JPH0653118A - 位置検出方法 - Google Patents

位置検出方法

Info

Publication number
JPH0653118A
JPH0653118A JP22215892A JP22215892A JPH0653118A JP H0653118 A JPH0653118 A JP H0653118A JP 22215892 A JP22215892 A JP 22215892A JP 22215892 A JP22215892 A JP 22215892A JP H0653118 A JPH0653118 A JP H0653118A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
image
mark
area
glass plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22215892A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3224041B2 (ja
Inventor
Hideki Koitabashi
英樹 小板橋
Masamitsu Yanagihara
政光 柳原
Junji Hazama
潤治 間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP22215892A priority Critical patent/JP3224041B2/ja
Publication of JPH0653118A publication Critical patent/JPH0653118A/ja
Priority to US08/339,284 priority patent/US5500736A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3224041B2 publication Critical patent/JP3224041B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 既に形成された回路パターン等の面積が広い
場合でも、その上の層に露光する回路パターン等の重ね
合わせ精度を高く維持する。 【構成】 ガラスプレート4上の既に形成された液晶画
素部21A及び21Bの上に重ねてレチクルの回路パタ
ーンを露光する。液晶画素部21Aの中の回路パターン
26−1を基準画像としてメモリに登録し、この基準画
像を用いて液晶画素部21A,21Bの他の領域でパタ
ーンマッチングを行う。それにより抽出された回路パタ
ーン26−2等の位置に基づいてアライメントを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば大型の液晶表示
素子基板等を製造する際に使用される露光装置で感光基
板を位置決めする場合に適用して好適な位置検出方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子又は半導体素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクルの
パターンを投影光学系を介してステージ上の感光材が塗
布された基板上に投影する投影露光装置が使用されてい
る。一般に液晶表示素子等は基板上に多数層の回路パタ
ーンを重ねて形成することにより製造されるが、その際
に例えば1層目の回路パターンに対する2層目の回路パ
ターンの重ね合わせを高精度に行う必要がある。そのた
めには、例えば2層目の回路パターンを感光基板上に露
光する際に、その感光基板上に既に形成されている1層
目の回路パターンと2層目用の転写用回路パターンが形
成されたレチクルとの位置合わせ(アライメント)を高
精度に行う必要がある。
【0003】そのような感光基板のアライメント方法の
一つとして、パターンマッチングを用いた画像処理方式
のアライメント方法がある。図3は従来の画像処理方式
でアライメントを行う大型の液晶表示素子基板製造用の
投影露光装置の概略構成を示し、この図3において、水
銀ランプ等の光源1から射出された露光光は、楕円鏡2
で集光された後に図示省略したオプティカルインテグレ
ータ等を介してコンデンサーレンズ系3に入射する。コ
ンデンサーレンズ系3により適度に集光された露光光が
ほぼ均一な照度でレチクルRを照明する。その露光光の
もとでレチクルRのパターンが投影光学系PLを介して
感光基板としての感光材が塗布されたガラスプレート4
上の各ショット領域に投影露光される。ガラスプレート
4上に複数層の回路パターンを重ねて形成することによ
り、大型の液晶表示素子基板が製造される。
【0004】そのガラスプレート4はZステージ5上に
保持され、Zステージ5はXYステージ6上に載置され
ている。XYステージ6はガラスプレート4を投影光学
系PLの光軸に垂直な平面(XY平面)内で位置決め
し、Zステージ5はガラスプレート4を投影光学系PL
の光軸(Z軸)方向に位置決めする。なお、図示省略す
るも、Zステージ5とガラスプレート4との間にはガラ
スプレート4を回転させるθテーブルが介装されてい
る。また、Zステージ5上のガラスプレート4の近傍に
は種々のアライメント用のマークが形成された基準マー
ク集合体7が固定され、更にX方向用及びY方向用の移
動鏡8が固定されている。9は2軸用のレーザー干渉
計、10は駆動装置を示し、レーザー干渉計9からのレ
ーザービームが移動鏡7で反射されて、レーザー干渉計
9によりXYステージ5の座標が常時計測され、駆動装
置10はレーザー干渉計9で計測された座標値等に基づ
いてXYステージ6を駆動する。
【0005】11はアライメント用の顕微鏡を示し、レ
チクルRのアライメント時にはその顕微鏡11からのア
ライメント光をミラー12を介してレチクルRのパター
ン領域近傍のアライメントマークRMに照射する。この
アライメントマークRMからの反射光がミラー12で反
射されて顕微鏡11に戻されるので、例えば顕微鏡11
内部で再結像されるアライメントマークRMの像の位置
に基づいてレチクルRの位置を調整することにより、レ
チクルRのアライメントが行われる。また、その顕微鏡
11でレチクルRのアライメントマークRMとZステー
ジ5上の基準マーク集合体7内のアライメントマークと
を同時に観察して、両者の像の位置関係よりレチクルR
のアライメントを行ってもよい。更に、その顕微鏡11
でレチクルRのアライメントマークとガラスプレート4
上のアライメントマークとを同時に観察して、両者の位
置関係を求めることもできる。
【0006】13はオートフォーカス検出系の送光系、
14はオートフォーカス検出系の受光系を示し、送光系
13からガラスプレート4上にスリットパターン等の検
出パターンの像が投影光学系PLの光軸AXに対して斜
めに投影される。その検出パターンの像からの反射光に
より受光系14内でその検出パターンの像が再結像され
る。その再結像された検出パターンの像の位置ずれ量か
らガラスプレート4の露光面の高さが求められ、Zステ
ージ5によりそのガラスプレート4の露光面の高さが投
影光学系PLに対するベストフォーカス位置に設定され
る。
【0007】また、投影光学系PLの側方には画像処理
用のアライメント光学系が配置され、このアライメント
光学系において、15は対物レンズである。ガラスプレ
ート4の図示省略した照明系により照明された観察領域
からの反射光が対物レンズ15及びミラー16を経て光
透過性の共役指標板17に入射する。共役指標板17に
は指標マークが描画され、ガラスプレート4の露光面と
共役指標板17の指標マークの描画面とは共役であり、
その描画面にガラスプレート4の観察領域のパターンの
画像が結像される。更に、共役指標板17を透過した光
がリレーレンズ18により電荷結合型撮像素子(CC
D)を用いたCCDカメラ19の撮像面に集束され、そ
の撮像面にガラスプレート4の観察領域のパターンの画
像及び共役指標板17の指標マークの像が結像される。
CCDカメラ19から出力される映像信号(撮像信号)
がパターンマッチング装置20に供給されている。
【0008】図4(a)は図3のガラスプレート4のパ
ターンの一例を示し、この図4(a)に示すように、ガ
ラスプレート4上にはそれまでのプロセスにより2個の
液晶画素部21A及び21Bが形成され、各液晶画素部
21A及び21Bには1層又は複数層の回路パターンが
形成されている。また、ガラスプレート4の液晶画素部
21A及び21Bの周囲には装置固有の十字型の複数の
アライメントマーク22−1,22−2,‥‥,22−
9が形成されている。
【0009】そして、そのガラスプレート4上に次の層
の回路パターン、即ちレチクルRのパターンを露光する
際には、正規化相関法等によるパターンマッチングによ
りガラスプレート4上のアライメントマーク22−1〜
22−9の検出が行われる。具体的に図4(a)のアラ
イメントマーク22−6を検出する際には、図3のXY
ステージ6を駆動して対物レンズ15の下方にガラスプ
レート4のアライメントマーク22−6を含む観察領域
が設定される。図4(b)はその際にCCDカメラ19
で撮像される被処理画像23−6を示し、この被処理画
像23−6の内部にアライメントマーク22−6の像2
2−6Gが含まれている。
【0010】また、図4(c)は基準画像25を示し、
この基準画像25の中に図4(a)のアライメントマー
ク22−1〜22−9と同一形状の特定マーク24が含
まれている。これら基準画像25及び特定マーク24は
パターンマッチング装置20の内部のメモリに記憶され
ているテンプレートとしての映像信号を画像化したもの
である。そのパターンマッチング装置20において、被
処理画像23−6の中の基準画像25と同じ大きさのサ
ンプリング画像に対応する映像信号と基準画像25の映
像信号(テンプレート)とのパターンマッチングを行
い、被処理画像23−6の中から基準画像25の特定パ
ターン24と同一のアライメントマークの像22−6G
が検出される。この場合の図3のXYステージ6の座標
に被処理画像23−6内の像22−6Gが存在すべき設
計上の位置に対する像22−6Gの位置ずれ量を求める
ことにより、アライメントマーク22−6のXY平面内
での座標が求められる。
【0011】同様に、図4(a)の他のアライメントマ
ーク22−1〜22−5,22−7〜22−9がパター
ンマッチングにより検出され、それらの座標が求められ
る。そして、それらアライメントマーク22−1〜22
−9のガラスプレート4上の設計上の座標と実測された
座標とを比較することにより、ガラスプレート4の位置
ずれ量が算出される。ガラスプレート4上の座標系に対
してその位置ずれ量の補正を行って得られた座標系に基
づいてガラスプレート4の各ショット領域の位置決めを
行いながら、レチクルRのパターンの露光が行われてい
た。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
投影露光装置においては、アライメントの際に使用する
装置固有のアライメントマーク22−1〜22−9は液
晶画素部21A及び21Bの内部に配置することができ
ず、それらアライメントマークは液晶画素部21A及び
21Bの周辺に配置する以外に方法が無かった。従っ
て、液晶画素部21A及び21Bの内部の回路パターン
そのものの位置ずれを直接計測することができず、ガラ
スプレート上の座標系に誤差が生じることになる。その
ため、例えば1層目の回路パターンと2層目の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度(マッチング精度)が低下する
不都合があった。特に液晶画素部21A及び21Bの大
画面化が進めば進むほどにその座標系の誤差が増大し、
その重ね合わせ精度の低下は無視できなくなる。
【0013】また、その座標系の誤差を補正するため
に、ガラスプレート4上の液晶画素部21A及び21B
の周辺部に配置するアライメントマークの個数を多くす
る対策も考えられるが、液晶画素部21A及び21Bの
大画面化が進んだ場合に液晶画素部21A及び21Bの
内部の誤差を正確に推定するのは困難である。更に、図
4(a)のアライメントマークは主にガラスプレート4
の周辺部に配置されているため、製造プロセスの影響を
受け易く、層を重ねて回路パターンを形成する際にアラ
イメントマークが比較的大きなダメージを受ける虞があ
る。従って、アライメントマークを正確に検出しにくく
なり、その座標系の誤差の測定精度が悪くなる虞があ
る。
【0014】本発明は斯かる点に鑑み、既に回路パター
ン等が形成された感光基板上に更に回路パターン等を重
ねて露光する際の感光基板の位置検出をパターンマッチ
ング方式で行う場合に、その既に形成された回路パター
ン等の領域が広い場合でもその感光基板の各位置を正確
に検出して、異なる層間の回路パターン等の重ね合わせ
精度をより向上させることを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の位置
検出方法は、例えば図1に示す如く、予め、基準となる
所定のマークの第1の映像信号をテンプレートとして記
憶しておき、所定のパターンを繰り返して配置したパタ
ーン領域(21A,21B)が形成された基板(4)上
の所定領域内のマークを撮像して第2の映像信号を検出
し、この第2の映像信号からそのテンプレートに対応す
る映像信号を検出してこの映像信号の位置を検出するこ
とによりこの基板(4)の位置検出を行うパターンマッ
チング式の位置検出方法において、その基準となる所定
のマークは、その基板(4)上のパターン領域(21
A,21B)内の任意のパターン(26−1)であり、
その第2の映像信号としてそのパターン領域(21A,
21B)内の任意のパターンの映像信号を検出するもの
である。
【0016】また、本発明による第2の位置検出方法
は、例えば図1及び図2に示す如く、パターンを繰り返
して配置した第1のパターン領域(21A,21B)が
形成された感光基板(4)上に第2のパターン領域を転
写するに先立って、その感光基板(4)上に形成された
マークの画像を記憶し、その感光基板(4)上の領域か
らそのマークと同一のマークを検出することによってそ
の第1のパターン領域(21A,21B)の2次元的な
位置を検出するパターンマッチング式の位置検出方法に
おいて、そのマークとしてその第1のパターン領域(2
1A,21B)の中から選択したパターン(26−1)
を撮像し、この撮像されたパターンを基準画像パターン
(28)として記憶する第1の工程を有する。
【0017】更に、本発明は、その第1のパターン領域
(21A,21B)内のその記憶したパターン(26−
1)とは異なる他のパターンを含む領域を被処理画像
(32)として撮像する第2の工程と、その被処理画像
(32)の中からその基準画像パターン(28)と同一
のパターン(34)を検出する第3の工程と、この第3
の工程で検出されたその基準画像パターン(28)と同
一のパターン(34)のその被処理画像(32)の領域
に対する位置を求める第4の工程とを有するものであ
る。
【0018】
【作用】斯かる本発明の第1の位置検出方法によれば、
基準となる所定のマークとしてその基板(4)上のパタ
ーン領域(21A,21B)内の任意のパターン(26
−1)が選択され、その任意のパターン(26−1)の
映像信号がテンプレートとして記憶される。次に、その
基板(4)上のパターン領域(21A,21B)内のパ
ターンの映像信号が第2の映像信号として検出され、こ
の第2の映像信号とそのテンプレートとのマッチングが
行なわれる。この際に、その基板(4)のパターン領域
(21A,21B)内にその任意のパターン(26−
1)と同一のパターン(26−2〜26−8)が存在す
ると、これら同一のパターン(26−2〜26−8)を
含む領域の映像信号がそのテンプレートにより検出され
る。
【0019】次に、これら同一のパターン(26−2〜
26−8)の映像信号の位置が検出され、この検出した
位置と設計上の位置とを比較することにより、その基板
(4)の誤差量が検出される。この場合、パターン領域
(21A,21B)の内部の位置の座標系の誤差を検出
できるので、従来よりも正確にパターン領域(21A,
21B)の内部の座標系の誤差を検出できる。従って、
その誤差を補正するようにその基板(4)のアライメン
トを行うことにより、アライメント精度が向上する。
【0020】また、本発明の第2の位置検出方法によれ
ば、感光基板(4)上に第2のパターン領域を転写する
のに先立って、その感光基板(4)上の第1のパターン
領域(21A,21B)内から選択したパターン(26
−1)を撮像し、その撮像されたパターンを基準画像パ
ターン(28)として記憶する。次に、その感光基板
(4)上の第1のパターン領域(21A,21B)内で
被処理画像(32)を撮像し、この被処理画像(32)
内で基準画像パターン(28)と同一のパターン(3
4)を検出し、このパターン(34)のその被処理画像
(32)の領域に対する位置を求める。
【0021】例えば撮像手段とその感光基板(4)との
相対移動量を計測することにより、その被処理画像(3
2)のその感光基板(4)内での位置が計測される。こ
の位置にそのパターン(34)の被処理画像(32)内
での位置を加算することにより、そのパターン(34)
の感光基板(4)内での位置が算出される。従って、こ
の算出された位置と設計上の位置とを比較することによ
り、その感光基板(4)のそのパターン(34)の位置
での座標系の誤差が検出される。この場合、第1のパタ
ーン領域(21A,21B)の内部の位置の座標系の誤
差を検出できるので、従来よりも正確に第1のパターン
領域(21A,21B)の内部の座標系の誤差を検出で
きる。従って、その誤差を補正するようにその感光基板
(4)のアライメントを行うことにより、アライメント
精度が向上し、第1のパターン領域(21A,21B)
と次に転写する第2のパターン領域との重ね合わせ精度
が向上する。
【0022】
【実施例】以下、本発明による位置検出方法の一実施例
につき図1〜図3を参照して説明する。本実施例は図3
の投影露光装置でガラスプレート4上に重ねて回路パタ
ーンを露光して大型の液晶表示素子基板を製造する際
の、そのガラスプレート4のアライメント方法に本発明
を適用したものであり、図1において図3及び図4に対
応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。
【0023】図1は本例の感光基板としての感光材が塗
布されたガラスプレート4を示し、この図1において、
ガラスプレート4上の液晶画素部21A及び21B上に
はそれまでのプロセスにより1層又は複数層の回路パタ
ーンが形成されている。また、液晶画素部21A及び2
1Bの周囲にはアライメントマーク22−1,22−
2,‥‥,22−9が形成されている。
【0024】また、図1に示すように、ガラスプレート
4上の液晶画素部21A及び21Bはそれぞれ或るパタ
ーンが複数回繰り返されて形成されている。例えば液晶
画素部21A内では異なる位置にある回路パターン26
−1〜26−4が同一であり、液晶画素部21B内では
異なる位置にある回路パターン26−5〜26−8が同
一であり、且つ回路パターン26−5〜26−8は回路
パターン26−1と同一である。本例では以下のように
それら回路パターン26−1〜26−8を目印としてガ
ラスプレート4のアライメントを行う。それには回路パ
ターン26−1〜26−8の何れかを基準画像として登
録することが必要である。
【0025】その前に、先ず図3のレチクルR上の座標
系の原点と図1のガラスプレート4上の座標系の原点と
のオフセット量(ベースライン)を求める。そのために
は、例えば図1のガラスプレート4上のアライメントマ
ーク22−1を選択して、図3のアライメント用の顕微
鏡11でレチクルRのアライメントマークRMとそのガ
ラスプレート4上のアライメントマーク22−1とを同
時に観察する。そして、XYステージ6を駆動してガラ
スプレート4を微動させて、アライメント用の顕微鏡1
1による観察画面内でそのアライメントマークRMの像
とアライメントマーク22−1の像とが重なるようにし
て、そのときのXYステージ6の座標を検出すると、こ
の座標によりそのオフセット量が求められる。
【0026】更に、別のアライメント用の顕微鏡を用い
てレチクルR上の別のアライメントマークの像とガラス
プレート4上の例えばアライメントマーク22−3の像
とをX方向又はY方向に重ね合わせることにより、レチ
クルRとガラスプレート4との回転角の補正が行われ
る。なお、Zステージ5上の基準マーク集合体7のアラ
イメントマークを使用してもそのオフセット量を算出及
び回転角の補正を行うことができる。
【0027】次に、図1において、レチクルRとの相対
的な位置関係が求められたアライメントマーク22−1
を基準として基準画像の登録を行う。例えば、アライメ
ントマーク22−1に近い回路パターン26−1が基準
画像として選択されるが、アライメントマーク22−1
から離れた回路パターン26−4等を基準画像として選
択しても良い。但し、アライメントマーク22−1に近
接した回路パターン26−1を基準画像にすると、種々
のプロセスを経たことによる基板の各種の誤差量が無視
できる程に小さくなる場合が多く、その回路パターン2
6−1の位置としてはアライメントマーク22−1を基
準とした場合の設計上の位置を用いる事ができ、補正演
算を行う必要がなくなる。一方、例えば回路パターン2
6−4を基準画像として選択した場合、回路パターン2
6−4を基準としたときの、他の回路パターン26−
1,26−2及び26−3の設計上の位置と実測された
位置とのX方向の差を例えばそれぞれ1,2及び−1と
する。この場合には、回路パターン26−1における設
計上の位置と実測された位置とのX方向の差が0になる
ように補正を行えば良い。即ち、0,1,−2及び−1
がそれぞれ回路パターン26−1,26−2,26−3
及び26−4の設計上の位置と実測された位置とのX方
向の差になる。更に、より正確に基準画像としての回路
パターン26−1(又は回路パターン26−4等)の位
置を求めるには、例えば試し焼き(露光)により、その
回路パターン26−1(又は回路パターン26−4等)
の設計上の位置と実測された位置との差を求めておけば
良い。具体的に、図1のガラスプレート4の回路パター
ン26−1を基準画像として選択した場合には、その回
路パターン26−1を図3の対物レンズ15の下方に移
動して、CCDカメラ19でその回路パターン26−1
の近傍の画像及び共役指標板17の指標マークの像を撮
像する。これにより、図2(a)に示す被処理画像27
が得られる。
【0028】図2(a)において、被処理画像27の中
央部に回路パターン26−1の像26−1Gが結像され
ているので、その像26−1Gを囲む所定面積の矩形の
領域を基準画像28とする。そして、この基準画像28
の映像信号を図3のパターンマッチング回路20のメモ
リにテンプレートとして記憶(登録)する。また、その
基準画像28の原点aの被処理画像27内での2次元座
標を(Xmo,Ymo)とする。この2次元座標はCC
Dカメラ19の撮像面での座標値にその撮像面からガラ
スプレート4の露光面に対する倍率βを乗じて得られた
座標である。従って、その2次元座標の差分はガラスプ
レート4上の距離と等しい(以下同様)。
【0029】次に、図2(a)において、その像26−
1Gの周囲に図3の共役指標板17の指標マークの像2
9A〜29Dが結像されている。本例では図2(c)に
示すように、それら指標マークの像29A〜29Dの内
の像29Aと同一形状のパターン29を囲む所定面積の
矩形の領域が指標マークの基準画像31とされ、この指
標マークの基準画像31の映像信号も図3のパターンマ
ッチング回路20のメモリに記憶(登録)されている。
そのパターンマッチング回路20は、その図2(c)の
指標マークの基準画像31の映像信号で図2(c)の被
処理画像27の映像信号に対してパターンマッチングを
行う。これにより、図2(a)の指標マークの像29A
を囲む矩形の領域30が基準画像31と合致する領域と
して抽出されるので、その領域30の原点bの被処理画
像27内での2次元座標を(Xi,Yi)とする。
【0030】そして、上記の座標(Xmo,Ymo)及
び(Xi,Yi)より、指標マークの像29Aを囲む領
域30を基準とした場合の基準画像28の基準座標(X
bp,Ybp)を次式から求める。 Xbp=Xi−Xmo (1A) Ybp=Yi−Ymo (1B)
【0031】次に、図3のXYステージ6を駆動して例
えば図1の回路パターン26−2を対物レンズ15の下
方に移動して、CCDカメラ19でその回路パターン2
6−2の近傍の画像を撮像する。但し、XYステージ6
を駆動してのガラスプレート4の移動量は、回路パター
ン26−1と回路パターン26−2との設計上の距離に
等しく設定する。そのCCDカメラ19の撮像面で図2
(b)に示す被処理画像32が得られる。図2(b)に
おいて、被処理画像32の中央部に回路パターン26−
2の像26−2Gが結像され、その像26−2Gの周囲
に指標マークの像29A〜29Dが結像されている。こ
こで、図2(c)の指標マークの基準画像31を用い
て、図2(b)の被処理画像32に対してパターンマッ
チングを行う。これにより指標マークの像29Aを囲む
矩形の領域33が抽出される。この領域33の原点cの
被処理画像32に対する2次元座標(Xi′,Yi′)
を求める。
【0032】その後、図3のパターンマッチング回路2
0は、図2(a)で登録した基準画像28を用いて図2
(b)の被処理画像32に対してパターンマッチングを
行う。これにより回路パターン26−2の像26−2G
を囲む矩形の領域34が基準画像28と同一であるとし
て抽出される。その領域34の原点dの被処理画像32
内での2次元座標を(Xm,Ym)とする。この場合、
ガラスプレート4に各種誤差量が無いとすると、原点d
の原点cを基準とした座標値は図2(a)の原点aの原
点bを基準とした座標値と等しいはずである。
【0033】しかしながら、実際にはガラスプレート4
の伸縮等により、図1のアライメントマーク26−2は
アライメントマーク26−1に対して本来の設計上の位
置から(Xr,Yr)だけずれている。上記の(1A)
式及び(1B)式で表される基準座標(Xbp,Yb
p)を用いて、その位置ずれ量(Xr,Yr)は次式で
表される。 Xr=Xbp−(Xi′−Xm) (2A) Yr=Ybp−(Yi′−Ym) (2B)
【0034】従って、例えば図1のガラスプレート4の
回路パターン26−1を含む領域上にレチクルRのパタ
ーンを露光した後に、回路パターン26−2を含む領域
上にレチクルRのパターンを露光する際には、ガラスプ
レート4の位置決め座標を設計値に対して(2A)式及
び(2B)式で表される位置ずれ量(Xr,Yr)だけ
補正する必要がある。これによりアライメント精度が向
上し、異なる層間の重ね合わせ精度が向上する。
【0035】図1において、同様に他の回路パターン2
6−3〜26−8についてもパターンマッチングにより
位置を検出し、この検出した各位置の回路パターン26
−1を基準とした場合の本来の位置からの位置ずれ量を
求める。そして、この位置ずれ量を補正しながらガラス
プレート4を位置決めすることにより、アライメント精
度が向上する。また、ガラスプレート4の位置決め精度
の補正を行うには、ガラスプレート4の各ショット領域
内だけから基準マークを選択してショット領域単位で補
正する方法と、ガラスプレート4の全面に亘って基準マ
ークを選択してプレート単位で補正を行う方法とがあ
る。
【0036】なお、本例では図3の共役指標板17の指
標マークの像を被処理画像27,32内の位置の基準と
して使用しているが、その指標マークの像を使用するこ
とによりアライメント光学系の変動によるCCDカメラ
19の撮像面での結像位置のシフトの影響が除去され
る。従って、結像位置のシフトが無視できる程である場
合には共役指標板17は必ずしも使用する必要が無い。
このように、本発明は上述実施例に限定されず本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0037】
【発明の効果】本発明の第1の位置検出方法によれば、
基板上のパターン領域内の任意のパターンを基準となる
パターンとすることができるので、原理的にそのパター
ン領域がどのように広い場合でもその基板の各領域の位
置を正確に検出できる利点がある。
【0038】また、第2の位置検出方法によれば、第1
のパターン領域の中から選択したパターンを撮像して基
準画像パターンとして登録し、第1のパターン領域の他
の領域で撮像した画像からその基準画像と同一のパター
ンを検出するようにしているので、その第1のパターン
領域がどのように広い場合でもその感光基板の各領域の
位置を正確に検出できる。従って、第2のパターン領域
の転写に先立つその感光基板のアライメントを正確に行
うことができ、第1のパターン領域と第2のパターン領
域との重ね合わせ精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のアライメント方法が適用さ
れるガラスプレートのパターンを示す平面図である。
【図2】(a)はその実施例で登録される基準画像28
が含まれた被処理画像27を示す線図、(b)はパター
ンマッチングの対象となる被処理画像32を示す線図、
(c)は指標マーク像の基準画像31を示す線図であ
る。
【図3】従来のアライメント方法及び本発明の実施例の
アライメント方法を使用する投影露光装置の概略を示す
構成図である。
【図4】(a)は従来のアライメント方法が適用される
ガラスプレートのパターンを示す平面図、(b)は図4
(a)のアライメントマークの像を含む被処理画像を示
す線図、(c)は従来のアライメントマーク像の基準画
像25を示す線図である。
【符号の説明】
1 光源 3 コンデンサーレンズ系 R レチクル PL 投影光学系 4 ガラスプレート 6 XYステージ 9 レーザー干渉計 10 駆動装置 11 アライメント用の顕微鏡 13 オートフォーカス検出系の送光系 14 オートフォーカス検出系の受光系 15 対物レンズ 17 共役指標板 18 リレーレンズ 19 CCDカメラ 20 パターンマッチング装置 22−1〜22−9 アライメントマーク 26−1〜26−8 回路パターン 27,32 被処理画像 28 基準画像

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 予め、基準となる所定のマークの第1の
    映像信号をテンプレートとして記憶しておき、所定のパ
    ターンを繰り返して配置したパターン領域が形成された
    基板上の所定領域内のマークを撮像して第2の映像信号
    を検出し、該第2の映像信号から前記テンプレートに対
    応する映像信号を検出して該映像信号の位置を検出する
    ことにより該基板の位置検出を行うパターンマッチング
    式の位置検出方法において、 前記基準となる所定のマークは、前記基板上のパターン
    領域内の任意のパターンであり、前記第2の映像信号と
    して前記パターン領域内の任意のパターンの映像信号を
    検出する事を特徴とする位置検出方法。
  2. 【請求項2】 パターンを繰り返して配置した第1のパ
    ターン領域が形成された感光基板上に第2のパターン領
    域を転写するに先立って、前記感光基板上に形成された
    マークの画像を記憶し、前記感光基板上の領域から前記
    マークと同一のマークを検出することによって前記第1
    のパターン領域の2次元的な位置を検出するパターンマ
    ッチング式の位置検出方法において、 前記マークとして前記第1のパターン領域の中から選択
    したパターンを撮像し、該撮像されたパターンを基準画
    像パターンとして記憶する第1の工程と;前記第1のパ
    ターン領域内の前記記憶したパターンとは異なる他のパ
    ターンを含む領域を被処理画像として撮像する第2の工
    程と;前記被処理画像の中から前記基準画像パターンと
    同一のパターンを検出する第3の工程と;該第3の工程
    で検出された前記基準画像パターンと同一のパターンの
    前記被処理画像の領域に対する位置を求める第4の工程
    とを有する事を特徴とする位置検出方法。
JP22215892A 1992-07-29 1992-07-29 露光方法及び装置 Expired - Fee Related JP3224041B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22215892A JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 露光方法及び装置
US08/339,284 US5500736A (en) 1992-07-29 1994-11-07 Method of detecting positions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22215892A JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 露光方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0653118A true JPH0653118A (ja) 1994-02-25
JP3224041B2 JP3224041B2 (ja) 2001-10-29

Family

ID=16778091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22215892A Expired - Fee Related JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 露光方法及び装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5500736A (ja)
JP (1) JP3224041B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502797B1 (ko) * 1997-12-01 2005-10-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101143058B1 (ko) * 2004-11-12 2012-05-08 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
JP2016191907A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Screenホールディングス 基準位置取得方法、基準位置取得装置、パターン描画方法、パターン描画装置およびプログラム

Families Citing this family (189)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242041A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Nikon Corp 位置検出方法及びその装置並びに露光装置
US6102516A (en) * 1997-03-17 2000-08-15 Lexmark International, Inc. Fiducial system and method for conducting an inspection to determine if a second element is properly aligned relative to a first element
US20080248046A1 (en) * 1997-03-17 2008-10-09 Human Genome Sciences, Inc. Death domain containing receptor 5
TW335527B (en) * 1997-11-08 1998-07-01 United Microelectronics Corp The rework testing method of semiconductor device
DE10303902B4 (de) * 2003-01-31 2004-12-09 Süss Microtec Lithography Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske
US7063920B2 (en) * 2003-05-16 2006-06-20 Asml Holding, N.V. Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems
EP1480080A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI304522B (en) * 2003-05-28 2008-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of calibrating and device manufacturing method
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
US6989920B2 (en) 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1489449A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Spatial light modulator
SG118283A1 (en) * 2003-06-20 2006-01-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110082B2 (en) * 2003-06-24 2006-09-19 Asml Holding N.V. Optical system for maskless lithography
SG119224A1 (en) * 2003-06-26 2006-02-28 Asml Netherlands Bv Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158215B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-02 Asml Holding N.V. Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays
US7154587B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-26 Asml Netherlands B.V Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224504B2 (en) * 2003-07-30 2007-05-29 Asml Holding N. V. Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use
US6831768B1 (en) 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US6876440B1 (en) * 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7109498B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7196772B2 (en) * 2003-11-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116398B2 (en) * 2003-11-07 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7001232B2 (en) * 2003-12-11 2006-02-21 Montgomery Robert E Personal watercraft air intake assembly
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7012674B2 (en) * 2004-01-13 2006-03-14 Asml Holding N.V. Maskless optical writer
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4083751B2 (ja) * 2004-01-29 2008-04-30 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法
US6847461B1 (en) * 2004-01-29 2005-01-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
US7133118B2 (en) * 2004-02-18 2006-11-07 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7190434B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016014B2 (en) * 2004-02-27 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081947B2 (en) * 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43515E1 (en) 2004-03-09 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7094506B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-22 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
US7053981B2 (en) * 2004-03-31 2006-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7002666B2 (en) * 2004-04-16 2006-02-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6963434B1 (en) * 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US20050243295A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
US20050259269A1 (en) 2004-05-19 2005-11-24 Asml Holding N.V. Shearing interferometer with dynamic pupil fill
US7242456B2 (en) * 2004-05-26 2007-07-10 Asml Holdings N.V. System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions
US7477403B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US6989886B2 (en) * 2004-06-08 2006-01-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016016B2 (en) * 2004-06-25 2006-03-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
US20060012779A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7573574B2 (en) * 2004-07-13 2009-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7227613B2 (en) * 2004-07-26 2007-06-05 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus having double telecentric illumination
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7335398B2 (en) * 2004-07-26 2008-02-26 Asml Holding N.V. Method to modify the spatial response of a pattern generator
US7142286B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7538855B2 (en) * 2004-08-10 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102733B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7500218B2 (en) * 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7304718B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7177012B2 (en) * 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7388663B2 (en) 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7423732B2 (en) * 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7609362B2 (en) * 2004-11-08 2009-10-27 Asml Netherlands B.V. Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170584B2 (en) * 2004-11-17 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061581B1 (en) * 2004-11-22 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7643192B2 (en) * 2004-11-24 2010-01-05 Asml Holding N.V. Pattern generator using a dual phase step element and method of using same
US7713667B2 (en) * 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365848B2 (en) * 2004-12-01 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers
US7391499B2 (en) * 2004-12-02 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8102548B2 (en) * 2004-12-02 2012-01-24 Xerox Corporation Video-based control and diagnostics system
US7362415B2 (en) * 2004-12-07 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355677B2 (en) * 2004-12-09 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus
US7349068B2 (en) * 2004-12-17 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7375795B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7274502B2 (en) * 2004-12-22 2007-09-25 Asml Holding N.V. System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks
US7202939B2 (en) * 2004-12-22 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7391676B2 (en) * 2004-12-22 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Ultrasonic distance sensors
US7256867B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7230677B2 (en) * 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US7426076B2 (en) * 2004-12-23 2008-09-16 Asml Holding N.V. Projection system for a lithographic apparatus
US7538857B2 (en) * 2004-12-23 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7242458B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
US7656506B2 (en) * 2004-12-23 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7459247B2 (en) * 2004-12-27 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7279110B2 (en) * 2004-12-27 2007-10-09 Asml Holding N.V. Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
US7317510B2 (en) * 2004-12-27 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US7274029B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7756660B2 (en) 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145636B2 (en) * 2004-12-28 2006-12-05 Asml Netherlands Bv System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications
US7253881B2 (en) * 2004-12-29 2007-08-07 Asml Netherlands Bv Methods and systems for lithographic gray scaling
US7342644B2 (en) * 2004-12-29 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for lithographic beam generation
US7567368B2 (en) * 2005-01-06 2009-07-28 Asml Holding N.V. Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography
US7542013B2 (en) * 2005-01-31 2009-06-02 Asml Holding N.V. System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode
WO2006082639A1 (ja) * 2005-02-03 2006-08-10 Fujitsu Limited マーク画像処理方法、プログラム及び装置
US7460208B2 (en) * 2005-02-18 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7286137B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-23 Asml Holding N.V. Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization
US7499146B2 (en) * 2005-03-14 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping
US7812930B2 (en) * 2005-03-21 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume
US7209216B2 (en) * 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
US7403265B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
US7728956B2 (en) * 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
US7209217B2 (en) 2005-04-08 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices
US7330239B2 (en) * 2005-04-08 2008-02-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device
US7221514B2 (en) 2005-04-15 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Variable lens and exposure system
US20060244805A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Ming-Hsiang Yeh Multicolor pen
US7400382B2 (en) * 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
US7738081B2 (en) * 2005-05-06 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler
US7197828B2 (en) * 2005-05-31 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7742148B2 (en) * 2005-06-08 2010-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image
US7292317B2 (en) * 2005-06-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating
US7233384B2 (en) * 2005-06-13 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor
US7321416B2 (en) * 2005-06-15 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion
US7408617B2 (en) * 2005-06-24 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
US7965373B2 (en) * 2005-06-28 2011-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load
US7307694B2 (en) * 2005-06-29 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method
US7522258B2 (en) * 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US20070013889A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
US7251019B2 (en) * 2005-07-20 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging
US7606430B2 (en) * 2005-08-30 2009-10-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
JP2007114750A (ja) * 2005-09-09 2007-05-10 Asml Netherlands Bv 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法
US7391503B2 (en) * 2005-10-04 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070133007A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7440078B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US7466394B2 (en) * 2005-12-21 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
US7508491B2 (en) * 2006-04-12 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity
US7948606B2 (en) * 2006-04-13 2011-05-24 Asml Netherlands B.V. Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
US7839487B2 (en) * 2006-04-13 2010-11-23 Asml Holding N.V. Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device
US8264667B2 (en) * 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US8934084B2 (en) * 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7728954B2 (en) * 2006-06-06 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Reflective loop system producing incoherent radiation
CN101460897B (zh) * 2006-06-07 2013-03-27 株式会社V技术 曝光方法以及曝光装置
US7649676B2 (en) * 2006-06-14 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method to form unpolarized light
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US8896808B2 (en) * 2006-06-21 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
US7593094B2 (en) * 2006-06-26 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Patterning device
US20080002174A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Asml Netherlands B.V. Control system for pattern generator in maskless lithography
US7630136B2 (en) 2006-07-18 2009-12-08 Asml Holding N.V. Optical integrators for lithography systems and methods
US7548315B2 (en) * 2006-07-27 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system
US7738077B2 (en) * 2006-07-31 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same
US7626182B2 (en) * 2006-09-05 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7628875B2 (en) * 2006-09-12 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. MEMS device and assembly method
US8049865B2 (en) * 2006-09-18 2011-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method
US7683300B2 (en) * 2006-10-17 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Using an interferometer as a high speed variable attenuator
US7738079B2 (en) * 2006-11-14 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Radiation beam pulse trimming
US20080111977A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Asml Holding N.V. Compensation techniques for fluid and magnetic bearings
US7453551B2 (en) * 2006-11-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity
US8054449B2 (en) * 2006-11-22 2011-11-08 Asml Holding N.V. Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool
US8259285B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-04 Asml Holding N.V. Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data
DE102006059431B4 (de) 2006-12-15 2018-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen der Position einer Struktur auf einem Träger relativ zu einem Referenzpunkt des Trägers
US7965378B2 (en) * 2007-02-20 2011-06-21 Asml Holding N.V Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography
US8009269B2 (en) 2007-03-14 2011-08-30 Asml Holding N.V. Optimal rasterization for maskless lithography
US8009270B2 (en) * 2007-03-22 2011-08-30 Asml Netherlands B.V. Uniform background radiation in maskless lithography
US20090042115A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method
US20090042139A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
US20080270970A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Nikon Corporation Method for processing pattern data and method for manufacturing electronic device
US7714986B2 (en) * 2007-05-24 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control
US20080304034A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Asml Netherlands B.V. Dose control for optical maskless lithography
US8692974B2 (en) * 2007-06-14 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system
US8189172B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102007039983A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-26 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Messen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat mit einer Koordinaten Messmaschine
DE102010012030A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Manz Automation Ag Anlage zum Ein- oder Aufbringen von Strukturen auf ein Substrat
CN105572938B (zh) * 2016-01-29 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置及定位标识的识别方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6083328A (ja) * 1983-10-13 1985-05-11 Fujitsu Ltd フオトマスクの検査方法
US4860374A (en) * 1984-04-19 1989-08-22 Nikon Corporation Apparatus for detecting position of reference pattern
US4780617A (en) * 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPH0789534B2 (ja) * 1986-07-04 1995-09-27 キヤノン株式会社 露光方法
JPH0743245B2 (ja) * 1987-07-03 1995-05-15 キヤノン株式会社 アライメント装置
US5189494A (en) * 1988-11-07 1993-02-23 Masato Muraki Position detecting method and apparatus
JP3109852B2 (ja) * 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502797B1 (ko) * 1997-12-01 2005-10-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101143058B1 (ko) * 2004-11-12 2012-05-08 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법
JP2016191907A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Screenホールディングス 基準位置取得方法、基準位置取得装置、パターン描画方法、パターン描画装置およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP3224041B2 (ja) 2001-10-29
US5500736A (en) 1996-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3224041B2 (ja) 露光方法及び装置
JP4132095B2 (ja) 走査型露光装置
JP3634068B2 (ja) 露光方法及び装置
KR100389976B1 (ko) 얼라인먼트방법및장치
JP5550253B2 (ja) マーク位置検出装置及びマーク位置検出方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
US7197176B2 (en) Mark position detecting apparatus and mark position detecting method
KR20170113238A (ko) 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법
US5640243A (en) Position detection method
TW200300287A (en) Mark position inspection device
JP2006292426A (ja) 座標測定方法及び寸法測定方法
JP2006242722A (ja) 位置計測方法、この位置計測方法を実施する位置計測装置、この位置計測方法を使用するデバイス製造方法、及びこの位置計測装置を装備する露光装置
JP3451607B2 (ja) 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JPH08167571A (ja) 位置検出装置及び位置合せ装置
JPH06232027A (ja) 投影露光装置
JP3254704B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP3326444B2 (ja) 位置合わせ方法及びパターンの継ぎ合わせ精度測定方法
JPH09306811A (ja) 露光方法
JP4332891B2 (ja) 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2003014438A (ja) 基板検査装置および基板検査方法
JPH10326739A (ja) 位置合わせ方法及び露光方法
JP2004146670A (ja) マスクのパターン位置の誤差測定方法及びこれに使用される露光装置
JP2004108957A (ja) 基板検査装置
JPH0478126A (ja) 自動焦点検出装置
JPH0817725A (ja) 露光装置
JPH09297408A (ja) プリアライメント装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010727

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees