JPS59215771A - くし形エミツタトランジスタ - Google Patents
くし形エミツタトランジスタInfo
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- JPS59215771A JPS59215771A JP9119283A JP9119283A JPS59215771A JP S59215771 A JPS59215771 A JP S59215771A JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP S59215771 A JPS59215771 A JP S59215771A
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- Japan
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は（し形エミッタ領域を有するトランジスタに
関する。
関する。
口、従来技術
トランジスタの特性で、特にｂｐｇ（直流電流増幅率）
特性やＶＣＥ （ＳＡＴ ）特性（飽和状態に□おける
コレクターエミッタ間の重圧特性）はエミッタ領域の周
回径を長（する程良好なものが得られる。そこで一般に
、トランジスタは、エミッタ領域の周回径をより長くす
るためくし形にしているが、このくし形トランジスタに
はまだ未解決の問題点が含まれている。
特性やＶＣＥ （ＳＡＴ ）特性（飽和状態に□おける
コレクターエミッタ間の重圧特性）はエミッタ領域の周
回径を長（する程良好なものが得られる。そこで一般に
、トランジスタは、エミッタ領域の周回径をより長くす
るためくし形にしているが、このくし形トランジスタに
はまだ未解決の問題点が含まれている。
いま第１図及び第２図で（し形トランジスタペレットの
従来例を説明すると、（１）は半導体基板（１“）に例
えばＮ型不純物を拡散して形成したコレクタ領域、（２
）はコレクタ領域 −（１）内にＰ型不純物を
選択拡散して形成したベース領域、（３）はベース領域
（２）内に（し形＆ミＮ型不純物を選択拡散して形成し
たエミッタ領域、（４）はコレクタ領域（１）の下面に
形成したコレクタ電極、（５）は基Ｉｆｊ、（１’）上
に選択的に形成した絶縁膜、（６）及び（７）はベース
領域（２）上及び工°ミッタ領域（３）上に選択的に形
成したアルミニウム蒸着膜等によるベース電極及びエミ
ッタ領域である。エミッタ電極（７）はくし形エミッタ
領域（３）に対応したくし形で、幅広部分（７ｍ）とく
し歯状の幅狭部分（７ｎ）があり、幅広部分（７ｍ）に
外部からアルミニウム線等の電極引出し用ワイヤ（図示
せず）がボンディングされる。
従来例を説明すると、（１）は半導体基板（１“）に例
えばＮ型不純物を拡散して形成したコレクタ領域、（２
）はコレクタ領域 −（１）内にＰ型不純物を
選択拡散して形成したベース領域、（３）はベース領域
（２）内に（し形＆ミＮ型不純物を選択拡散して形成し
たエミッタ領域、（４）はコレクタ領域（１）の下面に
形成したコレクタ電極、（５）は基Ｉｆｊ、（１’）上
に選択的に形成した絶縁膜、（６）及び（７）はベース
領域（２）上及び工°ミッタ領域（３）上に選択的に形
成したアルミニウム蒸着膜等によるベース電極及びエミ
ッタ領域である。エミッタ電極（７）はくし形エミッタ
領域（３）に対応したくし形で、幅広部分（７ｍ）とく
し歯状の幅狭部分（７ｎ）があり、幅広部分（７ｍ）に
外部からアルミニウム線等の電極引出し用ワイヤ（図示
せず）がボンディングされる。
ところでトランジスタの特性で重要なものの１つにスイ
ッチング特性があるが、このスイッチング特性では、特
にオン状態からオフ状態に変化する際の降下時間Ｔｆが
、上記くし形トランジスタにおいては次の理由により悪
い。即ちエミッタ接地で定常ベース電流ＩＢを与えてオ
ン状態にした時のエミッタ領域（３）のキャリアはベー
ス領域（２）を経てコレクタ領域（１）へと流れ、この
オン状態から定常ベース電流ＩＢを遮断して逆にステッ
プベース電流−ＩＢを与えるとベース領域（２）内に残
留していたキャリアが引き出されると、オフ状態になり
、このターンオフ時のベース領域（２）内のキャリアの
流出速度がＴｆを決定する。一方エミッタ領域（３）は
エミッタ電極（７）と同様に幅広部（３ｍ）と幅狭部（
３ｎ）があって、幅広部（３ｍ）の幅ｄにワイヤボンデ
ィングの必要上大きく設定される。そのためこのエミッ
タ領域（３）の幅広部（３ｍ）の中央部分がベース領域
（２）から最も離れて、この中央部真下のベース領域（
２）内のキャリアがターンオフ時に少数キャリアとして
残って引出しがどうしても遅れる傾向にあり、これがＴ
ｆを長（してスイッチング特性を悪くする要因になって
いた。
ッチング特性があるが、このスイッチング特性では、特
にオン状態からオフ状態に変化する際の降下時間Ｔｆが
、上記くし形トランジスタにおいては次の理由により悪
い。即ちエミッタ接地で定常ベース電流ＩＢを与えてオ
ン状態にした時のエミッタ領域（３）のキャリアはベー
ス領域（２）を経てコレクタ領域（１）へと流れ、この
オン状態から定常ベース電流ＩＢを遮断して逆にステッ
プベース電流−ＩＢを与えるとベース領域（２）内に残
留していたキャリアが引き出されると、オフ状態になり
、このターンオフ時のベース領域（２）内のキャリアの
流出速度がＴｆを決定する。一方エミッタ領域（３）は
エミッタ電極（７）と同様に幅広部（３ｍ）と幅狭部（
３ｎ）があって、幅広部（３ｍ）の幅ｄにワイヤボンデ
ィングの必要上大きく設定される。そのためこのエミッ
タ領域（３）の幅広部（３ｍ）の中央部分がベース領域
（２）から最も離れて、この中央部真下のベース領域（
２）内のキャリアがターンオフ時に少数キャリアとして
残って引出しがどうしても遅れる傾向にあり、これがＴ
ｆを長（してスイッチング特性を悪くする要因になって
いた。
このような（し形トランジスタのスイッチング特性を改
良するものとして、エミッタ領域の幅広部の中央部を選
択的に除去する等して非エミッタ領域化したものが提案
されている。しかし、このような改良対策は上述ターン
オフ時のベース領域内における少数キャリアを積極的に
除去する効果が無（、スイッチング特性改善策としては
不十分であった。
良するものとして、エミッタ領域の幅広部の中央部を選
択的に除去する等して非エミッタ領域化したものが提案
されている。しかし、このような改良対策は上述ターン
オフ時のベース領域内における少数キャリアを積極的に
除去する効果が無（、スイッチング特性改善策としては
不十分であった。
ハ３発明の目的
本発明はくし形トランジスタの特にスイッチング特性の
改善を目的とする。
改善を目的とする。
二０発明の構成
本発明はくし形エミッタ領域の幅広部の１箇所或いは複
数箇所にエミッタ領域を囲うベース領域に連通ずるベー
スコンタクト部を選択形成すると共に、このベースコン
タクト部上を含めてベース電極を形成したことを特徴と
する。このようにすると、特にスイッチング特性のＴｆ
は、ベースコンタクト部のキャリアバイパス効果で向上
し、またベースコンタクト部の追加分だけエミッタ領域
の周囲長が長くできて、他のｈＦＥ特性やＶＣＥ （Ｓ
ＡＴ ）特性よりも向上させることができる。
数箇所にエミッタ領域を囲うベース領域に連通ずるベー
スコンタクト部を選択形成すると共に、このベースコン
タクト部上を含めてベース電極を形成したことを特徴と
する。このようにすると、特にスイッチング特性のＴｆ
は、ベースコンタクト部のキャリアバイパス効果で向上
し、またベースコンタクト部の追加分だけエミッタ領域
の周囲長が長くできて、他のｈＦＥ特性やＶＣＥ （Ｓ
ＡＴ ）特性よりも向上させることができる。
ホ、実施例
本発明を第１図と同様プレーナ型のくし形エミンタトラ
ンジスタに適用した実施例を第３図乃至第５図に示すと
、（８）は半導体基板（８゛）に例えばＮ型不純物を拡
散して形成したコレクタ領域、（９）はコレクタ領域に
Ｐ型不純物の選択拡散で形成したベース領域、（１ｏ）
はベース領域（９）にＮ型不純物の選択拡散で形成した
くし形エミッタ領域である。（１１）はエミッタ領域（
１０）の幅広部（１０ｍ）の例えば３箇所に選択的に形
成したベースコンタクト部で、これはベース領域（９）
に連通ずる。このベースコンタクト部（１１１−はエミ
ッタ領域（１０）の形成時に部分的に非エミッタ領域を
形成する要領で形成すればよい。（１２）はコレクタ電
極、（１３）及び（１４）は絶縁１！ （１５）と共に
次の要領で形成したベース電極及びエミッタ電極である
。
ンジスタに適用した実施例を第３図乃至第５図に示すと
、（８）は半導体基板（８゛）に例えばＮ型不純物を拡
散して形成したコレクタ領域、（９）はコレクタ領域に
Ｐ型不純物の選択拡散で形成したベース領域、（１ｏ）
はベース領域（９）にＮ型不純物の選択拡散で形成した
くし形エミッタ領域である。（１１）はエミッタ領域（
１０）の幅広部（１０ｍ）の例えば３箇所に選択的に形
成したベースコンタクト部で、これはベース領域（９）
に連通ずる。このベースコンタクト部（１１１−はエミ
ッタ領域（１０）の形成時に部分的に非エミッタ領域を
形成する要領で形成すればよい。（１２）はコレクタ電
極、（１３）及び（１４）は絶縁１！ （１５）と共に
次の要領で形成したベース電極及びエミッタ電極である
。
先ず第６図に示すように基板（８゛）に各領域（８）〜
（１１）を形成した後、第７図に示すようにベース領域
（９）上に第１ベース電極（１３ａ）を、エミッタ領域
（１０）上に第１エミツタ電極（１４ａ）を、及びベー
スコンタクト部（１１）−・−上に第２ベース電極（１
３ｂ）−・−を選択的に形成する。この形成は例えば基
板（８′）上全面にアルミニウム蒸着膜を形成した後、
これをＰＲ法で選択的に除去することで行われる。次に
基板（８°）上全面に酸化膜による絶縁膜（１５）を形
成してから、第８図に示すようにＰＲ法で絶縁膜（１５
）に第１ベース電極（１３ａ）の図面での上半分の一部
と第２ベース電極（１３ｂ）とが覗く窓孔（１６） −
は、第１エミツタ電極（１４ａ）の図面での下半分の一
部が覗く窓孔（１７） −を選択的に形成する。次に基
板（８”）上全面に再度アルミニウム蒸着膜を形成した
後、これをＰＲ法で第９図に示すように図面の上下一部
を残して除去して第３ベース電極（１３ｃ）と第２エミ
ツタ電極（１４ｂ）を形成する。第３ベース電極（１３
Ｃ）は窓孔（１６） −を通して第１、第２ベース電極
（１３ａ）、（１３ｂ）と電気的接続して全体でベース
電極（１３）となる。また窓孔（１７）を介して接続さ
れた第１、第２エミツタ電極（１４ａ）（１４ｂ）でエ
ミッタ電４１（１４）が形成される。第３ベース電極（
１３Ｃ）と第２エミツタ電極（１４ｂ ）はボンディン
グバンド用のもので、各々は基板（８゛）上面を二分す
る程度の十分大きな面積で形成できるためワイヤポンデ
ィングが容易にできる。
（１１）を形成した後、第７図に示すようにベース領域
（９）上に第１ベース電極（１３ａ）を、エミッタ領域
（１０）上に第１エミツタ電極（１４ａ）を、及びベー
スコンタクト部（１１）−・−上に第２ベース電極（１
３ｂ）−・−を選択的に形成する。この形成は例えば基
板（８′）上全面にアルミニウム蒸着膜を形成した後、
これをＰＲ法で選択的に除去することで行われる。次に
基板（８°）上全面に酸化膜による絶縁膜（１５）を形
成してから、第８図に示すようにＰＲ法で絶縁膜（１５
）に第１ベース電極（１３ａ）の図面での上半分の一部
と第２ベース電極（１３ｂ）とが覗く窓孔（１６） −
は、第１エミツタ電極（１４ａ）の図面での下半分の一
部が覗く窓孔（１７） −を選択的に形成する。次に基
板（８”）上全面に再度アルミニウム蒸着膜を形成した
後、これをＰＲ法で第９図に示すように図面の上下一部
を残して除去して第３ベース電極（１３ｃ）と第２エミ
ツタ電極（１４ｂ）を形成する。第３ベース電極（１３
Ｃ）は窓孔（１６） −を通して第１、第２ベース電極
（１３ａ）、（１３ｂ）と電気的接続して全体でベース
電極（１３）となる。また窓孔（１７）を介して接続さ
れた第１、第２エミツタ電極（１４ａ）（１４ｂ）でエ
ミッタ電４１（１４）が形成される。第３ベース電極（
１３Ｃ）と第２エミツタ電極（１４ｂ ）はボンディン
グバンド用のもので、各々は基板（８゛）上面を二分す
る程度の十分大きな面積で形成できるためワイヤポンデ
ィングが容易にできる。
上記実施例において、エミッタ領域（１０）の周囲長は
第１図の従来例に比ベ−スコンタクト部（１１） −・
の合計周囲長だけ長くなり、それだけｈＦＥ特性やＶＣ
Ｅ （ＳＡＴ ）特性が良くなる。
第１図の従来例に比ベ−スコンタクト部（１１） −・
の合計周囲長だけ長くなり、それだけｈＦＥ特性やＶＣ
Ｅ （ＳＡＴ ）特性が良くなる。
またスイッチング特性のＴ「特性を考えると、この場合
ターンオフ時におけるベース領域（９）内の少数キャリ
アは近くのベースコンタクト部（１１）−からベース電
極（１３）に積極的に引かれて流出するのでＴｆ待時間
短縮され、スイッチング特性が良好になる。
ターンオフ時におけるベース領域（９）内の少数キャリ
アは近くのベースコンタクト部（１１）−からベース電
極（１３）に積極的に引かれて流出するのでＴｆ待時間
短縮され、スイッチング特性が良好になる。
へ１発明の効果
以上の如く、本発明によればくし形エミッタトランジス
タのｈＦＥ特性、ＶＣＥ （ＳＡＴ ）特性やスイッチ
ング特性の向上化が容易になり、特にスイッチング特性
のターンオフ時のＴｆ改善効果に優れる。
タのｈＦＥ特性、ＶＣＥ （ＳＡＴ ）特性やスイッチ
ング特性の向上化が容易になり、特にスイッチング特性
のターンオフ時のＴｆ改善効果に優れる。
第１図及び第２図は従来の（し形トランジスタの平面図
及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び第４図は本発明
の一実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ線に沿う断面図、第
５図は第４図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第６図乃至第９
図は第３図のトランジスタの製造過程例を説明するため
の各平面図である。 （９） −ベース領域、（１０）−・−エミッタ領域、
（ＩＩＬ−ベースコンタクト部、（１３） −ベース電
極。 昏（１図 Ｕ 如７− り−−−−−□
及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び第４図は本発明
の一実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ線に沿う断面図、第
５図は第４図のＣ−Ｃ線に沿う断面図、第６図乃至第９
図は第３図のトランジスタの製造過程例を説明するため
の各平面図である。 （９） −ベース領域、（１０）−・−エミッタ領域、
（ＩＩＬ−ベースコンタクト部、（１３） −ベース電
極。 昏（１図 Ｕ 如７− り−−−−−□
Claims (1)
- （１） エミック電極のポンディングパッド部分下の
くし形エミッタ領域の幅広部内に部分的に非エミッタ領
域としたベースコンタクト部を形成すると共に、当該ベ
ースコンタクト部上を含めてベース電極を形成したこと
を特徴とするくし形エミッタトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119283A JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119283A JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215771A true JPS59215771A (ja) | 1984-12-05 |
| JPH0518255B2 JPH0518255B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14019573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119283A Granted JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106158930A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 北大方正集团有限公司 | 高频晶体管 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP9119283A patent/JPS59215771A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106158930A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 北大方正集团有限公司 | 高频晶体管 |
| CN106158930B (zh) * | 2015-04-28 | 2019-05-14 | 北大方正集团有限公司 | 高频晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518255B2 (ja) | 1993-03-11 |
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