JPS59215771A - くし形エミツタトランジスタ - Google Patents

くし形エミツタトランジスタ

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JPS59215771A
JPS59215771A JP9119283A JP9119283A JPS59215771A JP S59215771 A JPS59215771 A JP S59215771A JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP S59215771 A JPS59215771 A JP S59215771A
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JP
Japan
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region
base
emitter
electrode
comb
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JP9119283A
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JPH0518255B2 (ja
Inventor
Makoto Tomita
真 富田
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NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 この発明は(し形エミッタ領域を有するトランジスタに
関する。
口、従来技術 トランジスタの特性で、特にbpg(直流電流増幅率)
特性やVCE (SAT )特性(飽和状態に□おける
コレクターエミッタ間の重圧特性)はエミッタ領域の周
回径を長(する程良好なものが得られる。そこで一般に
、トランジスタは、エミッタ領域の周回径をより長くす
るためくし形にしているが、このくし形トランジスタに
はまだ未解決の問題点が含まれている。
いま第1図及び第2図で(し形トランジスタペレットの
従来例を説明すると、(1)は半導体基板(1“)に例
えばN型不純物を拡散して形成したコレクタ領域、(2
)はコレクタ領域     −(1)内にP型不純物を
選択拡散して形成したベース領域、(3)はベース領域
(2)内に(し形&ミN型不純物を選択拡散して形成し
たエミッタ領域、(4)はコレクタ領域(1)の下面に
形成したコレクタ電極、(5)は基Ifj、(1’)上
に選択的に形成した絶縁膜、(6)及び(7)はベース
領域(2)上及び工°ミッタ領域(3)上に選択的に形
成したアルミニウム蒸着膜等によるベース電極及びエミ
ッタ領域である。エミッタ電極(7)はくし形エミッタ
領域(3)に対応したくし形で、幅広部分(7m)とく
し歯状の幅狭部分(7n)があり、幅広部分(7m)に
外部からアルミニウム線等の電極引出し用ワイヤ(図示
せず)がボンディングされる。
ところでトランジスタの特性で重要なものの1つにスイ
ッチング特性があるが、このスイッチング特性では、特
にオン状態からオフ状態に変化する際の降下時間Tfが
、上記くし形トランジスタにおいては次の理由により悪
い。即ちエミッタ接地で定常ベース電流IBを与えてオ
ン状態にした時のエミッタ領域(3)のキャリアはベー
ス領域(2)を経てコレクタ領域(1)へと流れ、この
オン状態から定常ベース電流IBを遮断して逆にステッ
プベース電流−IBを与えるとベース領域(2)内に残
留していたキャリアが引き出されると、オフ状態になり
、このターンオフ時のベース領域(2)内のキャリアの
流出速度がTfを決定する。一方エミッタ領域(3)は
エミッタ電極(7)と同様に幅広部(3m)と幅狭部(
3n)があって、幅広部(3m)の幅dにワイヤボンデ
ィングの必要上大きく設定される。そのためこのエミッ
タ領域(3)の幅広部(3m)の中央部分がベース領域
(2)から最も離れて、この中央部真下のベース領域(
2)内のキャリアがターンオフ時に少数キャリアとして
残って引出しがどうしても遅れる傾向にあり、これがT
fを長(してスイッチング特性を悪くする要因になって
いた。
このような(し形トランジスタのスイッチング特性を改
良するものとして、エミッタ領域の幅広部の中央部を選
択的に除去する等して非エミッタ領域化したものが提案
されている。しかし、このような改良対策は上述ターン
オフ時のベース領域内における少数キャリアを積極的に
除去する効果が無(、スイッチング特性改善策としては
不十分であった。
ハ3発明の目的 本発明はくし形トランジスタの特にスイッチング特性の
改善を目的とする。
二0発明の構成 本発明はくし形エミッタ領域の幅広部の1箇所或いは複
数箇所にエミッタ領域を囲うベース領域に連通ずるベー
スコンタクト部を選択形成すると共に、このベースコン
タクト部上を含めてベース電極を形成したことを特徴と
する。このようにすると、特にスイッチング特性のTf
は、ベースコンタクト部のキャリアバイパス効果で向上
し、またベースコンタクト部の追加分だけエミッタ領域
の周囲長が長くできて、他のhFE特性やVCE (S
AT )特性よりも向上させることができる。
ホ、実施例 本発明を第1図と同様プレーナ型のくし形エミンタトラ
ンジスタに適用した実施例を第3図乃至第5図に示すと
、(8)は半導体基板(8゛)に例えばN型不純物を拡
散して形成したコレクタ領域、(9)はコレクタ領域に
P型不純物の選択拡散で形成したベース領域、(1o)
はベース領域(9)にN型不純物の選択拡散で形成した
くし形エミッタ領域である。(11)はエミッタ領域(
10)の幅広部(10m)の例えば3箇所に選択的に形
成したベースコンタクト部で、これはベース領域(9)
に連通ずる。このベースコンタクト部(111−はエミ
ッタ領域(10)の形成時に部分的に非エミッタ領域を
形成する要領で形成すればよい。(12)はコレクタ電
極、(13)及び(14)は絶縁1! (15)と共に
次の要領で形成したベース電極及びエミッタ電極である
先ず第6図に示すように基板(8゛)に各領域(8)〜
(11)を形成した後、第7図に示すようにベース領域
(9)上に第1ベース電極(13a)を、エミッタ領域
(10)上に第1エミツタ電極(14a)を、及びベー
スコンタクト部(11)−・−上に第2ベース電極(1
3b)−・−を選択的に形成する。この形成は例えば基
板(8′)上全面にアルミニウム蒸着膜を形成した後、
これをPR法で選択的に除去することで行われる。次に
基板(8°)上全面に酸化膜による絶縁膜(15)を形
成してから、第8図に示すようにPR法で絶縁膜(15
)に第1ベース電極(13a)の図面での上半分の一部
と第2ベース電極(13b)とが覗く窓孔(16) −
は、第1エミツタ電極(14a)の図面での下半分の一
部が覗く窓孔(17) −を選択的に形成する。次に基
板(8”)上全面に再度アルミニウム蒸着膜を形成した
後、これをPR法で第9図に示すように図面の上下一部
を残して除去して第3ベース電極(13c)と第2エミ
ツタ電極(14b)を形成する。第3ベース電極(13
C)は窓孔(16) −を通して第1、第2ベース電極
(13a)、(13b)と電気的接続して全体でベース
電極(13)となる。また窓孔(17)を介して接続さ
れた第1、第2エミツタ電極(14a)(14b)でエ
ミッタ電41(14)が形成される。第3ベース電極(
13C)と第2エミツタ電極(14b )はボンディン
グバンド用のもので、各々は基板(8゛)上面を二分す
る程度の十分大きな面積で形成できるためワイヤポンデ
ィングが容易にできる。
上記実施例において、エミッタ領域(10)の周囲長は
第1図の従来例に比ベ−スコンタクト部(11) −・
の合計周囲長だけ長くなり、それだけhFE特性やVC
E (SAT )特性が良くなる。
またスイッチング特性のT「特性を考えると、この場合
ターンオフ時におけるベース領域(9)内の少数キャリ
アは近くのベースコンタクト部(11)−からベース電
極(13)に積極的に引かれて流出するのでTf待時間
短縮され、スイッチング特性が良好になる。
へ1発明の効果 以上の如く、本発明によればくし形エミッタトランジス
タのhFE特性、VCE (SAT )特性やスイッチ
ング特性の向上化が容易になり、特にスイッチング特性
のターンオフ時のTf改善効果に優れる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の(し形トランジスタの平面図
及びA−A線に沿う断面図、第3図及び第4図は本発明
の一実施例を示す平面図及びB−B線に沿う断面図、第
5図は第4図のC−C線に沿う断面図、第6図乃至第9
図は第3図のトランジスタの製造過程例を説明するため
の各平面図である。 (9) −ベース領域、(10)−・−エミッタ領域、
(IIL−ベースコンタクト部、(13) −ベース電
極。 昏(1図 U 如7− り−−−−−□

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  エミック電極のポンディングパッド部分下の
    くし形エミッタ領域の幅広部内に部分的に非エミッタ領
    域としたベースコンタクト部を形成すると共に、当該ベ
    ースコンタクト部上を含めてベース電極を形成したこと
    を特徴とするくし形エミッタトランジスタ。
JP9119283A 1983-05-23 1983-05-23 くし形エミツタトランジスタ Granted JPS59215771A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9119283A JPS59215771A (ja) 1983-05-23 1983-05-23 くし形エミツタトランジスタ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9119283A JPS59215771A (ja) 1983-05-23 1983-05-23 くし形エミツタトランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS59215771A true JPS59215771A (ja) 1984-12-05
JPH0518255B2 JPH0518255B2 (ja) 1993-03-11

Family

ID=14019573

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JP9119283A Granted JPS59215771A (ja) 1983-05-23 1983-05-23 くし形エミツタトランジスタ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106158930A (zh) * 2015-04-28 2016-11-23 北大方正集团有限公司 高频晶体管

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106158930A (zh) * 2015-04-28 2016-11-23 北大方正集团有限公司 高频晶体管
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