JPS62176163A - トランジスタの製造方法 - Google Patents
トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS62176163A JPS62176163A JP1709086A JP1709086A JPS62176163A JP S62176163 A JPS62176163 A JP S62176163A JP 1709086 A JP1709086 A JP 1709086A JP 1709086 A JP1709086 A JP 1709086A JP S62176163 A JPS62176163 A JP S62176163A
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- JP
- Japan
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- base
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- bonding pad
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板中のベース領域中に櫛歯状のエミ
ッタ領域が形成され、エミッタ領域の基部にボンディン
グパット部が設けられるトランジスタ製造方法に関する
。
ッタ領域が形成され、エミッタ領域の基部にボンディン
グパット部が設けられるトランジスタ製造方法に関する
。
電力用トランジスタにおいては、Ｎ、流容量を大きくす
るためエミッタ領域がベース領域内に入り組んだ構造を
存する。第２図はそのような構造を概念的に示したもの
で、Ｎ形シリコン基板１にＰ形のベース領域２を形成し
たのち、その中に櫛歯状のＮ形エミッタ領域３が形成さ
れる。基板１の残った部分がコレクタとなる。このよう
なトランジスタのエミッタ端子導体は、櫛歯の基部にあ
たる部分３１をボンディングパット部とし、ここに導線
をボンディングすることにより接続される。さらにスイ
ッチング速度を高める必要がある場合は、金などのライ
フタイムキラーを基板内に８００℃位の温度で拡散させ
ることもある。しかしこのようなトランジスタのヘース
・エミッタ間に逆バイアスを印加したときに起こる破壊
は、エミッタボンディングパット部３１近傍に多いこと
が知られている。これはエミッタ領域内の抵抗によりパ
ット部の近傍部に大きな電流が集中して破壊が起こるこ
とによるものと考えられる。
るためエミッタ領域がベース領域内に入り組んだ構造を
存する。第２図はそのような構造を概念的に示したもの
で、Ｎ形シリコン基板１にＰ形のベース領域２を形成し
たのち、その中に櫛歯状のＮ形エミッタ領域３が形成さ
れる。基板１の残った部分がコレクタとなる。このよう
なトランジスタのエミッタ端子導体は、櫛歯の基部にあ
たる部分３１をボンディングパット部とし、ここに導線
をボンディングすることにより接続される。さらにスイ
ッチング速度を高める必要がある場合は、金などのライ
フタイムキラーを基板内に８００℃位の温度で拡散させ
ることもある。しかしこのようなトランジスタのヘース
・エミッタ間に逆バイアスを印加したときに起こる破壊
は、エミッタボンディングパット部３１近傍に多いこと
が知られている。これはエミッタ領域内の抵抗によりパ
ット部の近傍部に大きな電流が集中して破壊が起こるこ
とによるものと考えられる。
本発明は、エミッタボンディングパット部近傍にベース
・エミッタ間逆バイアス印加時の起こる破壊を防止して
トランジスタのＲＢＳＯＡ （ベース・エミッタ逆バ
イアス時安全動作領域）を広くし、しかも電流増幅率、
飽和電圧などの低下を生じさせない製造方法を提供する
ことを目的とする。
・エミッタ間逆バイアス印加時の起こる破壊を防止して
トランジスタのＲＢＳＯＡ （ベース・エミッタ逆バ
イアス時安全動作領域）を広くし、しかも電流増幅率、
飽和電圧などの低下を生じさせない製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は、第一導電形の半導体基板内に第二導電形のベ
ース領域、さらにそのベース領域内にエミッタ領域を形
成後、少なくともベース領域を酸化膜により被覆し、そ
の酸化膜にエミッタボンディングパット部の近傍で広く
、遠ざがるにつれて狭い開口部を設け、その開口部を通
じてライフタイムキラーを半導体基板内に導入すること
により、エミッタボンディングパット部近傍部に流れる
電流をバント部より遠い部分に比し小さくし、さらにエ
ミッタ・ベース間逆バイアス印加時のキャリア消滅を遠
い部分より速くさせて上記の目的を達成するものである
。
ース領域、さらにそのベース領域内にエミッタ領域を形
成後、少なくともベース領域を酸化膜により被覆し、そ
の酸化膜にエミッタボンディングパット部の近傍で広く
、遠ざがるにつれて狭い開口部を設け、その開口部を通
じてライフタイムキラーを半導体基板内に導入すること
により、エミッタボンディングパット部近傍部に流れる
電流をバント部より遠い部分に比し小さくし、さらにエ
ミッタ・ベース間逆バイアス印加時のキャリア消滅を遠
い部分より速くさせて上記の目的を達成するものである
。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。従来と同様にＮ形シリ
コン基板１にＰ形ベース領域２を形成したのち、その中
に櫛歯状のＮ形エミフタ領域３が形成される。次いで基
板表面を酸化膜で被覆したのち、フォトリソグラフィ法
でその一部を除去するが、その除去部分４は、図に示す
ようにエミッタボンディングパット部３１近傍は広くエ
ミッタ・ベース接合に接近しており、遠くなるにつれて
狭く形成されている。さらに、この酸化膜開口部４を通
じてライフタイムキラーの金を拡散導入する。この結果
、金はエミッタボンディングパット部３１に近いベース
領域２に多く、遠いベース領域には少なく導入される。 従ってエミッタボンディングパット部３１に近いベース
領域２のライフタイムはエミッタとの接合近傍まで低下
し、エミッタ・ベース間逆バイアス印加時にこの部分に
流れる電流が抑制されるので、破壊が起こり難くなる。 なお、トランジスタのスイッチング速度が低くてもよい
場合は、パフ）部３１の近傍にのみ開口部を設けてもよ
い。 第３図は別の実施例を示しいわゆるメツシュエミッタ構
造のトランジスタの場合である。エミッタ領域３はベー
ス領域２内に格子状が形成され、その中に露出するベー
ス領域の上に被覆された酸化膜にはそれぞれ開口部４が
形成されている。この開口部４は、図から明らかなよう
にエミッタボンディングパット部３１に近づくにつれて
大きくされており、第１図の実施例と同様の効果を生ず
る。 この開口部４は、このあと上面に被着される破線で示し
たベース電極５のコンタクトホールとして役立つ、エミ
ッタ領域３の上にも酸化膜の開口部６が設けられ、これ
がやはり破線で示したエミッタ電極７のコンタクトホー
ルとして役立つ。
には同一の符号が付されている。従来と同様にＮ形シリ
コン基板１にＰ形ベース領域２を形成したのち、その中
に櫛歯状のＮ形エミフタ領域３が形成される。次いで基
板表面を酸化膜で被覆したのち、フォトリソグラフィ法
でその一部を除去するが、その除去部分４は、図に示す
ようにエミッタボンディングパット部３１近傍は広くエ
ミッタ・ベース接合に接近しており、遠くなるにつれて
狭く形成されている。さらに、この酸化膜開口部４を通
じてライフタイムキラーの金を拡散導入する。この結果
、金はエミッタボンディングパット部３１に近いベース
領域２に多く、遠いベース領域には少なく導入される。 従ってエミッタボンディングパット部３１に近いベース
領域２のライフタイムはエミッタとの接合近傍まで低下
し、エミッタ・ベース間逆バイアス印加時にこの部分に
流れる電流が抑制されるので、破壊が起こり難くなる。 なお、トランジスタのスイッチング速度が低くてもよい
場合は、パフ）部３１の近傍にのみ開口部を設けてもよ
い。 第３図は別の実施例を示しいわゆるメツシュエミッタ構
造のトランジスタの場合である。エミッタ領域３はベー
ス領域２内に格子状が形成され、その中に露出するベー
ス領域の上に被覆された酸化膜にはそれぞれ開口部４が
形成されている。この開口部４は、図から明らかなよう
にエミッタボンディングパット部３１に近づくにつれて
大きくされており、第１図の実施例と同様の効果を生ず
る。 この開口部４は、このあと上面に被着される破線で示し
たベース電極５のコンタクトホールとして役立つ、エミ
ッタ領域３の上にも酸化膜の開口部６が設けられ、これ
がやはり破線で示したエミッタ電極７のコンタクトホー
ルとして役立つ。
本発明によれば、エミッタボンディングパット部近傍に
おいて広い酸化膜開口部からライフタイムキラーを拡散
することにより、エミッタ・バイアス間逆バイアス印加
時のバット部近傍での電流集中が抑制され、ＲＢＳＯＡ
が向上する。またライフタイムキラーの尋人はエミッタ
ボンディングパット部近傍のみの局部的でも有効なので
、電流増幅率、飽和電圧への影響も小さくすることがで
きる。さらにエミッタ・ベース接合露出部上の酸化膜を
除去する必要がないため、パッシベーション効果が損な
われない利点もある。
おいて広い酸化膜開口部からライフタイムキラーを拡散
することにより、エミッタ・バイアス間逆バイアス印加
時のバット部近傍での電流集中が抑制され、ＲＢＳＯＡ
が向上する。またライフタイムキラーの尋人はエミッタ
ボンディングパット部近傍のみの局部的でも有効なので
、電流増幅率、飽和電圧への影響も小さくすることがで
きる。さらにエミッタ・ベース接合露出部上の酸化膜を
除去する必要がないため、パッシベーション効果が損な
われない利点もある。
第１図は本発明の一実施例によるトランジスタの平面図
、第２図は本発明を実施できるトランジスタの平面図、
第３図は本発明の異なる実施例によりトランジスタの要
部平面図である。 １：Ｎ形シリコン基板、２；Ｐ形ベース領域、３：Ｎ形
エミッタ頭域、４：酸化膜開口部、５：ベース電極、７
：エミ・ツタ電極。 −〇−へ ′、−６ １’、ｌ−、、、、、、、、＋
、第２図は本発明を実施できるトランジスタの平面図、
第３図は本発明の異なる実施例によりトランジスタの要
部平面図である。 １：Ｎ形シリコン基板、２；Ｐ形ベース領域、３：Ｎ形
エミッタ頭域、４：酸化膜開口部、５：ベース電極、７
：エミ・ツタ電極。 −〇−へ ′、−６ １’、ｌ−、、、、、、、、＋
Claims (1)
- １）ベース領域中に形成されるエミッタ領域が櫛歯状で
基部にボンディングパット部を有するトランジスタの製
造方法において、第一導電形の半導体基板内に第二導電
形のベース領域、さらに該ベース領域内にエミッタ領域
を形成後、少なくともベース領域を酸化膜により被覆し
、該酸化膜にエミッタボンディングパット部近傍で広く
、遠ざかるにつれて狭い開口部を設け、該開口部を通じ
てライフタイムキラーを半導体基板内に導入することを
特徴とするトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1709086A JPS62176163A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1709086A JPS62176163A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176163A true JPS62176163A (ja) | 1987-08-01 |
Family
ID=11934286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1709086A Pending JPS62176163A (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124255A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JPH01238061A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波トランジスタ |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP1709086A patent/JPS62176163A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124255A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JPH01238061A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波トランジスタ |
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