JPH0518255B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0518255B2 JPH0518255B2 JP9119283A JP9119283A JPH0518255B2 JP H0518255 B2 JPH0518255 B2 JP H0518255B2 JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP 9119283 A JP9119283 A JP 9119283A JP H0518255 B2 JPH0518255 B2 JP H0518255B2
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- JP
- Japan
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- base
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- emitter
- comb
- electrode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
この発明はくし形エミツタ領域を有するトラン
ジスタに関する。
ジスタに関する。
ロ 従来技術
トランジスタの特性で、特にhFE（直流電流増
幅率）特性やVCE（SAT）特性（飽和状態におけ
るコレクターエミツタ間の電圧特性）はエミツタ
領域の周囲長を長くする程度良好なものが得られ
る。そこで一般に、トランジスタは、エミツタ領
域の周囲長をより長くするためくし形にしている
が、このくし形トランジスタにはまだ未解決の問
題点が含まれている。
幅率）特性やVCE（SAT）特性（飽和状態におけ
るコレクターエミツタ間の電圧特性）はエミツタ
領域の周囲長を長くする程度良好なものが得られ
る。そこで一般に、トランジスタは、エミツタ領
域の周囲長をより長くするためくし形にしている
が、このくし形トランジスタにはまだ未解決の問
題点が含まれている。
いま第１図及び第２図でくし形トランジスタペ
レツトの従来例を説明すると、１は半導体基板
１′に例えばＮ型不純物を拡散して形成したコレ
クタ領域、２はコレクタ領域１内にＰ型不純物を
選択拡散して形成したベース領域、３はベース領
域２内にくし形にＮ型不純物を選択拡散して形成
したエミツタ領域、４はコレクタ領域１の下面に
形成したコレクタ電極、５は基板１′上に選択的
に形成した絶縁膜、６及び７はベース領域２上及
びエミツタ領域３上に選択的に形成したアルミニ
ウム蒸着膜等によるベース電極及びエミツタ電極
である。エミツタ電極７はくし形エミツタ領域３
に対応したくし形で、幅広部分７ｍとくし歯状の
幅狭部分７ｎがあり、幅広部分７ｍに外部からア
ルミニウム線等の電極引出し用ワイヤ（図示せ
ず）がボンデイングされる。
レツトの従来例を説明すると、１は半導体基板
１′に例えばＮ型不純物を拡散して形成したコレ
クタ領域、２はコレクタ領域１内にＰ型不純物を
選択拡散して形成したベース領域、３はベース領
域２内にくし形にＮ型不純物を選択拡散して形成
したエミツタ領域、４はコレクタ領域１の下面に
形成したコレクタ電極、５は基板１′上に選択的
に形成した絶縁膜、６及び７はベース領域２上及
びエミツタ領域３上に選択的に形成したアルミニ
ウム蒸着膜等によるベース電極及びエミツタ電極
である。エミツタ電極７はくし形エミツタ領域３
に対応したくし形で、幅広部分７ｍとくし歯状の
幅狭部分７ｎがあり、幅広部分７ｍに外部からア
ルミニウム線等の電極引出し用ワイヤ（図示せ
ず）がボンデイングされる。
ところでトランジスタの特性で重要なものの１
つにスイツチング特性があるが、このスイツチン
グ特性では、特にオン状態からオフ状態に変化す
る際の降下時間Tfが、上記くし形トランジスタ
においては次の理由により悪い。即ちエミツタ接
地で定常ベース電流IBを与えてオン状態にした
時のエミツタ領域３のキヤリアはベース領域２を
経てコレクタ領域１へと流れ、このオン状態から
定常ベース電流IBを遮断して逆にステツプベー
ス電流−IBを与えるとベース領域２内に残留し
ていたキヤリアが引き出されると、オフ状態にな
り、このターンオフ時のベース領域２内のキヤリ
アの流出速度がTfを決定する。一方エミツタ領
域３はエミツタ電極７と同様に幅広部３ｍと幅狭
部３ｎがあつて、幅広部３ｍの幅ｄにワイヤボン
デイングの必要上大きく設定される。そのためこ
のエミツタ領域３の幅広部３ｍの中央部分がベー
ス領域２から最も離れて、この中央部真下のベー
ス領域２内のキヤリアがターンオフ時に小数キヤ
リアとして残つて引出しがどうしても遅れる傾向
にあり、これがTfを長くしてスイツチング特性
を悪くする要因になつていた。
つにスイツチング特性があるが、このスイツチン
グ特性では、特にオン状態からオフ状態に変化す
る際の降下時間Tfが、上記くし形トランジスタ
においては次の理由により悪い。即ちエミツタ接
地で定常ベース電流IBを与えてオン状態にした
時のエミツタ領域３のキヤリアはベース領域２を
経てコレクタ領域１へと流れ、このオン状態から
定常ベース電流IBを遮断して逆にステツプベー
ス電流−IBを与えるとベース領域２内に残留し
ていたキヤリアが引き出されると、オフ状態にな
り、このターンオフ時のベース領域２内のキヤリ
アの流出速度がTfを決定する。一方エミツタ領
域３はエミツタ電極７と同様に幅広部３ｍと幅狭
部３ｎがあつて、幅広部３ｍの幅ｄにワイヤボン
デイングの必要上大きく設定される。そのためこ
のエミツタ領域３の幅広部３ｍの中央部分がベー
ス領域２から最も離れて、この中央部真下のベー
ス領域２内のキヤリアがターンオフ時に小数キヤ
リアとして残つて引出しがどうしても遅れる傾向
にあり、これがTfを長くしてスイツチング特性
を悪くする要因になつていた。
このようなくし形トランジスタのスイツチング
特性を改良するものとして、エミツタ領域の幅広
部の中央部を選択的に除去する等して非エミツタ
領域化したものが提案されている。しかし、この
ような改良対策は上述ターンオフ時のベース領域
内における少数キヤリアを積極的に除去する効果
が無く、スイツチング特性改善策としては不十分
であつた。
特性を改良するものとして、エミツタ領域の幅広
部の中央部を選択的に除去する等して非エミツタ
領域化したものが提案されている。しかし、この
ような改良対策は上述ターンオフ時のベース領域
内における少数キヤリアを積極的に除去する効果
が無く、スイツチング特性改善策としては不十分
であつた。
ハ 発明の目的
本発明はくし形トランジスタの特にスイツチン
グ特性の改善を目的とする。
グ特性の改善を目的とする。
ニ 発明の構成
本発明はくし形エミツタ領域の幅広部の１箇所
或いは複数箇所にエミツタ領域を囲うベース領域
に連通するベースコンタクト部を選択形成すると
共に、このベースコンタクト部上を含めてベース
電極を形成したことを特徴とする。このようにす
ると、特にスイツチング特性のTfは、ベースコ
ンタクト部のキヤリアバイパス効果で向上し、ま
たベースコンタクト部の追加分だけエミツタ領域
の周囲長が長くできて、他のhFE特性やVCE
（SAT）特性もより向上させることができる。
或いは複数箇所にエミツタ領域を囲うベース領域
に連通するベースコンタクト部を選択形成すると
共に、このベースコンタクト部上を含めてベース
電極を形成したことを特徴とする。このようにす
ると、特にスイツチング特性のTfは、ベースコ
ンタクト部のキヤリアバイパス効果で向上し、ま
たベースコンタクト部の追加分だけエミツタ領域
の周囲長が長くできて、他のhFE特性やVCE
（SAT）特性もより向上させることができる。
ホ 実施例
本発明を第１図と同様プレーナ型のくし形エミ
ツタトランジスタに適用した実施例を第３図乃至
第５図に示すと、８は半導体基板８′に例えばＮ
型不純物を拡散して形成したコレクタ領域、９は
コレクタ領域にＰ型不純物の選択拡散で形成した
ベース領域、１０はベース領域９にＮ型不純物の
選択拡散で形成したくし形エミツク領域である。
１１はエミツク領域１０の幅広部１０ｍの例えば
３箇所に選択的に形成したベースコンタクト部
で、これはベース領域９に連通する。このベース
コンタクト部１１…はエミツタ領域１０の形成時
に部分的に非エミツタ領域を形成する要領で形成
すればよい。１２はコレクタ電極、１３及び１４
は絶縁膜１５と共に次の要領で形成したベース電
極及びエミツタ電極である。
ツタトランジスタに適用した実施例を第３図乃至
第５図に示すと、８は半導体基板８′に例えばＮ
型不純物を拡散して形成したコレクタ領域、９は
コレクタ領域にＰ型不純物の選択拡散で形成した
ベース領域、１０はベース領域９にＮ型不純物の
選択拡散で形成したくし形エミツク領域である。
１１はエミツク領域１０の幅広部１０ｍの例えば
３箇所に選択的に形成したベースコンタクト部
で、これはベース領域９に連通する。このベース
コンタクト部１１…はエミツタ領域１０の形成時
に部分的に非エミツタ領域を形成する要領で形成
すればよい。１２はコレクタ電極、１３及び１４
は絶縁膜１５と共に次の要領で形成したベース電
極及びエミツタ電極である。
先ず第６図に示すように基板８′に各領域８〜
１１を形成した後、第７図に示すようにベース領
域９上に第１ベース電極１３ａを、エミツタ領域
１０上に第１エミツタ電極１４ａを、及びベース
コンタクト部１１…上に第２ベース電極１３ｂ…
を選択的に形成する。この形成は例えば基板８′
上全面にアルミニウム蒸着膜を形成した後、これ
をPR法で選択的に除去することで行われる。次
に基板８′上全面に酸化膜による絶縁膜１５を形
成してから、第８図に示すようにPR法で絶縁膜
１５に第１ベース電極１３ａの図面での上半分の
一部と第２ベース電極１３ｂとが覗く窓孔１６…
と、第１エミツタ電極１４ａの図面での下半分の
一部が覗く窓孔１７…を選択的に形成する。次に
基板８′上全面に再度アルミニウム蒸着膜を形成
した後、これをPR法で第９図に示すように図面
の上下一部を残して除去して第３ベース電極１３
ｃと第２エミツタ電極１４ｂを形成する。第３ベ
ース電極１３ｃは窓孔１６…を通して第１、第２
ベース電極１３ａ，１３ｂと電気的接続して全体
でベース電極１３となる。また窓孔１７を介して
接続された第１、第２エミツタ電極１４ａ，１４
ｂでエミツタ電極１４が形成される。第３ベース
電極１３ｃと第２エミツタ電極１４ｂはボンデイ
ングパツド用のもので、各々は基板８′上面を二
分する程度の十分大きな面積で形成できるためワ
イヤボンデイングが容易にできる。
１１を形成した後、第７図に示すようにベース領
域９上に第１ベース電極１３ａを、エミツタ領域
１０上に第１エミツタ電極１４ａを、及びベース
コンタクト部１１…上に第２ベース電極１３ｂ…
を選択的に形成する。この形成は例えば基板８′
上全面にアルミニウム蒸着膜を形成した後、これ
をPR法で選択的に除去することで行われる。次
に基板８′上全面に酸化膜による絶縁膜１５を形
成してから、第８図に示すようにPR法で絶縁膜
１５に第１ベース電極１３ａの図面での上半分の
一部と第２ベース電極１３ｂとが覗く窓孔１６…
と、第１エミツタ電極１４ａの図面での下半分の
一部が覗く窓孔１７…を選択的に形成する。次に
基板８′上全面に再度アルミニウム蒸着膜を形成
した後、これをPR法で第９図に示すように図面
の上下一部を残して除去して第３ベース電極１３
ｃと第２エミツタ電極１４ｂを形成する。第３ベ
ース電極１３ｃは窓孔１６…を通して第１、第２
ベース電極１３ａ，１３ｂと電気的接続して全体
でベース電極１３となる。また窓孔１７を介して
接続された第１、第２エミツタ電極１４ａ，１４
ｂでエミツタ電極１４が形成される。第３ベース
電極１３ｃと第２エミツタ電極１４ｂはボンデイ
ングパツド用のもので、各々は基板８′上面を二
分する程度の十分大きな面積で形成できるためワ
イヤボンデイングが容易にできる。
上記実施例において、エミツタ領域１０の周囲
長は第１図の従来例に比べベースコンタクト部１
１…の合計周囲長だけ長くなり、それだけhFE特
性やVCE（SAT）特性が良くなる。またスイツチ
ング特性のTf特性を考えると、この場合ターン
オフ時におけるベース領域９内の少数キヤリアは
近くのベースコンタクト部１１…からベース電極
１３に積極的に引かれて流出するのでTf時間が
短縮され、スイツチング特性が良好になる。
長は第１図の従来例に比べベースコンタクト部１
１…の合計周囲長だけ長くなり、それだけhFE特
性やVCE（SAT）特性が良くなる。またスイツチ
ング特性のTf特性を考えると、この場合ターン
オフ時におけるベース領域９内の少数キヤリアは
近くのベースコンタクト部１１…からベース電極
１３に積極的に引かれて流出するのでTf時間が
短縮され、スイツチング特性が良好になる。
ヘ 発明の効果
以上の如く、本発明によればくし形エミツタト
ランジスタのhFE特性、VCE（SAT）特性やスイ
ツチング特性の向上化が容易になり、特にスイツ
チング特性のターンオフ時のTf改善効果に優れ
る。
ランジスタのhFE特性、VCE（SAT）特性やスイ
ツチング特性の向上化が容易になり、特にスイツ
チング特性のターンオフ時のTf改善効果に優れ
る。
第１図及び第２図は従来のくし形トランジスタ
の平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び
第４図は本発明の一実施例を示す平面図及びＢ−
Ｂ線に沿う断面図、第５図は第４図のＣ−Ｃ線に
沿う断面図、第６図乃至第９図は第３図のトラン
ジスタの製造過程例を説明するための各平面図で
ある。 ９……ベース領域、１０……エミツタ領域、１
１……ベースコンタクト部、１３……ベース電
極。
の平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び
第４図は本発明の一実施例を示す平面図及びＢ−
Ｂ線に沿う断面図、第５図は第４図のＣ−Ｃ線に
沿う断面図、第６図乃至第９図は第３図のトラン
ジスタの製造過程例を説明するための各平面図で
ある。 ９……ベース領域、１０……エミツタ領域、１
１……ベースコンタクト部、１３……ベース電
極。
Claims (1)
- １ くし形エミツタ領域の幅広部内に部分的に非
エミツタ領域としたベースコンタクト部を形成す
ると共に、当該ベースコンタクト部上を含めてボ
ンデイングパツト部となるベース電極を形成した
ことを特徴とするくし形エミツタトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119283A JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119283A JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215771A JPS59215771A (ja) | 1984-12-05 |
| JPH0518255B2 true JPH0518255B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14019573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119283A Granted JPS59215771A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | くし形エミツタトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215771A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106158930B (zh) * | 2015-04-28 | 2019-05-14 | 北大方正集团有限公司 | 高频晶体管 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP9119283A patent/JPS59215771A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215771A (ja) | 1984-12-05 |
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