JPH0432754Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はラテラル形トランジスタ、特に半導体
集積回路に組み込むラテラル型トランジスタの改
良に関する。

(ロ) 従来技術 第４図に従来のマルチコレクタを有するラテラ
ル型トランジスタを示す、１はＰ型半導体基板上
に積層されたＮ型エピタキシヤル層を島状にPN
分離されて形成される島領域であり、ラテラル型
トランジスタのベース領域となる。２はP⁺型の
エミツタ領域、３，４はP⁺型の第１および第２
コレクタ領域である。５はベース領域１のオーミ
ツク接触を得るためのN⁺型のコレクタ領域であ
る。

斯上したマルチコレクタを有するラテラル型ト
ランジスタはエミツタ領域２の周囲を第１および
第２のコレクタ領域３，４で取り囲み、第１およ
び第２のコレクタ領域３，４のエミツタ領域２を
囲む周囲長比で電流比を決定する。たとえば第１
および第２のコレクタ領域３，４のパターンを
１：１に形成すると、そのコレクタ電流比も１：
１となる。これによりコレクタ電流をマルチコレ
クタのパターン比で所望の比に分割できることが
できる。

しかしながら、従来のマルチコレクタを有する
ラテラル型トランジスタでは、第１および第２の
コレクタ領域３，４の電位が最も低いため、第１
および第２のコレクタ領域３，４の離間した部分
のエピキシヤル層表面に反転層が生成される。こ
の反転層は極めて不安定であるため、第１または
第２コレクタ領域３，４のどちらの空乏層と一体
化するかは分からない。そのため、反転層で捕獲
したキヤリアがどちらのコレクタ電流になるかが
不安定であるため、電流比が崩れてしまう。ま
た、第１および第２コレクタ領域３，４が反転層
で接続された状態でも、どたらのコレクタ電流に
なるかが不安定であるため、同様の現象が生じ
る。

そこで、本考案者は第５図に示すように、第１
および第２のコレクタ領域３，４間に高濃度拡散
領域６を設け、コレクタ領域３，４からの空乏層
の拡がりを規制したラテラル型トランジスタを提
案した（特願昭58−91177号に詳しい。）。

ところが、上述したラテラル型トランジスタ
は、第１および第２のコレクタ領域３，４に高濃
度拡散領域６を設けるため、トランジスタの耐圧
が下がると共に、パターン面積も大きくなるなど
の難点があつた。

(ハ) 考案の目的 本考案は斯る欠点に鑑みてなされ、従来の欠点
を大巾に改善したマルチコレクタを有するラテラ
ル型トランジスタを提供することになる。

(ニ) 考案の構成 本考案に依るラテラル型トランジスタは、ベー
ス領域１３と、ベース領域１３表面に設けられた
エミツタ領域１５と、エミツタ領域１５を取り囲
む複数個のコレクタ領域１６，１７とを備え、コ
レクタ領域１６，１７間のベース領域１３表面上
にエミツタ電極２０をコレクタ領域１６，１７の
横方向拡散量より外側まで延在せしめたことを特
徴とする。

(ホ) 実施例 以下、本考案の一実施例を第１図ないし第３図
に従い説明する。第１図は本考案によるマルチコ
レクタを有するラテラル型トランジスタを示す平
面図、第２図は第１図の−線断面図、第３図
は第１図の−線断面図である。

これらの図において、１０はＰ型半導体基板、
１１は半導体基板１０上に積層されたＮ型のエピ
タキシヤル層であり、このエピタキンヤル層１１
をP⁺型の分離領域１２で島状に分離して島領域
１３が形成され、この島領域１３がラテラル型ト
ランジスタのベース領域１３として働く。１４は
島領域１３の底面に埋め込まれたN⁺型の埋め込
み層である。１５はP⁺型のエミツタ領域、１６，
１７はP⁺型の第１および第２のコレクタ領域で
あり、共に同時に選択拡散して形成される。１８
はベース領域１３にオーミツク接触を得るための
N⁺型のコンタクト領域である。１９はエピタキ
シヤル層１１表面を被覆する酸化膜である。エミ
ツタ領域１５、第１および第２コレクタ領域１
６，１７およびベースコンタクト領域１８には
夫々斜線で示す部分にコンタクトを形成してい
る。２０はエミツタ領域１５にオーミツクコンタ
クトしたエミツタ電極、２１，２２はコレクタ領
域１６，１７にオーミツクコンタクトしたコレク
タ電極、２３はベースコンタクト領域１８にオー
ミツクコンタクトしたベース電極である。

さて、本考案によるラテラル型トランジスタ
は、エミツタ電極２０をコレクタ領域１６，１７
間のベース領域１３表面上の酸化膜１９上に配設
し、このエミツタ電極２０をコレクタ領域１６，
１７の横方向拡散量よりも外側まで延在せしめた
ことにある。すなわち、コレクタ領域１６，１７
間の反転層が生成されるベース領域１３上に最高
電位にあるエミツタ電極２０が配設されている。

而して、本考案のラテラル型トランジスタによ
れば、最も電位の高いエミツタ電極２０で、第１
および第２コレクタ領域１６，１７間のベース領
域１３上を覆つているので、ベース領域１３表面
の表面再結合電流が抑制され、反転層の生成を防
止することができる。従つて、第１および第２コ
レクタ領域１６，１７が接続するおそれはなく、
回路動作に支障をきたすことはない。

(ヘ) 考案の効果 以上説明したように、本考案に依れば、マルチ
コレクタ領域の各領域間のベース領域表面の反転
層の生成を防止でき、各領域間が接続するおそれ
がなくなり、反転層で捕獲されるキヤリアがなく
なるので、各コレクタ領域１６，１７のパターン
サイズに従つた電流比を正確に保つことができ
る。また、チヤンネルストツパなど特別に設ける
必要もないので、耐圧も低下せずに且つ集積化を
図ることができるなどその実用的効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本考案の一実施例を示
し、第１図は本考案によるマルチコレクタを有す
るラテラル型トランジスタを示す平面図、第２図
は第１図の−線断面図、第３図は第１図の
−線断面図である。第４図および第５図は夫々
従来のマルチコレクタを有するラテラル型トラン
ジスタを示す平面図である。 １３，１……ベース領域、１５，２……エミツ
タ領域、１６，３……第１コレクタ領域、１７，
４……第２コレクタ領域、１８，５……ベースコ
ンタクト領域、２０……エミツタ電極、２１，２
２……コレクタ電極、２３……ベース電極。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ベース領域表面に設けたエミツタ領域と、この
   エミツタ領域をほぼ等距離で囲む複数個のコレク
   タ領域とを備え、前記コレクタ領域の長さの比で
   コレクタ電流の比を所望の値に設定するラテラル
   形トランジスタにおいて、 前記エミツタ領域とコレクタ領域との間のベー
   ス領域表面、および前記コレクタ領域と前記コレ
   クタ領域とに挟まれたベース領域の表面上に、前
   記エミツタ領域にコンタクトするエミツタ電極を
   形成し、且つ前記コレクタ領域に挟まれたベース
   領域では前記コレクタ領域の横方向拡散量より外
   側まで前記エミツタ領域を拡張したことを特徴と
   するラテラル形トランジスタ。