JPS59147452A - 半導体抵抗装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はＪＣ（″＋！−導体集積回路装置）に内蔵する
抵抗、特にピンチ抵抗装置に関する。

〔背景技術〕

バイポーラ型ＩＣにおいて抵抗を形成する場合、バイポ
ーラトランジスタのベース拡散領域やエミッタ拡散領域
をそのまま抵抗として使用する以外に、第１図に示すよ
うにベース拡散領域２の上にエミッタ拡散領域３を重ね
て、基体１とエミッタ拡散領域３とにはさまれたベース
拡ｉｔ領域を高抵抗のピンチ抵抗Ｒとして利用すること
（↓知られている。このピンチ抵抗Ｒはベース拡散領域
の両端部に電極Ａ、Ｂを設けて端子とし、ベース拡散領
域の電位のバランスをとるためにエミッタ拡散領域の一
部に電極Ｃを設けてここから高電位（ＶＣＣ）に接続す
るようにしている。

この電位Ｃは通常ベース拡散領域２とエミッタ拡散領域
３と重なった部分に設けられているがエミッタ拡散領域
表面に接触させた電極のＡ［（アルミニウム）が基体の
Ｓｉ（シリコン）と合金してＡｌが拡散領域内に深く入
りこみ、ベース拡散領域２との境界部４に電界集中しゃ
すく耐圧の低下を来たすことが問題となった。

〔発明の目的〕

本発明は上記問題を解決するためのものであり、その目
的は抵抗を有する半導体装置の破壊防止（破壊強度の向
上）高品質化にあろう 〔発明の概要〕 ト記目的を達成するための本発明はピンチ抵抗装置にお
いて、エミッタ拡散領域からの高電位取り出し電極をベ
ース拡散領域からずらせた位置に設けることによって、
電砿直下で電界を緩和し、破壊強度の向−４にを可能と
するものであろっ〔実施例〕 第２図〜第４図は接合アイソレーション部による一つの
半導体の島領域内のピンチ抵抗に本発明を適用１７た場
合の一実施例を示す。このうち、第２図は平面図であり
、第３図、第４図は第２図におけるｘ−ｘ’切断面及び
Ｙ−Ｙ’切断面を示１ものであろう 同図において、５はｐ−型Ｓｉ基板（サブストレート）
、１はこの基板の上にエピタキシャル成長させたｎ型Ｓ
１層（Ｓｉ基体）、２はｐ型ベース拡散領域でその両端
に電極Ａ、Ｂが設けられる。

３はｍｌ型エミ’７タ拡散領域で第２図に示すようにベ
ース領域より横（水平方向）にはみ出すように広く形成
し、はみ出した部分に電極Ｃをコンタクトさせている。

同図において、６はｐ型拡散によるアイソレーション部
、７はｎ＋型埋込層、８はベースエミッタ拡散時に生成
された酸化膜（Ｓ　ｉ　Ｏｔ膜短ある。

〔効果〕

このようなピンチ抵抗においＣは、エミ、ツタ拡Ｐ１．
ｎ＋型領域よりの電極Ｃのコンタクトの位置をベース拡
散領域から外へずらせることにより、第４図で示すよう
に′ＷＬ極ＣのＡｋがＳ１中に合金化したとしても、電
極Ｃ直下部（４）にはｐ型ベース拡散領域による接合部
が存在せず、同じ導電型の＋１型工ピタキシヤル層１と
隣り合うものであるため、電界の集中がなく破壊強度の
向上が実現できる。

以上実施例で述べた本発明によればピンチ抵抗において
高電位となる領域におけろ破壊強度の向上が可能であり
、リーク電流対策としても有効であり、半導体装置の高
信頼性、高品質化に寄与できる。本発明によるピンチ抵
抗の形成は、拡散マスクのパターンを代えるだけでよく
、従来の製造プロセスをそのまま使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこれまでのピンチ抵抗の一例を示す縦断面図で
ある。 第２図〜第４図は本発明によるピンチ抵抗の一実施例を
示し、このうち、第２図は平面図、第３図は第２図にお
けるｘ−ｘ’切断断面図、第４図は同じ＜Ｙ−Ｙ’切断
断面図である。 １・・・半導体基体、２・・・ベース拡散領域、３・・
・エミッタ拡散領域、４・・・耐圧低下部、５・・・ｐ
型基板、６−・・アイソレーション部、７・・・埋込層
、８・・・酸化膜。 ＝２７６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第１導電型半導体基体の表面に第２導電型領域が形
   成され上記第２導電型領域の表面の一部および上記基体
   の表面の一部にわたって第１導電型高濃度領域が形成さ
   れ、上記基体と第１導電型高濃度領域にはさまれた第２
   導電型領域を抵抗領域とした半導体抵抗装置であって、
   上記第１導電型高濃度領域からの電極取り出し部を第２
   導電型領域からずらせた位置に設けることを特徴とする
   半導体抵抗装置。