JPH0645715A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH0645715A JPH0645715A JP19552592A JP19552592A JPH0645715A JP H0645715 A JPH0645715 A JP H0645715A JP 19552592 A JP19552592 A JP 19552592A JP 19552592 A JP19552592 A JP 19552592A JP H0645715 A JPH0645715 A JP H0645715A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- organic resin
- wiring board
- polyimide
- aluminum plate
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】金属板と配線導体層とを接合する有機樹脂にポ
リイミド樹脂を用いた場合に、金属板の表面状態をどの
ようにすれば金属板とポリイミド樹脂との接合がより良
好なものになるかを明らかにし、より特性の優れた金属
ベース基板を得る。 【構成】金属板の表面粗度を中心線平均粗さ（Ｒa）で
０.０１μｍ以上１０μｍ以下とする。より好ましく
は、金属板として表面が陽極酸化処理されたアルミニウ
ム板１を使用し、このアルミニウム板１と銅箔３とをポ
リイミド樹脂層２を介して積層接合させる。
リイミド樹脂を用いた場合に、金属板の表面状態をどの
ようにすれば金属板とポリイミド樹脂との接合がより良
好なものになるかを明らかにし、より特性の優れた金属
ベース基板を得る。 【構成】金属板の表面粗度を中心線平均粗さ（Ｒa）で
０.０１μｍ以上１０μｍ以下とする。より好ましく
は、金属板として表面が陽極酸化処理されたアルミニウ
ム板１を使用し、このアルミニウム板１と銅箔３とをポ
リイミド樹脂層２を介して積層接合させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子、コンデン
サ、抵抗などの各種電子部品を搭載して回路を構成する
ために用いられる配線基板に関し、特に金属ベース基板
に関する。
サ、抵抗などの各種電子部品を搭載して回路を構成する
ために用いられる配線基板に関し、特に金属ベース基板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の電子部品を搭載して回路を構成す
るために用いられる配線基板としては各種のものがある
が、強度を持たせあるいは折り曲げ加工を容易にするた
めに、金属板を支持基板として用いた金属ベース基板が
ある。
るために用いられる配線基板としては各種のものがある
が、強度を持たせあるいは折り曲げ加工を容易にするた
めに、金属板を支持基板として用いた金属ベース基板が
ある。
【０００３】金属ベース基板では、有機樹脂を介して、
銅箔などの配線導体層と金属板とが接合されている。従
来、有機樹脂としてはエポキシ樹脂系のものが使用され
ているが、折り曲げ加工を前提とするときにはエポキシ
樹脂の熱軟化温度が低くなって耐熱性が劣化するという
問題が生じることがある。そこで特開平４−６８９３号
公報には、有機樹脂としてポリイミド樹脂を用い、折り
曲げなどの機械加工性と耐熱性とを向上させた金属ベー
ス基板が開示されている。
銅箔などの配線導体層と金属板とが接合されている。従
来、有機樹脂としてはエポキシ樹脂系のものが使用され
ているが、折り曲げ加工を前提とするときにはエポキシ
樹脂の熱軟化温度が低くなって耐熱性が劣化するという
問題が生じることがある。そこで特開平４−６８９３号
公報には、有機樹脂としてポリイミド樹脂を用い、折り
曲げなどの機械加工性と耐熱性とを向上させた金属ベー
ス基板が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】金属板と配線導体層と
を接合する有機樹脂にエポキシ樹脂を用いた従来の金属
ベース基板では、金属板表面を粗くすれば粗くするほ
ど、金属板とエポキシ樹脂とが良好に接合することが知
られている。そのため、有機樹脂にポリイミド樹脂を用
いた場合にも金属板の表面を粗くした方がよいと一般に
考えられている。しかしながら、有機樹脂にポリイミド
樹脂を用いた場合に、金属板の粗度と接合強度との関係
がエポキシ樹脂の場合と同じであるかどうかの確認はな
されていない。
を接合する有機樹脂にエポキシ樹脂を用いた従来の金属
ベース基板では、金属板表面を粗くすれば粗くするほ
ど、金属板とエポキシ樹脂とが良好に接合することが知
られている。そのため、有機樹脂にポリイミド樹脂を用
いた場合にも金属板の表面を粗くした方がよいと一般に
考えられている。しかしながら、有機樹脂にポリイミド
樹脂を用いた場合に、金属板の粗度と接合強度との関係
がエポキシ樹脂の場合と同じであるかどうかの確認はな
されていない。
【０００５】本発明の目的は、金属板と配線導体層とを
接合する有機樹脂にポリイミド樹脂を用いた場合に、金
属板の表面状態をどのようにすれば金属板とポリイミド
樹脂との接合がより良好なものになるかを明らかにし、
より特性の優れた金属ベース基板が得られるようにする
ことにある。
接合する有機樹脂にポリイミド樹脂を用いた場合に、金
属板の表面状態をどのようにすれば金属板とポリイミド
樹脂との接合がより良好なものになるかを明らかにし、
より特性の優れた金属ベース基板が得られるようにする
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、有
機樹脂を介して配線導体層と金属板とが接合され、前記
有機樹脂がイミド骨格を有して前記有機樹脂のガラス転
位温度が１６０℃以上３５０℃以下である配線基板にお
いて、前記有機樹脂に接する側の前記金属板の表面粗度
が、中心線平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下で
ある。
機樹脂を介して配線導体層と金属板とが接合され、前記
有機樹脂がイミド骨格を有して前記有機樹脂のガラス転
位温度が１６０℃以上３５０℃以下である配線基板にお
いて、前記有機樹脂に接する側の前記金属板の表面粗度
が、中心線平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下で
ある。
【０００７】
【作用】本発明は、金属板の表面粗度を中心線平均粗さ
（Ｒa）で０.０１μｍ以上１０μｍ以下とすることによ
り、ポリイミドと金属板との接合がより良好に行なわれ
ることを見い出した結果、完成されたものである。
（Ｒa）で０.０１μｍ以上１０μｍ以下とすることによ
り、ポリイミドと金属板との接合がより良好に行なわれ
ることを見い出した結果、完成されたものである。
【０００８】配線導体層としては、通常の配線基板（プ
リント配線基板）に使用されるものをそのまま使用する
ことができ、代表的なものとして銅箔を用いることがで
きる。配線導体層に銅箔を用いる場合、銅箔の種類に特
に限定はないが、電解銅箔、圧延銅箔などが好ましく、
さらに好ましくは圧延銅箔であり、銅箔の厚さは、１〜
１４０μｍとするのが好ましく、さらに好ましくは５〜
１０５μｍである。
リント配線基板）に使用されるものをそのまま使用する
ことができ、代表的なものとして銅箔を用いることがで
きる。配線導体層に銅箔を用いる場合、銅箔の種類に特
に限定はないが、電解銅箔、圧延銅箔などが好ましく、
さらに好ましくは圧延銅箔であり、銅箔の厚さは、１〜
１４０μｍとするのが好ましく、さらに好ましくは５〜
１０５μｍである。
【０００９】金属板としては、特に限定されるものでは
ないが、通常、アルミニウム、銅、銅クラッドインバ
ー、ステンレス鋼、鉄、ケイ素鋼板、陽極酸化処理され
たアルミニウム板などが使用され、これらの厚さは０.
０５〜４.０ｍｍが好ましく、０.１〜３.０ｍｍとする
のがさらに好ましい。そして、金属板の表面粗度は、中
心線平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下であり、
さらに好ましくは、金属板の比表面積が、この表面に対
する表面処理を行なう前に比較して、２倍以上となって
いる。
ないが、通常、アルミニウム、銅、銅クラッドインバ
ー、ステンレス鋼、鉄、ケイ素鋼板、陽極酸化処理され
たアルミニウム板などが使用され、これらの厚さは０.
０５〜４.０ｍｍが好ましく、０.１〜３.０ｍｍとする
のがさらに好ましい。そして、金属板の表面粗度は、中
心線平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下であり、
さらに好ましくは、金属板の比表面積が、この表面に対
する表面処理を行なう前に比較して、２倍以上となって
いる。
【００１０】これら金属板の表面を所望の表面粗度に調
整する表面処理方法としては、特に限定されるものでは
ないが、通常、サンドブラスト処理、ホーニング処理、
パフ研磨、スクラブ研磨、エンボスロールによる圧延処
理などの機械的（物理的）処理、およびケミカルエッチ
ング、陽極酸化、電気メッキ、化学メッキなどの化学処
理が例示される。
整する表面処理方法としては、特に限定されるものでは
ないが、通常、サンドブラスト処理、ホーニング処理、
パフ研磨、スクラブ研磨、エンボスロールによる圧延処
理などの機械的（物理的）処理、およびケミカルエッチ
ング、陽極酸化、電気メッキ、化学メッキなどの化学処
理が例示される。
【００１１】これらの金属板の中でアルミニウムを使用
する場合、陽極酸化処理の施されたアルミニウム板を用
いることが好ましい。一般にアルミニウム板は、陽極酸
化処理を施すことによって、多孔質の陽極酸化皮膜がそ
の表面に形成される。この陽極酸化皮膜に形成された孔
部に本発明に使用される有機樹脂が侵入することによ
り、この有機樹脂と金属板との強固な接合が完成され
る。この場合、陽極酸化処理の施された表面の比表面積
が陽極酸化処理を行なう前の比表面積に比べて２倍以上
となるような条件で、アルミニウム板の陽極酸化処理を
行なうことが望ましい。比表面積の比が２倍以上である
ようにすることにより、陽極酸化皮膜に十分な孔が成長
し、金属板と有機樹脂との接合がより強固なものとな
る。
する場合、陽極酸化処理の施されたアルミニウム板を用
いることが好ましい。一般にアルミニウム板は、陽極酸
化処理を施すことによって、多孔質の陽極酸化皮膜がそ
の表面に形成される。この陽極酸化皮膜に形成された孔
部に本発明に使用される有機樹脂が侵入することによ
り、この有機樹脂と金属板との強固な接合が完成され
る。この場合、陽極酸化処理の施された表面の比表面積
が陽極酸化処理を行なう前の比表面積に比べて２倍以上
となるような条件で、アルミニウム板の陽極酸化処理を
行なうことが望ましい。比表面積の比が２倍以上である
ようにすることにより、陽極酸化皮膜に十分な孔が成長
し、金属板と有機樹脂との接合がより強固なものとな
る。
【００１２】本発明において使用される有機樹脂は、ポ
リイミド骨格を有するものであって、そのガラス転位温
度が１６０℃以上３５０℃以下、好ましくはガラス転位
温度１８０℃以上３３０℃以下のものである。ガラス転
位温度が低すぎると耐熱性が悪化し、ガラス転位温度が
高すぎると接合力が低下する。このような有機樹脂とし
ては、例えば、三井東圧化学社製のラーク ティーピー
アイ(LARC-TPI)、ニュー ティーピーアイ(New TPI)、
宇部興産社製のユーピモル(Upimol)、ヘキスト社製のピ
ー アイ エス(PIS)、サイゼフ-３３(Sixef-33)、ＧＥ
社製のウルテム(Ultem)、アモコ社製のトーロン(Torlo
n)などの商品である。また、次のようなジアミンとテト
ラカルボン酸二無水物の反応により得られる熱可塑性ポ
リイミドを用いることもできる。ジアミンとしては、例
えば3,3'-ジアミノベンゾフェノン、1,3-ビス（3-アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、4,4'-ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル、2,2-ビス［4-（3-アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（3-アミノフェ
ノキシ）フェニル］-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロ
パン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スル
フィド、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］ケ
トン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スル
ホンなどのメタ位のジアミンが挙げられ、これらは単独
で、あるいは２種以上混合して用いられる。上記テトラ
カルボン酸二無水物としては、例えばエチレンテトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3'4,4'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2-ビス（3,4-ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、2,2-ビス（2,3-ジカルボ
キシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、1,1-ビス（2,3-ジカ
ルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（2,3-ジカル
ボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）メタン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,
8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などのテト
ラカルボン酸二無水物が挙げられ、これらは単独で、あ
るいは２種以上混合して用いられる。これらのものを溶
液中で混合して一次反応させたものがポリアミド酸ワニ
スであり、これをさらに反応させると熱可塑性ポリイミ
ドとなる。
リイミド骨格を有するものであって、そのガラス転位温
度が１６０℃以上３５０℃以下、好ましくはガラス転位
温度１８０℃以上３３０℃以下のものである。ガラス転
位温度が低すぎると耐熱性が悪化し、ガラス転位温度が
高すぎると接合力が低下する。このような有機樹脂とし
ては、例えば、三井東圧化学社製のラーク ティーピー
アイ(LARC-TPI)、ニュー ティーピーアイ(New TPI)、
宇部興産社製のユーピモル(Upimol)、ヘキスト社製のピ
ー アイ エス(PIS)、サイゼフ-３３(Sixef-33)、ＧＥ
社製のウルテム(Ultem)、アモコ社製のトーロン(Torlo
n)などの商品である。また、次のようなジアミンとテト
ラカルボン酸二無水物の反応により得られる熱可塑性ポ
リイミドを用いることもできる。ジアミンとしては、例
えば3,3'-ジアミノベンゾフェノン、1,3-ビス（3-アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、4,4'-ビス（3-アミノフェノ
キシ）ビフェニル、2,2-ビス［4-（3-アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン、2,2-ビス［4-（3-アミノフェ
ノキシ）フェニル］-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロ
パン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スル
フィド、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］ケ
トン、ビス［4-（3-アミノフェノキシ）フェニル］スル
ホンなどのメタ位のジアミンが挙げられ、これらは単独
で、あるいは２種以上混合して用いられる。上記テトラ
カルボン酸二無水物としては、例えばエチレンテトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二
無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3'4,4'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2-ビス（3,4-ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、2,2-ビス（2,3-ジカルボ
キシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、1,1-ビス（2,3-ジカ
ルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（2,3-ジカル
ボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（3,4-ジカルボ
キシフェニル）メタン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテ
トラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,
8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などのテト
ラカルボン酸二無水物が挙げられ、これらは単独で、あ
るいは２種以上混合して用いられる。これらのものを溶
液中で混合して一次反応させたものがポリアミド酸ワニ
スであり、これをさらに反応させると熱可塑性ポリイミ
ドとなる。
【００１３】また、放熱性を向上させる目的で、有機樹
脂に無機フィラーを加えてもよい。無機フィラーとして
は、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウ
ム、窒化ホウ素などが挙げられる。
脂に無機フィラーを加えてもよい。無機フィラーとして
は、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウ
ム、窒化ホウ素などが挙げられる。
【００１４】次に、この配線基板の製造方法について説
明する。この配線基板は、金属板、有機樹脂層および配
線導体層を積層接合することによって作成されるが、積
層接合にあたって有機樹脂は、シート状のもの（ポリイ
ミドシート）として供給される。このようなポリイミド
シートとしては、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポ
リアミド酸ワニスをステンレス板上にキャストし、加熱
イミド化することにより得られるシート、あるいは耐熱
フィルム、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、アラ
ミド、ポリパラバン酸、ポリエーテルスルホン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリフェニレン
サルファイド、ポリアリレートなどのフィルムの両面に
上記ポリアミド酸ワニスを塗布し、加熱イミド化するこ
とによって得られるシートである。また、有機溶媒に可
溶な熱可塑性ポリイミドの場合では、熱可塑性ポリイミ
ドワニスを上述のフィルム形成方法と同様にキャストあ
るいはコートし乾燥して得られるフィルム、または、熱
可塑性ポリイミドの押し出し成形フィルムあるいはシー
トでもよい。また、使用する金属板および／または配線
導体層に上述のポリアミド酸ワニスあるいは熱可塑性ポ
リイミドワニスを塗布し、加熱乾燥し積層しても構わな
い。
明する。この配線基板は、金属板、有機樹脂層および配
線導体層を積層接合することによって作成されるが、積
層接合にあたって有機樹脂は、シート状のもの（ポリイ
ミドシート）として供給される。このようなポリイミド
シートとしては、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポ
リアミド酸ワニスをステンレス板上にキャストし、加熱
イミド化することにより得られるシート、あるいは耐熱
フィルム、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、アラ
ミド、ポリパラバン酸、ポリエーテルスルホン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリフェニレン
サルファイド、ポリアリレートなどのフィルムの両面に
上記ポリアミド酸ワニスを塗布し、加熱イミド化するこ
とによって得られるシートである。また、有機溶媒に可
溶な熱可塑性ポリイミドの場合では、熱可塑性ポリイミ
ドワニスを上述のフィルム形成方法と同様にキャストあ
るいはコートし乾燥して得られるフィルム、または、熱
可塑性ポリイミドの押し出し成形フィルムあるいはシー
トでもよい。また、使用する金属板および／または配線
導体層に上述のポリアミド酸ワニスあるいは熱可塑性ポ
リイミドワニスを塗布し、加熱乾燥し積層しても構わな
い。
【００１５】積層接合の条件としては、１８０〜４００
℃、好ましくは２００〜３４０℃の温度、０.９８〜９.
８ＭＰａ（１０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力が望ま
しく、熱ロール、熱プレスを用いて行なわれる。熱ロー
ルを用いる場合の積層速度は０.０１〜１０ｍ／分であ
り、熱プレスを用いる場合の積層時間は、５〜２４０分
が望ましい。この際、配線導体層として用いられる銅箔
などの酸化を防止するため、窒素などの不活性ガス中、
あるいは真空中で積層接合しても構わない。
℃、好ましくは２００〜３４０℃の温度、０.９８〜９.
８ＭＰａ（１０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力が望ま
しく、熱ロール、熱プレスを用いて行なわれる。熱ロー
ルを用いる場合の積層速度は０.０１〜１０ｍ／分であ
り、熱プレスを用いる場合の積層時間は、５〜２４０分
が望ましい。この際、配線導体層として用いられる銅箔
などの酸化を防止するため、窒素などの不活性ガス中、
あるいは真空中で積層接合しても構わない。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例の配線基板の構成
を示す断面図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例の配線基板の構成
を示す断面図である。
【００１７】この配線基板は、アルミニウム板１、ポリ
イミド樹脂層２および銅箔３を積層接合したものであ
る。アルミニウム板１の表面は、陽極酸化処理が施され
ており、その粗度は中心線平均粗さ（Ｒa）で０.０１μ
ｍ以上１０μｍ以下の範囲内にある。また、アルミニウ
ム板１の陽極酸化処理を行なうに当り、処理前に比べ処
理後の表面の比表面積が２倍以上になるように、処理条
件が設定されている。比表面積の測定方法としては、Ｂ
ＥＴ法や水銀ボロシメータ法などがある。ポリイミド樹
脂層２は、ポリイミド骨格を有する有機樹脂からなり、
そのガラス転位温度（Ｔg）は、１６０℃から３５０℃
の範囲にある。銅箔３としては、従来のプリント配線基
板に使用される圧延銅箔が、そのまま使用されている。
イミド樹脂層２および銅箔３を積層接合したものであ
る。アルミニウム板１の表面は、陽極酸化処理が施され
ており、その粗度は中心線平均粗さ（Ｒa）で０.０１μ
ｍ以上１０μｍ以下の範囲内にある。また、アルミニウ
ム板１の陽極酸化処理を行なうに当り、処理前に比べ処
理後の表面の比表面積が２倍以上になるように、処理条
件が設定されている。比表面積の測定方法としては、Ｂ
ＥＴ法や水銀ボロシメータ法などがある。ポリイミド樹
脂層２は、ポリイミド骨格を有する有機樹脂からなり、
そのガラス転位温度（Ｔg）は、１６０℃から３５０℃
の範囲にある。銅箔３としては、従来のプリント配線基
板に使用される圧延銅箔が、そのまま使用されている。
【００１８】この配線基板の使用方法について説明す
る。この基板は、従来のプリント配線基板と同様にして
使用できる。すなわち、公知のエッチング法により銅箔
３をエッチングして配線パターンを形成する（図２）。
そののち、各種の電子部品を搭載してワイヤボンディン
グや半田付けなどの方法でこれら電子部品と配線パター
ンとを電気的に接続すればよい。さらに、特開平４−６
８９３号公報に記載のものと同様にして、折り曲げ加工
あるいは絞り加工を行なうことも可能である。
る。この基板は、従来のプリント配線基板と同様にして
使用できる。すなわち、公知のエッチング法により銅箔
３をエッチングして配線パターンを形成する（図２）。
そののち、各種の電子部品を搭載してワイヤボンディン
グや半田付けなどの方法でこれら電子部品と配線パター
ンとを電気的に接続すればよい。さらに、特開平４−６
８９３号公報に記載のものと同様にして、折り曲げ加工
あるいは絞り加工を行なうことも可能である。
【００１９】（実験例）次に、金属板の表面粗度に対す
る、金属板−有機樹脂間の接着強度を調べた結果につい
て説明する。金属板としては、表面に陽極酸化処理が施
されているアルミニウム板を用いた。また、有機樹脂と
しては、（ａ）三井東圧化学(株)社製ニューティーピー
アイ、（ｂ）3,3'-ジアミノベンゾフェノンと3,3',4,4'
-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とよりなる
熱可塑性ポリイミド、（ｃ）1,3-ビス（3-アミノフェノ
キシ）ベンゼンと3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物とよりなる熱可塑性ポリイミドの３種類
のものを用いた。中心線平均粗さＲaで表わされた各種
の表面粗度に対する９０°接着強度（９０°剥離強さ）
を求めたところ、下記の表に示されるような結果が得ら
れた。なお表中の（ａ）〜（ｃ）は、上記の有機樹脂
（ａ）〜（ｃ）に対応している。
る、金属板−有機樹脂間の接着強度を調べた結果につい
て説明する。金属板としては、表面に陽極酸化処理が施
されているアルミニウム板を用いた。また、有機樹脂と
しては、（ａ）三井東圧化学(株)社製ニューティーピー
アイ、（ｂ）3,3'-ジアミノベンゾフェノンと3,3',4,4'
-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とよりなる
熱可塑性ポリイミド、（ｃ）1,3-ビス（3-アミノフェノ
キシ）ベンゼンと3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物とよりなる熱可塑性ポリイミドの３種類
のものを用いた。中心線平均粗さＲaで表わされた各種
の表面粗度に対する９０°接着強度（９０°剥離強さ）
を求めたところ、下記の表に示されるような結果が得ら
れた。なお表中の（ａ）〜（ｃ）は、上記の有機樹脂
（ａ）〜（ｃ）に対応している。
【００２０】
【表１】 この表より、金属板とポリイミド系有機樹脂との間の十
分な接合強度を得るためには、いずれのポリイミド系有
機樹脂を使用した場合でも、金属板の表面粗度を中心線
平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下とし、好まし
くは０.０５μｍ以上８μｍ以下とすべきであることが
わかる。
分な接合強度を得るためには、いずれのポリイミド系有
機樹脂を使用した場合でも、金属板の表面粗度を中心線
平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下とし、好まし
くは０.０５μｍ以上８μｍ以下とすべきであることが
わかる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、有機樹脂
を介して配線導体層と金属板とが接合され、有機樹脂が
イミド骨格を有しそのガラス転位温度が１６０℃以上３
５０℃以下である配線基板において、有機樹脂に接する
側の金属板の表面粗度を中心線平均粗さで０.０１μｍ
以上１０μｍ以下とすることにより、金属板と有機樹脂
との接合強度が十分なものとなって、強度、耐熱性とも
に優れた配線基板が得られるという効果がある。
を介して配線導体層と金属板とが接合され、有機樹脂が
イミド骨格を有しそのガラス転位温度が１６０℃以上３
５０℃以下である配線基板において、有機樹脂に接する
側の金属板の表面粗度を中心線平均粗さで０.０１μｍ
以上１０μｍ以下とすることにより、金属板と有機樹脂
との接合強度が十分なものとなって、強度、耐熱性とも
に優れた配線基板が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の配線基板の構成を示す断面
図である。
図である。
【図２】配線パターンが形成された後の配線基板を示す
断面図である。
断面図である。
１ アルミニウム板 ２ ポリイミド樹脂層 ３ 銅箔
フロントページの続き (72)発明者 石川 孝幸 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 有機樹脂を介して配線導体層と金属板と
が接合され、前記有機樹脂がイミド骨格を有して前記有
機樹脂のガラス転位温度が１６０℃以上３５０℃以下で
ある配線基板において、 前記有機樹脂に接する側の前記金属板の表面粗度が、中
心線平均粗さで０.０１μｍ以上１０μｍ以下であるこ
とを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 配線導体層が銅箔からなる請求項１に記
載の配線基板。 - 【請求項３】 金属板が、表面に陽極酸化処理を施され
たアルミニウム板からなる請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項４】 金属板が表面に陽極酸化処理を施された
アルミニウム板からなり、前記陽極酸化処理の施された
面の比表面積が前記陽極酸化処理を行なう前の比表面積
に比べて２倍以上となっている請求項３に記載の配線基
板。 - 【請求項５】 金属板が、該金属板の表面に物理的およ
び／または化学的な粗化処理を施されたものである請求
項１に記載の配線基板。 - 【請求項６】 金属板表面の粗化処理を施された面の比
表面積が前記粗化処理を行なう前の比表面積に比べ２倍
以上となっている請求項５に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552592A JPH0645715A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19552592A JPH0645715A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645715A true JPH0645715A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16342546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19552592A Pending JPH0645715A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645715A (ja) |
Cited By (11)
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| US10461234B2 (en) | 2016-09-29 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Metal-base substrate, semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19552592A patent/JPH0645715A/ja active Pending
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