JPH0666460B2 - 短絡型サイリスタ - Google Patents

短絡型サイリスタ

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JPH0666460B2
JPH0666460B2 JP19819789A JP19819789A JPH0666460B2 JP H0666460 B2 JPH0666460 B2 JP H0666460B2 JP 19819789 A JP19819789 A JP 19819789A JP 19819789 A JP19819789 A JP 19819789A JP H0666460 B2 JPH0666460 B2 JP H0666460B2
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鋼一 太田
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Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は短絡型サイリスタの点弧特性の改善に関するも
のである。
(従来技術とその問題点) サイリスタ例えば第1図(a)のようにP1N2P3N4の4層
からなり、P1とN2層が金属電極T1により短絡され、N4
に金属電極T2を設けた構成、即ちベース領域の一部をエ
ミッタ領域と短絡して一方の電極とした第1図(b)の
特性をもつサイリスタは、例えば温度特性が良好である
こと、短絡構造であることから目的に応じて必要な第1
図(b)の保持電流の大きなものを得られ易く遮断特性
の良好である利点がある。このため例えば通信回線に接
続された電子機器などのサージ防護阻止として有用であ
り、広く使用され始めている。
しかしこのサイリスタには以下に説明するように、N2P3
N4からなる3層部分にもとづく構造的な問題をもつ。
このサイリスタは次の動作機構をもつ。即ち今第1図
(a)の電極T1からT2の方向に電圧が加えられた場合、
この電圧が接合J2の耐圧を越えたとき流れる電流により
N2層の横方向抵抗Rに電圧降下を生じさせる。そしてこ
れによりJ1を順方向にバイアスとしてP1N2P3N4のサイリ
スタの一部を先ずオン状態とし、更にこれにもとづくキ
ャリアの拡散により点弧が全領域に及ぶことにより電極
T1T2間をオン状態とするものである。
従ってこの構成をもつサイリスタにおいては基本的にP1
層、即ちエミッタ領域を直下のN2の横方向抵抗Rに電圧
降下を生じさせるような電流の流通路のみを持たせるの
が理想である。
しかし通常の設計においては製造の必要から、第1図
(a)中に破線で示すようなN2P3N4層からなる3層部分
を持たせざるを得ない。このため横方向抵抗R中を流れ
る電流の外に、直接3層部分を通る不必要な電流ILを流
すことになる。従ってそれだけ第1図(b)のブレーク
オーバ電流ISを大とし、作動時(点弧時)における損失
が大とする問題点をもつ。
(発明の目的) 本発明は短絡構造による利点を損なうことなく、ブレー
クオーバ電流を抑制できる、比較的簡単な手段を提供し
て点弧時における特性の改善を図ったものである。
(問題点を解決するための本発明の手段) 前記のように3層部分が製造上除去し得ないものである
ならば、この部分に直接流れる電流の流通を何等かの手
段を用いて阻害すれば、前記した点弧時の問題点を解決
しうる。
本発明は3層部分に流れる電流を次の手段により抑制す
ることを特徴とするものである。即ち第2図に示す模式
的断面図のように、短絡ベース部分であるN2層の一面へ
の露呈部分の直下のN4層に、一面が露呈するように直接
電流阻止領域SとなるP5層を設けると共に、これによる
N2P3N4P5層が逆向きのサイリスタとして作用するのを防
ぐため、絶縁膜例えばSiO2膜Iを設けて金属電極T2と絶
縁したものである。
このようにすれば3層部分の電流値はP5層の直上の各
層、特にN層の横方向によって大きく影響される。従っ
て短絡ベース部に対する、直接電流阻止領域Sの大き
さ、位置関係などを選定することにより、3層部分に流
れる電流ILを流れにくくすることができる。また本発明
の構造をとることにより、保持電流IHに影響を及ぼさな
いこともこのサイリスタの動作理論から明らかである。
従って従来構造のもつ利点を生かしながら、点弧時にお
ける損失の少ないサイリスタを提供しうる。
以上本発明の原理について説明したが、双方向性サイリ
スタ例えば第3図に示す模式的断面図のように、PNPNP
よりなり左右に3層部分をもつ双方向性サイリスタにお
いても、一面を金属電極設定面の左右端に露呈させたN
層の直下に、それぞれ直接電流阻止領域SとなるP5層を
設けることによって適用できる。なおIはP5層と金属電
極との絶縁膜である。
以上本発明の原理的構成について説明したが、実際に作
られるものについては信頼度の確保などに通常用いられ
る設計製作上の技法が用いられる。
第4図(a)(b)及び第5図(a)(b)は第3図の
サイリスタに相当する実用デバイスの構造例を示す上面
図(金属電極と絶縁膜の図示を省略)と、そのA−A′
部における断面図てあって以上の各図と同一一符号部分
は同等部分を示し、CはチャネルストッパとなるP+層で
ある。
なお第4図(a)(b)の例は直接電流阻止領域Sの一
部がP層と重なるように設けたものであるが、第4図
(c)のように直接電流阻止領域Sの全部が重なるよう
に設けてもよい。また第5図(a)(b)は短絡エミッ
タであるP層中に短絡ベースであるN層を点状に露呈さ
せ、また直接電流阻止領域Sを短絡ベースであるN層中
に点状に分散して設けた例であるが、第5図(c)に示
すように点状の直接電流阻止領域Sを複数列、例えば2
列に配列して設けることができる。
なお本発明は以上とは逆な伝導型のものに適用しても同
様な効果が得られることは容易に理解される。
(発明の効果) 以上のように本発明によればサイリスタのもつ3層部分
を介して金属電極間および直接流れる電流を他の特性に
変化を生むことなく比較的に簡単な手段により抑制して
点弧特性を向上できるすぐれた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の説明図、第2図,第3図は本発明の
適用例の説明図、第4図,第5図は本発明の実用的構成
例の説明図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】P1N2P3N4(N1P2N3P4)層の基本構造からな
    り、前記N2(P2)層の一部が1乃至複数箇所において前
    記P1(N1)層を突き抜けて表面に露呈し、該N2(P2)層
    の露呈部分が前記P1(N1)層と一面の金属電極(T1)に
    よって短絡され、他面の金属電極(T2)が前記N4(P4
    層に接続されてなる短絡型サイリスタにおいて、前記N2
    (P2)層の露呈部分と対向する部分の前記N4(P4)層に
    直接電流阻止領域を形成するP5(N5)層を設けると共
    に、該直接電流阻止領域を形成するP5(N5)層が前記他
    面の金属電極(T2)と絶縁されるようにしたことを特徴
    とする短絡型サイリスタ。
  2. 【請求項2】前記P1N2P3N4(N1P2N3P4)層が前記両金属
    電極(T1,T2)の双方向からそれぞれ形成されるように
    構成された請求項1記載の短絡型サイリスタ。
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JP2002256581A (ja) * 2001-02-27 2002-09-11 Shinmei Sangyo:Kk 既設,新設のマンホール等の側面孔に本管,枝管,支管を接続するための内付け継手

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