for chemical vapor deposition reactor | |
| JPH09330884A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| WO1999025909A1 (fr) | Four pour croissance epitaxiale | |
| EP0164928A2 (en) | Vertical hot wall CVD reactor | |
| US6099650A (en) | Structure and method for reducing slip in semiconductor wafers | |
| JPS59112611A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2004281836A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS59111997A (ja) | エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS59112615A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPS594434A (ja) | 気相反応装置 | |
| CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
| JPS59149020A (ja) | 縦型反応炉 | |
| JPS6168393A (ja) | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS607378B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS5967621A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPS5950095A (ja) | 化学反応器 | |
| JPS6126218A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61289623A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPS59112613A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2022129261A (ja) | 高温用気相成長装置および半導体結晶膜の成長方法 | |
| JPH0548307B2 (ja) | ||
| JPH06163439A (ja) | 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 | |
| JPS587817A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
| JPH0626182B2 (ja) | 赤外線加熱装置 | |
| JPS6126217A (ja) | 気相成長装置 |