JPH0641134U - 半導体素子吸着装置 - Google Patents

半導体素子吸着装置

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JPH0641134U
JPH0641134U JP7626092U JP7626092U JPH0641134U JP H0641134 U JPH0641134 U JP H0641134U JP 7626092 U JP7626092 U JP 7626092U JP 7626092 U JP7626092 U JP 7626092U JP H0641134 U JPH0641134 U JP H0641134U
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JP
Japan
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semiconductor element
collet
view
vacuum
rectangular flat
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Pending
Application number
JP7626092U
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English (en)
Inventor
喜久夫 檀浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPH0641134U publication Critical patent/JPH0641134U/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空穴を有する半導体素子吸着装置におい
て、ダイボンドする際のθズレを防止し、生産能力およ
び品質の向上を図る。 【構成】 真空穴１２を有し、半導体素子吸着面１４が
半導体素子１３より小型の長方形平コレット１１におい
て、前記半導体素子吸着面１４に真空溝１５を形成した
ことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体素子吸着装置に関し、特に半導体製造において、半導体素子（ ＩＣ，ＬＳＩ，Ｔｒ，ＬＥＤ，ｅｔｃ）のダイボンド工程に使用するダイボンダ ー装置用半導体素子吸着コレットの先端形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体素子吸着装置について図３乃至図６に従って説明する。
【０００３】 図３は従来の角錐コレットを示す断面図である。角錐コレット１は真空穴２を 有し、前記角錐コレット１の先端部で前記真空穴２により半導体素子３を吸着し 、銀ペースト４を介してリードフレーム５上に前記半導体素子３をダイボンドす るものである。さらに、前記角錐コレット１の先端形状は前記半導体素子３より も大きい形状であった。
【０００４】 図４及び図５は従来の丸コレットを示す図であり、同図（ａ）は断面図であり 、同図（ｂ）は下面図である。図４及び図５の如く、丸コレット６，７は上記従 来例と同様に真空穴２を有し、前記丸コレット６，７の先端部で前記真空穴２に より半導体素子３を吸着し、銀ペーストを介してリードフレーム上に前記半導体 素子３をダイボンドするものである。さらに、図４に示す丸コレット６の先端形 状は前記半導体素子３よりも小さい形状であり、図５に示す丸コレット７の先端 形状は前記半導体素子３よりも大きい形状であった。
【０００５】 図６は従来の長方形平コレットを示す図であり、同図（ａ）は正面断面図であ り、同図（ｂ）は側面断面図である。長方形平コレット８は同じく上記従来例と 同様に真空穴２を有し、前記長方形平コレット８の先端部で前記真空穴２により 半導体素子３を吸着し、銀ペーストを介してリードフレーム上に前記半導体素子 ３をダイボンドするものである。さらに、前記長方形平コレット８の先端形状は 、前記半導体素子３よりも一回り小さい形状としている。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】
図７の如く、従来の角錐コレット１では、半導体素子３をダイボンドする際に 、銀ペースト４が前記角錐コレット１に付着して、次の半導体素子３を吸着する ときに前記半導体素子３表面に前記銀ペースト４が付着するといった不都合が生 じる。また、前記銀ペースト４を少なくすると付着する可能性が少なくなるが、 前記銀ペースト４の塗布量がばらつく為、少なくできない。
【０００７】 また、従来の丸コレット６，７において、半導体素子３よりも小さい先端部を 有する丸コレット６は、前述したような銀ペースト４が丸コレット６に付着する といった不都合は生じないが、前記半導体素子３が長方形である為、前記半導体 素子３を吸着する面積が少ないので、リードフレーム５上にダイボンドする際に 、図８（ｂ）に示すようなθズレが発生し、また図９の如く、半導体素子３をシ ート９より突き上げピン１０にて突き上げて丸コレット６に吸着させる際に、前 記丸コレット６の吸着面が小さいのでピックアップミスが発生する。例えば、フ ォトカプラーのチップサイズは１ｍｍ未満である為、前述したようなθズレ、ピ ックアップミスを生じる。これに対し、半導体素子３よりも大きい先端部を有す る丸コレット７は、前述したようなθズレ及びピックアップミスが無くなるが、 図１０の如く、前記角錐コレット１と同様に銀ペーストの付着が発生する。
【０００８】 さらに、従来の長方形平コレット８においても、半導体素子３をダイボンドす る際に、前述したようなθズレが発生する。
【０００９】 本考案は、上記問題点を解決することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本考案は、真空穴を有し、半導体素子吸着面が半導体素子より小型の半導体素 子吸着装置において、前記半導体素子吸着面に真空溝を形成したことを特徴とす るものである。
【００１１】
【作用】
半導体素子吸着面に真空溝を形成したことにより、半導体素子を真空で吸着す る面積が大きくなり、ダイボンドする際のθズレを防止することができる。
【００１２】
【実施例】
図１は、本考案の一実施例を示す図であり、同図（ａ）は正面断面図であり、 同図（ｂ）は側面断面図であり、同図（ｃ）は下面図である。
【００１３】 図１の如く、本考案よりなる長方形平コレット１１は真空穴１２を有し、前記 長方形平コレット１１の先端形状は、半導体素子１３チップサイズＡ×Ｂに対し 、前記長方形平コレット１１サイズＡ′×Ｂ′を一回り（約１００μ）小さく形 成し、半導体素子吸着面１４に前記真空穴１２よりも幅広い真空溝１５を形成し たものである。
【００１４】 図２は、図１に示す長方形平コレット１１によるダイボンド中の状態を示す図 であり、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図である。この ように、銀ペースト１６を介してリードフレーム１７に半導体素子１３をダイボ ンドした際、前記長方形平コレット１１の先端形状は前記半導体素子１３より一 回り小さい為、前記銀ペースト１６の塗布量が多くなっても前記長方形平コレッ ト１１に付着することなくダイボンドを行うことができる。また、半導体素子吸 着面１４と半導体素子１３の被吸着面とがほぼ同一形状である為、前記半導体素 子１３を吸着する際にピックアップが安定する。
【００１５】 さらに、前記半導体素子吸着面１４に真空溝１５を形成したことにより、真空 で吸着する面積が大きくなり、吸着力を向上し、ダイボンドする際のθズレを防 止できる。
【００１６】 尚、前記長方形平コレット１１は超硬製であり、前記半導体素子吸着面１４は 、前記半導体素子１３にキズを付けないよう鏡面にし、さらに前記半導体素子吸 着面１４の端部四方に、同じくキズを付けないようアールＲが形成されている。
【００１７】
【考案の効果】
以上のように、本考案によれば半導体素子吸着面に真空溝を形成したことによ り、半導体素子を真空で吸着する面積が大きくなり、ダイボンドする際のθズレ が防止され、これによりダイボンドが安定し、生産能力および品質を向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例を示す図であり、同図（ａ）
は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図であり、
同図（ｃ）は下面図である。
【図２】図１に示す長方形平コレットによるダイボンド
の状態を示す図であり、図（ａ）は正面断面図であり、
図（ｂ）は側面断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】他の従来例を示す図であり、図（ａ）は断面図
であり、図（ｂ）は下面図である。
【図５】更に他の従来例を示す図であり、図（ａ）は断
面図であり、図（ｂ）は下面図である。
【図６】更に他の従来例を示す図であり、図（ａ）は正
面断面図であり、図（ｂ）は側面断面図である。
【図７】図３に示す角錐コレットによるダイボンドの状
態を示す断面図である。
【図８】ダイボンド後の状態を示す図であり、図（ａ）
は正常な場合の正面図であり、図（ｂ）はθズレした場
合の正面図である。
【図９】図４に示す丸コレットにおいて、ピックアップ
する際の状態を示す断面図である。
【図１０】図５に示す丸コレットによるダイボンドの状
態を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ 長方形平コレット １２ 真空穴 １３ 半導体素子 １４ 半導体素子吸着面 １５ 真空溝

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空穴を有し、半導体素子吸着面が半導
    体素子より小型の半導体素子吸着装置において、前記半
    導体素子吸着面に真空溝を形成したことを特徴とする半
    導体素子吸着装置。
JP7626092U 1992-11-05 1992-11-05 半導体素子吸着装置 Pending JPH0641134U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7626092U JPH0641134U (ja) 1992-11-05 1992-11-05 半導体素子吸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7626092U JPH0641134U (ja) 1992-11-05 1992-11-05 半導体素子吸着装置

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JPH0641134U true JPH0641134U (ja) 1994-05-31

Family

ID=13600252

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7626092U Pending JPH0641134U (ja) 1992-11-05 1992-11-05 半導体素子吸着装置

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