JPH0653224A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0653224A JPH0653224A JP4203725A JP20372592A JPH0653224A JP H0653224 A JPH0653224 A JP H0653224A JP 4203725 A JP4203725 A JP 4203725A JP 20372592 A JP20372592 A JP 20372592A JP H0653224 A JPH0653224 A JP H0653224A
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- Japan
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- emitter region
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- emitter
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
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- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、半導体装置、特に、三重拡散に
よって構成され、エミッタ領域の中央部における電流集
中が緩和され、二次降伏破壊耐量等の電気的特性が改善
された半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 半導体基板Ｓ上には、ベース領域２が形成さ
れており、ベース領域２内には、エミッタ領域３が形成
されている。ベース領域２内のエミッタ領域３の外縁７
は、くし型である。ベース領域２をエミッタ領域３の内
側で露出させるための抜き部分４Ａは、エミッタ領域３
のくし型の外縁７近傍にまで拡がっている。抜き部分４
Ａの外形を、くし型の外縁７に沿って延びたくし型状と
しても良い。 【効果】 抜き部分４Ａとエミッタ領域３との間の接合
面が広くなり、電流集中が緩和される。
よって構成され、エミッタ領域の中央部における電流集
中が緩和され、二次降伏破壊耐量等の電気的特性が改善
された半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 半導体基板Ｓ上には、ベース領域２が形成さ
れており、ベース領域２内には、エミッタ領域３が形成
されている。ベース領域２内のエミッタ領域３の外縁７
は、くし型である。ベース領域２をエミッタ領域３の内
側で露出させるための抜き部分４Ａは、エミッタ領域３
のくし型の外縁７近傍にまで拡がっている。抜き部分４
Ａの外形を、くし型の外縁７に沿って延びたくし型状と
しても良い。 【効果】 抜き部分４Ａとエミッタ領域３との間の接合
面が広くなり、電流集中が緩和される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特に、
三重拡散によって構成されたパワートランジスタ等の半
導体装置に関するものである。
三重拡散によって構成されたパワートランジスタ等の半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の半導体装置例えば三重拡
散によって構成されたパワートランジスタを示す部分平
面図であり、半導体装置の半分を示している。図６は、
図５に示した半導体装置の側面断面図である。これらの
図において、一方の導電型例えばＮ-型の半導体基板Ｓ
の一方の主面例えば表面には、他方の導電型であるＰ型
のベース領域２が拡散により形成されており、このベー
ス領域２内には、Ｎ型のエミッタ領域３がやはり拡散に
より形成されている。ベース領域２及びエミッタ領域３
の一部上には、これらベース領域２とエミッタ領域３を
短絡する例えばアルミニウムのエミッタ電極６が形成さ
れ、このエミッタ電極６にエミッタ端子Ｅが接続されて
いる。露出したベース領域２上には、ベース電極９が形
成され、このベース電極９にベース端子Ｂが接続されて
いる。ベース電極９の周囲には、酸化膜層５が形成され
ている。ベース領域２とエミッタ領域３とは、交差指型
状であって、エミッタ領域３はくし型の外縁７を有して
いる。
散によって構成されたパワートランジスタを示す部分平
面図であり、半導体装置の半分を示している。図６は、
図５に示した半導体装置の側面断面図である。これらの
図において、一方の導電型例えばＮ-型の半導体基板Ｓ
の一方の主面例えば表面には、他方の導電型であるＰ型
のベース領域２が拡散により形成されており、このベー
ス領域２内には、Ｎ型のエミッタ領域３がやはり拡散に
より形成されている。ベース領域２及びエミッタ領域３
の一部上には、これらベース領域２とエミッタ領域３を
短絡する例えばアルミニウムのエミッタ電極６が形成さ
れ、このエミッタ電極６にエミッタ端子Ｅが接続されて
いる。露出したベース領域２上には、ベース電極９が形
成され、このベース電極９にベース端子Ｂが接続されて
いる。ベース電極９の周囲には、酸化膜層５が形成され
ている。ベース領域２とエミッタ領域３とは、交差指型
状であって、エミッタ領域３はくし型の外縁７を有して
いる。
【０００３】エミッタ領域３のほぼ中央には、ベース領
域２が露出した部分である抜き部分４が形成されてい
る。この抜き部分４を形成することによって、半導体基
板Ｓの他方の主面である裏面に拡散により形成されたＮ
+型のコレクタ領域１と、ベース領域２との間にダイオ
ードＤを形成したり、ベース電極９とエミッタ電極６と
の間のベース領域２に抵抗Ｒを形成したりすることがで
きる。
域２が露出した部分である抜き部分４が形成されてい
る。この抜き部分４を形成することによって、半導体基
板Ｓの他方の主面である裏面に拡散により形成されたＮ
+型のコレクタ領域１と、ベース領域２との間にダイオ
ードＤを形成したり、ベース電極９とエミッタ電極６と
の間のベース領域２に抵抗Ｒを形成したりすることがで
きる。
【０００４】従来の半導体装置は上述したように構成さ
れ、まず、ベース領域２を半導体基板Ｓの一面に拡散に
より形成し、このベース領域２内にエミッタ領域３を拡
散により形成する。これらのベース領域２及びエミッタ
領域３と、半導体基板Ｓの裏面に拡散により形成された
コレクタ領域１とでトランジスタが形成され、コレクタ
領域１−ベース領域２間にはダイオードＤが、ベース領
域２には抵抗Ｒが形成される。その際、ベース領域２−
エミッタ領域３間の接合面の面積を大きくするように、
抜き部分４が形成される。抜き部分４は、ベース領域２
が表面に現れた部分であり、電気的にはエミッタ電極６
によってエミッタ領域３と短絡されている。
れ、まず、ベース領域２を半導体基板Ｓの一面に拡散に
より形成し、このベース領域２内にエミッタ領域３を拡
散により形成する。これらのベース領域２及びエミッタ
領域３と、半導体基板Ｓの裏面に拡散により形成された
コレクタ領域１とでトランジスタが形成され、コレクタ
領域１−ベース領域２間にはダイオードＤが、ベース領
域２には抵抗Ｒが形成される。その際、ベース領域２−
エミッタ領域３間の接合面の面積を大きくするように、
抜き部分４が形成される。抜き部分４は、ベース領域２
が表面に現れた部分であり、電気的にはエミッタ電極６
によってエミッタ領域３と短絡されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような三重拡
散によって構成された半導体装置では、エミッタ領域３
の抜き部分４の大きさが充分でないため、実動作時にお
ける電流集中がエミッタ領域３中央部の抜き部分４で起
こり、実質上、エミッタ有効動作領域を小さくし、トラ
ンジスタとしての特性（ｈFE）に多大な悪影響を及ぼす
という問題点があった。また、トランジスタの二次降伏
破壊耐量（ＥS/B破壊耐量）を小さくする原因の１つに
なっているという問題点があった。この発明は、このよ
うな問題点を解決するためになされたもので、二次降伏
破壊耐量等の特性を向上させた高品質な半導体装置を得
ることを目的とする。
散によって構成された半導体装置では、エミッタ領域３
の抜き部分４の大きさが充分でないため、実動作時にお
ける電流集中がエミッタ領域３中央部の抜き部分４で起
こり、実質上、エミッタ有効動作領域を小さくし、トラ
ンジスタとしての特性（ｈFE）に多大な悪影響を及ぼす
という問題点があった。また、トランジスタの二次降伏
破壊耐量（ＥS/B破壊耐量）を小さくする原因の１つに
なっているという問題点があった。この発明は、このよ
うな問題点を解決するためになされたもので、二次降伏
破壊耐量等の特性を向上させた高品質な半導体装置を得
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体装置は、半導体基板の裏面に設けられたコ
レクタ領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース
領域と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエ
ミッタ領域と、このエミッタ領域内のほぼ中央に形成さ
れて上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有する半
導体装置であって、上記抜き部分は、上記エミッタ領域
の上記外縁近傍にまで拡げられて上記抜き部分での電流
集中を緩和させたものである。
に係る半導体装置は、半導体基板の裏面に設けられたコ
レクタ領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース
領域と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエ
ミッタ領域と、このエミッタ領域内のほぼ中央に形成さ
れて上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有する半
導体装置であって、上記抜き部分は、上記エミッタ領域
の上記外縁近傍にまで拡げられて上記抜き部分での電流
集中を緩和させたものである。
【０００７】この発明の請求項第２項に係る半導体装置
は、半導体基板の裏面に設けられたコレクタ領域と、半
導体基板の主表面に形成されたベース領域と、このベー
ス領域内に形成されて外縁を有するエミッタ領域と、こ
のエミッタ領域で上記ベース領域を露出させる抜き部分
とを有する半導体装置であって、上記エミッタ領域の上
記外縁は、くし型状に形成され、上記抜き部分は、上記
エミッタ領域の上記くし型状の外縁に沿って延びるくし
型状の外形を有して上記抜き部分での電流集中を緩和さ
せたものである。
は、半導体基板の裏面に設けられたコレクタ領域と、半
導体基板の主表面に形成されたベース領域と、このベー
ス領域内に形成されて外縁を有するエミッタ領域と、こ
のエミッタ領域で上記ベース領域を露出させる抜き部分
とを有する半導体装置であって、上記エミッタ領域の上
記外縁は、くし型状に形成され、上記抜き部分は、上記
エミッタ領域の上記くし型状の外縁に沿って延びるくし
型状の外形を有して上記抜き部分での電流集中を緩和さ
せたものである。
【０００８】
【作用】この発明の請求項第１項においては、抜き部分
がエミッタ領域のくし型の外縁近傍にまで拡がっている
ので、抜き部分とエミッタ領域との接合面が広くなり、
この接合面における電流の集中を緩和する。
がエミッタ領域のくし型の外縁近傍にまで拡がっている
ので、抜き部分とエミッタ領域との接合面が広くなり、
この接合面における電流の集中を緩和する。
【０００９】この発明の請求項第２項においては、抜き
部分がエミッタ領域のくし型の外縁に沿ってくしの歯の
間にまで入り込んで延びた外形を有しているので、エミ
ッタ領域と抜き部分との間の接合面がさらに広くなり、
エミッタ領域の中央部で発生する電流集中をさらに緩和
する。
部分がエミッタ領域のくし型の外縁に沿ってくしの歯の
間にまで入り込んで延びた外形を有しているので、エミ
ッタ領域と抜き部分との間の接合面がさらに広くなり、
エミッタ領域の中央部で発生する電流集中をさらに緩和
する。
【００１０】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による半導体装
置例えば三重拡散によって構成されたパワートランジス
タを示す部分平面図であり、半導体装置の半分を示して
いる。図２は図１に示した半導体装置の側面断面図であ
る。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示し
ている。これらの図において、抜き部分４Ａはくし型の
くしの歯の先端部近傍まで拡大して形成されており、凸
部８を有している。このように、この実施例において
は、抜き部分４Ａはエミッタ領域３の外縁７近傍にまで
拡げられている。
置例えば三重拡散によって構成されたパワートランジス
タを示す部分平面図であり、半導体装置の半分を示して
いる。図２は図１に示した半導体装置の側面断面図であ
る。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示し
ている。これらの図において、抜き部分４Ａはくし型の
くしの歯の先端部近傍まで拡大して形成されており、凸
部８を有している。このように、この実施例において
は、抜き部分４Ａはエミッタ領域３の外縁７近傍にまで
拡げられている。
【００１１】上述したように構成された半導体装置にお
いては、凸部８を有し拡大された抜き部分４Ａが形成さ
れているので、ベース領域２とエミッタ領域３との接合
面の面積が大きくなり、エミッタ領域３の中央部で抜き
部分４Ａとの接合面に発生する電流集中を緩和すること
ができる。従って、エミッタ領域３と抜き部分４Ａとの
間の接合面における電流集中に起因する半導体装置の特
性悪化を防止でき、エミッタ有効動作領域を拡大しトラ
ンジスタとしての特性（ｈFE）を改善し、二次降伏破壊
耐量を増大することができ、高品質な半導体装置を得る
ことができる。
いては、凸部８を有し拡大された抜き部分４Ａが形成さ
れているので、ベース領域２とエミッタ領域３との接合
面の面積が大きくなり、エミッタ領域３の中央部で抜き
部分４Ａとの接合面に発生する電流集中を緩和すること
ができる。従って、エミッタ領域３と抜き部分４Ａとの
間の接合面における電流集中に起因する半導体装置の特
性悪化を防止でき、エミッタ有効動作領域を拡大しトラ
ンジスタとしての特性（ｈFE）を改善し、二次降伏破壊
耐量を増大することができ、高品質な半導体装置を得る
ことができる。
【００１２】図３は、この発明の他の実施例による半導
体装置を示す部分平面図であり、半導体装置の半分を示
している。図４は、図３に示した半導体装置の側面断面
図である。これらの図において、抜き部分４Ｂは、エミ
ッタ領域３のくし型の外縁７に沿って、くしの歯の間に
まで入り込んで延びた外形を有している。これによっ
て、エミッタ領域３を縮小した形状となり、エミッタ領
域３と抜き部分４Ｂとの間の接合面がさらに広くなり、
エミッタ領域３の中央部で発生する電流集中をさらに緩
和することができ、半導体装置の電気的特性を一層改善
することができる。
体装置を示す部分平面図であり、半導体装置の半分を示
している。図４は、図３に示した半導体装置の側面断面
図である。これらの図において、抜き部分４Ｂは、エミ
ッタ領域３のくし型の外縁７に沿って、くしの歯の間に
まで入り込んで延びた外形を有している。これによっ
て、エミッタ領域３を縮小した形状となり、エミッタ領
域３と抜き部分４Ｂとの間の接合面がさらに広くなり、
エミッタ領域３の中央部で発生する電流集中をさらに緩
和することができ、半導体装置の電気的特性を一層改善
することができる。
【００１３】なお、上述した実施例では、抜き部分の形
状として、図１及び図３に示すものを使用したが、これ
らの抜き部分４Ａ、４Ｂの形状に限定されず、長方形
や、凸部８が複数あるもの等種々の形状とすることがで
きる。
状として、図１及び図３に示すものを使用したが、これ
らの抜き部分４Ａ、４Ｂの形状に限定されず、長方形
や、凸部８が複数あるもの等種々の形状とすることがで
きる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項に係る発明は、半導体基板の裏面に設けられたコ
レクタ領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース
領域と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエ
ミッタ領域と、このエミッタ領域内のほぼ中央に形成さ
れて上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有する半
導体装置であって、上記抜き部分は、上記エミッタ領域
の上記外縁近傍にまで拡げられて上記抜き部分での電流
集中を緩和させたので、エミッタ有効動作領域を大きく
することができると共に、二次降伏破壊耐量等の半導体
装置の電気的特性を改善することができるという効果を
奏する。
第１項に係る発明は、半導体基板の裏面に設けられたコ
レクタ領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース
領域と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエ
ミッタ領域と、このエミッタ領域内のほぼ中央に形成さ
れて上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有する半
導体装置であって、上記抜き部分は、上記エミッタ領域
の上記外縁近傍にまで拡げられて上記抜き部分での電流
集中を緩和させたので、エミッタ有効動作領域を大きく
することができると共に、二次降伏破壊耐量等の半導体
装置の電気的特性を改善することができるという効果を
奏する。
【００１５】この発明の請求項第２項に係る発明は、半
導体基板の裏面に設けられたコレクタ領域と、半導体基
板の主表面に形成されたベース領域と、このベース領域
内に形成されて外縁を有するエミッタ領域と、このエミ
ッタ領域で上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有
する半導体装置であって、上記エミッタ領域の上記外縁
は、くし型状に形成され、上記抜き部分は、上記エミッ
タ領域の上記くし型状の外縁に沿って延びるくし型状の
外形を有して上記抜き部分での電流集中をさらに緩和さ
せたので、エミッタ有効動作領域を大きくすることがで
きると共に、二次降伏破壊耐量等の半導体装置の電気的
特性を一層改善することができるという効果を奏する。
導体基板の裏面に設けられたコレクタ領域と、半導体基
板の主表面に形成されたベース領域と、このベース領域
内に形成されて外縁を有するエミッタ領域と、このエミ
ッタ領域で上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有
する半導体装置であって、上記エミッタ領域の上記外縁
は、くし型状に形成され、上記抜き部分は、上記エミッ
タ領域の上記くし型状の外縁に沿って延びるくし型状の
外形を有して上記抜き部分での電流集中をさらに緩和さ
せたので、エミッタ有効動作領域を大きくすることがで
きると共に、二次降伏破壊耐量等の半導体装置の電気的
特性を一層改善することができるという効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置を示す部
分平面図である。
分平面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の側面断面図である。
【図３】この発明の他の実施例による半導体装置を示す
部分平面図である。
部分平面図である。
【図４】図３に示した半導体装置の側面断面図である。
【図５】従来の半導体装置を示す部分平面図である。
【図６】図５に示した半導体装置の側面断面図である。
１ コレクタ領域 ２ ベース領域 ３ エミッタ領域 ４Ａ、４Ｂ 抜き部分 ５ 酸化膜層 ６ アルミニウム電極層 ７ 外縁 ８ 凸部 Ｂ ベース電極 Ｃ コレクタ電極 Ｅ エミッタ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の裏面に設けられたコレクタ
領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース領域
と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエミッ
タ領域と、このエミッタ領域内のほぼ中央に形成されて
上記ベース領域を露出させる抜き部分とを有する半導体
装置であって、 上記抜き部分は、上記エミッタ領域の上記外縁近傍にま
で拡げられて上記抜き部分での電流集中を緩和させたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板の裏面に設けられたコレクタ
領域と、半導体基板の主表面に形成されたベース領域
と、このベース領域内に形成されて外縁を有するエミッ
タ領域と、このエミッタ領域で上記ベース領域を露出さ
せる抜き部分とを有する半導体装置であって、 上記エミッタ領域の上記外縁は、くし型状に形成され、
上記抜き部分は、上記エミッタ領域の上記くし型状の外
縁に沿って延びるくし型状の外形を有して上記抜き部分
での電流集中を緩和させたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203725A JPH0653224A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
| US08/088,054 US5369298A (en) | 1992-07-30 | 1993-07-08 | Bipolar transistor having an emitter with interdigitated comb-shaped inner and outer edger |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203725A JPH0653224A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653224A true JPH0653224A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16478822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203725A Pending JPH0653224A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5369298A (ja) |
| JP (1) | JPH0653224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437133A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种耐二次击穿的功率双极晶体管 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3253468B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2002-02-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| EP0878848A1 (en) * | 1997-05-16 | 1998-11-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Vertical bipolar semiconductor power transistor with an interdigitised geometry, with optimisation of the base-to-emitter potential difference |
| US5936284A (en) * | 1997-11-03 | 1999-08-10 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Electrostatic discharge protection circuit and transistor |
| KR100340648B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2002-06-20 | 염병렬 | 바이폴라 트랜지스터 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102065A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US977020A (en) * | 1910-07-21 | 1910-11-29 | Charles Lakosky | Rail-joint. |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203725A patent/JPH0653224A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-08 US US08/088,054 patent/US5369298A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102065A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437133A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种耐二次击穿的功率双极晶体管 |
| CN113437133B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-07-22 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种耐二次击穿的功率双极晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5369298A (en) | 1994-11-29 |
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