JPS61207067A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｈｌ　　産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路（ＩＣ）に組込まれるバイポー
ラトランジスタの製造方法の改良に関する。

（ロ）従来の技術 従来のバイポーラトランジスタとしては、例えば特開昭
５９−２３４３号公報に記載されているものがある。

第２図はこのようなバイポーラトランジスタと回路構成
上必要になるツェナーダイオードとを形成した半導体集
積回路装置を示し、Ｐ型半導体基板（１１上のＮ＋＋埋
込層（２１となるべき領域にＮ型不純物、例えばリンを
ドープし、気相によりＮ−Ｗエピタキシャル層（３）を
成長させる。次にエピタキシャル層１３）表面に選択拡
散法にてＰ型不純物、例えばボロンを拡散し、基板（１
）にまで達するＰ＋型分離領域（４）ｌ形成することに
より島状忙分離された島領域（５１（６１が形成される
。続いて所望の島領域＋６Ｊ　Ｋ　Ｐ型不純物を選択拡
散してＰ＋凰テアノード領域７）を形成する。さらにＰ
型不純物とＮ型不純物な順次選択拡散することによりＰ
型ベース領域（８）、ｐｍアノードコンタクト領域＋９
）、Ｎ＋型エミッタ領域ＱＯＩ、Ｎ＋＋コレクタコンタ
クト領域（１１）、Ｎ”屋カソード領域（１２１が形成
され、各々の領域上に電極（１５１（１６１・・・・・
・（１９を配設して半導体集積回路が製造される。

斯上した如く構成したトランジスタのｈ□値は、第１の
ベース領域（８）及びエミッタ領域（７）の不純物濃度
とベース幅（第２図図中に”Ｂ″で示す）により決定す
る。従って各々の島領域（５）に同時に形成する限り、
従来のトランジスタは何れもほぼ均一なｈ□値になる。

し→　発明が解決しようとする問題点 しかしながら、ユーザーの要求や回路構成上の必要性か
ら同一チップ上に複数の異るｈ□値をもつトランジスタ
を形成したい場合、従来のトランジスタではそれぞれの
ｈ□値ごとに拡散工程を追加しなければならず、同時に
は形成できないという欠点があった。

（ロ）問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、従来と全く変ら
ぬ拡散工程で同一チップ上に複数の異るｈｔｍｌ［をも
つトランジスタを同時に形成することを目的とし、回路
構成上必要となるツェナーダイオードのアノード領域＠
を形成するための拡散工程で第２のベース領域（至）を
設け、＠２０ベース領域（至）とエミッタ領域（ロ）と
の重畳面積を変化させることによりｈｒｍ値をコントロ
ールすることを特徴とする。

（ホ）作用 本発明ではアノード領域器を形成するための拡散工程で
同時に第２のベース領域■を形成するので、新たな拡散
工程を追加することなく同一チップ上に複数の異るｈ□
値をもつトランジスタを同時に形成できる。

（へ）実施例 以下本発明を一実施例について第１図（イ）〜（ロ）を
参照しながら詳細に説明する。

先ず第１図（イ）に示す如く、Ｐ型半導体基板（２１）
に選択拡散法によりＮ＋型型埋領領域となるべき領域に
リン・ヒ素等のＮ型不純物をドープし、基板ＱＤ上に気
相により例えば比抵抗１〜５（Ω−ｃＩＩＬ）程度の所
定の厚さのＮ−型エピタキシャル層のを形成し、エピタ
キシャル層（３）にポロン等のＰ型不純物を選択拡散し
てＰ＋型分離領域（財）を形成することにより島領域（
ハ）（２６１＠を形成する。

次いで第１図（ロ）に示す如く、通常の選択拡散法によ
りツェナーダイオードとｈ□値の低いトランジスタを形
成する島領域■（２）に坊散深さ４．７μ、不純物濃度
５．　ＯＸ　１０Ｉｏａ　ｔｍｓ　＠　ｃｒｒＬ−”　
　程度のＰ＋型第２のベース領域−とＰ＋型アノード領
域翰とを同時に形成する。この時第２のベース領域（至
）は後に形成するエミッタ領域（財）との重畳面積で所
定のｈ□値が得られるようにする。ｈＦｌ値のコントロ
ールについてはまた後に述べる。

次いで第１図（ハ）に示す如く、通常の選択拡散法によ
り島領域■＠（５）に拡散深さ２．３μ、不純物濃度５
．５　Ｘ　１０”　ａ　ｔｍｓ　ｍ　ｃｘ−”程度のＰ
型梁１のベース領域（至）ｃ３υ、Ｐ型アノードコンタ
クト領域Ｃ３２１を形成し、同様に通常の選択拡散法に
より島領域■■□□□に拡散深さ１．８μ、不純物濃度
１．０Ｘ１０ｔｌａ　ｔｍｓ　’　ｃＷＬ−’程度のＮ
＋＋エミッタ領域（ト）包）、Ｎ＋＋コレクタコンタク
ト領域Ｃ３５）（３６）、Ｎ＋＋カソード領域Ｃ３７）
を形成する。

次いで第１図に）に示す如く、各領域上の酸化膜（至）
に通常のフォト会リソグラフィ技術によりコンタクトホ
ールを形成し、蒸着若しくはスパッタ技術により例えば
アルミニウム膜を形成し、通常のフォト・リソグラフィ
技術により各電極Ｃ３１（４Ｇ・・・・・・顛を配設す
る。

而して、島領域器には最も高いｈ□値をもつトランジス
タが、島領域＠には第２のベース領域（至）により□低
いｈ□値をもつトランジスタが、島領域（イ）には回路
構成上必要になるツェナーダイオードが形成される。

本発明の最も特徴とする点は、アノード領域器を形成す
ると同時に第２のベース領域（至）を形成する点にある
。同時に形成することにより拡散工程を追加することな
く様々なｈ□値をもつトランジスタが併設できる。

即ち、第２のベース領域のの拡散深さが第１のベース領
域６１）より深く、ベース幅ＣＢ）が広いので、注入担
体の消滅による再結合電流が増加し、ｈ□値は通常のト
ランジスタより小さくなる。その値はエミッタ領域（９
）と第２のベース領域（至）との重畳面積により増減し
、重畳面積が犬となれば第２のベース領域時による影響
が大となるのでｈ□値は小となる。従って同一チップ上
で最も高いｈＦｌ値をもつトランジスタを第１のベース
領域■のみの構造とし、ｈ、１値が小さくなるに従って
重畳面積を犬とすれば同一チップ上に様々なｈｔｍ値を
もつトランジスタを同時に併設できる。

（ト）発明の詳細 な説明した如く、本発明によれば拡散工程を追加するこ
となく同一チップ上に様々な６１ｍ値をもつトランジス
タを同時に併設することができる。

従って本発明によればコストアップすることなく回路設
計の自由度が増し、ユーザーの要求にも即対応できる。

【図面の簡単な説明】

第１図印〜（ロ）は本発明による一実施例の製造方法を
説明するための断面図、第２図は従来例を説明するため
の断面図である。 主な図番の説明 のけＰ型半導体基板、　■（財）■は島領域、　■はＰ
＋型第２のベース領域、　（ハ）はＰ＋型アノード領域
、　（至）ｃ３】）はＰ型温１のベース領域、　（ト）
（財）はＮ　型エミッタ領域、（Ｂ）は第１のベース領
域ｒ３１）のベース幅、（Ｂ）は第２のベース領域（ハ
）のベース幅である。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　　佐　野　静　夫 味　　　　　　　　　　　　　　蛙 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）他領域とは電気的に絶縁された複数の島領域を有
   し、一つの前記島領域に二重に形成したバイポーラトラ
   ンジスタを構成する一導電型の第１のベース領域及び逆
   導電型のエミッタ領域と他の前記島領域に形成したツェ
   ナーダイオードを構成する一導電型半導体領域及び逆導
   電型半導体領域とを具備する半導体集積回路装置の製造
   方法であつて、前記一導電型半導体領域と同時に前記エ
   ミッタ領域と一部重畳し且つ前記第１のベース領域より
   深い第２のベース領域を形成する工程を含むことを特徴
   とする半導体集積回路装置の製造方法。