JPH0649448A - フルオロビフェニルイル基含有化合物を用いたデバイス - Google Patents

フルオロビフェニルイル基含有化合物を用いたデバイス

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JPH0649448A
JPH0649448A JP5029473A JP2947393A JPH0649448A JP H0649448 A JPH0649448 A JP H0649448A JP 5029473 A JP5029473 A JP 5029473A JP 2947393 A JP2947393 A JP 2947393A JP H0649448 A JPH0649448 A JP H0649448A
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ルードルフ・アイデンシンク
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 新しい液晶材料を使った液晶デバイスを提供
する。 【構成】 少なくとも一方が光学的に透明である２個の
誘電基板と、前記基板間に挾持された液晶材料層と、基
板の内表面上にあって液晶材料層に電気光学効果を与え
るべく該層を横断して電場を印加し得る電極とを含む液
晶デバイスであって、液晶材料は、少なくとも１種が下
記のターフェニルである複数種の化合物の混合物を含む
材料である液晶デバイス。 （Ｒ１は水素、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボ
ニル、アルキルカルボニルオキシ及びアルコキシカルボ
ニルオキシの中から選択され、Ｒ２は水素、アルキル及
びアルコキシの中から選択され、Ｘ１，Ｘ２は水素及び
フッ素の中から選択され、 の中から選択され、但し、Ｘ１及びＸ２の一方はフッ素
である）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、フルオロビフェニルイル基含有
化合物並びに該化合物の液晶材料及びデバイス製造への
使用に係わる。
【０００２】デジタル計算機、時計、メーターや単純動
作のディスプレイの如きディスプレイ装置で電気光学効
果を発現させるべく液晶材料を使用することは、公知で
ある。しかし乍ら、全ての面で理想的な液晶材料は公知
でなく、当業界では目下公知材料の性質を改善すべくか
なりの労力が費されている。
【０００３】一般に液晶材料は特に選択された混合組成
物からなり、性質の組合せを改善した新規な混合物を形
成することにより材料の改善がなされる。
【０００４】電気光学用液晶混合物の組成は、利用され
るべきディスプレイ効果及びその効果に必要な特殊な性
質に従属する。種々のディスプレイ効果は、後段に例示
する。総ての種類のディスプレイ効果について、混合物
が、下記の一般的性質を可能な限り有利に組合せて示す
ことが望ましい。
【０００５】（ｉ）液晶温度範囲が室温（20℃）を含ん
で出来る限り広いこと、（ii）融点（固体−液晶転移温
度）が出来る限り低いこと、（iii ）クリアリング点
（液晶−等方性液体転移温度）が出来る限り高いこと、
（iv）正または負（適宜）の誘電異方性（分子軸に平行
で測定した誘電率マイナス分子軸に直角で測定した誘電
率）が、ディスプレイ電圧を最小にすべく出来る限り大
きいこと、（ｖ）粘度がディスプレイスイッチ切換速度
を最小にすべく出来る限り低いこと、（vi）電気光学応
答の温度変化が出来る限り小さいこと、（vii ）化学的
及び光化学的安定性が良好であること、特殊な用途で有
用な特殊な性質を更に例示する。
【０００６】（viii）多重性（multiplexibility）が良
好であること、（ix）誘電異方性が周波数により切換可
能であること、及び（ｘ）複屈折が小さいこと、（xi）
混合物自体で、あるいは更に化合物を混合されることに
よって主としてネマチック液晶相を形成し得、その際ス
メクチック液晶相形成の傾向は最小に維持されること。
【０００７】所要の性質を組合せて有する液晶混合組成
物は、種々の性質を有する成分を混合して得られる。
【０００８】製造コストを最小にすべく、所要の性質を
満足に組合せて有しながら混合物中の成分数は最小であ
ることが望ましい。従って、使用される個々の成分が所
要の性質を複数有することが望ましい。更に成分数を最
小にすべく個々の成分の相互溶解性は良好であることが
望ましい。
【０００９】本発明の目的は、電気光学ディスプレイ用
液晶混合組成物にとって適当な成分となる、もしくは該
組成物の製造に有用な新規な化合物を提供することであ
る。本発明では、式
【００１０】
【化４】
【００１１】（式中、Ｒ1 は水素、アルキル、アルコキ
シ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ及
びアルコキシカルボニルオキシの中から選択され、Ｒ2
は水素、アルキル及びアルコキシの中から選択され、Ｘ
1 は水素及びフッ素の中から選択され、Ｘ2 は水素及び
フッ素の中から選択され、
【００１２】
【化５】
【００１３】の中から選択され、但し、Ｘ1 及びＸ2 の
一方はフッ素である）を有する化合物が利用される。
【００１４】
【化６】
【００１５】である化合物は通常、液晶化合物として有
用である。
【００１６】
【化７】
【００１７】である化合物は上記のフルオロ−ｐ−ター
フェニルの製造に通常有用であるが、この化合物自体も
また液晶の性質を示し得る。
【００１８】本明細書中で“液晶化合物”という語は、
次に示す二つの公知カテゴリーの一方に属する化合物を
意味する。
【００１９】（ｉ）通常液晶相を呈示する化合物、（i
i）通常液晶相を呈示しないが、他の液晶化合物中に液
解した際液晶の振舞いに何らかの実質的影響を及ぼす化
合物。
【００２０】カテゴリー（ii）に属する化合物はその固
相の融点を下回る温度で、液晶から等方性液体への“単
変”もしくは“仮想”転移を示す。単変もしくは仮想転
移は、液相を急激に冷却することによってか、あるいは
また液晶相を呈している物質中に化合物を溶解し、前記
物質の等方性相への転移における、化合物添加に起因す
る変化を観測して仮想転移温度を外挿法で算出すること
によって検知し得る。
【００２１】カテゴリー（ii）の化合物は、例えば他の
液晶化合物中に溶解して後者の化合物の液晶温度範囲を
拡張もしくは変更するか、あるいは（コレステリック液
晶の場合）分子螺旋ピッチを変更するのに有用であり得
る。
【００２２】本発明を、添付図面に基づき以下に詳述す
る。
【００２３】第１図に式Ｉ化合物のサブクラスのうちＸ
1 がＨでありかつＸ2 がＦであるものの例を示し、例示
サブクラスの一般的な式にはそれぞれ記号“Ｉａ”〜
“Ｉｋ”を付す。ここに掲げた化合物を本明細書では、
式Ｉの“２′−フルオロ”化合物と呼称する。第１図に
おいて各ＲA は独立にアルキル基を表わす。
【００２４】第２図に、式Ｉ化合物のサブクラスのうち
Ｘ1 がＦでありかつＸ2 がＨであるものの例を示し、例
示サブクラスの一般的な式にそれぞれ記号“Ｉｌ”〜
“Ｉｖ”を付す。第２図に掲げた化合物を本明細書で
は、“２−フルオロ”化合物と称する。図中各ＲA は独
立にアルキル基を表わす。
【００２５】ネマチック型液晶混合物に使用するために
は、第１図乃至第２図のいずれのサブクラスの基ＲA も
各々直鎖基であることが好ましい。しかしキラルネマチ
ック（光学活性）材料に用いる場合は分子中の１個また
は複数個の基ＲA は独立にキラル基であってもよく、該
キラル基は例えば （＋）−ＣＨ3 （ＣＨ2 ）n ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 の形態を有し、その際ｎは１〜８であり、また（＋）は
例えば（＋）−２−メチルブチルなど正の旋光度を有す
るキラル基を表わす。
【００２６】式Ｉに含まれる各アルキル基は好ましくは
１〜12個、望ましくは１〜８個の炭素原子を有する。
【００２７】即ち第１図及び第２図に掲げられたサブク
ラスの各ＲA はＣ1-8 ｎ−アルキル基であり得る。
【００２８】好ましいサブクラスは式Ｉａ及びＩｌの両
末端にアルキルを有するフルオロ−ｐ−ターフェニルで
あり、前記式Ｉａ及びＩｌ中各ＲA は独立にＣ1-8 ｎ−
アルキル基を表わす。
【００２９】式Ｉの化合物、特に式Ｉａ及びＩｌの化合
物は電気光学ディスプレイ用液晶材料の成分として非常
に有利であり、なぜなら前記化合物は次の諸特性を有す
るからである。
【００３０】（ｉ）比較的広い液晶温度範囲、（ii）比
較的高いクリアリング点（液晶−等方性液体転移温
度）、（iii ）比較的低い融点、（iv）化合物自体で、
並びに他のネマチック材料との混合状態でスメクチック
相を形成する傾向が小さい、（ｖ）化合物自体の粘度が
比較的低く、ネマチック材料と混合して使用すると混合
物の粘度が低くなる、（vi）複屈折が十分に小さい、
（vii ）化学的及び光化学的安定性が良好である。
【００３１】次のような式Ａ
【００３２】
【化８】
【００３３】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は例えばアルキル
基）の化合物が公知である。しかし式Ｉのフッ素含有化
合物は実際の装置において、式Ａの対応化合物よりも有
用であり、なぜなら前者の化合物は後者に比べ次のよう
な利点を示し得るからである。
【００３４】（ｉ）液晶温度範囲がはるかに広い、（i
i）液晶のネマチック相部分がより大きい、（iii ）液
晶のスメクチック相部分がより小さい、（iv）化合物自
体で、及び特に他のネマチック材料との混合状態で、ス
メクチック相の生じる全温度範囲を低下させる、（ｖ）
融点がより低い。
【００３５】式Ｉ化合物及び式Ａ化合物の特殊な性質を
比較した例を後段に示す（表８）。
【００３６】本発明の好ましい一特徴によれば、ネマチ
ックもしくはキラルネマチック液晶材料は２種またはそ
れ以上の式Ｉ化合物から成る混合物を含む。前記のよう
な混合物のネマチックもしくはキラルネマチック温度範
囲は広範であり得る。この混合物は、例えば２種または
それ以上の式Ｉａ化合物など同じサブクラスの同族体を
含有し得る。
【００３７】他の場合には、同一の一般構造を有するが
基Ｘ1 及びＸ2 に関し互いに構造異性体である化合物対
が形成され得る。換言すれば、一方の化合物はＸ1 ＝Ｆ
及びＸ2 ＝Ｈを有し、他方の化合物はＸ2 ＝Ｆ及びＸ1
＝Ｈを有し、これらの化合物の構造はその他の点では同
一である（例えば式Ｉａ及びＩｌの化合物）。このよう
な異性体は同様の性質を有するが、これら二つの異性体
の混合は融点の非常に有用な低下をもたらし得る。
【００３８】式Ｉの化合物は電気光学的以外にも、ネマ
チックもしくはキラルネマチック液晶化合物の使用が適
していることが周知である用途に用いられ得る。例えば
英国特許出願公開第2083244 号及び第2085585 号に記載
された用途に用いるべく、式Ｉの化合物は熱変色性材料
などの熱感混合物の高クリアリング点成分として含有さ
れ得る。
【００３９】式Ｉの化合物は、それ自体公知の諸ステッ
プを含むが全体としては新規である合成ルートによって
製造され得る。
【００４０】例えば第３図の示すルートＡは式Ｉの２′
−フルオロ化合物を製造する一般的なルートである。第
３図においてＲ1 はアルキル、好ましくはｎ−アルキル
であり、Ｒ2 はＨか、アルキル、好ましくはｎ−アルキ
ルか、またはアルコキシ、好ましくはｎ−アルコキシで
ある。Ｒ′はＣm-1 Ｈ2m-1で、その際Ｒ1 はＣm Ｈ2m+1
である第４図の示すルートＢも式Ｉの２′−フルオロ化
合物を製造する一般的ルートであるが、ここでＲ″はア
ルキル、アルキルカルボニルまたはアルコキシカルボニ
ルである。ルートＢの出発物質はルートＡ（ステップＡ
１〜Ａ４）から得られ、その際Ｒ′＝ＣＨ3 である。
【００４１】第５図も式Ｉの２′−フルオロ化合物製造
の一般的ルート、即ちルートＣを示し、ここでＲ1 はア
ルキルＣm Ｈ2m+1、Ｒ′はアルキルＣm-1 Ｈ2m-1であ
り、またＲ2 はＨ、アルコキシまたはアルキルである。
【００４２】第６図も式Ｉの２′−フルオロ化合物製造
の一般的ルート、即ちルートＤを示し、ここでＲ″はア
ルキル、アルキルカルボニルまたはアルコキシカルボニ
ルである。
【００４３】式Ｉの２−フルオロ化合物は、対応する
２′−フルオロ化合物の製造ルートＡ〜Ｄに類似のルー
トによって製造され得る。
【００４４】例えば第７図の示すルートＥ（ステップＥ
３〜Ｅ５）は、ルートＣ（ステップＣ３〜Ｃ５）に類似
である。ルートＥにおいて、Ｒ1 はアルキル、好ましく
はｎ−アルキルであり、Ｒ2 はＨか、アルキル、好まし
くはｎ−アルキルか、またはアルコキシ、好ましくはｎ
−アルコキシである。ルートＥのステップＥ１及びＥ２
は、ステップＥ３〜Ｅ５の適当な出発物質２−フルオロ
−４−アルキル−４′−ブロモビフェニルの製造を示し
ている。
【００４５】式Ｉの化合物は比較的小さい負の誘電異方
性を有しており、各々“正”または“負”材料として知
られかつ本明細書でもそのように称される正または負の
誘電異方性を具えた液晶材料に、何よりもまず適当な誘
電異方性を有する混合物を製造するべく添加され得る。
当業者に周知であるように、液晶材料の誘電異方性は電
気光学的動作に必須であり、（所与の周波数における）
その正負記号は、当該材料を使用するべき電気光学デバ
イスの種類に従って選択される。
【００４６】大きい正の誘電異方性を具えた成分とし
て、融点の十分低い化合物が好ましい。例えば第８図に
それぞれ記号IIａ〜IIｉを付して掲げた式によって表わ
されるクラスの化合物は、正材料として適している。
【００４７】第８図において、各Ｒは独立にｎ−アルキ
ルまたはｎ−アルコキシであり、また各ＲA は独立にｎ
−アルキルである。
【００４８】択一的にあるいは付加的に、式Ｉの化合物
は他の小誘電異方性化合物に添加され得、その結果例え
ば混合物の融点や粘度が低下し、あるいは多重性が改善
される。第９図に記号III ａ〜III ｎを付して掲げた式
によって表わされるクラスの化合物は、上記他の化合物
の例である。
【００４９】第９図において、各Ｒは独立にｎ−アルキ
ルまたはｎ−アルコキシであり、各ＲA は独立にｎ−ア
ルキルであり、各Ｒ′は独立にｎ−アルキル、ｎ−アル
コキシまたは水素であり、Ｘは水素またはフッ素であ
り、Ｑは塩素あるいはフッ素などのハロゲンである。
【００５０】即ち式Ｉの１種または複数種の化合物は第
８図に掲げられた式IIａ〜IIｉの化合物の１種または複
数種に、場合によって第９図の式III ａ〜III ｎの化合
物の１種または複数種と共に添加され得る。
【００５１】このように製造した混合物に、例えば第10
図に記号IVａ〜IVｏを付して掲げた式によって表わされ
る諸クラスから選択される１種または複数種の化合物を
付加的な高クリアリング点化合物として加えてもよい。
【００５２】第10図においてＲ、ＲA 及びＸは、上記第
９図の場合と同様に定義される。
【００５３】例えば
【００５４】
【化９】
【００５５】（式中、Ｒc ＝（＋）−２−メチルブチ
ル、またＲD ＝（＋）−２−メチルブトキシ）のような
キラルな添加物など他の特殊な公知添加物も、必要であ
れば混合物中に加えられ得る。
【００５６】式Ｉの化合物を上記したような他のクラス
の化合物とブレンドして得られる液晶材料は次のような
ものである。
【００５７】（ｉ）多重化デバイスを含めてねじれネマ
チック効果デバイスに使用する正のネマチック材料；こ
の種のデバイスの例は後段に記載する。
【００５８】（ii）Freedericksz効果デバイス（負のネ
マチックタイプ）に使用する好ましくは多色性染料をも
含む負材料；このようなデバイスでは分子配列は電場に
よってホメオトロピック組織（オフ状態）からホモジニ
アス組織（オン状態）に変換され得、後段にその例を記
載する。
【００５９】（iii ）分子配列が電場によってホモジニ
アス組織（オフ状態）からホメオトロピック組織（オン
状態）へ変換される（正のネマチックタイプの）Freede
ricksz効果デバイスに使用する好ましくは多色性染料を
も含む正のネマチック材料； （iv）適切な抵抗率（約109 ohm-cm）を有するコレステ
リック（キラルネマチック）である負材料；分子配列が
電場によってホモジニアス組織（オフ状態）から散乱フ
ォーカルコニック（focal conic ）組織（オン状態）に
変換されるコレステリック記憶モードデバイスに使用。
【００６０】（ｖ）好ましくは多色性染料をも含む、コ
レステリックである強負材料；分子配列が電場により弱
散乱即ち清澄な表面整列ホメオトロピック組織（オフ状
態）から強散乱ねじれホモジニアス組織（オン状態）へ
変化するコレステリック−ネマチック相変化効果デバイ
ス（正のコントラストタイプ）に使用。
【００６１】（vi）好ましくは多色性染料をも含む、コ
レステリック（キラルネマチック）である正材料；分子
配列が電場によって散乱フォーカルコニック組織（オフ
状態）から清澄ホメオトロピック組織（オン状態）に変
換されるコレステリック−ネマチック相変化効果デバイ
ス（負のコントラストタイプ）に使用。
【００６２】（vii ）適当な抵抗率（約109 ohm-cm）の
負のネマチック材料；分子配列が電場によって清澄ホメ
オトロピック組織（オフ状態）から乱散乱組織（オン状
態）に変化する動的散乱効果デバイスに使用。
【００６３】（viii）材料の誘電異方性が（低周波数
の）オン状態において正から負へ高周波数電場の印加に
より変化し得る二周波数スイッチング効果デバイス（ね
じれネマチック効果デバイスであり得る）に使用する正
のネマチック材料； （ix）同時係属中の英国特許出願第8218821 号に記載の
デバイスに適する材料。
【００６４】上記デバイスの構造及び動作並びにこれら
に使用するのに適した材料の一般的種類はそれ自体公知
である。
【００６５】ねじれネマチック効果デバイス、コレステ
リック−ネマチック相変化効果（負のコントラストタイ
プ）デバイス又はFreedericksz効果（正のネマチックタ
イプ）デバイスに液晶材料を使用する場合、これらの材
料は好ましくは次の成分を含有する。即ち、式Ｉの化合
物１種以上（成分Ａ）及び式IIａ〜IIｉの化合物１種以
上（成分Ｂ）並びに任意に以下のもの１種以上を含む。
【００６６】成分Ｃ：式III ａ〜III ｎの化合物１種以
上； 成分Ｄ：式IVａ〜IVｏの化合物１種以上； 成分Ｅ：キラル添加剤１種以上。
【００６７】ねじれネマチック効果及びFreedericksz
（正ネマチック）効果の場合、材料の種々の成分の割合
（％）は以下のとおりである（合計は100 ％にする）。
【００６８】 成分Ａ：５〜95重量％（典型的には５〜40重量％） 成分Ｂ：５〜60重量％（典型的には15〜40重量％） 成分Ｃ：０〜90重量％（典型的には５〜30重量％） 成分Ｄ：０〜40重量％（典型的には５〜30重量％） 成分Ｅ：０〜５重量％（典型的には０〜１重量％） 相変化（負のコントラストタイプ）の場合には次の割合
を使用し得る。
【００６９】成分Ａ〜Ｄ：上記割合 成分Ｅ：２〜20重量％（典型的には４〜５重量％）。
【００７０】Freedericksz（正のネマチック）及び相変
化（負のコントラストタイプ）効果では、全混合物の1.
5 〜15％を形成する多色性染料を液晶材料に添加するの
が好ましい。適する染料は英国特許出願公開第2081736A
号、第208219A 号及び第2093475A号に記載されている。
典型的には、添加した各染料化合物は全混合物の１〜３
重量％を形成する。
【００７１】式Ｉの化合物を含む液晶混合物は公知の方
法で形成し得る。例えば適格な重量割合の構成成分を単
に一緒に加熱して全体として等方性の液体を形成する
（例えば約100 ℃）。
【００７２】本発明成分と混合し得る液晶化合物の一般
的な式を、第11図に更に例示する。ここで各Ｒ及びＲA
は、上段のものと同様に定義される。
【００７３】本発明の第二の面に於いて、液晶デバイス
は、少なくとも一方が光学的に透明な２個の誘電性基
板、基板間にサンドイッチされた液晶材料層、並びに、
基板の内面に設けられかつ液晶材料層を横切る電場を印
加してそこで電気光学効果を生起せしめ得る電極を含ん
でおり、この液晶材料が上記式Ｉの化合物で構成される
か又はこの化合物を含有することを特徴とする。
【００７４】この第二の面のデバイスは、多重方式で操
作されてもよいしそうでなくてもよいねじれネマチック
効果デバイス、コレステリック−ネマチック相変化効果
デバイス、Freedericksz効果デバイスあるいは二周波数
スイッチング効果デバイスであり得、これらは公知の方
法で構成され得、更に上記した他のデバイスのいずれで
もよい。これらのデバイス中で式Ｉの化合物を使用する
種々の方法は上記に概説したとおりであり、当業者には
明らかであろう。
【００７５】本発明による式Ｉ化合物の製造及び特性に
関する実施例を以下に記載する。実施例中では次の略号
を使用する。
【００７６】Ｃ−Ｉ，mp＝融点 bp＝沸点 ir＝赤外分光法1 Hnmr＝陽子核磁気共鳴 Rf＝速度因子 ms＝質量分析法 tlc ＝薄層クロマトグラフィー glc ＝気−液クロマトグラフィー hplc＝高圧液体クロマトグラフィー g ＝グラム h ＝時間 ＤＳＣ＝走査式示差熱量分析法 Hg＝水銀 液晶転移温度 Ｃ−Ｎ＝結晶−ネマチック転移温度 Ｃ−Ｓ＝結晶−スメクチック転移温度 Ｓ−Ｓ＝スメクチック−スメクチック転移温度 Ｓ−Ｉ＝スメクチック−等方性転移温度 Ｓ−Ｎ＝スメクチック−ネマチック転移温度 Ｎ−Ｉ＝ネマチック−等方性転移温度 ＳA 等＝スメクチックＡ相等 例えば（Ｎ−Ｉ）のような転移温度を囲む括弧は、単変
転移を示す。
【００７７】以下の実施例において、分光分析（ir, 1
Hnmr及びms）、tlc 、glc 及びhplcは総ての最終生成物
について（及び必要であれば中間生成物についても）実
施し、それによって構造及び／または純度を特定した。
【００７８】実施例１：上記ルートＡの、Ｒ1 ＝ｎ−Ｃ
5 Ｈ11及びＲ2 ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 である場合の例ステップＡ１ 一例として、次の手続きによってcis −／trans −４−
ｎ−プロピル−１−（２′−フルオロビフェニル−４′
−イル）シクロヘキサノールの製造を説明する。
【００７９】４−ブロモ−２−フルオロビフェニル（2
5.1g 、0.10モル）のナトリウム乾燥エーテル（60c
m3 ）溶液の約1/3 をフラスコ内のマグネシウム削り屑
（2.40g 、0.10g 原子）に添加した。ヨウ素結晶を添加
して穏やかに加熱することにより、反応を開始させた。
４−ブロモ−２−フルオロビフェニルのエーテル溶液の
残部を滴下し加え、その結果反応混合物は穏やかに沸騰
した。前記添加後反応混合物を、還流下に１時間穏やか
に加熱した。反応混合物が室温まで冷めた時、４−ｎ−
プロピルシクロヘキサノン（0.10モル）のナトリウム乾
燥エーテル（50cm3 ）溶液を30分間にわたって添加し、
次いで得られた反応混合物を還流下に30分間加熱した。
冷却溶液を、濃硫酸（25cm3 ）と氷片（300g）との激し
く攪拌された混合物に注意深く注いだ。エーテル中に生
成物を抽出し、結合エーテル抽出物を水で洗浄し、乾燥
した（ＭｇＳＯ4 ）。粗製残留アルコールをヘキサンか
ら再結晶させた。
【００８０】tlc 及び分光分析（ir、 1Hnmr及びms）の
結果、精製試料がcis −trans −異性体をほぼ等量含有
した異性体混合物であることが判明した。
【００８１】上記化合物の純粋なcis −trans −異性体
をシリカゲル上でのカラムクロマトグラフ、並びにクロ
ロホルムでの溶離によって単離した。cis −及びtrans
−異性体をヘキサンから再結晶させたが、確実に同定さ
れたのはcis −異性体の方でtrans −異性体の方は得ら
れなかった。
【００８２】ステップＡ１によって製造した異性化合物
を、次の表１に示す。
【００８３】
【表１】
【００８４】ステップＡ２ ４−ｎ−プロピル−１−（２′−フルオロビフェニル−
４′−イル）シクロヘキセンの製造。
【００８５】４−ｎ−プロピル−１−（２′−フルオロ
ビフェニル−４′−イル）シクロヘキサノールの異性混
合物（0.06モル）のナトリウム−乾燥ベンゼン（100 cm
3 ）溶液を、ナトリウム−乾燥ベンゼン（200 cm3 ）に
五酸化リン（0.15モル）を加え激しく攪拌した混合物に
30分間にわたって滴下し加えた。次いで得られた反応混
合物を、室温で３時間攪拌した。０℃に冷めた時、氷水
（300 cm3 ）を注意深く加えた。水性相をベンゼンで処
理し、結合有機抽出物を炭酸ナトリウム５％溶液及び水
で洗浄し、最後に乾燥した（ＭｇＳＯ4 ）。粗製残留シ
クロヘキセンをエタノールから再結晶させた。シリカゲ
ル上でのカラムクロマトグラフ、並びにクロロホルム：
石油エーテルの１：９混合物（bp60〜80℃）での溶離に
よって、少量の純粋物質試料が得られた。生成物はエタ
ノールから再結晶させた。
【００８６】得られた生成物は、次の特性を有してい
た。
【００８７】Ｃ−Ｉ＝63.5℃，Ｎ−Ｉ＝（57.2℃）ステップＡ３ ２′−フルオロ−４−ｎ−プロピル−ｐ−ターフェニル
の製造。
【００８８】ステップＡ２のように製造した４−ｎ−プ
ロピル−１−（２′−フルオロビフェニル−４′−イ
ル）シクロヘキセン（0.05モル）のナトリウム−乾燥ト
ルエン（100 cm3 ）溶液を、ナトリウム−乾燥トルエン
（200 cm3 ）に２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベ
ンゾキノン（0.11モル）を加え激しく攪拌した混合物に
30分間にわたって滴下し加えた。次に反応混合物を還流
下に３時間110 ℃に加熱した。室温に冷めたところで、
キノンから派生するキノール沈殿物を濾過によって一切
除去し、濾液をメタ重亜硫酸ナトリウム15％溶液及び水
で洗浄した。最後に、トルエン溶液を乾燥した（ＭｇＳ
Ｏ4 ）。
【００８９】残留固体を昇華させ（120 〜140 ℃／0.01
mmHg）、エタノールから再結晶させた。それによって、
mp74〜76℃（72％）の２′−フルオロ−４−ｎ−プロピ
ル−ｐ−ターフェニルが白色結晶固体として得られた。
【００９０】ステップＡ３に類似の手続きによって製造
され得る式
【００９１】
【化１０】
【００９２】の化合物において、Ｒ2 は次のいずれかで
ある。
【００９３】ＣＨ3 ，ＣＨ3 Ｏ，Ｃ2 Ｈ5 ，Ｃ2 Ｈ
5 Ｏ，ｎ−Ｃ3 Ｈ7 Ｏ，ｎ−Ｃ4 Ｈ9 ，Ｃ4 Ｈ9 Ｏ，ｎ
−Ｃ5 Ｈ11，ｎ−Ｃ5 Ｈ11Ｏ，ｎ−Ｃ6 Ｈ13，ｎ−Ｃ6
Ｈ13Ｏ，ｎ−Ｃ7 Ｈ15，ｎ−Ｃ7 Ｈ15Ｏ，ｎ−Ｃ
8 Ｈ17，ｎ−Ｃ8 Ｈ17Ｏ，ｎ−Ｃ9 Ｈ19，ｎ−Ｃ9 Ｈ19
Ｏ，ｎ−Ｃ10Ｈ21，ｎ−Ｃ10Ｈ21Ｏ，ｎ−Ｃ11Ｈ23，ｎ
−Ｃ11Ｈ23Ｏ，ｎ−Ｃ12Ｈ25，ｎ−Ｃ12Ｈ25Ｏ。
【００９４】ステップＡ４ ２′−フルオロ−４″−ｎ−ペンタノイル−４−ｎ−プ
ロピル−ｐ−ターフェニルの製造。
【００９５】微粉状の無水塩化アルミニウム（2.0g、0.
015 モル）と（ステップＡ３でのように製造した）２′
−フルオロ−４−ｎ−プロピル−ｐ−ターフェニル（0.
0125モル）とをシーブ−乾燥ニトロベンゼン（25cm3 ）
に加えた冷却攪拌混合物に、ペンタノイルクロリド（0.
015 モル）のシーブ−乾燥ニトロベンゼン（５cm3 ）溶
液を15分間にわたって添加し、その際温度を０℃より低
く維持した。反応混合物を室温で20時間攪拌後、氷片
（50g ）と水（10cm3 ）と濃塩酸（10cm3 ）との混合物
に注ぎ、30分間激しく攪拌した。水性相をクロロホルム
で処理し、結合有機抽出物を水で洗浄した。クロロホル
ム及びニトロベンゼンを水蒸気蒸留で除去し、生成物を
エーテル中に抽出し、エーテル溶液を水で洗浄後乾燥し
た（ＭｇＳＯ4 ）。得られた固体残留物をシリカゲル上
でのカラムクロマトグラフ、クロロホルム：石油エーテ
ルの２：１混合物（bp60〜80℃）での溶離によって精製
した。生成物を、５％のベンゼン／プロパン−２−オー
ルから再結晶させた（収率66％）。
【００９６】ステップＡ５ ２′−フルオロ−４″−ｎ−ペンチル−４−ｎ−プロピ
ル−ｐ−ターフェニルの製造。
【００９７】ステップＡ４で製造した２′−フルオロ−
４″−ｎ−ペンタノイル−４−ｎ−プロピル−ｐ−ター
フェニル（0.007 モル）を、ジエチレングリコール（50
cm3）とヒドラジン水化物（0.035 モル）と水酸化カリ
ウム（0.0175モル）との攪拌混合物に添加し、反応混合
物を２時間130 ℃に加熱した。過剰ヒドラジンを蒸留に
よって除去し、反応混合物の温度を４時間180 ℃に上昇
させた。室温に冷めたところで反応混合物を水（1000cm
3 ）中に注ぎ、生成物をエーテル中に抽出した。結合エ
ーテル抽出物を水で洗浄し、乾燥した（ＭｇＳＯ4 ）。
薄黄色の残留物をシリカゲル上でのカラムクロマトグラ
フ、クロロホルム：石油エーテルの１：５混合物（bp60
〜80℃）での溶離によって精製した。プロパン−２−オ
ールからの再結晶によって、生成物が白色結晶固体とし
て得られた。
【００９８】得られた生成物２′−フルオロ−４″−ｎ
−ペンチルー４−ｎ−プロピル−ｐ−ターフェニルは、
次の特性を有していた。
【００９９】Ｃ−Ｎ＝50℃，Ｎ−Ｉ＝140.6 ℃ 収率は38％であった。
【０１００】実施例１に類似の手続きによって製造され
る生成物の例を、次の表２に示す。
【０１０１】
【表２】
【０１０２】
【表３】
【０１０３】
【表４】
【０１０４】
【表５】
【０１０５】
【表６】
【０１０６】
【表７】
【０１０７】
【表８】
【０１０８】
【表９】
【０１０９】表２に掲げた化合物の特性を例示すれば、
Ｒ1 ＝Ｃ2 Ｈ5 及びＲ2 ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11の時Ｃ−Ｓ＝6
4.0℃、Ｓ−Ｎ＝90℃及びＮ−Ｉ＝128.7 ℃、Ｒ1 ＝ｎ
−Ｃ3 Ｈ7 及びＲ2 ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11の時Ｃ−Ｓ＝61.0
℃、Ｓ−Ｎ＝99.5℃及びＮ−Ｉ＝141.5 ℃、またＲ1 ＝
ｎ−Ｃ4 Ｈ9 及びＲ2＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11の時はＣ−Ｓ＝68
℃、Ｓ−Ｎ＝106.8 ℃及びＮ−Ｉ＝131.2 ℃である。
【０１１０】上記２番目の場合の化合物はまた、50℃
（ＤＳＣにて測定）で結晶−結晶転移を示した。
【０１１１】式
【０１１２】
【化１１】
【０１１３】の化合物の様々な例のクリアリング転移温
度を、次の表３ａに示す。
【０１１４】
【表１０】
【０１１５】式
【０１１６】
【化１２】
【０１１７】の様々な化合物の主な転移温度を、次の表
３ｂに示す。
【０１１８】
【表１１】
【０１１９】表３ｂに掲げた化合物の示すその他の転移
温度は、次の表３ｃに示すとおりである。
【０１２０】
【表１２】
【０１２１】実施例２：上記ルートＢの、Ｒ1 ＝Ｃ4 Ｈ
9 Ｏ及びＲ2 ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 である場合の例ステップＢ１ ルートＡのステップＡ４の手続きによって製造されたメ
チルｐ−ターフェニルイルケトン（Ｒ1 ＝ＣＨ3 ，Ｒ2
＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ）を乾燥ジクロロメタン中で1.25当量の
ｍ−クロロペルオキシ安息香酸を用い対応するオキシ化
合物に変換した（Baeyer-Villiger 酸化）。得られたエ
ステルを加水分解して（10％のエタノール性水酸化カリ
ウムを使用）、適当なフェノールを得た。
【０１２２】ステップＢ２ ステップＢ１によって製造したオキシ化合物を、例えば
J.Chem.Soc.,P1467 （1954）所載のG.W.Gray及びB.Jone
s による論文のような文献から標準的方法を用いてアル
キル化した（Ｒ1 ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11）。
【０１２３】アルコキシ（ＯＲ）かまたは水素（Ｈ）で
ある４−置換基を伴った、類似の手続きによって製造さ
れ得る類似の化合物を、次の表４に示す。
【０１２４】
【表１３】
【０１２５】
【表１４】
【０１２６】
【表１５】
【０１２７】
【表１６】
【０１２８】
【表１７】
【０１２９】
【表１８】
【０１３０】
【表１９】
【０１３１】
【表２０】
【０１３２】実施例３：上記ルートＣの、Ｒ1 ＝ｎ−Ｃ
5 Ｈ11及びＲ2 ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 である場合の例ステップＣ１ ４′−ｎ−ペンタノイル−４−ブロモ−２−フルオロビ
フェニルの製造。
【０１３３】ステップＣ１で実施した手続きは、上記ス
テップＡ４の手続きと同様であった。
【０１３４】ステップＣ２ ４′−ｎ−ペンチル−４−ブロモ−２−フルオロビフェ
ニルの製造。
【０１３５】ステップＣ１によって製造したケトンを、
J.Org.Chem. 37，3355（1972）所載のW.L.Albrecht，D.
H.Gustafson 及びS.W.Horganによる論文からの標準的Ｌ
ｉＡｌＨ4 −ＡｌＣｌ3 ／（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｏ／ＣＨＣｌ
3 法を用いて還元した。得られたアルケンは総て、酢酸
エチル中で10％のＰｔ−Ｃ／水素（Ｈ2 ）を用い水素添
加した。
【０１３６】bp 110℃／0.01mmHgの４′−ｎ−ペンチル
−４−ブロモ−２−フルオロビフェニルを生成物として
得た。
【０１３７】ステップＣ３ cis ／trans −４−ｎ−ペンチル−１−（４″−ｎ−プ
ロピル−２′−フルオロビフェニル−４′−イル）シク
ロヘキサノールを、上記ステップＡ１と同様の手続きで
製造した。
【０１３８】ステップＣ３によって製造された異性化合
物を、表５に示す。
【０１３９】
【表２１】
【０１４０】mp及び転移温度は、ＤＳＣで確認した。
【０１４１】ステップＣ４ ４−ｎ−ペンチル−１−（４″−ｎ−プロピル−１−
２′−フルオロビフェニル−４′−イル）シクロヘキセ
ンを、上記ステップＡ２と同様の手続きで製造した。
【０１４２】ステップＣ５ ステップＣ４の生成物を上記ステップＡ３と同様の手続
きによって、対応する２′−フルオロ−４−ｎ−ペンチ
ル−４″−ｎ−プロピル−ｐ−ターフェニルに変換し
た。
【０１４３】類似の手続きによって製造され得る化合物
は、先の表２に掲げたものと同様である。
【０１４４】ステップＣ１〜Ｃ５の生成物を、次の表６
に更に例示する。
【０１４５】
【表２２】
【０１４６】
【表２３】
【０１４７】＊この化合物の、液晶の振舞いに基づくas
signment実施例４ ：上記ルートＤの、Ｒ1 ＝ｎ−Ｃ4 Ｈ9 及びＲ
2 ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 である場合の例ステップＤ１ ４−ブロモ−２−フルオロ−４′−ヒドロキシビフェニ
ルを、上記ステップＢ１と同様の手続きで製造した。
【０１４８】ステップＤ２ ４−ブロモ−４′−ブトキシ−２−フルオロビフェニル
を、上記ステップＢ２と同様の手続きで製造した。
【０１４９】ステップＤ３ cis ／trans −４−ｎ−ブトキシ−１−（４″−ｎ−プ
ロピル−２′−フルオロビフェニル−４′−イル）シク
ロヘキサノールを、上記ステップＡ１と同様の手続きで
製造した。
【０１５０】ステップＤ４ ４−ｎ−ブトキシ−１−（４″−ｎ−プロピル−２′−
フルオロビフェニル−４′−イル）シクロヘキセンを、
上記ステップＡ２と同様の手続きで製造した。
【０１５１】ステップＤ５ ２′−フルオロ−４−ブトキシ−４″−ｎ−プロピル−
ｐ−ターフェニルを、上記ステップＡ３と同様の手続き
で製造した。
【０１５２】ステップＤ１〜Ｄ５に類似の手続きで製造
され得るフルオロ−ｐ−ターフェニル化合物は、先の表
４に掲げたものと同様である。
【０１５３】上述したが、式Ｉの化合物のうち２−フル
オロ化合物は、適当な２−フルオロ出発物質を用いるこ
とにより実施例１、２、３または４に類似の方法で製造
され得る。そのようにして製造され得る２−フルオロ化
合物を、次の表７に例示する。
【０１５４】
【表２４】
【０１５５】
【表２５】
【０１５６】
【表２６】
【０１５７】
【表２７】
【０１５８】
【表２８】
【０１５９】
【表２９】
【０１６０】
【表３０】
【０１６１】
【表３１】
【０１６２】
【表３２】
【０１６３】
【表３３】
【０１６４】
【表３４】
【０１６５】
【表３５】
【０１６６】
【表３６】
【０１６７】
【表３７】
【０１６８】
【表３８】
【０１６９】式Ｉのフッ素含有化合物の、上記式Ａで表
わされるフッ素を含有しない公知の類似生成物に対する
優越性を、次の表８に示す。
【０１７０】
【表３９】
【０１７１】表８から知見されるように、公知化合物の
ＰＡ１は高い融点及び狭い液晶温度範囲を有し、かつネ
マチック液晶相を有しない。この化合物の液晶相は、実
際、完全にスメクチックである。
【０１７２】これに対し、本発明による番号９及び19の
化合物は著しく低い融点を有し、またその液晶温度範囲
は広く、該温度範囲においてスメクチック領域は抑制あ
るいは排除されるが、いずれにせよ前記スメクチック領
域の発生温度は著しく低められ、かつネマチック領域は
著しく増大する。
【０１７３】表８に示された、番号９及び19の化合物自
体の改善された特性によって、前記化合物９及び19を含
む混合物の特性も対応して改善され、即ち例えば、化合
物ＰＡ１を含む対応混合物に比較して粘度が低下し、ま
た単射スメクチック相（injected smectic phases ）形
成の傾向が減少する。
【０１７４】実際、番号ＰＡ１の化合物の基本ターフェ
ニル分子にフッ素を含有させて番号９及び19の化合物を
形成することによって、あまり実用に適さない構造から
市販デバイスに非常に有利に適用される構造への変換が
有効に実現する。
【０１７５】式Ｉの、末端にアルコキシを具えた様々な
化合物の主な転移温度を、次の表Ａ１に例示する。
【０１７６】
【表４０】
【０１７７】表Ａ１に掲げた様々な化合物のその他の転
移温度を、次の表Ａ２に例示する。
【０１７８】
【表４１】
【０１７９】本発明による電気光学的デバイスを、単に
例示するだけの添付図面に基づく１具体例によって以下
に詳述する。
【０１８０】第12図〜第15図のディスプレイは、スペー
サー４により約７μｍの間隔で保持されている前部およ
び後部のガラススライド２，３から形成され且つエポキ
シ樹脂接着剤によって一体化されているセル１からな
る。液晶材料12は、スライド２，３とスペーサー４の間
の空間に充填される。フロントガラススライド２の前
に、前部偏光子５を偏光軸が水平になるように配列して
置く。反射板７をスライド３の後方に置く。後部偏光子
６或いは検光子をスライド３と反射板７の間に載置す
る。
【０１８１】典型的には100 （オングストローム）の厚
さの酸化スズの電極８，９を完全な膜としてスライド
２，３の内面につけ、第14図及び第15図に示された形に
エッチングする。ディスプレイは１個の数字10に７本の
バーを有し、さらに各々の数字の間には小数点11があ
る。第14図に示したように、後部電極構造は３個の電極
Ｘ1 ，Ｘ2 ，Ｘ3 から成っている。同様に前部電極構造
は数字および小数点毎に３個の電極Ｙ1 ，Ｙ2 ，Ｙ3 …
…から成っている。数字毎の６個の電極を検査して、適
切なＸ，Ｙ電極に適当な電圧を印加することにより８個
の要素の各々は独立に印加電圧を有することが示され
る。
【０１８２】組み合わせる前に、電極をつけたスライド
２，３はきれいにした後0.2 重量％のポリビニルアルコ
ール（ＰＶＡ）水溶液に浸す。乾燥時該スライドは柔か
い布で一定方向に擦過後、互いに擦過方向が垂直で各々
の隣接偏光子の光軸と平行になるように、すなわち偏光
子が交叉するように組み合わせる。ネマチック液晶材料
12をスライド２，３の間に導入すると、スライド表面で
分子は各々のスライドの擦過方向に沿って並びスライド
間で次第にねじれる。
【０１８３】セル１に電圧が印加されないときは、光は
前部偏光子５を通り、セル１を通り（この間に偏光面は
90°回転する）、後部偏光子６を通り、反射面７で反射
して観測者に達する。（第12図参照。観察者はスライド
２，３の面内のＸ軸およびＹ軸に垂直なＺ軸に対して45
°の角度にある。）２個の電極８，９間にしきい値より
高い電圧を印加すると、液晶層12は光学的活性を失い分
子はスライド２，３に対して垂直にすなわちＺ軸に沿っ
て再配列する。この状態では光は反射板７に到達しなく
なって観測者に到達せず、観測者には数字10の１つ或い
はそれ以上のバーの暗い表示しか見えない。
【０１８４】第16図〜第18図に示されたように、３連続
時間間隔で線走査方式で電圧を印加する。各々のＸ電極
を順に３Ｖ／２の電位に、一方残りのＸ電極を−Ｖ／２
にする。その間Ｙ電極は−３Ｖ／２或いはＶ／２にす
る。交叉する点で３Ｖ／２と−３Ｖ／２が一致すると液
晶層12に３Ｖの電圧が印加されることになる。それ以外
の点では電圧はＶ或いは−Ｖである。かくの如く３Ｖ／
２がＸ電極に走査されたときに適切なＹ電極に−３Ｖ／
２を印加することにより、選択された交叉点がオン状態
になる（図に黒丸で示される。）電圧Ｖは例えば100Hz
矩形波の交流シグナルで、正負記号は位相を表わす。
【０１８５】第12図〜第18図に示されたデバイスは、電
極がオンおよびオフの交叉点或いはディスプレイ要素間
に分配されるため、多重化されたディスプレイであるこ
とは当業者には明らかであろう。
【０１８６】上記デバイスの材料12に用いられるのに適
する本発明を具体化する材料を、次の表９に示す（混合
物１）。
【０１８７】
【表４２】
【０１８８】小量の光学活性材料をネマチック材料に加
えて液晶層の分子に好ましいねじれを生じさせてもよ
い。この処理および適切なスライド表面処理を用いると
英国特許出願番号第1,472,247 号および第1,478,592 号
に教示されたディスプレイパッチの問題を防除できる。
【０１８９】適切な光学活性材料は以下のものである：
約 0.1〜0.5 重量％のＣ15および約0.01〜0.05重量％の
ＣＢ15。
【０１９０】Ｃ15は
【０１９１】
【化１３】
【０１９２】少量の多色性染料例えば英国特許公開第20
93475 号記載の染料混合物２を２重量％加えてディスプ
レイコントラストを高めてもよい。この場合１方の偏光
子は除去する。
【０１９３】本発明の第２の面を具体化する他の具体的
混合物はFreedericksz効果型セルに用いてもよい。該セ
ルは上記デバイスのように内部表面に電極フィルムを有
するガラススライドの間に液晶材料をサンドイッチ状に
組み込んで構成される。しかしながらこの場合には偏光
子は必ずしも必要でなく、ガラススライド内部表面はレ
シチンの被覆加工で処理され、液晶材料は負材料で、そ
の分子はＯＦＦ状態においてレシチン被覆加工によりス
ライド基板に垂直に（ホメオトロピック配向）配列され
ている。オン状態で材料に適当な電場を印加すると、分
子はスライド表面に平行に（ホモジニアス配向）再配列
される。多色性染料を液晶材料に組み入れてオン状態と
オフ状態のコントラストを高めてもよい。
【０１９４】上記のように作られたFreedericksz効果型
セルには次の混合物３を組み入れてもよく、その際セル
の間隔は10μｍとなる。
【０１９５】
【表４３】
【０１９６】を負の添加剤として混合物３（混合物３の
３重量％まで）に添加してもよい。
【０１９７】化合物Ａの調製は英国特許公開第2061256
号に記載されている。約１重量％の上記の染料混合物を
混合物３に加えて着色混合物（混合物３Ａ）にしてもよ
い。
【０１９８】セルに電圧を印加すると、弱い吸収状態か
ら強い吸収状態へ色が変化する。
【０１９９】本発明のもう一つの具体例では（コレステ
リック−ネマチック）相変化効果型デバイスに上述の材
料を組み入れる。
【０２００】上述のねじれネマチック型セルと同様に電
極を担持するガラススライド間にサンドイッチ状にはさ
まれた長いらせんピッチのコレステリック物質を含むセ
ルを製造する。しかしながらこの場合には、ホモジニア
ル配列のための表面調製例えばＳｉＯによるガラススラ
イド表面処理および偏光子は用いられない。
【０２０１】ガラススライドが未処理で液晶材料が正の
誘電的異方性（Δε）を有するならば、液晶材料はオフ
状態でねじれフォーカルコニック分子配向であり、これ
は光を散乱する。ガラススライドの各々の内部表面にあ
る一対の電極間に印加された電場の効果は、電極間の液
晶材料領域をオン状態に変えてオフ状態より散乱の少な
いホメオトロピックネマチック配向にすることである。
これは負のコントラスト型の相変化効果型デバイスであ
る。
【０２０２】ガラススライド内部表面を例えばレシチン
で被覆処理して液晶材料の分子配列を前記表面に対して
垂直にし、かつ液晶材料が負のΔεを有するならば、オ
フ状態の前記材料は入射光に対して僅かな散乱効果しか
有しないホメオトロピック配向である。ガラススライド
の各々の内部表面にある一対の電極間に電場を印加する
と、電極間の液晶材料領域は（オン状態で）光を散乱す
るねじれホモジニアス配向に変わる。これは正のコント
ラスト型の相変化効果型デバイスである。
【０２０３】各々の場合に二つの状態間のコントラスト
は液晶材料に少量の適当な多色性染料（例えばΔεが正
の場合には１重量％の染料混合物）を添加することによ
り高めてもよい。
【０２０４】相変化効果型（ネガティブコントラスト
型）デバイスに用いられる本発明を具体化する正の誘電
異方性材料、即ち混合物４を次に示す。
【０２０５】
【表４４】
【０２０６】相変化効果型（ポジティブコントラスト
型）に用いられる本発明を具体化する適当な負の誘電異
方性材料、即ち混合物５を次に示す。
【０２０７】
【表４５】
【０２０８】表12に記載のキラル化合物の代りに式Ｉの
キラル化合物を使用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】式Ｉの化合物の一般クラスの例である複数個の
サブクラスの一般的な式を示すリストである。
【図２】式Ｉの化合物の一般クラスの例である複数個の
サブクラスの一般的な式を示すリストである。
【図３】第１図及び第２図に掲げた様々なサブクラスの
幾つかの製造をそれぞれ示すフローチャートである。
【図４】第１図及び第２図に掲げた様々なサブクラスの
幾つかの製造をそれぞれ示すフローチャートである。
【図５】第１図及び第２図に掲げた様々なサブクラスの
幾つかの製造をそれぞれ示すフローチャートである。
【図６】第１図及び第２図に掲げた様々なサブクラスの
幾つかの製造をそれぞれ示すフローチャートである。
【図７】第１図及び第２図に掲げた様々なサブクラスの
幾つかの製造をそれぞれ示すフローチャートである。
【図８】液晶混合物を生成するべく式Ｉの化合物と混合
し得る化合物の公知クラスの一般的な式を示すリストで
ある。
【図９】液晶混合物を生成するべく式Ｉの化合物と混合
し得る化合物の公知クラスの一般的な式を示すリストで
ある。
【図１０】液晶混合物を生成するべく式Ｉの化合物と混
合し得る化合物の公知クラスの一般的な式を示すリスト
である。
【図１１】液晶混合物を生成するべく式Ｉの化合物と混
合し得る化合物の公知クラスの一般的な式を示すリスト
である。
【図１２】式Ｉの化合物を含有した液晶材料を含む液晶
デバイスの一例であるねじれネマチック型デジタルディ
スプレイの部分図である。
【図１３】第１２図のディスプレイの断面図である。
【図１４】第１２図の後部電極の形状図である。
【図１５】第１２図の前部電極の形状図である。
【図１６】典型的なアドレス電圧を印加された第１２図
〜第１５図のデバイスの概略的説明図である。
【図１７】典型的なアドレス電圧を印加された第１２図
〜第１５図のデバイスの概略的説明図である。
【図１８】典型的なアドレス電圧を印加された第１２図
〜第１５図のデバイスの概略的説明図である。
【符号の説明】
１ セル ２，３ ガラススライド ４ スペーサー ５，６ 偏光子 ７ 反射板 ８，９ 電極 12 液晶材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 43/23 8619−4Ｈ 49/813 7457−4Ｈ 49/82 7457−4Ｈ 49/84 7457−4Ｈ 69/013 Ｂ 8018−4Ｈ 69/63 9279−4Ｈ 69/96 Ｚ 9279−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 19/30 7457−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (71)出願人 593033142 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツ ト・ベシユレンクテル・ハフツング ドイツ連邦共和国、6100・ダルムシユタツ ト、フランクフルターシユトラーセ・250 (72)発明者 ロウレンス・カム・ミング・チヤン イギリス国、ハンバーサイド・エイチ・ユ ー・８・８・エヌ・エヌ、ハル、ホルダー ネス・ロード、リー・ストリート・112 (72)発明者 ジヨージ・ウイリアム・グレイ イギリス国、ハンバーサイド・エイチ・ユ ー・16・４・デイー・ワイ、コテインガ ム、ニユーゲイト・ストリート・33 (72)発明者 ケネス・ジヨンソン・トイン イギリス国、ハンバーサイド・エイチ・ユ ー・６・８・キユー・ダブリユ、ハル、ホ ール・ロード・25 (72)発明者 デイヴイツド・レイシー イギリス国、ハンバーサイド、ハル、キル デイル・クローズ・19 (72)発明者 ルードルフ・アイデンシンク ドイツ連邦共和国、デー−6115・ミユンス ター、コルンブルーメンシユトラーセ・１ (72)発明者 ミヒヤエル・レーマー ドイツ連邦共和国、デー−6054・ロートガ ウ・２、グローセン・ガルテン・18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一方が光学的に透明である２
    個の誘電基板と、前記基板間に挾持された液晶材料層
    と、基板の内表面上にあって液晶材料層に電気光学効果
    を与えるべく該層を横断して電場を印加し得る電極とを
    含む液晶デバイスであって、液晶材料は、少なくとも１
    種が下記のターフェニルである複数種の化合物の混合物
    を含む材料であることを特徴とする液晶デバイス。 【化１】 （式中、 Ｒ1 は水素、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニ
    ル、アルキルカルボニルオキシ及びアルコキシカルボニ
    ルオキシの中から選択され、 Ｒ2 は水素、アルキル及びアルコキシの中から選択さ
    れ、 Ｘ1 は水素及びフッ素の中から選択され、 Ｘ2 は水素及びフッ素の中から選択され、 【化２】 の中から選択され、但し、Ｘ1 及びＸ2 の一方はフッ素
    である）
  2. 【請求項２】 【化３】 である請求項１に記載の液晶デバイス。
  3. 【請求項３】 Ｒ1 が水素、アルキルまたはアルコキシ
    であり、但しＲ1 及びＲ2 の少なくとも一方はアルキル
    かまたはアルコキシである請求項２に記載の液晶デバイ
    ス。
  4. 【請求項４】 Ｘ1 が水素であり、Ｘ2 がフッ素である
    請求項３に記載の液晶デバイス。
  5. 【請求項５】 Ｒ1 が炭素数１〜12のｎ−アルキルかま
    たは炭素数１〜12のｎ−アルコキシであり、Ｒ2 が炭素
    数１〜12のｎ−アルキルかまたは炭素数１〜12のアルコ
    キシである請求項４に記載の液晶デバイス。
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