JPH0362570A - 短絡型サイリスタ - Google Patents
短絡型サイリスタInfo
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- JPH0362570A JPH0362570A JP19819789A JP19819789A JPH0362570A JP H0362570 A JPH0362570 A JP H0362570A JP 19819789 A JP19819789 A JP 19819789A JP 19819789 A JP19819789 A JP 19819789A JP H0362570 A JPH0362570 A JP H0362570A
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は短絡型サイリスタの点弧特性の改善に関するも
のである。
のである。
（従来技術とその問題点）
サイリスタ例えば第１図（ａ）のようにＰ ｔ Ｎｚ
Ｐ ３Ｎ４の４層からなり、ＰｌとＮ２層が金属電極Ｔ
。
Ｐ ３Ｎ４の４層からなり、ＰｌとＮ２層が金属電極Ｔ
。
により短絡され、Ｎ４層に金属電極Ｔ、を設けた構成、
即ちベース領域の一部を工くツタ領域と短絡して一方の
電極とした第１図（ｂ）の特性をもつサイリスタは、例
えば温度特性が良好であること、短絡構造であることか
ら目的に応じて必要な第１図（ｂ）の保持電流の大きな
ものを得られ易く遮断特性の良好である利点がある。こ
のため例えば通信回線に接続された電子機器などのサー
ジ防護阻止として有用であり、広く使用され始めている
。
即ちベース領域の一部を工くツタ領域と短絡して一方の
電極とした第１図（ｂ）の特性をもつサイリスタは、例
えば温度特性が良好であること、短絡構造であることか
ら目的に応じて必要な第１図（ｂ）の保持電流の大きな
ものを得られ易く遮断特性の良好である利点がある。こ
のため例えば通信回線に接続された電子機器などのサー
ジ防護阻止として有用であり、広く使用され始めている
。
しかしこのサイリスタには以下に説明するように、Ｎｚ
Ｐｌ Ｎ４からなる３層部分にもとづく構造的な問題
をもつ。
Ｐｌ Ｎ４からなる３層部分にもとづく構造的な問題
をもつ。
このサイリスタは次の動作機構をもつ、即ち今第１図（
ａ）の電極Ｔ、からＴｔの方向に電圧が加えられた場合
、この電圧が接合Ｊｔの耐圧を越えたとき流れる電流に
よりＮ２層の横方向抵抗Ｒに電圧降下を生じさせる。そ
してこれにより接合Ｊ。
ａ）の電極Ｔ、からＴｔの方向に電圧が加えられた場合
、この電圧が接合Ｊｔの耐圧を越えたとき流れる電流に
よりＮ２層の横方向抵抗Ｒに電圧降下を生じさせる。そ
してこれにより接合Ｊ。
を順方向にバイアスとしてＰ ＩＮｔ Ｐｌ Ｎａのす
イリスタの一部を先ずオン状態とし、更にこれにもとづ
くキャリアの拡散にまり点弧が全領域に及ぶことにより
電極ＴＩＴ２間をオン状態とするものである。
イリスタの一部を先ずオン状態とし、更にこれにもとづ
くキャリアの拡散にまり点弧が全領域に及ぶことにより
電極ＴＩＴ２間をオン状態とするものである。
従ってこの構成をもつサイリスタにおいては基本的に１
１層、即ちエミッタ領域を直下のＮ２の横方向抵抗Ｒに
電圧降下を生じさせるような電流の流通路のみを持たせ
るのが理想である。
１層、即ちエミッタ領域を直下のＮ２の横方向抵抗Ｒに
電圧降下を生じさせるような電流の流通路のみを持たせ
るのが理想である。
しかし通常の設計においては製造の必要から、第１図（
ａ）中に破線で示すようなＮｔＰｓＮａ層からなる３層
部分を持たせざるを得ない、このため横方向抵抗Ｒ中を
流れる電流の外に、直接３層部分を通る不必要な電流Ｉ
ｔを流すことになる。従ってそれだけ第１図（ハ）のブ
レークオーバ電流１゜を大とし、作動時（点弧時）にお
ける損失が大とする問題点をもつ。
ａ）中に破線で示すようなＮｔＰｓＮａ層からなる３層
部分を持たせざるを得ない、このため横方向抵抗Ｒ中を
流れる電流の外に、直接３層部分を通る不必要な電流Ｉ
ｔを流すことになる。従ってそれだけ第１図（ハ）のブ
レークオーバ電流１゜を大とし、作動時（点弧時）にお
ける損失が大とする問題点をもつ。
（発明の目的）
本発明は短絡構造による利点を損なうことなく、ブレー
クオーバ電流を抑制できる、比較的簡単な手段を提供し
て点弧時における特性の改善を図ったものである。
クオーバ電流を抑制できる、比較的簡単な手段を提供し
て点弧時における特性の改善を図ったものである。
（問題点を解決するための本発明の手段）前記のように
３層部分が製造上除去し得ないものであるならば、この
部分に直接流れる電流の流通を何等かの手段を用いて阻
害すれば、前記した点弧時の問題点を解決しうる。
３層部分が製造上除去し得ないものであるならば、この
部分に直接流れる電流の流通を何等かの手段を用いて阻
害すれば、前記した点弧時の問題点を解決しうる。
本発明は３層部分に流れる電流を次の手段により抑制す
ることを特徴とするものである。即ち第２図に示す模式
的断面図のように、短絡ベース部分であるＮ２層の一面
への露呈部分の直下のＮ４層に、−面が露呈するように
直接電流阻止領域Ｓとなる１１層を設けると共に、これ
によるＮ２Ｐ。
ることを特徴とするものである。即ち第２図に示す模式
的断面図のように、短絡ベース部分であるＮ２層の一面
への露呈部分の直下のＮ４層に、−面が露呈するように
直接電流阻止領域Ｓとなる１１層を設けると共に、これ
によるＮ２Ｐ。
Ｎ、Ｐ、層が逆向きのサイリスタとして作用するのを防
ぐため、絶縁膜例えばＳｉｎ、膜■を設けて金属電極Ｔ
！と絶縁したものである。
ぐため、絶縁膜例えばＳｉｎ、膜■を設けて金属電極Ｔ
！と絶縁したものである。
このようにすれば３層部分の電流値は１１層の直上の各
層、特にＮ層の横方向によって大きく影響される。従っ
て短絡ベース部に対する、直接電流阻止領域Ｓの大きさ
、位置関係などを選定することにより、３層部分に流れ
る電流ＩＬを流れにくくすることができる。また本発明
の構造をとることにより、保持電流りに影響を及ぼさな
いこともこのサイリスタの動作理論から明らかである。
層、特にＮ層の横方向によって大きく影響される。従っ
て短絡ベース部に対する、直接電流阻止領域Ｓの大きさ
、位置関係などを選定することにより、３層部分に流れ
る電流ＩＬを流れにくくすることができる。また本発明
の構造をとることにより、保持電流りに影響を及ぼさな
いこともこのサイリスタの動作理論から明らかである。
従って従来構造のもつ利点を生かしながら、点弧時にお
ける損失の少ないサイリスタを提供しうる。
ける損失の少ないサイリスタを提供しうる。
以上本発明の原理について説明したが、双方向性サイリ
スタ例えば第３図に示す模式的断面図のように、ＰＮＰ
ＮＰよりなり左右に３Ｎ部分をもつ双方向性サイリスタ
においても、−面を金属電極設定面の左右端に露呈させ
たＮ層の直下に、それぞれ直接電流阻止領域Ｓとなる１
２層を設けることによって適用できる。なおＩは１３層
と金属電極との絶縁膜である。
スタ例えば第３図に示す模式的断面図のように、ＰＮＰ
ＮＰよりなり左右に３Ｎ部分をもつ双方向性サイリスタ
においても、−面を金属電極設定面の左右端に露呈させ
たＮ層の直下に、それぞれ直接電流阻止領域Ｓとなる１
２層を設けることによって適用できる。なおＩは１３層
と金属電極との絶縁膜である。
以上本発明の原理的構成について説明したが、実際に作
られるものについては信頼度の確保などに通常用いられ
る設計製作上の技法が用いられる。
られるものについては信頼度の確保などに通常用いられ
る設計製作上の技法が用いられる。
第４図（ａ）（ｂ）及び第５図（ａ）（ｂ）は第３図ノ
サイリスタに相当する実用デバイスの構造例を示す上面
図（金属電極と絶縁膜の図示を省略）と、そのＡ−Ａ”
部における断面図てあって以上の各図と同−一符号部分
は同等部分を示し、Ｃはチャネルストッパとなる１１層
である。
サイリスタに相当する実用デバイスの構造例を示す上面
図（金属電極と絶縁膜の図示を省略）と、そのＡ−Ａ”
部における断面図てあって以上の各図と同−一符号部分
は同等部分を示し、Ｃはチャネルストッパとなる１１層
である。
なお第４図の例は直列電流阻止領域Ｓの十印がＰ層と重
なるように設けたものであるが、第４図（Ｃ）のように
領域Ｓの全部が重なるように設けてもよい。また第５図
は短絡エミッタである２層中に短絡ベースであるＮ層を
点状に露呈させ、また阻止領域Ｓを短絡ベースであるＮ
層中に点状に分散して設けた例であるが、第５図（Ｃ）
に示すように点状の阻止領域を複数列例えば２列に配列
して設けることができる。
なるように設けたものであるが、第４図（Ｃ）のように
領域Ｓの全部が重なるように設けてもよい。また第５図
は短絡エミッタである２層中に短絡ベースであるＮ層を
点状に露呈させ、また阻止領域Ｓを短絡ベースであるＮ
層中に点状に分散して設けた例であるが、第５図（Ｃ）
に示すように点状の阻止領域を複数列例えば２列に配列
して設けることができる。
なお本発明は以上とは逆な伝導型のものに適用しても同
様な効果が得られることは容易に理解される。
様な効果が得られることは容易に理解される。
（発明の効果）
以上のように本発明によればサイリスタのもつ３層部分
を介して金属電極間および直接流れる電流を他の特性に
変化を生むことなく比較的に簡単な手段により抑制して
点弧特性を向上できるすぐれた効果を有する。
を介して金属電極間および直接流れる電流を他の特性に
変化を生むことなく比較的に簡単な手段により抑制して
点弧特性を向上できるすぐれた効果を有する。
第１図は従来装置の説明図、第２図、第３図は本発明の
詳細な説明図、第４図、第５図は本発明の実用的構成例
の説明図である。 代 理 人
詳細な説明図、第４図、第５図は本発明の実用的構成例
の説明図である。 代 理 人
Claims (1)
- （１）Ｎ（Ｐ）ベースの一部をＰ（Ｎ）エミッタに１乃
至複数箇所において、一方の金属電極により短絡してな
る部分を備えた短絡型サイリスタにおいて、前記Ｎ（Ｐ
）ベースの短絡部分と対向するＮ（Ｐ）層に直接電流阻
止領域を形成するＰ（Ｎ）層を設けると共に、この直接
電流阻止領域を形成するＰ（Ｎ）層を他方の金属電極と
絶縁したことを特徴とする短絡型サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19819789A JPH0666460B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 短絡型サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19819789A JPH0666460B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 短絡型サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362570A true JPH0362570A (ja) | 1991-03-18 |
| JPH0666460B2 JPH0666460B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16387088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19819789A Expired - Fee Related JPH0666460B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 短絡型サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666460B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275687A (ja) * | 1991-05-21 | 1993-10-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | プレ−ナ型二端子双方向性サイリスタ |
| DE4229307A1 (de) * | 1992-09-02 | 1994-03-03 | D & D Hardware Software Und Do | Überspannungsableiterbauelement |
| JP2002256581A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Shinmei Sangyo:Kk | 既設，新設のマンホール等の側面孔に本管，枝管，支管を接続するための内付け継手 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19819789A patent/JPH0666460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05275687A (ja) * | 1991-05-21 | 1993-10-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | プレ−ナ型二端子双方向性サイリスタ |
| DE4229307A1 (de) * | 1992-09-02 | 1994-03-03 | D & D Hardware Software Und Do | Überspannungsableiterbauelement |
| JP2002256581A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-11 | Shinmei Sangyo:Kk | 既設，新設のマンホール等の側面孔に本管，枝管，支管を接続するための内付け継手 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666460B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 Year of fee payment: 13 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080824 Year of fee payment: 14 |
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