JPH0648846Y2 - 薄膜デバイスの製造設備 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は薄膜デバイスの製造設備に関するものである。

〔従来の技術〕

例えばアクティブマトリックス型液晶表示素子の画素電
極形成基板にその各画素電極とそれぞれ対応させて配設
される画素電極駆動用の薄膜トランジスタ等の薄膜デバ
イスは、洗浄工程、導電膜、絶縁膜、半導体膜の膜付け
工程、これらの膜のパターニング工程を繰返して製造さ
れている。

第４図はアクティブマトリックス型液晶表示素子の画素
電極形成基板に形成された画素電極駆動用数膜トランジ
スタを示したもので、ここでは逆スタガー型の薄膜トラ
ンジスタを示している。この薄膜トランジスタは、ガラ
ス基板１面に形成したゲート電極２と、このゲート電極
２を覆うゲート絶縁膜（SiN膜）３と、このゲート絶縁
膜３上に前記ゲート電極２と対向させて形成されたａ−
Si半導体層４と、この半導体層４の上に形成されたソー
ス電極５およびドレイン電極６とからなっており、この
薄膜トランジスタは保護膜（SiO膜）７によって覆われ
ている。なお、ゲート電極２はこれと一体に形成された
ゲートラインにつながっており、またソース電極５とド
レイン電極６の一方例えばドレイン電極６はこれと一体
に形成されたデータラインにつながり、他方のソース電
極５は、基板１面に形成される透明画素電極８との接続
電極とされている。

第５図は上記薄膜トランジスタの製造工程を示したもの
で、この薄膜トランジスタは次のようにして製造されて
いる。

まず、基板１を洗浄した後、この基板面にゲート金属
（Cr等）をスパッタリングにより膜付けする。次に、こ
のゲート金属膜面を洗浄し、このゲート金属膜面にゲー
ト電極をゲートラインの形状に対応するレジストマスク
を形成する。このレジストマスクは、ゲート金属膜上に
フォトレジストを塗布してこれを乾燥させた後、このレ
ジスト膜を露光マスクを使用して露光処理し、次いでこ
のレジスト膜を現像処理してベークする方法で形成され
る。次に、ゲート金属膜をパターニングしてゲート電極
２とゲートラインを形成する。このゲート金属膜のパタ
ーニングはウエットエッチングにより行なわれ、ゲート
金属膜をパターニングされた基板は、ウエットエッチン
グ装置においてエッチング処理面を洗浄されて送出され
る。次に、上記レジストマスクを剥離し、洗浄処理を行
なった後、基板面にSiNとａ−Siとを順次プラズマCVD法
により膜付けする。この後洗浄処理を行ない、ａ−Si膜
面にトランジスタ素子の形状に対応するレジストマスク
を形成する。次に、上記ａ−Si膜とSiN膜をパターニン
グし、SiNゲート絶縁膜３とａ−Si半導体層４を形成す
る。このａ−Si膜とSiN膜のパターニングはドライエッ
チングにより行なわれ、ａ−SiとSiN膜をパターニング
された基板は、ドライエッチング装置においてエッチン
グ処理面を洗浄されて送出される。次に、上記レジスト
マスクを剥離し、再び洗浄処理を行なった後、基板面に
ソース，ドレイン金属（Cr等）をスパッタリングにより
膜付けする。次に、このソース，ドレイン金属膜面を洗
浄した後、このソース，ドレイン金属膜面にソース電極
およびドレイン電極とデータラインの形状に対応するレ
ジストマスクを形成し、ソース，ドレイン金属膜をパタ
ーニングしてソース電極５およびドレイン電極６とデー
タラインを形成する。このソース，ドレイン金属膜のパ
ターニングはウエットエッチングにより行なわれ、この
金属膜をパターニングされた基板は、ウエットエッチン
グ装置においてエッチング処理面を洗浄されて送出され
る。次に、上記レジストマスクを剥離して洗浄処理を行
ない、この後基板面にSiO₂をプラズマクCVD法により膜
付けする。次に、洗浄処理を行なってからSiO₂膜面に保
護膜の形状に対応するレジストマスクを形成し、上記Si
O₂膜をパターニングして保護膜７を形成する。このSiO₂
膜のパターニングはドライエッチングにより行なわれ、
SiO₂膜をパターニングされた基板は、ドライエッチング
装置においてエッチング処理面を洗浄されて送出され
る。この後、上記レジストマスクを剥離し、仕上げ洗浄
を行なって薄膜トランジスタを完成する。

第６図および第７図は、上記薄膜トランジスタ等の薄膜
デバイスを製造するための従来の製造設備を示してい
る。第６図において、Ａは洗浄ライン、Ｂはレジストマ
スク形成ライン、Ｃはエッチングライン、Ｄは膜付けラ
イン、Ｅはレジスト剥離ラインであり、洗浄ラインＡに
は２台の洗浄装置11,11が設けられ、レジストマスク形
成ラインＢには２台のレジストマスク形成装置12,12が
設けられている。なお、このレジストマスク形成装置1
2,12は、フォトレジストの塗布および乾燥を行なうレジ
スト塗布部12aと、レジスト膜の露光処理部12bと、露光
レジスト膜の現像およびベークを行なう現像処理部12c
とを備えており、搬入された基板を、レジスト塗布部12
a、露光処理部12b、現像処理部12cの順に送ってレジス
トマスクの形成処理を行ない、この基板を送出するよう
になっている。また、エッチングラインＣにはドライエ
ッチング装置13とウエットエッチング装置14とが１台ず
つ設けられており、膜付けラインＤには膜付け装置とし
て２台のスパッタ装置15,15と１台のプラズマCVD装置16
とが設けられ、レジスト剥離ラインＥには１台のレジス
ト剥離装置17が設けられている。また、上記各ラインA,
B,C,D,Eは並列に配置されており、この各ラインＡ〜Ｅ
にはそれぞれ、基板を一時的にプールしておくためのプ
ラットホーム18と、このプラットホーム18からそのライ
ンの上記装置に基板を搬入するとともにこの装置で処理
された基板を上記プラットホーム18に搬出する自走ロボ
ット19とが設けられている。なお、19aはこの自走ロボ
ット19の走行軌道である。20は、未処理基板と、この基
板面に薄膜デバイスを形成した完成品とを一時的にプー
ルするメインプラットホームであり、未処理基板は所定
枚数ずつ基板キャリアに収容されて図示しない搬入機構
によりメインプラットホーム20に搬入されてくる。ま
た、21は基板搬送車である。この基板搬送車21は第７図
に示すように、所定枚数の基板１を収容した基板キャリ
ア10を搭載してメインプラットホーム20および各ライン
Ａ〜Ｅのプラットホーム18,18間を第６図に破線で示す
ように走行移動するもので、この基板搬送車21と各プラ
ットホーム20,18,18との間の基板キャリア10の受け渡し
は、各プラットホーム20,18,18に設けた移載機22（第７
図参照）によって行なわれる。なお、上記基板搬送車21
は複数台用意されている。

この薄膜デバイスの製造設備は、基板１を収容した基板
キャリア10を基板搬送車21により各ラインＡ〜Ｅに搬送
しながら上記基板１面に薄膜デバイスを形成するもの
で、例えば前述した逆スタガー型の薄膜トランジスタは
次のようにして製造される。

メインプラットホーム20上に未処理基板はまず洗浄ライ
ンＡに送られ、次いで膜付けラインＤ、洗浄ラインＡ、
レジストマスク形成ラインＢ、エッチングラインＣの順
に送られてゲート電極２とゲートラインを形成される。
次にこの基板１は、レジスト剥離ラインＥ、洗浄ライン
Ａ、膜付けラインＤ、洗浄ラインＡ、レジストマスク形
成ラインＢ、エッチングラインＣの順に送られて、SiN
ゲート絶縁膜３とａ−Si半導体層４を形成され、この
後、レジスト剥離ラインＥ、洗浄ラインＡ、膜付けライ
ンＤ、洗浄ラインＡ、レジストマスク形成ラインＢ、エ
ッチングラインＣの順に送られて、ソース電極５および
ドレイン電極Ｄとデータラインを形成される。次にこの
基板１は、レジスト剥離ラインＥ、洗浄ラインＡ、膜付
けラインＤ、洗浄ラインＡ、レジストマスク形成ライン
Ｂ、エッチングラインＣの順に送られて、保護膜７を形
成され、この後、レジスト剥離ラインＥを経て洗浄ライ
ンＡに送られて仕上げ洗浄される。このようにして薄膜
トランジスタを形成された完成分は、メインプラットホ
ーム20に搬送され、このメインプラットホーム20から図
示しない搬出機構によって搬出される。

また、上記各ラインＡ〜Ｅは、基板搬送車21によって搬
送されてきた基板キャリア10を移載機22によりプラット
ホーム18に移載してこのプラットホーム18上に一旦プー
ルしておき、このラインの装置が空いたときにプラット
ホーム18上の基板キャリア10を自走ロボット19により上
記装置（同一の装置が２台ある場合はいずれか一方の装
置）に搬入してこの基板１に対する処理を行なうように
なっており、この各ラインＡ〜Ｅの各装置11,12,13,14,
15,16,17は、搬入された基板キャリア10から基板１を取
出してこの基板１に対する処理を行ない、この処理済み
基板１を再び基板キャリア10に戻す。また、この処理済
み基板１を収容した基板キャリア10は、自走ロボット19
によりプラットホーム18に搬出されてこのプラットホー
ム18上で基板搬送車21を待ち、このプラットホーム18か
ら移載機22により基板搬送車21に移載されて次の処理を
行なうラインに搬送される。

なお、洗浄ラインＡおよびレジストマスク形成ラインＢ
は、基板キャリア10を２台の洗浄装置11,11およびレジ
ストマスク形成装置12,12のいずれか一方（空いている
方）に搬入するようになっている。また、レジストマス
ク形成装置12,12の露光処理部12bは、ゲート電極２とゲ
ートラインの形状に対応するパターンの露光マスクと、
ゲート絶縁膜および半導体層の形状に対応するパターン
の露光マスクと、ソース電極とドレイン電極およびデー
タラインの形状に対応するパターンの露光マスクと、保
護膜の形状に対応するパターンの露光マスクとの４種類
の露光マスクを備えており、搬入された基板１の処理状
況に応じて露光マスクを選択してレジスト膜の露光処理
を行なうようになっている。また、エッチングラインＣ
は、搬入された基板１がゲート金属またはソース，ドレ
イン金属のエッチングを行なう基板である場合にはこの
基板を収容した基板キャリア10をウエットエッチング装
置14に搬入し、基板１がSiN膜およびａ−Si膜またはSiO
₂膜のエッチングを行なう基板である場合にはこの基板
を収容した基板キャリア10をドライエッチング装置13に
搬入するようになっている。さらに、膜付けラインＤ
は、搬入された基板１がゲート金属またはソース，ドレ
イン金属の膜付けを行なう基板である場合にはこの基板
を収容した基板キャリア10を２台のスパッタ装置15,15
のいずれか一方（空いている方）に搬入し、基板１がSi
N膜およびａ−Si膜またはSiO₂膜の膜付けを行なう基板
である場合にはこの基板を収容した基板キャリア10をプ
ラズマCVD装置16に搬入するようになっている。

すなわち、上記薄膜デバイスの製造設備は、同じ洗浄装
置11、レジストマスク形成装置、ドライおよびウエット
エッチング装置13,14、スパッタ装置15、プラズマCVD装
置16、レジスト剥離装置17を繰返し使用して薄膜デバイ
スを製造するもので、この設備によれば、洗浄、膜付
け、レジストマスク形成、エッチング、レジスト剥離の
ための装置の台数を少なくして設備費を軽減することが
できる。

〔考案が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来の薄膜デバイス製造設備では、
洗浄装置11,11と、レジストマスク形成装置12,12と、ド
ライおよびウエットエッチング装置13,14と、スパッタ
装置15,15およびプラズマCVD装置16と、レジスト剥離装
置17とをそれぞれ別のラインＡ〜Ｅに設けるとともに、
各ラインＡ〜Ｅ間の基板の搬送を基板搬送車21によって
行なっているために、各ラインＡ〜Ｅの処理装置を効率
良く稼働させるには、各ラインＡ〜Ｅにそれぞれ、基板
を一時的にプールしておくプラットホーム18と、このプ
ラットホーム18と上記装置との間の基板搬送を行なう自
走ロボット19を設ける必要があり、したがって設備費の
低減に限界があった。また、上記製造設備では、各ライ
ンＡ〜Ｅで処理された基板を次のラインに搬送するのに
基板搬送車21を待たなければならないために、各ライン
Ａ〜Ｅに基板搬送車21がくるまでの間はこのラインで処
理した基板をプラットホーム18にプールしておかなけれ
ばならず、したがって基板搬送車21がくるまでの時間が
長い場合には、そのラインで処理された基板がプラット
ホーム18に溜って、このプラットホーム18に別のライン
からの搬送基板を受入れることができなくなるから、そ
の場合にはこのラインの装置を一時的に休止させなけれ
ばならなくなるという問題もあった。

本考案は上記のような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、従来の設備よりも設
備費を大幅に軽減することができるとともに、各装置へ
基板の搬入および搬出を効率よく行なって薄膜デバイス
の製造能率を向上させることができる薄膜デバイスの製
造設備を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本考案は上記目的を達成するために、薄膜デバイスが形
成される基板を周回搬送するループ状搬送手段と、この
ループ状搬送手段に沿わせて配置され、このループ状搬
送手段に対峙する基板の搬入機構及び搬出機構とをそれ
ぞれ有し、洗浄、膜付け、エッチング等の処理を基板に
施す複数の基板処理装置と、これらの基板処理装置と前
記ループ状搬送手段と間に設けられ、前記ループ状搬送
手段により搬送される基板を前記搬入機構に取り込む搬
入側移載機構及び前記基板処理装置により処理された基
板を搬出機構から前記ループ状搬送手段へ戻す搬出側移
載機構とからなる基板授受機構とを備えたものである。

〔作用〕

すなわち、本考案の薄膜デバイスの製造設備は、薄膜デ
バイスを形成する基板をループ状コンベアによって周回
搬送しながら、このループ状コンベアによって搬送され
てくる基板を、ループ状コンベアに沿わせて配置した洗
浄装置、膜付け装置、レジストマスク形成装置、エッチ
ング装置、レジスト剥離装置に基板授受機構によって取
込み、この各装置で処理された基板を上記基板授受機構
によってループ状コンベア上に戻してやるようにしたも
ので、基板は、ループ状コンベアによって周回搬送され
ながら上記各装置に順次取込まれ、その繰返しにより薄
膜デバイスを形成される。そして、この製造設備によれ
ば、ループ状コンベアと、このループ状コンベアを沿わ
せて配置した各装置との間にそれぞれ基板授受機構を設
けるだけでよいから、従来の設備に比べて設備費を大幅
に軽減することができる。しかも、この製造設備では、
ループ状コンベアの全長を基板載置スペースとして利用
できるために、各装置で処理された基板を直ちにループ
状コンベア上に戻すとともに、次の基板を各装置に取込
んでその処理を行なうことができるし、また上記各装置
が基板の処理を行なっている間は、この装置によって処
理する基板をループ状コンベアで周回搬送しながらこの
ループ状コンベア上で待機させておき、上記装置が空い
たときにこの装置に次の基板をループ状コンベア上から
取込むことができるから、各装置への基板の搬入および
搬出を効率よく行なって薄膜デバイスの製造能率を向上
させることができる。

〔実施例〕

以下、本考案の一実施例を第１図〜第３図を参照して説
明する。

第１図において、11は洗浄装置、12はレジスト塗布部12
aと露光処理部12bと現像処理部12cとを備えたレジスト
マスク形成装置、13はドライエッチング装置、14はウエ
ットエッチング装置、15は電極金属膜の膜付けを行なう
スパッタ装置、16は絶縁膜および半導体膜の膜付けを行
なうプラズマCVD装置、17はレジスト剥離装置であり、
これら各処理装置11〜17は従来の設備に備えられている
ものと同じものである。また、第１図〜第３図におい
て、30は薄膜デバイスを形成する基板１を収容した基板
キャリア10を周回搬送するループ状コンベアである。こ
のループ状コンベア30はローラコンベアとされており、
その各コンベアローラ31,31は、図示しない駆動機構に
よって回転駆動されている。そして前記各処理装置11〜
17は、このループ状コンベア30の外側に沿わせて、各処
理装置11〜17がそれぞれループ状コンベア30と対向する
ように配置されている。なお、洗浄装置11とジストマス
ク形成装置12とスパッタ装置15はそれぞれ２台ずつ配置
され、他の処理装置13,14,16,17はそれぞれ１台ずつ配
置されている。

また、32は上記各処理装置11〜17とループ状コンベア30
との間にそれぞれ設けられた基板授受機構である。この
基板授受機構32は、ループ状コンベア30上を搬送されて
くる基板を基板キャリア10ごと前記処理装置に取込み、
この処理装置で処理された基板を基板キャリア10ごとル
ープ状コンベア30上に戻すもので、この基板授受機構32
は、ループ状コンベア30の外側にこのループ状コンベア
30に沿わせて設けられた中継コンベア33と、ループ状コ
ンベア30上の基板キャリア10を中継コンベア33上に移載
する搬入側移載機構35aと、中継コンベア33上の基板キ
ャリア10をループ状コンベア30上に移載する搬出側移載
機構35bと、中継コンベア33上の基板キャリア10を処理
装置に搬入する搬入機構37aと、この処理装置から基板
キャリア10を中継コンベア33上に搬出する搬出機構37b
とからなっている。上記中継コンベア33はローラコンベ
アとされており、その各コンベアローラ34,34は、図示
しない駆動機構によってループ状コンベア30のコンベア
ローラ31,31と同方向に回転駆動されるようになってい
る。また、搬入側移載機構35aと搬出側移載機構35bは、
それぞれ一対のベルトコンベア36,36からなっており、
このベルトコンベア36,36は、ループ状コンベア30のコ
ンベアローラ31,31間および中継コンベア33のコンベア
ローラ34,34間に第２図に示すように設けられている。
また、このベルトコンベア36,36は、常時は第３図に実
線で示すようにコンベアローラ31,34の下方に下降され
ており、基板キャリア10の移載を行なうときに、図示し
ない昇降機構によって第３図に鎖線で示すようにコンベ
アローラ31,34の上方に上昇され、この上昇状態におい
て図示しない駆動機構により送り駆動されるとともに、
送り駆動を停止した後に元の位置に下降されるようにな
っている。また、上記搬入機構37aと搬出機構37bは、そ
れぞれ一対のベルトコンベア38,38からなっており、こ
のベルトコンベア38,38は、その一端側を中継コンベア3
3のコンベアローラ34,34間に位置させて第２図に示すよ
うに設けられている。このベルトコンベア38,38も、図
示しない昇降機構によって昇降されるとともに図示しな
い駆動機構によって送り駆動されて、上記移載機構35a,
35bのベルトコンベア36,36と同様な動作を行なうように
なっている。

上記基板授受機構32によるループ状コンベア30と処理装
置との間の基板キャリア10の授受について説明すると、
搬入側移載機構35aのベルトコンベア36,36は、処理装置
に取込むべき基板キャリア10がループ状コンベア30によ
り搬入側移載機構35aの上まで搬送されてきたときに上
昇してループ状コンベア30上の基板キャリア10を持上
げ、この基板キャリア10を中継コンベア33の上に搬送す
るとともに、この後下降して基板キャリア10を中継コン
ベア33上に移載する。そして、この搬入側移載機構35a
が中継コンベア33に基板キャリア10が移載されると、中
継コンベア33がその上に移載された基板キャリア10を搬
入機構37aの位置に搬送する。この基板キャリア10が搬
入機構37aの位置にくると、この搬入機構37aのベルトコ
ンベア38,38が上昇して中継コンベア33上の基板キャリ
ア10を持上げ、この基板キャリア10を処理装置に搬入す
るとともに、この後下降して基板キャリア10を処理装置
に受け渡す。なお、処理装置は、基板キャリア10から基
板１を取出してこの基板１に対する処理を行ない、この
後この基板１を再び基板キャリア10に戻してこの基板キ
ャリア10を搬出機構37bの位置に送る。そして搬送機構3
7bは、上記搬入機構37aと逆の動作を行なって処理装置
から中継コンベア33に基板キャリア10を搬出する。この
搬出機構37bから中継コンベア33に基板キャリア10が移
載されると、中継コンベア33がその上に移載された基板
キャリア10を搬出側移載機構35bの位置に搬送する。こ
の基板キャリア10が搬出側移載機構35bの位置にくる
と、この搬出側移載機構35bが上記搬入側移載機構35aと
逆の動作を行なって基板キャリア10をループ状コンベア
30上に戻す。このループ状コンベア30への基板キャリア
10の戻しは、ループ状コンベア30の基板キャリア10が乗
っていない部分が搬出側移載機構35bの位置にきたとき
に行なわれる。

一方、第１図において、40は未処理基板を収容した基板
キャリア10を搬入する未処理基板搬入コンベア、42は基
板１面に薄膜デバイスを形成した完成品を搬出する完成
品搬出コンベアであり、この両コンベア40,42はいずれ
もローラコンベアとされている。そして未処理基板搬入
コンベア40は、その端部をループ状コンベア30の側方に
位置させて設けられており、この未処理基板搬入コンベ
ア40とループ状コンベア30との間には、未処理基板搬入
コンベア40からループ状コンベア30に基板キャリア10を
移載するための移載機構41が設けられている。なお、こ
の移載機構41は、前記基板授受機構32の搬入側移載機構
35aと同様な構成となっている。また、上記完成品搬出
コンベア42は、その端部を、ループ状コンベア30に沿わ
せて配置されている２台の洗浄装置11,11の外側（ルー
プ状コンベア30とは反対側）に位置させて設けられてお
り、この完成品搬出コンベア42と２台の洗浄装置11,11
との間にはそれぞれ、洗浄装置11,11において仕上げ洗
浄された完成品を収容した基板キャリア10を洗浄装置1
1,11から完成品搬出コンベアに搬出するための搬出機構
41が設けられている。なお、この搬出機構41は、前記基
板授受機構32の搬出機構37bと同様な構成となってい
る。

また、第１図において、44は未処理基板搬入コンベア40
とループ状コンベア30との間の移載機構41の側部に配置
されたバーコード読取り器、45,46は、各基板授受機構3
2,32の搬入側移載機構35aと搬出側移載機構35aの位置に
それぞれ対応させてループ状コンベア30の側部に配置さ
れたバーコード読取り器、47,48は各基板授受機構32,32
の搬入機構37aと搬出機構37aの側部にそれぞれ配置され
たバーコード読取り器、48は上記完成品搬出コンベア42
と２台の洗浄装置11,11との間の搬出機構41の側部にそ
れぞれ配置されたバーコード読取り器であり、これらバ
ーコード読取り器44〜49は、各基板キャリア10,10に設
けられている基板キャリア識別用バーコードを読取っ
て、そのロード信号を設備全体を制御する制御装置に送
るようになっている。

この薄膜デバイスの製造設備は、基板１を収容した基板
キャリア10をループ状コンベア30によって周回搬送しな
がら、このループ状コンベア30によって搬送されてくる
基板キャリア30をループ状コンベアに沿わせて配置した
各処理装置11,12,13,14,15,16,17に基板授受機構32によ
って取込み、この各処理装置によって基板に対するを処
理を行なった後、この処理基板を再び基板キャリア10に
収納してこの基板キャリア10を上記基板授受機構32によ
ってループ状コンベア30上に戻してやるようにしたもの
で、例えば第４図に示した逆スタガー型の薄膜トランジ
スタは次のようにして製造される。

未処理基板は基板キャリア10に収容されて未処理基板搬
入コンベア40からループ状コンベア30に順次搬入され
る。このとき、各基板キャリア10のバーコードがバーコ
ード読取り器44によって読取られ、そのコード信号が制
御装置に送られて、メインコンピュータに搬入基板のコ
ードが登録される。また、ループ状コンベア30上の基板
キャリア10は、このループ状コンベア30によって搬送さ
れており、各処理装置11〜17の位置にくるごとに、その
バーコードをバーコード読取り器45,45によって読取ら
れる。このバーコード読取り器45,45が読取ったバーコ
ードは制御装置に送られる。一方、制御装置は、コード
別にそのコードの基板キャリア10の基板１がどの工程ま
での処理を終了しているかを記憶しており、ループ状コ
ンベアによって搬送されてくる基板キャリア10を、その
基板１の次の処理を行なう処理装置に取込ませる。

この各処理装置11〜17への基板キャリア10の取込みを、
洗浄装置11の場合について説明すると、この洗浄装置11
への基板キャリア10の取込みは、次に洗浄処理を行なう
基板１を収容した基板キャリア10が洗浄装置11の位置に
きたときに行なわれる。すなわち、洗浄装置11の位置に
きた基板キャリア10からバーコード読取り装置45が読取
ったコードが、制御装置に送られ、制御装置においてこ
のコードが次に洗浄処理を行なう基板１を収容した基板
キャリア10のコードであると判定されると、洗浄装置11
とループ状コンベア30との間の基板授受機構32が制御装
置からの指令により作動して、この基板キャリア10を洗
浄装置11に搬入する。なお、このとき洗浄装置11が別の
基板の洗浄処理中である場合は、この基板キャリア10は
洗浄装置11には取込まれずにループ状コンベア30上を次
の洗浄装置11の位置に搬送され、またこの洗浄装置11も
処理中である場合には、ループ状コンベア30上を周回搬
送されて、洗浄装置11の空きを待つ。また、基板授受機
構32によって洗浄装置11に取込まれる基板キャリア10
は、洗浄装置11への搬入前にバーコード読取り器47によ
ってバーコードを読取られ、コードを確認された後に洗
浄装置11に搬入される。なお、バーコード読取り器47で
読取ったバーコードが洗浄装置11に取込もうとする基板
キャリアのコードでなかった場合は、この基板キャリア
10は洗浄装置11には搬入されずに基板授受機構32によっ
てループ状コンベア30上に戻される。そして洗浄装置11
に取込まれた基板キャリア10は、この洗浄装置11におい
て基板１の洗浄処理を行なわれた後、この洗浄装置11か
ら基板授受機構32によってループ状コンベア30上に戻さ
れる。このとき、この基板キャリア10のバーコードがバ
ーコード読取り器48で読取られて制御装置に送られ、制
御装置はこのコードの基板キャリア10の基板処理終了記
憶を、上記洗浄装置11による洗浄処理終了に書換える。
また、ループ状コンベア30上に戻された基板キャリア30
のバーコードはバーコード読取り器46で読取られて制御
装置に送られ、制御装置において基板キャリア10がルー
プ状コンベア30上に戻されたことが確認される。

これは、他の処理装置12〜17への基板キャリア10の取込
みおよびループ状コンベア30への戻しにおいても同様で
あり、基板キャリア10の基板１は、ループ状コンベア30
によって周回搬送されながら各処理装置11〜17に順次取
込まれ、その繰返しにより薄膜トランジスタを形成され
る。また、薄膜トランジスタを完成し洗浄装置11におい
て仕上げ洗浄された完成品は、洗浄装置11から完成品搬
出コンベア42によって搬出される。このとき、この完成
品の基板キャリア10のバーコードがバーコート読取り器
49で読取られて制御装置に送られ、制御装置はこのコー
ドの基板キャリア10の基板処理終了記憶を処理完了に書
換える。

しかして、この製造設備によれば、薄膜デバイスを形成
する基板１をループ状コンベア30によって周回搬送しな
がら、このループ状コンベア30によって搬送されてくる
基板１を、ループ状コンベア30に沿わせて配置した洗浄
装置11、膜付けのためのスパッタ装置15およびプラズマ
CVD装置16、レジストマスク形成装置12、エッチング装
置13,14、レジスト剥離装置17に、基板授受機構32によ
って取込み、この各装置11〜17で処理された基板１を上
記基板授受機構32によってループ状コンベア30上に戻し
てやるようにしているから、基板１をループ状コンベア
30によって周回搬送しながら上記各装置11〜17に順次取
込んで、その繰返しにより薄膜トランジスタを形成する
ことができる。そして、この製造設備によれば、ループ
状コンベア30と、このループ状コンベア30に沿わせて配
置した各処理装置11〜17との間にそれぞれ基板授受機構
32を設けるだけでよいから、従来の設備に比べて設備費
を大幅に軽減することができる。しかも、この製造設備
では、ループ状コンベア30の全長を基板載置スペースと
して利用できるために、各処理装置11〜17で処理された
基板１を直ちにループ状コンベア30上に戻すとともに、
次の基板１を各処理装置11〜17に取込んでその処理を行
なうことができるし、また上記各処理装置11〜17が基板
１の処理を行なっている間は、この装置によって処理す
る基板１をループ状コンベア30で周回搬送しながらこの
ループ状コンベア30上で待機させておき、上記装置が空
いたときにこの装置に次の基板１をループ状コンベア30
上から取込むことができるから、各装置への基板の搬入
および搬出を効率よく行なって薄膜トランジスタの製造
能率を向上させることができる。

なお、上記実施例では、洗浄装置11とレジストマスク形
成装置12とスパッタ装置15をそれぞれ２台、ドライエッ
チング装置13とウエットエッチング装置14とプラズマCV
D装置16とレジスト剥離装置をそれぞれ１台としている
が、これら各装置の台数は上記実施例に限らないし、ま
た本考案の製造設備は、薄膜トランジスタに限らず、薄
膜光センサや薄膜メモリ等の薄膜デバイスの製造に広く
利用できる。

〔考案の効果〕

本考案の薄膜デバイスの製造設備は、薄膜デバイスを形
成する基板をループ状コンベアによって周回搬送しなが
ら、このループ状コンベアによって搬送されてくる基板
を、ループ状コンベアに沿わせて配置した洗浄装置、膜
付け装置、レジストマスク形成装置、エッチング装置、
レジスト剥離装置に基板授受機構によって取込み、この
各装置で処理された基板を上記基板授受機構によってル
ープ状コンベア上に戻してやるようにしたものであるか
ら、ループ状コンベアと、このループ状コンベアに沿わ
せて配置した各装置との間にそれぞれ基板授受機構を設
けるだけでよく、したがって従来の設備に比べて設備費
を大幅に軽減することができるし、また、ループ状コン
ベアの全長を基板載置スペースとして利用できるため
に、各装置で処理された基板を直ちにループ状コンベア
上に戻すとともに次の基板を各装置に取込んでその処理
を行なうことができるし、また上記各装置が基板の処理
を行なっている間は、この装置によって処理する基板を
ループ状コンベアで周回搬送しながらこのループ状コン
ベア上で待機させておき、上記装置が空いたときにこの
装置に次の基板をループ状コンベア上から取込むことが
できるから、各装置への基板の搬入および搬出を効率よ
く行なって薄膜デバイスの製造能率を向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本考案の一実施例を示したもので、第
１図は薄膜デバイス製造設備の平面図、第２図は第１図
のII部の拡大図、第３図は第２図のIII−III線に沿う断
面図である。第４図は薄膜デバイスの一種である薄膜ト
ランジスタの断面図、第５図は薄膜トランジスタの製造
工程図、第６図および第７図は従来の薄膜デバイス製造
設備の平面図およびその一部の斜視図である。 １……基板、10……基板キャリア、11……洗浄装置、12
……レジストマスク形成装置、12a……レジスト塗布
部、12b……露光処理部、12c……現像処理部、13……ド
ライエッチング装置、14……ウエットエッチング装置、
15……スパッタ装置、16……プラズマCVD装置、17……
レジスト剥離装置、30……ループ状コンベア、32……基
板授受機構、33……中継コンベア、35a……搬入側移載
機構、35b……搬出側移載機構、37a……搬入機構、37b
……搬出機構、40……未処理基板搬入コンベア、41……
移載機構、42……完成品搬出コンベア、43……搬出機
構。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜デバイスが形成される基板を周回搬送
   するループ状搬送手段と、このループ状搬送手段に沿わ
   せて配置され、このループ状搬送手段に対峙する基板の
   搬入機構及び搬出機構とをそれぞれ有し、洗浄、膜付
   け、エッチング等の処理を基板に施す複数の基板処理装
   置と、これらの基板処理装置と前記ループ状搬送手段と
   の間に設けられ、前記ループ状搬送手段により搬送され
   る基板を前記搬入機構に取り込む搬入側移載機構及び前
   記基板処理装置により処理された基板を搬出機構から前
   記ループ状搬送手段へ戻す搬出側移載機構とからなる基
   板授受機構とを備えたことを特徴とする薄膜デバイスの
   製造設備。